整機(jī)應(yīng)用中，EMC測(cè)試是現(xiàn)在必不可少的一個(gè)測(cè)試環(huán)節(jié)，其中EMC產(chǎn)生的原因和功率器件的振蕩、電源紋波率等息息相關(guān)。隨著生活需求的發(fā)展，電器設(shè)備的小型化、高集成化需求日益增加，尤其在縮小電感成本空間
2025-12-30 11:01:47
5209 
本文導(dǎo)讀SiC/GaN將開(kāi)關(guān)速度推向納秒級(jí)，800V高壓下的損耗怎么測(cè)？ZUS示波器自帶雙脈沖測(cè)試功能，通過(guò)“兩次脈沖”精準(zhǔn)量化開(kāi)關(guān)損耗與反向恢復(fù)數(shù)據(jù)。告別模糊的波形觀察，用精確數(shù)據(jù)支撐電路優(yōu)化
2025-12-24 11:41:34158 
電流場(chǎng)景提供高效穩(wěn)定的解決方案。主要參數(shù)輸出功率：120 W（部分資料標(biāo)注 60 W，以 120 W 為準(zhǔn)）輸入電壓：標(biāo)稱 24 V，允許范圍 23–30 V輸出電壓：0–±500 V 可調(diào)（雙路對(duì)稱
2025-12-24 11:32:29
對(duì)的聲功率級(jí)。
測(cè)試對(duì)象：一臺(tái)日常使用的筆記本電腦假設(shè)我們的被測(cè)對(duì)象是一臺(tái) 17 英寸的辦公筆記本，測(cè)試目標(biāo)是：在不同工況下（空閑、辦公負(fù)載、滿載）測(cè)得其 A 計(jì)權(quán)聲功率級(jí)，用于：
對(duì)比不同散熱方案
2025-12-18 15:29:40
半導(dǎo)體分立器件靜態(tài)參數(shù)測(cè)試儀系統(tǒng)在半導(dǎo)體研發(fā)、生產(chǎn)、質(zhì)量控制及應(yīng)用中具有重要的使用價(jià)值和意義，主要體現(xiàn)在以下幾個(gè)方面： 1. 技術(shù)價(jià)值：確保器件性能與可靠性 半導(dǎo)體分立器件靜態(tài)參數(shù)測(cè)試儀系統(tǒng) 精準(zhǔn)
2025-12-16 16:22:19123 
雙脈沖測(cè)試技術(shù)解析報(bào)告：國(guó)產(chǎn)碳化硅(SiC)功率模塊替代進(jìn)口IGBT模塊的驗(yàn)證與性能評(píng)估 傾佳電子（Changer Tech）是一家專注于功率半導(dǎo)體和新能源汽車連接器的分銷商。主要服務(wù)于中國(guó)工業(yè)電源
2025-12-15 07:48:22466 
自動(dòng)化測(cè)試設(shè)備（ATE）在驗(yàn)證當(dāng)今高性能功率半導(dǎo)體方面發(fā)揮著關(guān)鍵作用：它們必須承受諸如高脈沖電流、高電壓和快速開(kāi)關(guān)等嚴(yán)苛應(yīng)力，用于評(píng)估功率半導(dǎo)體器件是否足夠堅(jiān)固以滿足其預(yù)期。在這些高電流測(cè)試環(huán)境中
2025-12-11 16:38:574892 
? ? 揚(yáng)杰科技干貨分享- 如何用雙脈沖測(cè)試更好的表征SiC MOS動(dòng)態(tài)能力？ ? 引言 隨著碳化硅（SiC）MOS產(chǎn)品的迭代發(fā)展，SiC MOS相比于Si IGBT的高頻應(yīng)用潛力得到越來(lái)越多工程師
2025-12-02 09:36:222293 
干擾其他設(shè)備易引發(fā)信道爭(zhēng)搶、上網(wǎng)卡頓。
傳統(tǒng)屏蔽箱吞吐量測(cè)試雖能反映實(shí)際體驗(yàn)，但批量生產(chǎn)場(chǎng)景中存在效率低、占地廣的問(wèn)題。RF功率耦合測(cè)試方案可實(shí)現(xiàn)1拖16批量測(cè)試，既保證射頻參數(shù)的真實(shí)性，又能高效完成產(chǎn)
2025-12-01 10:40:40
NVM測(cè)試亟需超10ns窄脈沖、高幅值及高保真度激勵(lì)。德思特脈沖發(fā)生器以5Vpp廣幅和70ps超快邊沿，完美解決PCM等器件的快速SET/RESET需求，提供高性能NVM測(cè)試方案。
2025-11-30 15:22:451294 的分立器件、復(fù)合器件及部分 IC 類產(chǎn)品的綜合測(cè)試平臺(tái)，覆蓋從研發(fā)驗(yàn)證到量產(chǎn)篩選的全流程需求。 一、廣泛適配的測(cè)試器件與參數(shù) STD2000X 支持多達(dá) 20 類常見(jiàn)半導(dǎo)體器件 的靜態(tài)參數(shù)測(cè)試，包括
2025-11-21 11:16:03118 
