多年來，半導(dǎo)體晶片鍵合一直是人們感興趣的課題。使用中間有機(jī)或無(wú)機(jī)粘合材料的晶片鍵合與傳統(tǒng)的晶片鍵合技術(shù)相比具有許多優(yōu)點(diǎn)，例如相對(duì)較低的鍵合溫度、沒有電壓或電流、與標(biāo)準(zhǔn)互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體晶片的兼容性
2022-04-26 14:07:04
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晶片鍵合是指通過一系列物理過程將兩個(gè)或多個(gè)基板或晶片相互連接和化學(xué)過程。晶片鍵合用于各種技術(shù)，如MEMS器件制造，其中傳感器組件封裝在應(yīng)用程序中。其他應(yīng)用領(lǐng)域包括三維集成、先進(jìn)的封裝技術(shù)和CI制造業(yè)在晶圓鍵合中有兩種主要的鍵合，臨時(shí)鍵合和永久鍵合，兩者都是在促進(jìn)三維集成的技術(shù)中發(fā)揮著關(guān)鍵作用。
2022-07-21 17:27:433882 所謂混合鍵合（hybrid bonding），指的是將兩片以上不相同的Wafer或Die通過金屬互連的混合鍵合工藝，來實(shí)現(xiàn)三維集成，在Hybrid Bonding前，2D，2.5D及3D封裝都是采用
2025-06-03 11:35:242032 
電子發(fā)燒友網(wǎng)綜合報(bào)道，據(jù)韓媒報(bào)道，三星近日與長(zhǎng)江存儲(chǔ)簽署了3D NAND混合鍵合專利許可協(xié)議，從第10代V-NAND開始，將使用長(zhǎng)江存儲(chǔ)的專利技術(shù)，特別是在“混合鍵合”技術(shù)方面。 ? W2W技術(shù)是指
2025-02-27 01:56:001039 
客戶對(duì)HBM的要求為增加帶寬、提高功率效率、提高集成度。混合鍵合就是可以滿足此類需求的技術(shù)。 ? 混合鍵合技術(shù)預(yù)計(jì)不僅可應(yīng)用于HBM，還可應(yīng)用于3D DRAM和NAND Flash。SK海力士副總裁姜志浩（音譯）表示，“目前的做法是分別創(chuàng)建DRAM單元區(qū)域和外圍區(qū)域，
2025-04-17 00:05:001060 電子發(fā)燒友網(wǎng)綜合報(bào)道 半導(dǎo)體封裝技術(shù)正經(jīng)歷從傳統(tǒng)平面架構(gòu)向三維立體集成的革命性躍遷，其中銅 - 銅混合鍵合技術(shù)以其在互連密度、能效優(yōu)化與異構(gòu)集成方面的突破，成為推動(dòng) 3D 封裝發(fā)展的核心
2025-06-29 22:05:131519 請(qǐng)教：最近在書上講解電感時(shí)提到一個(gè)名詞——鍵合線，望大家能給出通俗詳細(xì)解釋
2014-06-22 13:21:45
合作伙伴簽訂《專利技術(shù)合作協(xié)議》?！ ∪?、申請(qǐng)流程 有意合作的請(qǐng)郵件至公司郵箱kfskck@163.com?！ ⌒杼峁┑男畔ǎ汉献鞣焦久Q、聯(lián)系人及聯(lián)系方式、儀表相關(guān)專利技術(shù)介紹?！ ∥覀儗?huì)
2017-12-01 15:27:17
移植保護(hù)作為智能卡芯片代表的LKT系列芯片，具有代碼移植專利技術(shù)，可以將嵌入式設(shè)備中的部分程序植入到加密芯片內(nèi)部，在加密芯片內(nèi)部來執(zhí)行，使得加密芯片內(nèi)部的程序代碼成為嵌入式設(shè)備程序中的一部分，從而達(dá)到
2015-03-12 14:37:50
~~~
*附件：無(wú)刷雙饋電機(jī)專利技術(shù)發(fā)展.pdf
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2025-06-25 13:10:51
本帖最后由 eehome 于 2013-1-5 09:43 編輯
急求關(guān)于面
鍵合技術(shù)的相關(guān)資料，面
鍵合?。?/div>
2012-12-11 22:25:48
