AEC-Q100認(rèn)證是什么？

AEC-Q100對IC的可靠性測試可細(xì)分為加速環(huán)境應(yīng)力可靠性、加速壽命模擬可靠性、封裝可靠性、晶圓制程可靠性、電學(xué)參數(shù)驗(yàn)證、缺陷篩查、包裝完整性試驗(yàn)，且需要根據(jù)器件所能承受的溫度等級選擇測試條件。需要注意的是，第三方難以獨(dú)立完成AEC-Q100的驗(yàn)證，需要晶圓供應(yīng)商、封測廠配合完成，這更加考驗(yàn)對認(rèn)證試驗(yàn)的整體把控能力。廣電計(jì)量將根據(jù)客戶的要求，依據(jù)標(biāo)準(zhǔn)對客戶的IC進(jìn)行評估，出具合理的認(rèn)證方案，從而助力IC的可靠性認(rèn)證。

如果成功完成根據(jù)本文件各要點(diǎn)需要的測試結(jié)果，那么將允許供應(yīng)商聲稱他們的零件通過了AEC Q100 認(rèn)證。供應(yīng)商可以與客戶協(xié)商，可以在樣品尺寸和條件的認(rèn)證上比文件要求的要放寬些，但是只有完成要求實(shí)現(xiàn)的時(shí)候才能認(rèn)為零件通過了AEC Q100 認(rèn)證。

GRGT芯片測試能力：芯片可靠性驗(yàn)證 ( RA)；芯片級預(yù)處理(PC) & MSL試驗(yàn) 、J-STD-020 & JESD22-A113 ；高溫存儲試驗(yàn)(HTSL), JESD22-A103 ；溫度循環(huán)試驗(yàn)(TC), JESD22-A104 ；溫濕度試驗(yàn)(TH / THB), JESD22-A101 ；高加速應(yīng)力試驗(yàn)(HTST / HAST), JESD22-A110；高溫老化壽命試驗(yàn)(HTOL), JESD22-A108。

芯片靜電測試 ( ESD)：人體放電模式測試(HBM), JS001 ；元器件充放電模式測試(CDM), JS002 ；閂鎖測試(LU), JESD78 ；芯片IC失效分析 ( FA)：光學(xué)檢查(VI/OM) ；掃描電鏡檢查(FIB/SEM)；微光分析定位(EMMI/InGaAs)；OBIRCH ；Micro-probe；聚焦離子束微觀分析(FIB)；彈坑試驗(yàn)(cratering)；芯片開封(decap)；芯片去層(delayer)。

晶格缺陷試驗(yàn)(化學(xué)法)，PN結(jié)染色 / 碼染色試驗(yàn)，推拉力測試(WBP/WBS)，紅墨水試驗(yàn)，PCBA切片分析(X-section)。

芯片材料分析：高分辨TEM (形貌、膜厚測量、電子衍射、STEM、HAADF)；SEM (形貌觀察、截面觀察、膜厚測量、EBSD)；Raman (Raman光譜)；AFM (微觀表面形貌分析、臺階測量)。

AEC-Q100試驗(yàn)后元器件失效分析項(xiàng)目：

① 形貌分析技術(shù)：體視顯微鏡、金相顯微鏡、X射線透視、聲學(xué)掃描顯微鏡、掃描電鏡、透射電鏡、聚焦離子束。

② 成分檢測技術(shù)：X射線能譜EDX、俄歇能譜AES、二次離子質(zhì)譜SIMS、光譜、色譜、質(zhì)譜

③ 電分析技術(shù)：I-V曲線、半導(dǎo)體參數(shù)、LCR參數(shù)、集成電路參數(shù)、頻譜分析、ESD參數(shù)、電子探針、機(jī)械探針、絕緣耐壓、繼電器特性。

④ 開封制樣技術(shù)：化學(xué)開封、機(jī)械開封、等離子刻蝕、反應(yīng)離子刻蝕、化學(xué)腐蝕、切片。

⑤ 缺陷定位技術(shù)：液晶熱點(diǎn)、紅外熱像、電壓襯度、光發(fā)射顯微像、OBIRCH。

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