DGS & DRB是功率器件可靠性測(cè)試中的關(guān)鍵內(nèi)容。DGS評(píng)估器件檢測(cè)碳化硅功率MOSFET 的柵極開(kāi)關(guān)不穩(wěn)定性，DRB評(píng)估器件芯片內(nèi)部結(jié)構(gòu)因高dv/dt 導(dǎo)致的快速充電老化現(xiàn)象。因此，季豐電子引入業(yè)內(nèi)先進(jìn)設(shè)備為廣大客戶提供檢測(cè)服務(wù)，為產(chǎn)品質(zhì)量把關(guān)，創(chuàng)造共贏。
2025-11-19 11:19:10501 
隨著新能源汽車、光伏儲(chǔ)能以及工業(yè)電源的迅速發(fā)展，半導(dǎo)體器件在這些領(lǐng)域中的應(yīng)用也愈發(fā)廣泛，為了提升系統(tǒng)的性能，半導(dǎo)體器件系統(tǒng)正朝著更高效率、更高功率密度和更小體積的方向快速發(fā)展。對(duì)于半導(dǎo)體器件性能質(zhì)量
2025-11-17 18:18:372314 
至關(guān)重要。特別是在雙脈沖測(cè)試中，光隔離探頭不僅確保了測(cè)試的安全性，還提高了測(cè)試測(cè)量的準(zhǔn)確性和可靠性。本文將深入探討光隔離探頭在雙脈沖測(cè)試中不可或缺的原因。 雙脈沖測(cè)試的作用 雙脈沖測(cè)試（DPT）是一種用于評(píng)估電力電子器件如IGBT（絕緣柵
2025-11-14 16:46:063489 
柜式動(dòng)態(tài)測(cè)試系統(tǒng)（PSL-AC-2000PRO）為多功能動(dòng)態(tài) 測(cè)試系統(tǒng)，支持不同電壓/電流等級(jí)的單管與模塊的雙脈沖/多脈沖/短 路等動(dòng)態(tài)測(cè)試能力。 柜式動(dòng)態(tài)測(cè)試系統(tǒng)（PSL-AC-2000PRO
2025-11-14 16:06:48
桌面式動(dòng)態(tài)測(cè)試系統(tǒng)（PSL-AC-2000SE）為開(kāi)放式的動(dòng)態(tài)測(cè)試系統(tǒng)，支持不同電壓/電流等級(jí)的單管與模塊的雙脈沖/多脈沖/ 短路等動(dòng)態(tài)測(cè)試能力。 桌面式動(dòng)態(tài)測(cè)試系統(tǒng)（PSL-AC-2000SE
2025-11-14 14:09:40
產(chǎn)品簡(jiǎn)介柜式動(dòng)態(tài)可靠性測(cè)試系統(tǒng)（DHTGB/DHTRB/DH3TRB）為高性能動(dòng)態(tài)可靠性測(cè)試系統(tǒng)，支持不同封裝形式的單管與模塊 的DGS/DRB/DH3TRB實(shí)驗(yàn)。 柜式動(dòng)態(tài)可靠性測(cè)試系統(tǒng)
2025-11-13 15:08:28
）的設(shè)計(jì)靈感來(lái)自 于樂(lè)高玩具，通過(guò)搭配能芯電子多類型的測(cè)試功能板、驅(qū)動(dòng)器、參數(shù) 采集卡與動(dòng)態(tài)可靠性測(cè)試軟件，結(jié)合客戶自有的示波器與探頭，以搭 積木的形式形成設(shè)備。該
2025-11-13 14:27:58
在功率半導(dǎo)體器件研發(fā)與生產(chǎn)領(lǐng)域，對(duì)器件性能參數(shù)的精準(zhǔn)測(cè)試是確保產(chǎn)品質(zhì)量的關(guān)鍵環(huán)節(jié)。吉時(shí)利2614B大電流源表憑借其卓越的性能與多功能集成特性，成為應(yīng)對(duì)高電壓、大電流測(cè)試場(chǎng)景的理想選擇，為功率器件
2025-11-13 11:46:25157 
FTTR測(cè)試解決方案用‘三化’革新，讓測(cè)試效率與成本控制不再對(duì)立！
方案延伸：流量/功率校驗(yàn)/信息核對(duì)一站式融合??核心架構(gòu)?：?BigTao6100測(cè)試系統(tǒng)? + Hunter OCT綜測(cè)儀。極簡(jiǎn)
2025-11-11 17:03:02
云鎵半導(dǎo)體樂(lè)高化組裝，一鍵式測(cè)試|云鎵GaN自動(dòng)化雙脈沖測(cè)試平臺(tái)作為一種新型開(kāi)關(guān)器件，GaN功率器件擁有開(kāi)關(guān)速度快、開(kāi)關(guān)損耗低等優(yōu)點(diǎn)。當(dāng)前不同GaN工藝平臺(tái)下器件行為表現(xiàn)差異較大，且GaN器件的靜態(tài)
2025-11-11 11:47:16610 