硅-硅直接鍵合技術(shù)主要應(yīng)用于SOI、MEMS和大功率器件，按照結(jié)構(gòu)又可以分為兩大類：一類是鍵合襯底材料，包括用于高頻、抗輻射和VSIL的SOI襯底和用于大功率高壓器件的類外延的疏水鍵合N+-N-或
2018-11-23 11:05:56
硅襯底和砷化鎵襯底金金鍵合后，晶圓粉碎是什么原因，偶發(fā)性異常，找不出規(guī)律，有大佬清楚嗎，求助！
2023-03-01 14:54:11
芯片封裝鍵合技術(shù)各種微互連方式簡(jiǎn)介微互連技術(shù)簡(jiǎn)介定義：將芯片凸點(diǎn)電極與載帶的引線連接，經(jīng)過切斷、沖壓等工藝封裝而成。載帶：即帶狀載體，是指帶狀絕緣薄膜上載有由覆 銅箔經(jīng)蝕刻而形成的引線框架，而且芯片
2012-01-13 14:58:34
11月1日消息，據(jù)國(guó)外媒體報(bào)道，蘋果向威斯康辛州一家法庭表示，愿意向谷歌旗下摩托羅拉移動(dòng)付費(fèi)以獲得該公司擁有的“標(biāo)準(zhǔn)要素”無(wú)線專利授權(quán)，但費(fèi)率不超過每MAX3232EUE+T銷售1臺(tái)iPhone 1
2012-11-01 16:50:48
?！ 皩?shí)施協(xié)同創(chuàng)新計(jì)劃以來，我們加強(qiáng)了同協(xié)同單位在專利技術(shù)方面的推廣應(yīng)用，目前已有近百項(xiàng)專利技術(shù)應(yīng)用于協(xié)同單位牽頭的各類國(guó)家級(jí)重大項(xiàng)目，同時(shí)成功轉(zhuǎn)化為企業(yè)的核心技術(shù)。”該?？茖W(xué)研究院副院長(zhǎng)蔡固順介紹
2013-11-22 01:02:10
專利的申請(qǐng)趨勢(shì)、主要申請(qǐng)人分布以及重點(diǎn)技術(shù)分支:輪邊驅(qū)動(dòng)電機(jī)的發(fā)展路線做了一定的分析,并從中得到一定的規(guī)律。
純分享帖，需要者可點(diǎn)擊附件免費(fèi)獲取完整資料~~~*附件：輪邊驅(qū)動(dòng)電機(jī)專利技術(shù)發(fā)展.pdf
2025-06-10 13:15:11
銅線以其良好的電器機(jī)械性能和低成本特點(diǎn)已在半導(dǎo)體分立器件的內(nèi)引線鍵合工藝中得到廣泛應(yīng)用,但銅線的金屬活性和延展性也在鍵合過程中容易帶來新的失效問題,文中對(duì)這種
2009-03-07 10:30:57
16 摘要：本文簡(jiǎn)述了混合電路以及半導(dǎo)體器件內(nèi)引線鍵合技術(shù)原理，分析了影響內(nèi)引線鍵合系統(tǒng)質(zhì)量的因素，重點(diǎn)分析了最常見的幾種失效模式：鍵合強(qiáng)度下降、鍵合點(diǎn)脫落等，并提
2010-05-31 09:38:0430
絕對(duì)防雷的電源——披露“三不連接防雷”的專利技術(shù)
1概述
在世界上一切稱之為絕緣體的物質(zhì)，在不斷上升的電場(chǎng)下
2009-07-10 10:47:12645 原子間的鍵合
1.2.1 金屬鍵???金屬中的自由電子和金屬正離子相互作用所構(gòu)成鍵合稱為金屬鍵。金屬鍵的基本特點(diǎn)是電子的共有化。
2009-08-06 13:29:315913 轉(zhuǎn)化專利技術(shù)主攻動(dòng)力電池 海星高科年產(chǎn)值增2倍
由于應(yīng)用了湘潭大學(xué)科技小分隊(duì)帶來的兩項(xiàng)發(fā)明專利，湖南海星高科動(dòng)力電池有限
2010-01-19 09:06:33509 在回顧現(xiàn)行的引線鍵合技術(shù)之后,本文主要探討了集成電路封裝中引線鍵合技術(shù)的發(fā)展趨勢(shì)。球形焊接工藝比楔形焊接工藝具有更多的優(yōu)勢(shì)，因而獲得了廣泛使用。傳統(tǒng)的前向拱絲越來越
2011-10-26 17:13:5686 據(jù)國(guó)外媒體報(bào)道，為了避開潛在專利侵權(quán)訴訟，韓國(guó)LG電子與微軟簽訂了專利授權(quán)協(xié)議，雙方此次簽訂的專利授權(quán)協(xié)議覆蓋了LG生產(chǎn)的Android平板電腦、手機(jī)和其他產(chǎn)品。