摘要隨著SiC、GaN等新型功率器件的廣泛應(yīng)用，功率器件動(dòng)態(tài)參數(shù)測(cè)試對(duì)系統(tǒng)響應(yīng)速度、同步精度和靈活性提出了更高要求。本文基于LiquidInstruments的Moku平臺(tái)，提出一種可重構(gòu)、高集成度
2025-10-31 14:09:44324 
功率放大器測(cè)試解決方案分享——混凝土損傷超聲檢測(cè)
2025-10-30 19:09:02230 
一臺(tái)半導(dǎo)體參數(shù)分析儀抵得上多種測(cè)量?jī)x器Keysight B1500A 半導(dǎo)體參數(shù)分析儀是一款一體化器件表征分析儀，能夠測(cè)量 IV、CV、脈沖/動(dòng)態(tài) I-V 等參數(shù)。 主機(jī)和插入式模塊能夠表征大多數(shù)
2025-10-29 14:28:09
二極管、IGBT模塊，大功率IGBT、大功率雙極型晶體管MOS管等器件的V-I特性測(cè)試，測(cè)試600A（可擴(kuò)展至2000A），5000V以下的各種功率器件，廣
2025-10-29 10:39:241726 
提供了有效解決方案。 ? 一、動(dòng)態(tài)特性測(cè)量的核心挑戰(zhàn)與示波器優(yōu)勢(shì) SiC器件具有高頻、高壓、高溫特性，其動(dòng)態(tài)參數(shù)（如開(kāi)關(guān)損耗、柵極電壓變化率dV/dt、反向恢復(fù)時(shí)間）直接影響系統(tǒng)效率與安全性。傳統(tǒng)測(cè)試方法難以捕捉納秒級(jí)的瞬態(tài)信號(hào)，
2025-10-17 11:42:14231 
阻（RDS(on)）、閾值電壓等?。 ? 動(dòng)態(tài)參數(shù) ?：采用脈沖測(cè)試法（脈寬300μs-5ms）抑制溫升，結(jié)合Kelvin四線法消除接觸電阻誤差?。 ? I-V特性曲線生成 ?：支持全自動(dòng)百點(diǎn)曲線測(cè)試，耗時(shí)僅數(shù)秒?。 ? 高效智能化操作 ? 單參數(shù)測(cè)試速度達(dá)0.5ms/參數(shù)，支持多設(shè)備并
2025-10-16 10:59:58343 
2025年9月，一場(chǎng)聚焦前沿技術(shù)的“碳化硅功率器件測(cè)試和應(yīng)用高級(jí)研修班”在蘇州圓滿落幕。本次盛會(huì)匯聚了全國(guó)各地的企業(yè)研發(fā)精英與測(cè)試工程師，共同探索第三代半導(dǎo)體的測(cè)試挑戰(zhàn)與行業(yè)未來(lái)。普源精電(RIGOL)受邀出席，攜核心解決方案與現(xiàn)場(chǎng)工程師展開(kāi)深度交流，以硬核技術(shù)實(shí)力點(diǎn)燃全場(chǎng)熱情。
2025-10-13 13:57:46420 功率放大器測(cè)試解決方案分享——光纖水聽(tīng)器動(dòng)態(tài)壓力測(cè)試
2025-10-10 18:34:05378 
制成的 IPM/IGBT/MOS/DIODE/BJT/SCR 等功率器件、光耦、IC 進(jìn)行精細(xì)的檢測(cè)。其靜態(tài)參數(shù)測(cè)試精度高達(dá) 16 位 ADC，無(wú)論是微小的電壓波動(dòng)、電流變化，還是電阻、電容等參數(shù)的細(xì)微
2025-10-10 10:35:17
傾佳電子旨在全面剖析雙脈沖測(cè)試（DPT）作為功率半導(dǎo)體動(dòng)態(tài)性能評(píng)估黃金標(biāo)準(zhǔn)的核心價(jià)值。
2025-09-17 16:57:341112 
)）、導(dǎo)通電阻（RDS(on)）、閾值電壓等?。 動(dòng)態(tài)參數(shù)：脈沖測(cè)試（脈寬300μs-5ms）抑制溫升，結(jié)合Kelvin四線法消除接觸電阻誤差?。 I-V特性曲線生成：支持全自動(dòng)百點(diǎn)曲線測(cè)試，耗時(shí)僅數(shù)秒?。 二、技術(shù)特點(diǎn) ?高效性?：?jiǎn)?b class="flag-6" style="color: red">參數(shù)測(cè)試速度達(dá)0.5ms/參數(shù)，支持多
2025-09-12 16:54:012347 （電容-電壓特性測(cè)試）是通過(guò)測(cè)量半導(dǎo)體器件在不同偏置電壓下的電容變化，分析其介電特性、摻雜濃度及界面狀態(tài)的關(guān)鍵技術(shù)。主要應(yīng)用于功率器件（MOSFET/IGBT等）的寄生參數(shù)測(cè)量和材料特性研究。 二、核心測(cè)試內(nèi)容 ? 關(guān)鍵參數(shù)測(cè)量 ? ?
2025-09-01 12:26:20930 博微BW-4022A半導(dǎo)體分立器件綜合測(cè)試系統(tǒng)可針對(duì)Si/SiC/GaN材料的IPM/IGBT/MOS/DIODE/BJT/SCR等功率器件、光耦、IC可進(jìn)行高精度靜態(tài)參數(shù)測(cè)試（包括導(dǎo)通、關(guān)斷、擊穿
2025-08-28 12:28:15
利用矢量網(wǎng)絡(luò)分析儀對(duì)微波器件進(jìn)行測(cè)試時(shí)，矢量網(wǎng)絡(luò)分析儀的測(cè)試動(dòng)態(tài)范圍將影響被測(cè)微波器件（DUT）的測(cè)量范圍、測(cè)量精度和測(cè)量速度。只有矢量網(wǎng)絡(luò)分析儀的測(cè)試動(dòng)態(tài)范圍大于被測(cè)微波器件的動(dòng)態(tài)范圍時(shí)，才能獲得
2025-08-27 17:33:331330 
采用碳化硅 (SiC) 和氮化鎵 (GaN) MOSFET 器件構(gòu)建的新型功率轉(zhuǎn)換器設(shè)計(jì)，需要精心的設(shè)計(jì)和測(cè)試以優(yōu)化性能。
2025-08-25 14:53:231332 
功率放大器測(cè)試解決方案分享——T型壓電慣性驅(qū)動(dòng)器
2025-08-14 18:32:342711 
雙Buck+HUSB380B2C固定分配功率方案雙Buck 65W2C 降功率方案，采用慧能泰HUSB380B*2。兩顆HUSB380B之間，可以通過(guò)FC引腳互聯(lián)，用于識(shí)別設(shè)備插入檢測(cè)。該方案支持3
2025-08-13 13:22:57
本方案旨在為材料提供電壓-電流動(dòng)態(tài)特性測(cè)試解決方案。通過(guò)激勵(lì)源對(duì)材料施加特定波形的電壓或電流激勵(lì)，使用數(shù)據(jù)采集系統(tǒng)采集經(jīng)過(guò)材料后的電壓、電流等信號(hào)變化，以此分析材料的動(dòng)態(tài)特性。通過(guò)對(duì)電壓和電流信號(hào)
2025-08-10 15:30:301570 
主要的功率半導(dǎo)體器件特性分為靜態(tài)特性、動(dòng)態(tài)特性、開(kāi)關(guān)特性。這些測(cè)試中最基本的測(cè)試就是靜態(tài)參數(shù)測(cè)試。靜態(tài)參數(shù)主要是指本身固有的，與其工作條件無(wú)關(guān)的相關(guān)參數(shù)。主要包括：柵極開(kāi)啟電壓、柵極擊穿電壓、源極漏
2025-08-05 16:06:15648 
在新能源電池、功率半導(dǎo)體、柔性電子等前沿應(yīng)用場(chǎng)景中，材料常被置于快速脈沖、電壓尖峰或大電流沖擊的復(fù)雜工況下，其導(dǎo)電路徑、發(fā)熱行為乃至失效機(jī)理都會(huì)隨瞬態(tài)電氣條件而劇烈變化。如果只依賴穩(wěn)態(tài)直流或低頻測(cè)試
2025-08-05 10:25:21633 
的“瞬時(shí)刺客”??· ?單纖雙殺漏洞?：臟污光纖一次插拔，同時(shí)拉低Tx/Rx功率上報(bào)值（關(guān)聯(lián)性超90%）；· ?不可復(fù)現(xiàn)性?：同一設(shè)備連續(xù)測(cè)試5次，Rx功率波動(dòng)達(dá)±0.8dB（遠(yuǎn)超0.5dB門限
2025-07-30 17:01:09
輸出與測(cè)量能力，滿足最苛刻的功率器件靜態(tài)、動(dòng)態(tài)參數(shù)測(cè)試需求 選型指南： 應(yīng)用領(lǐng)域 晶圓級(jí)測(cè)試(Chip Probing)：在研發(fā)階段快速篩選器件原型，評(píng)估工藝參數(shù)影響。在生產(chǎn)線上進(jìn)行晶圓級(jí)分選
2025-07-29 16:21:17
功率變換器是電能利用的重要裝置，其性能主要取決于其核心—功率半導(dǎo)體器件，常見(jiàn)類型有 MOSFET、IGBT 和二極管。傳統(tǒng) Si 器件已逼近材料極限，成為進(jìn)一步提升效率和功率密度的瓶頸。
2025-07-29 11:15:202250 
? 半導(dǎo)體分立器件主要包括： ? 二極管 ?（如整流二極管、肖特基二極管） ? 三極管 ?（雙極型晶體管、場(chǎng)效應(yīng)管） ? 晶閘管 ?（可控硅） ? 功率器件 ?（IGBT、MOSFET）? 2. ? 核心測(cè)試參數(shù) ? ? 電氣特性 ?：正向/反向電壓、漏電流、導(dǎo)
2025-07-22 17:46:32825 
產(chǎn)品介紹 HUSTEC-DC-2010晶體管直流參數(shù)測(cè)試系統(tǒng)是由我公司技術(shù)團(tuán)隊(duì)結(jié)合半導(dǎo)體功率器件測(cè)試的多年
2025-07-16 11:12:26
在氮化鎵和碳化硅之后，氧化鎵(Ga?O?)正以超高擊穿電壓與低成本潛力，推動(dòng)超寬禁帶功率器件進(jìn)入大規(guī)模落地階段。
2025-07-11 09:12:482948 
，還可以測(cè)量大功率二極管 、IGBT模塊，大功率 IGBT、大功率雙極型晶體管MOS管等器件的 V-I 特性測(cè)試，測(cè)試600A（可擴(kuò)展至2000A），5000V以下的各種功率器件，廣泛應(yīng)用于軌道交通
2025-07-08 17:31:041892 晶體管參數(shù)測(cè)試系統(tǒng)是用于評(píng)估半導(dǎo)體分立器件電氣性能的專業(yè)儀器設(shè)備，其核心功能是對(duì)晶體管的靜態(tài)/動(dòng)態(tài)參數(shù)進(jìn)行精密測(cè)量與特性分析。以下是系統(tǒng)的關(guān)鍵要素解析： 一、系統(tǒng)核心功能 ?靜態(tài)參數(shù)測(cè)試