2012-01-13 09:08:55825 Aptina宣布，該公司與索尼（Sony）簽署了一項(xiàng)專利交叉許可協(xié)議，授權(quán)雙方可使用對(duì)方的專利產(chǎn)品組合。
2013-05-07 15:50:021649 近年來，我國(guó)保護(hù)知識(shí)產(chǎn)權(quán)的環(huán)境日益進(jìn)步，尊重專利和知識(shí)產(chǎn)權(quán)保護(hù)的意識(shí)逐漸增強(qiáng)。高通作為全球通信行業(yè)的領(lǐng)先企業(yè)，是很多專利技術(shù)的開發(fā)者，高通運(yùn)用專利授權(quán)的方式共享高通的專利技術(shù)。從第一代移動(dòng)通信技術(shù)
2017-07-26 14:49:211264 高通5G專利授權(quán)費(fèi)將根據(jù)設(shè)備售價(jià)按固定的比例收取，具體而言，單模5G手機(jī)的專利授權(quán)費(fèi)率為2.275%，多模5G手機(jī)的專利授權(quán)費(fèi)率為3.25%。
2017-11-24 13:00:46871 三星宣布將推出屏幕可折疊的曲面智能手機(jī)開始，便迅速開始對(duì)屏幕折疊方式上進(jìn)行專利布局。據(jù)不完全統(tǒng)計(jì)，截至目前三星公司已經(jīng)擁有了各類折疊屏專利技術(shù)二十多項(xiàng)，嘗試擁有各式各樣的屏幕折疊方式專利技術(shù)。
2017-12-05 16:03:451126 我們以前經(jīng)常能夠看到蘋果告某某公司侵犯自己的專利，現(xiàn)在蘋果自家的Apple Watch也被別人給告了，原因一樣是侵犯專利技術(shù)。
2018-06-08 01:24:00772 霍尼韋爾推出基于霍尼韋爾專利技術(shù)的新型RadLo 低α 粒子電鍍陽(yáng)極產(chǎn)品，幫助降低由于α 粒子放射而引起的半導(dǎo)體數(shù)據(jù)錯(cuò)誤發(fā)生率。
2018-06-02 11:00:002352 本文就以高級(jí)輔助駕駛系統(tǒng)ADAS為例，簡(jiǎn)要介紹其中涉及的專利技術(shù)。
2018-10-04 08:52:006159 頭條。作為全球科技領(lǐng)頭羊，Apple的新專利信息一向備受關(guān)注，下面我們就來看看，Apple近期有哪些值得關(guān)注的專利技術(shù)。 握握手就能實(shí)現(xiàn)交換數(shù)據(jù) 考慮到智能手表的屏幕面積非常有限，設(shè)備間若想要交換數(shù)據(jù)，還真不是一件操作起來很方便的事情。對(duì)此蘋果有一些自己的想法，在其新申
2018-10-08 16:23:01530 觸覺反饋公司Immersion Corp與索尼簽署協(xié)議，將“先進(jìn)觸覺”專利組合授權(quán)給索尼。該公司表示，索尼可以將這一技術(shù)引用于“游戲控制器和VR控制器”。
2019-05-21 16:58:181161 觸覺反饋技術(shù)公司Immersion Corp與索尼簽署協(xié)議，授權(quán)其“高級(jí)觸覺”專利組合。該公司表示，索尼可以利用這一點(diǎn)，將其技術(shù)用于“游戲控制器和虛擬現(xiàn)實(shí)控制器”。
2019-05-27 10:57:491689 近日，美國(guó)參議員Marco Rubio周一提出立法，要求阻止華為在美國(guó)專利法院尋求損害賠償金，此前華為要求Verizon支付10億美元的專利技術(shù)許可費(fèi)。
2019-06-19 09:00:143926 最近外媒letsgodigital發(fā)現(xiàn)了一個(gè)來自索尼公司的卡帶專利，這家媒體稱這項(xiàng)專利是在今年6月提交的，并在本月進(jìn)行了更新。消息曝光后，引發(fā)了各種瘋狂猜測(cè)：索尼的PS5將用上卡帶，索尼的PS5將是一種掌機(jī)/主機(jī)混合機(jī)種，甚至是索尼正在開發(fā)一個(gè)新的Vita——PSV2。