2025-07-08 14:49:56559 
測(cè)試法（脈寬300μs-5ms）抑制溫升，結(jié)合Kelvin四線消除接觸電阻誤差，確保大功率器件極限參數(shù)準(zhǔn)確性 ? 高效智能化操作 ? 單參數(shù)測(cè)試速度達(dá)0.5ms/參數(shù)，百點(diǎn)I-V曲線生成僅需數(shù)秒 支持自動(dòng)
2025-07-04 11:39:43622 半導(dǎo)體參數(shù)測(cè)試需結(jié)合器件類型及應(yīng)用場(chǎng)景選擇相應(yīng)方法，核心測(cè)試技術(shù)及流程如下： ? 一、基礎(chǔ)電學(xué)參數(shù)測(cè)試 ? ? 電流-電壓（IV）測(cè)試 ? ? 設(shè)備 ?：源測(cè)量單元（SMU）或?qū)Ｓ肐V測(cè)試儀，支持
2025-06-27 13:27:231146 
IGBT產(chǎn)品技術(shù)參數(shù)較多，一般會(huì)包含如下幾種類型參數(shù)：靜態(tài)參數(shù)，動(dòng)態(tài)參數(shù)，熱參數(shù)。動(dòng)態(tài)測(cè)試，主要是用于測(cè)試IGBT動(dòng)態(tài)參數(shù)，目前，主要采用雙脈沖測(cè)試方案。其測(cè)試主要方法是，加載脈沖電壓，用獲取IGBT在開(kāi)啟，或者關(guān)閉瞬間的電壓，電流變化情況，并計(jì)算出相應(yīng)的參數(shù)
2025-06-26 16:26:161332 
雙脈沖測(cè)試 精確的能量損耗測(cè)量是雙脈沖測(cè)試的關(guān)鍵目標(biāo)之一。消除電壓探頭和電流探頭之間的時(shí)序偏差是在示波器上進(jìn)行精確功率和能量測(cè)量的關(guān)鍵步驟。 適用于4B系列、5B系列和6B系列MSO（混合信號(hào)示波器
2025-06-25 17:17:021537 
進(jìn)行數(shù)據(jù)分析
一體化器件表征分析儀支持 IV、CV、脈沖/動(dòng)態(tài) IV 等測(cè)量功能，讓您盡享分析樂(lè)趣
能夠捕獲其他傳統(tǒng)測(cè)試儀器無(wú)法捕獲的超快速瞬態(tài)現(xiàn)象
可以在 CV 和 IV 測(cè)量之間快速切換，無(wú)需重新
2025-06-21 18:38:19
功率放大器測(cè)試解決方案分享——壓電技術(shù)的支撐架狀態(tài)監(jiān)測(cè)
2025-06-20 18:16:17718 主機(jī)；SPP5000系列配備24bit ADC，精準(zhǔn)測(cè)量脈沖/5G信號(hào)峰值功率。全系覆蓋4kHz~40GHz，滿足實(shí)驗(yàn)室、現(xiàn)場(chǎng)及脈沖測(cè)試需求，國(guó)產(chǎn)替代選擇！
2025-06-19 11:46:12646 
電路，高壓功率開(kāi)關(guān)，以及電流采樣電阻，減少了外部元器件,極大地簡(jiǎn)化了系統(tǒng)應(yīng)用。內(nèi)置的頻率抖動(dòng)和軟驅(qū)動(dòng)設(shè)計(jì)能有效提高EMI性能。
FT8443BDx雙風(fēng)扇電磁爐方案18V500mA產(chǎn)品供應(yīng)
2025-06-19 11:12:50
摘 要:針對(duì)雙電機(jī)攪拌機(jī)存在的功率循環(huán)造成能源的浪費(fèi),而且影響電機(jī)使用壽命的問(wèn)題,通過(guò)對(duì)循環(huán)功率的產(chǎn)生機(jī)理及其影響因素進(jìn)行分析與研究,得出循環(huán)功率與設(shè)備參數(shù)及使用參數(shù)之間的關(guān)系,提出盡量采用單電機(jī)或
2025-06-19 10:38:17
Analog Devices MAX34427高動(dòng)態(tài)范圍功率蓄能器是專門的電流、電壓和功率監(jiān)視器。MAX34427用于確定系統(tǒng)的功耗。該器件的寬動(dòng)態(tài)范圍（20,000:1）可實(shí)現(xiàn)精確的功率測(cè)量
2025-06-18 11:03:33650 
的FF6MR20W2M1H_B70CoolSiCSiCMOSFET模塊。用戶可以通過(guò)雙脈沖測(cè)試來(lái)評(píng)估器件性能。目標(biāo)應(yīng)用為電動(dòng)汽車充電，ESSPFC，直流-直流變換器和太陽(yáng)能等。這是一個(gè)用于測(cè)試半橋配置的2kVCoolSiC
2025-06-12 17:33:231062 
功率器件作為電子系統(tǒng)中的核心元件，其動(dòng)態(tài)特性直接影響著系統(tǒng)的效率、穩(wěn)定性和可靠性。因此，對(duì)功率器件動(dòng)態(tài)特性的準(zhǔn)確測(cè)試顯得尤為重要。普源示波器作為一種高性能的電子測(cè)量?jī)x器，具有寬帶寬、高采樣率和大存儲(chǔ)
2025-06-12 17:03:15539 
在當(dāng)今快速發(fā)展的電力電子技術(shù)領(lǐng)域，功率半導(dǎo)體器件的性能優(yōu)化至關(guān)重要。雙脈沖測(cè)試（DPT）作為一種關(guān)鍵的測(cè)試方法，為功率器件的動(dòng)態(tài)行為評(píng)估提供了精準(zhǔn)的手段。本文將深入解析雙脈沖測(cè)試的原理、應(yīng)用及泰克科技在這一領(lǐng)域的先進(jìn)解決方案，并介紹泰克專家高遠(yuǎn)新書(shū)的相關(guān)內(nèi)容。
2025-06-05 11:37:571157 
LET-2000D系列是力鈦科公司開(kāi)發(fā)出的滿足IEC60747-8/9標(biāo)準(zhǔn)的半導(dǎo)體動(dòng)態(tài)參數(shù)分析系統(tǒng)。旨在幫助工程師解決器件驗(yàn)證、器件參數(shù)評(píng)估、驅(qū)動(dòng)設(shè)計(jì)、PCB設(shè)計(jì)等需要半導(dǎo)體動(dòng)態(tài)參數(shù)的場(chǎng)景所遇到
2025-06-05 10:02:46
在IGBT功率模塊的動(dòng)態(tài)測(cè)試中，夾具的雜散電感（Stray Inductance,Lσ）是影響測(cè)試結(jié)果準(zhǔn)確性的核心因素。雜散電感由測(cè)試夾具的layout、材料及連接方式引入，會(huì)導(dǎo)致開(kāi)關(guān)波形畸變、電壓尖峰升高及損耗測(cè)量偏差。
2025-06-04 15:07:311750 
隨著技術(shù)的不斷進(jìn)步，新型功率器件如碳化硅（SiC）和氮化鎵（GaN）因其優(yōu)異的性能被廣泛應(yīng)用于各種電子設(shè)備中。然而，這些器件在長(zhǎng)期連續(xù)使用后會(huì)出現(xiàn)老化現(xiàn)象，導(dǎo)致性能退化。如何在短時(shí)間內(nèi)準(zhǔn)確評(píng)估這些器件的老化特性，成為行業(yè)關(guān)注的焦點(diǎn)。
2025-06-03 16:03:571447 
限制到小于 10KHz 的應(yīng)用，并且在整體效率成為關(guān)鍵參數(shù)的技術(shù)前沿應(yīng)用中，它們正加速退出。
作為雙極型器件，三極管依賴于被注入到基極的少數(shù)載流子來(lái)“擊敗”(電子和空穴)復(fù)合并被再次注入集電極
2025-06-03 15:39:43
的微孔霧化電路驅(qū)動(dòng)方案是MCU+MOS管+三角電感/升壓器的LC振蕩電路，在同時(shí)驅(qū)動(dòng)兩個(gè)霧化片工作時(shí)，由于受到自身多個(gè)離散器件的影響，其不可避免地會(huì)導(dǎo)致性能參數(shù)波動(dòng)有差異。
集成芯片LX8201-0B
2025-05-27 16:10:41
盛鉑科技SCP4000系列4kHz至40GHz連續(xù)波平均功率計(jì) 和 SPP5000系列50MHz至40GHz脈沖峰值功率計(jì)，以袖珍式設(shè)計(jì)、全頻段覆蓋、一鍵式集成為核心優(yōu)勢(shì)，為現(xiàn)代射頻微波測(cè)試提供高效解決方案。
2025-05-27 11:50:40830 
引言PowerTester功率循環(huán)測(cè)試設(shè)備可以用于幫助客戶加速完成封裝結(jié)構(gòu)研發(fā)、可靠性測(cè)試以及可靠性篩選等工作。作為大功率半導(dǎo)體器件瞬態(tài)測(cè)試和功率循環(huán)測(cè)試測(cè)量行業(yè)的標(biāo)桿和引領(lǐng)者，具有其他同類設(shè)備
2025-05-19 16:31:43628 
功率器件靜態(tài)參數(shù)分類與解析 功率器件的靜態(tài)參數(shù)反映了其在穩(wěn)態(tài)下的基本電氣和熱特性，是評(píng)估器件性能與可靠性的核心指標(biāo)。以下是主要分類及具體參數(shù)說(shuō)明： 一、電壓相關(guān)參數(shù) ? 擊穿電壓 ? ? BVDSS
2025-05-19 10:31:37616 
、整流及逆變等功能。其典型特征為處理功率通常大于1W，在高壓、大電流工況下保持穩(wěn)定性能。 一、主要分類 ? 按器件結(jié)構(gòu)劃分 ? ? 二極管 ?：如整流二極管、快恢復(fù)二極管，用于單向?qū)щ娕c電壓鉗位； ? 晶體管 ?：含雙極結(jié)型晶體管（BJT）、MOSFET、IGBT等，兼具開(kāi)關(guān)與
2025-05-19 09:43:181297 功率器件（MOSFET/IGBT） 是開(kāi)關(guān)電源最核心的器件同時(shí)也是最容易損壞的器件之一。在開(kāi)關(guān)電源設(shè)計(jì)中，功率器件的測(cè)試至關(guān)重要，主要包括開(kāi)關(guān)損耗測(cè)試，Vds peak電壓測(cè)試以及Vgs驅(qū)動(dòng)波形測(cè)試
2025-05-14 09:03:011263 
。 射頻功放系統(tǒng)精細(xì)化測(cè)試 現(xiàn)代射頻功率放大器的多維度性能評(píng)估面臨三大技術(shù)挑戰(zhàn)：寬頻帶動(dòng)態(tài)電流監(jiān)測(cè)需求（DC-50MHz）、微安級(jí)直流偏置與毫安級(jí)射頻信號(hào)的同步捕獲、以及測(cè)量環(huán)節(jié)對(duì)電路參數(shù)的零干擾要求。最新研發(fā)的磁電復(fù)合傳感
2025-05-08 18:02:11527 
1. 產(chǎn)品概述 產(chǎn)品簡(jiǎn)介 本同軸分流器SC-CS10是一種用于射頻/微波信號(hào)功率分配的無(wú)源器件，常用于功率器件(IGBT、MOSFET等)動(dòng)態(tài)雙脈沖測(cè)試，可將輸入信號(hào)按特定比例分流至多個(gè)輸出端口
2025-04-30 12:00:12761 
問(wèn)題，因此，需要增加緩沖吸收電路來(lái)抑制 SiC 模塊關(guān)斷過(guò)程中因振蕩帶來(lái)的尖峰電壓過(guò)高的問(wèn)題 。文獻(xiàn) [7-11] 通過(guò)對(duì)雙脈沖電路進(jìn)行仿真和實(shí)驗(yàn)研究，給出了緩沖吸收電路參數(shù)的優(yōu)化設(shè)計(jì)方法，但都是以關(guān)斷
2025-04-23 11:25:54
SC2020晶體管參數(shù)測(cè)試儀/?半導(dǎo)體分立器件測(cè)試系統(tǒng)-日本JUNO測(cè)試儀DTS-1000國(guó)產(chǎn)平替 ?專為半導(dǎo)體分立器件測(cè)試而研發(fā)的新一代高速高精度測(cè)試機(jī)。? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ??