2019-11-12 15:07:113420 公司在許多單項(xiàng)領(lǐng)域也取得了突破，取得了大量與PCB相關(guān)的專利技術(shù)，形成了自己特有的優(yōu)勢(shì)。截止2019年12月31日，公司累計(jì)專利申請(qǐng)量1136項(xiàng)，其中PCT國(guó)際專利申請(qǐng)12項(xiàng)，發(fā)明專利累計(jì)申請(qǐng)722項(xiàng)，處于行業(yè)領(lǐng)先水平。
2020-08-13 15:03:035306 代工廠、設(shè)備供應(yīng)商、研發(fā)機(jī)構(gòu)等都在研發(fā)一種稱之為銅混合鍵合（Hybrid bonding）工藝，這項(xiàng)技術(shù)正在推動(dòng)下一代2.5D和3D封裝技術(shù)。
2020-10-10 15:24:327955 
近日，國(guó)家工業(yè)信息安全發(fā)展研究中心、工信部電子知識(shí)產(chǎn)權(quán)中心發(fā)布《2020人工智能中國(guó)專利技術(shù)分析報(bào)告》，展示我國(guó)人工智能領(lǐng)域創(chuàng)新發(fā)展新態(tài)勢(shì)。其中，在人工智能專利申請(qǐng)量和授權(quán)量方面，百度分別以9364
2020-12-17 18:22:123170 
結(jié)合離子注入工藝、激光照射和去除犧牲層，晶片鍵合技術(shù)是將高質(zhì)量薄膜轉(zhuǎn)移到不同襯底上的最有效方法之一。本文系統(tǒng)地總結(jié)和介紹了蘇州華林科納的晶片鍵合技術(shù)在電子、光學(xué)器件、片上集成中紅外傳感器和可穿戴傳感器等領(lǐng)域的應(yīng)用。依次介紹了基于智能剝離技術(shù)
2021-12-21 16:33:293325 
）至關(guān)重要，混合集成是將來自不同技術(shù)的芯片組合成高性能模塊的過程，例如激光雷達(dá)和其他成像應(yīng)用中的混合像素探測(cè)器。曾經(jīng)用于倒裝芯片接合的錫焊料正在被包括銦在內(nèi)的無(wú)鉛替代品所取代。然而，使用傳統(tǒng)方法制備對(duì)于形成鍵合必不可少的銦
2022-11-11 17:11:012050 金絲鍵合質(zhì)量的好壞受劈刀、鍵合參數(shù)、鍵合層鍍金質(zhì)量和金絲質(zhì)量等因素的制約。傳統(tǒng)熱壓鍵合、超聲鍵合、熱超聲鍵合或楔形鍵合和球形鍵合分別在不同情況下可以得到最佳鍵合效果。工藝人員針對(duì)不同焊盤尺寸所制定
2023-02-07 15:00:256593 國(guó)內(nèi)主要電動(dòng)夾爪廠家專利技術(shù)分布情況
2023-03-14 14:02:431430 
兩片晶圓面對(duì)面鍵合時(shí)是銅金屬對(duì)銅金屬、介電值對(duì)介電質(zhì)，兩邊鍵合介面的形狀、位置完全相同，晶粒大小形狀也必須一樣。所以使用混合鍵合先進(jìn)封裝技術(shù)的次系統(tǒng)產(chǎn)品各成分元件必須從產(chǎn)品設(shè)計(jì)、線路設(shè)計(jì)時(shí)就開始共同協(xié)作。
2023-05-08 09:50:302600 揭秘國(guó)內(nèi)主要電動(dòng)夾爪廠商的專利技術(shù)分布：創(chuàng)新領(lǐng)域與競(jìng)爭(zhēng)優(yōu)勢(shì)
2023-05-16 14:28:491283 
晶圓直接鍵合技術(shù)可以使經(jīng)過拋光的半導(dǎo)體晶圓，在不使用粘結(jié)劑的情況下結(jié)合在一起，該技術(shù)在微電子制造、微機(jī)電系統(tǒng)封裝、多功能芯片集成以及其他新興領(lǐng)域具有廣泛的應(yīng)用。對(duì)于一些溫度敏感器件或者熱膨脹系數(shù)差異
2023-06-14 09:46:273533 
華燦光電的“微型發(fā)光二極管芯片及其制備方法”專利已獲得授權(quán)，授權(quán)公告日為6月9日，授權(quán)公告號(hào)為CN114388672B，該專利能夠提升芯片鍵合強(qiáng)度，使鍵合層與基板和外延結(jié)構(gòu)的連接更緊密，提高芯片
2023-06-16 14:24:431211 小芯片為工程師們提供了半導(dǎo)體領(lǐng)域的新機(jī)遇，但當(dāng)前的鍵合技術(shù)帶來了許多挑戰(zhàn)。
2023-06-20 16:45:131140 
在本文中，我們將討論混合鍵合的趨勢(shì)、混合鍵合面臨的挑戰(zhàn)以及提供最佳解決方案的工具。
2023-07-15 16:28:083164 
先進(jìn)半導(dǎo)體封裝的凸塊技術(shù)已取得顯著發(fā)展，以應(yīng)對(duì)縮小接觸間距和傳統(tǒng)倒裝芯片焊接相關(guān)限制帶來的挑戰(zhàn)。該領(lǐng)域的一項(xiàng)突出進(jìn)步是 3D Cu-Cu 混合鍵合技術(shù)，它提供了一種變革性的解決方案。
2023-09-21 15:42:292585 晶圓鍵合技術(shù)是將兩片不同結(jié)構(gòu)/不同材質(zhì)的晶圓，通過一定的物理方式結(jié)合的技術(shù)。晶圓鍵合技術(shù)已經(jīng)大量應(yīng)用于半導(dǎo)體器件封裝、材料及器件堆疊等多種半導(dǎo)體應(yīng)用領(lǐng)域。
2023-10-24 12:43:242895 
要了解混合鍵合，需要了解先進(jìn)封裝行業(yè)的簡(jiǎn)要?dú)v史。當(dāng)電子封裝行業(yè)發(fā)展到三維封裝時(shí)，微凸塊通過使用芯片上的小銅凸塊作為晶圓級(jí)封裝的一種形式，在芯片之間提供垂直互連。凸塊的尺寸范圍很廣，從 40 μm 間距到最終縮小到 20 μm 或 10 μm 間距。
2023-11-22 16:57:426765 
自從IBM于20世紀(jì)60年代開發(fā)出可控塌陷芯片連接（Controlled Collapse Chip Connect，C4）技術(shù)，或稱倒裝芯片技術(shù)，凸點(diǎn)鍵合在微電子封裝領(lǐng)域特別是芯片與封裝基板的鍵合
2023-12-05 09:40:003259 
共讀好書 姚友誼 吳琪 陽(yáng)微 胡蓉 姚遠(yuǎn)建 （成都西科微波通訊有限公司） 摘要： 從鋁質(zhì)焊盤鍵合后易發(fā)生欠鍵合和過鍵合的故障現(xiàn)象著手，就鋁焊盤上幾種常見鍵合方式進(jìn)行了探討，得出鍵合的優(yōu)先級(jí)為硅鋁絲
2024-02-02 16:51:482915 
共讀好書 劉鳳華 中電科思儀科技股份有限公司 摘要： 鍵合對(duì)設(shè)備性能和人員技能的要求極高，屬于關(guān)鍵控制工序，鍵合質(zhì)量的好壞直接影響電路的可靠性。工藝人員需對(duì)鍵合的影響因素進(jìn)行整體把控，有針對(duì)性地控制
2024-02-02 17:07:181762 
領(lǐng)域的領(lǐng)導(dǎo)企業(yè)Adeia戰(zhàn)略副總裁Seung Kang博士表示，對(duì)計(jì)算能力的需求正在加速增長(zhǎng)，需求將超過當(dāng)前支撐當(dāng)今高性能基礎(chǔ)設(shè)施、平臺(tái)和設(shè)備的芯片組技術(shù)的能力。 全球數(shù)字經(jīng)濟(jì)的各個(gè)垂直領(lǐng)域幾乎都對(duì)人工智能的興趣日益濃厚，預(yù)計(jì)將推動(dòng)整個(gè)半導(dǎo)體行業(yè)對(duì)混合鍵合技術(shù)的需求激增。 Ga
2024-02-01 14:42:50747 據(jù)業(yè)界消息人士透露，為了進(jìn)一步提升其芯片代工能力，三星正全力推進(jìn)混合鍵合技術(shù)的整合工作。據(jù)悉，應(yīng)用材料公司和Besi Semiconductor已在三星的天安園區(qū)開始安裝先進(jìn)的混合鍵合設(shè)備，這些設(shè)備預(yù)計(jì)將用于三星的下一代封裝解決方案，如X-Cube和SAINT。
2024-02-18 11:13:231266 混合鍵合技術(shù)是近年來在微電子封裝和先進(jìn)制造領(lǐng)域引起廣泛關(guān)注的一種新型連接技術(shù)。它通過結(jié)合不同鍵合方法的優(yōu)點(diǎn)，實(shí)現(xiàn)了更高的封裝密度、更強(qiáng)的機(jī)械性能和更好的熱穩(wěn)定性，為現(xiàn)代電子產(chǎn)品的微型化、高性能化提供了有力支持。
2024-02-18 10:06:194673 