2025-04-16 17:27:20
0 ，成為了眾多電源及電源模塊的首選材料。特別是在功率半導(dǎo)體中，上下管雙脈沖測(cè)試已經(jīng)成為評(píng)估動(dòng)態(tài)參數(shù)的經(jīng)典方法，對(duì)于推動(dòng)相關(guān)技術(shù)的發(fā)展具有重要意義。那么，何為雙脈沖測(cè)試
2025-04-11 15:00:14797 
℃~+85℃）
絕緣電阻測(cè)試模塊（5000V DC）
三、測(cè)試參數(shù)設(shè)計(jì)
直流樁測(cè)試規(guī)范
電壓范圍：200-1000VDC
電流波動(dòng)：±5%額定值
紋波系數(shù)：≤3%
連續(xù)運(yùn)行：≥500h
四、智能控制策略
動(dòng)態(tài)
2025-04-10 13:46:47
異的高溫和高頻性能。
案例簡(jiǎn)介：SiC MOSFET 的動(dòng)態(tài)測(cè)試可用于獲取器件的開(kāi)關(guān)速度、開(kāi)關(guān)損耗等關(guān)鍵動(dòng)態(tài)參數(shù)，從而幫助工程師優(yōu)化芯片設(shè)計(jì)和封裝。然而，由于 SiC MOSFET 具備極快的開(kāi)關(guān)特性
2025-04-08 16:00:57
一、背景與挑戰(zhàn)
動(dòng)力電池作為電動(dòng)汽車的核心部件，其性能測(cè)試需模擬真實(shí)工況下的直流負(fù)載特性。然而，在測(cè)試過(guò)程中，直流負(fù)載的高功率、動(dòng)態(tài)響應(yīng)及精度要求帶來(lái)多重技術(shù)挑戰(zhàn)：
高功率與能量密度矛盾：大容量
2025-04-02 16:05:57
的水平。發(fā)射功率的設(shè)置通常受到信令測(cè)試儀的功率限制和測(cè)試需求的雙重約束。
設(shè)置調(diào)制方式（如適用）：
如果需要發(fā)射調(diào)制信號(hào)，還需要設(shè)置調(diào)制方式、調(diào)制深度和調(diào)制頻率等參數(shù)。
配置其他參數(shù)（如適用）：
根據(jù)
2025-03-24 14:31:34
BW-4022A
晶體管直流參數(shù)測(cè)試系統(tǒng)
一、產(chǎn)品介紹：
BW-4022A 晶體管直流參數(shù)測(cè)試機(jī)是新一代針對(duì)半導(dǎo)體器件測(cè)試系統(tǒng)，經(jīng)過(guò)我公司多次升級(jí)與產(chǎn)品迭代，目前測(cè)試性能、精度、測(cè)試范圍及產(chǎn)品穩(wěn)定度
2025-03-20 11:30:20
: KEYS ）增強(qiáng)了其雙脈沖測(cè)試產(chǎn)品組合，使客戶能夠從寬禁帶（WBG）功率半導(dǎo)體裸芯片的動(dòng)態(tài)特性的精確和輕松測(cè)量中受益。在測(cè)量夾具中實(shí)施新技術(shù)最大限度地減少了寄生效應(yīng)，并且不需要焊接到裸芯片上。這些夾具與是德科技的兩個(gè)版本的雙脈沖
2025-03-14 14:36:25738 器件（如腿部關(guān)節(jié) vs. 手指關(guān)節(jié)）。
? 電參數(shù)設(shè)計(jì)困惑 ：不同場(chǎng)景下的電壓/電流需求差異大（如電機(jī)堵轉(zhuǎn)時(shí)的峰值電流 vs. 穩(wěn)態(tài)電流）。
? 熱管理壓力 ：功率器件散熱與機(jī)器人緊湊結(jié)構(gòu)的矛盾。
希望得到您的專業(yè)解答謝謝。
2025-03-12 14:05:28
功率放大器測(cè)試解決方案分享——電致發(fā)光纖維特性研究
2025-03-06 18:46:54866 
有沒(méi)有大佬幫忙分析下，做雙脈沖測(cè)試的時(shí)候，第一個(gè)脈沖在關(guān)斷的時(shí)候，馬上要關(guān)完了，結(jié)果驅(qū)動(dòng)出現(xiàn)了震蕩，導(dǎo)致管子立馬又開(kāi)了，然后電流激增，直接就炸管了，這是什么問(wèn)題啊，圖上是波形和驅(qū)動(dòng)電路，求指導(dǎo)
2025-03-06 16:45:31
直流充電測(cè)試負(fù)載作為電動(dòng)汽車充電設(shè)施研發(fā)驗(yàn)證的核心裝備，其技術(shù)性能直接影響充電樁的測(cè)試精度和可靠性。隨著充電功率向480kW以上級(jí)別突破，測(cè)試負(fù)載系統(tǒng)面臨著更高的技術(shù)挑戰(zhàn)，需在功率密度、動(dòng)態(tài)響應(yīng)
2025-03-05 16:18:51