美的獲實(shí)用新型專利授權(quán) 美的新獲得一項(xiàng)實(shí)用新型專利授權(quán)，該專利名為“一種功放模塊組件、射頻發(fā)生裝置、射頻解凍裝置以及冰箱”，專利申請(qǐng)?zhí)朇N202223387092.2。 該技術(shù)可以幫助解決現(xiàn)有技術(shù)目前功率放大電路散熱結(jié)構(gòu)使用不便的技術(shù)問題；而且非常更適用于小型化設(shè)備中。
2024-02-24 17:18:332246 推動(dòng)了這項(xiàng)技術(shù)的發(fā)展，這項(xiàng)技術(shù)對(duì)尖端處理器和存儲(chǔ)器至關(guān)重要。這項(xiàng)技術(shù)被稱為混合鍵合，它將兩個(gè)或多個(gè)芯片堆疊在同一封裝中，使芯片制造商能夠增加處理器和存儲(chǔ)器中的晶體管數(shù)量，盡管曾經(jīng)定義摩爾定律的傳統(tǒng)晶體管
2024-06-18 16:57:512677 金絲鍵合強(qiáng)度測(cè)試儀是測(cè)量引線鍵合強(qiáng)度，評(píng)估鍵合強(qiáng)度分布或測(cè)定鍵合強(qiáng)度是否符合有關(guān)的訂購(gòu)文件的要求。鍵合強(qiáng)度試驗(yàn)機(jī)可應(yīng)用于采用低溫焊、熱壓焊、超聲焊或有關(guān)技術(shù)鍵合的、具有內(nèi)引線的器件封裝內(nèi)部的引線
2024-07-06 11:18:592228 
在半導(dǎo)體技術(shù)日新月異的今天，SK海力士再次站在了行業(yè)創(chuàng)新的前沿。據(jù)最新消息，該公司計(jì)劃于2026年在其高性能內(nèi)存（High Bandwidth Memory, HBM）的生產(chǎn)過程中引入混合鍵合技術(shù)，這一舉措不僅標(biāo)志著SK海力士在封裝技術(shù)上的重大突破，也預(yù)示著全球半導(dǎo)體行業(yè)將迎來新一輪的技術(shù)革新。
2024-07-17 09:58:191366 在半導(dǎo)體制造領(lǐng)域，技術(shù)的每一次革新都標(biāo)志著行業(yè)邁向新的里程碑。近年來，隨著芯片性能需求的不斷提升，傳統(tǒng)的二維封裝技術(shù)已難以滿足日益增長(zhǎng)的數(shù)據(jù)處理速度和功耗控制要求。在此背景下，混合鍵合（Hybrid
2024-08-26 10:41:542476 
要求，傳統(tǒng)互聯(lián)技術(shù)如引線鍵合、倒裝芯片鍵合和硅通孔（TSV）鍵合等，正逐步顯露其局限。在這種背景下，混合鍵合技術(shù)以其革命性的互聯(lián)潛力，正成為行業(yè)的新寵。
2024-10-18 17:54:541776 
混合鍵合（Hybrid Bonding）是半導(dǎo)體封裝領(lǐng)域的新興技術(shù)，能夠?qū)崿F(xiàn)高密度三維集成，無(wú)需傳統(tǒng)的焊料凸點(diǎn)。本文探討混合鍵合的基本原理、相比傳統(tǒng)方法的優(yōu)勢(shì)，以及該領(lǐng)域的最新發(fā)展。
2024-10-30 09:54:514308 
隨著摩爾定律的放緩與面臨微縮物理極限，半導(dǎo)體巨擘越來越依賴先進(jìn)封裝技術(shù)推動(dòng)性能的提升。隨著封裝技術(shù)從2D向2.5D、3D推進(jìn)，芯片堆迭的連接技術(shù)也成為各家公司差異化與競(jìng)爭(zhēng)力的展現(xiàn)。而“混合鍵合
2024-11-08 11:00:542152 隨著半導(dǎo)體技術(shù)的飛速發(fā)展，芯片的性能需求不斷提升，傳統(tǒng)的二維封裝技術(shù)已難以滿足日益增長(zhǎng)的數(shù)據(jù)處理速度和功耗控制要求。在此背景下，混合鍵合（Hybrid Bonding）技術(shù)應(yīng)運(yùn)而生，并迅速成為三維
2024-11-13 13:01:323341 
晶圓鍵合是十分重要的一步工藝，本文對(duì)其詳細(xì)介紹。???????????????????????????? ? 什么是晶圓鍵合膠？ 晶圓鍵合膠（wafer bonding adhesive）是一種用于
2024-11-14 17:04:443586 
功能？在眾多關(guān)鍵技術(shù)中，晶圓鍵合技術(shù)雖然不像光刻技術(shù)那樣廣為人知，但它卻默默地在我們的手機(jī)圖像傳感器、重力加速傳感器、麥克風(fēng)、4G和5G射頻前端，以及部分NAND閃存中發(fā)揮著重要作用。那么，這一技術(shù)中的新興領(lǐng)域——混合
2024-11-18 10:08:051976 一、超聲鍵合輔助的多層鍵合技術(shù) 基于微導(dǎo)能陣列的超聲鍵合多層鍵合技術(shù)： 在超聲鍵合微流控芯片多層鍵合研究中，有基于微導(dǎo)能陣列的聚碳酸酯微流控芯片超聲鍵合技術(shù)。研究對(duì)比了大量鍵合方法，認(rèn)為超聲鍵合方式
2024-11-19 13:58:001070 
摘要: 隨著半導(dǎo)體技術(shù)的發(fā)展，傳統(tǒng)倒裝焊( FC) 鍵合已難以滿足高密度、高可靠性的三維( 3D) 互連技術(shù)的需求。混合鍵合( HB) 技術(shù)是一種先進(jìn)的3D 堆疊封裝技術(shù)，可以實(shí)現(xiàn)焊盤直徑≤1 μm
2024-11-22 11:14:464487 
微電子封裝中的引線鍵合技術(shù)引線鍵合技術(shù)在微電子封裝領(lǐng)域扮演著至關(guān)重要的角色，它通過金屬線將半導(dǎo)體芯片與外部電路相連，實(shí)現(xiàn)電氣互連和信息傳遞。在理想條件下，金屬引線與基板之間的連接可以達(dá)到原子級(jí)別的鍵
2024-12-24 11:32:042832 
微流控芯片鍵合技術(shù)的重要性 微流控芯片的鍵合技術(shù)是實(shí)現(xiàn)其功能的關(guān)鍵步驟之一，特別是在密封技術(shù)方面。鍵合技術(shù)的選擇直接影響到微流控芯片的整體性能和可靠性。 不同材料的鍵合方式 玻璃材料：通常通過熱鍵合
2024-12-30 13:56:311248 引線鍵合 引線鍵合，又稱壓焊，是半導(dǎo)體封裝工藝中的關(guān)鍵環(huán)節(jié)，對(duì)封裝的可靠性和最終產(chǎn)品的測(cè)試良率具有決定性影響。 以下是對(duì)引線鍵合的分述： 引線鍵合概述 引線鍵合設(shè)備 引線鍵合方法 1 引線鍵合概述
2025-01-02 10:18:012679 
混合鍵合3D芯片技術(shù)將拯救摩爾定律。 為了繼續(xù)縮小電路尺寸，芯片制造商正在爭(zhēng)奪每一納米的空間。但在未來5年里，一項(xiàng)涉及幾百乃至幾千納米的更大尺度的技術(shù)可能同樣重要。 這項(xiàng)技術(shù)被稱為“混合鍵合”，可以
2025-02-09 09:21:431230 
本文介紹了Cu-Cu混合鍵合主要用在哪方面以及原理是什么。
2025-02-26 17:35:111575 
金屬共晶鍵合是利用金屬間的化學(xué)反應(yīng)，在較低溫度下通過低溫相變而實(shí)現(xiàn)的鍵合，鍵合后的金屬化合物熔點(diǎn)高于鍵合溫度。該定義更側(cè)重于從材料科學(xué)的角度定義。
2025-03-04 14:14:411922 
鍵合技術(shù)主要分為直接鍵合和帶有中間層的鍵合。直接鍵合如硅硅鍵合，陽(yáng)極鍵合等鍵合條件高，如高溫、高壓等。而帶有中間層的鍵合，所需的溫度更低，壓力也更小。帶金屬的中間層鍵合技術(shù)主要包括共晶鍵合、焊料鍵合、熱壓鍵合和反應(yīng)鍵合等。本文主要對(duì)共晶鍵合進(jìn)行介紹。
2025-03-04 17:10:522636 
為邦定。 目前主要有四種鍵合技術(shù)：傳統(tǒng)而可靠的引線鍵合（Wire Bonding）、性能優(yōu)異的倒裝芯片（Flip Chip）、自動(dòng)化程度高的載帶自動(dòng)鍵合（TAB, Tape Automated Bonding），以及代表未來趨勢(shì)的混合鍵合（Hybrid Bonding）技術(shù)。本文將簡(jiǎn)要介紹這四種鍵合
2025-03-22 09:45:315450 
，半導(dǎo)體制造商傾向于采用厚度小于 100 μm的薄晶圓。然而，晶圓越薄就越容易破損，為此，行業(yè)開發(fā)了各種臨時(shí)鍵合和解鍵 (TBDB) 技術(shù)，利用專用鍵合膠將器件晶圓臨時(shí)固定在剛性載板上，以提升制造過程的穩(wěn)定性和良率。 現(xiàn)有解鍵方法的局限
2025-03-28 20:13:59790 自動(dòng)鍵合和混合鍵合四種主流技術(shù)，它們?cè)诠に嚵鞒獭?b class="flag-6" style="color: red">技術(shù)特點(diǎn)和應(yīng)用場(chǎng)景上各具優(yōu)勢(shì)。本文將深入剖析這四種鍵合方式的技術(shù)原理、發(fā)展現(xiàn)狀及未來趨勢(shì)，為產(chǎn)業(yè)界提供技術(shù)參考。
2025-04-11 14:02:252633 
電氣性能制約隨著片外數(shù)據(jù)傳輸速率持續(xù)提升及鍵合節(jié)距不斷縮小，引線鍵合技術(shù)暴露出電感與串?dāng)_兩大核心問題。高頻信號(hào)傳輸時(shí)，引線電感產(chǎn)生的感抗會(huì)阻礙信號(hào)快速通過，而相鄰引線間的串?dāng)_則造成信號(hào)干擾，這些問題嚴(yán)重限制了其在高速電子系統(tǒng)中的應(yīng)用場(chǎng)景。
2025-04-23 11:48:35867 
所謂混合鍵合（hybrid bonding），指的是將兩片以上不相同的Wafer或Die通過金屬互連的混合鍵合工藝，來實(shí)現(xiàn)三維集成，在Hybrid Bonding前，2D，2.5D及3D封裝都是采用
2025-07-10 11:12:172722 
近日，LG 電子宣布正式啟動(dòng)混合鍵合設(shè)備的開發(fā)項(xiàng)目，目標(biāo)在 2028 年實(shí)現(xiàn)該設(shè)備的大規(guī)模量產(chǎn)，這一舉措標(biāo)志著 LG 電子在半導(dǎo)體先進(jìn)封裝領(lǐng)域邁出了重要一步。混合鍵合技術(shù)作為半導(dǎo)體制造中的前沿工藝
2025-07-15 17:48:02530 鋁絲鍵合常借助超聲楔焊技術(shù)，通過超聲能量實(shí)現(xiàn)鋁絲與焊盤的直接鍵合。由于鍵合所用劈刀工具頭為楔形，使得鍵合點(diǎn)兩端同樣呈楔形，因而該技術(shù)也被叫做楔形壓焊。超聲焊工藝較為復(fù)雜，鍵合劈刀的運(yùn)動(dòng)、線夾動(dòng)作
2025-07-16 16:58:241461 成為了全球存儲(chǔ)芯片巨頭們角逐的焦點(diǎn)。三星電子作為行業(yè)的領(lǐng)軍企業(yè)，一直致力于推動(dòng) HBM 技術(shù)的革新。近日有消息傳出，三星電子準(zhǔn)備從 16 層 HBM 開始引入混合鍵合技術(shù)，這一舉措無(wú)疑將在存儲(chǔ)芯片領(lǐng)域掀起新的波瀾。 編輯 ? 編輯 ? 技術(shù)背景：HBM 發(fā)展的必然趨
2025-07-24 17:31:16632 
當(dāng)傳統(tǒng)制程微縮逼近物理極限，芯片巨頭們正在另一條賽道加速?zèng)_刺——垂直方向。Counterpoint Research最新報(bào)告指出，混合鍵合（Hybrid Bonding） 技術(shù)已成為實(shí)現(xiàn)“單顆芯片
2025-07-28 16:32:54384 鍵合技術(shù)是通過溫度、壓力等外部條件調(diào)控材料表面分子間作用力或化學(xué)鍵，實(shí)現(xiàn)不同材料（如硅-硅、硅-玻璃）原子級(jí)結(jié)合的核心工藝，起源于MEMS領(lǐng)域并隨SOI制造、三維集成需求發(fā)展，涵蓋直接鍵合（如SiO
2025-08-01 09:25:591770 
在先進(jìn)封裝中， Hybrid bonding( 混合鍵合)不僅可以增加I/O密度，提高信號(hào)完整性，還可以實(shí)現(xiàn)低功耗、高帶寬的異構(gòu)集成。它是主要3D封裝平臺(tái)（如臺(tái)積電的SoIC、三星的X-Cube
2025-09-17 16:05:361475 
在半導(dǎo)體封裝工藝中，芯片鍵合（Die Bonding）是指將晶圓芯片固定到封裝基板上的關(guān)鍵步驟。鍵合工藝可分為傳統(tǒng)方法和先進(jìn)方法：傳統(tǒng)方法包括芯片鍵合（Die Bonding）和引線鍵合（Wire
2025-10-21 17:36:162062 
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