? 引言?? ?半導(dǎo)體電流脈沖測(cè)試?是一種評(píng)估功率半導(dǎo)體器件動(dòng)態(tài)特性的測(cè)試方法，通過(guò)施加兩個(gè)短暫的脈沖信號(hào)模擬器件在實(shí)際應(yīng)用中的開(kāi)關(guān)過(guò)程，第一個(gè)脈沖用于將器件從關(guān)閉狀態(tài)切換到開(kāi)啟狀態(tài)，以獲得一定電流
2025-02-10 09:42:181460 
在《意法半導(dǎo)體新能源功率解決方案：從產(chǎn)品到應(yīng)用，一文讀懂（上篇）》文章中，我們著重介紹了ST新能源功率器件中的傳統(tǒng)IGBT和高壓MOSFET器件，讓大家對(duì)其在相關(guān)領(lǐng)域的應(yīng)用有了一定了解。接下來(lái)，本文將聚焦于ST的SiC、GaN等第三代半導(dǎo)體產(chǎn)品以及其新能源功率解決方案。
2025-02-07 10:38:501640 
碳化硅革新電力電子，以下是關(guān)于碳化硅（SiC）MOSFET功率器件雙脈沖測(cè)試方法的詳細(xì)介紹，結(jié)合其技術(shù)原理、關(guān)鍵步驟與應(yīng)用價(jià)值，助力電力電子領(lǐng)域的革新。
2025-02-05 14:34:481658 
是否過(guò)關(guān)，雙脈沖測(cè)試（Double Pulse Test）成為了一項(xiàng)重要的測(cè)試手段。本文將詳細(xì)介紹IGBT雙脈沖測(cè)試的原理、意義、實(shí)驗(yàn)設(shè)備、測(cè)試步驟以及數(shù)據(jù)分析，以期為相關(guān)技術(shù)人員提供參考。
2025-02-02 13:59:003194 IGBT雙脈沖測(cè)試方法的意義和原理 IGBT雙脈沖測(cè)試方法的意義： 1.對(duì)比不同的IGBT的參數(shù)； 2.評(píng)估IGBT驅(qū)動(dòng)板的功能和性能； 3.獲取IGBT在開(kāi)通、關(guān)斷過(guò)程的主要參數(shù)，以評(píng)估Rgon
2025-01-28 15:44:008852 
IGBT雙脈沖實(shí)驗(yàn) 1.1 IGBT雙脈沖實(shí)驗(yàn)?zāi)康?1、通過(guò)實(shí)驗(yàn)獲取IGBT驅(qū)動(dòng)板及IGBT模塊的主要動(dòng)態(tài)參數(shù)，如延時(shí)、上升、下降時(shí)間、開(kāi)關(guān)損耗等； 2、通過(guò)實(shí)驗(yàn)獲得功率組件設(shè)計(jì)中濾波電容、吸收電容
2025-01-27 18:10:002621 
我們將高功率SiC器件定義為處理1kV和100A范圍內(nèi)的器件，這相當(dāng)于100kW的功率。SiC晶體管處理和服務(wù)的高電壓、高電流和快速開(kāi)關(guān)系統(tǒng)的性質(zhì)帶來(lái)了許多在普通5V或12V系統(tǒng)中不會(huì)出現(xiàn)的挑戰(zhàn)。
2025-01-22 17:30:263078 
動(dòng)態(tài)天平測(cè)試是航空航天、汽車、風(fēng)洞實(shí)驗(yàn)等高精度測(cè)試領(lǐng)域中的一項(xiàng)重要技術(shù)，主要用于測(cè)量物體在動(dòng)態(tài)條件下的力和力矩。通過(guò)評(píng)估物體在運(yùn)動(dòng)中的受力情況，動(dòng)態(tài)天平測(cè)試可為設(shè)計(jì)和安全評(píng)估提供可靠數(shù)據(jù)，尤其在航空航天等領(lǐng)域，能夠幫助預(yù)測(cè)和優(yōu)化結(jié)構(gòu)和部件的性能。
2025-01-15 17:10:15861 ???? 本文主要介紹功率器件晶圓測(cè)試及封裝成品測(cè)試。?????? ? 晶圓測(cè)試（CP）???? 如圖所示為典型的碳化硅晶圓和分立器件電學(xué)測(cè)試的系統(tǒng)，主要由三部分組成，左邊為電學(xué)檢測(cè)探針臺(tái)阿波羅
2025-01-14 09:29:132359 
/前言/功率半導(dǎo)體熱設(shè)計(jì)是實(shí)現(xiàn)IGBT、碳化硅SiC高功率密度的基礎(chǔ)，只有掌握功率半導(dǎo)體的熱設(shè)計(jì)基礎(chǔ)知識(shí)，才能完成精確熱設(shè)計(jì)，提高功率器件的利用率，降低系統(tǒng)成本，并保證系統(tǒng)的可靠性。功率器件熱
2025-01-13 17:36:111819 著電能轉(zhuǎn)換和功率控制的任務(wù)。為了保證電機(jī)控制器的性能和可靠性，需要對(duì)這些功率器件進(jìn)行嚴(yán)格的測(cè)試，其中就包括雙脈沖測(cè)試。
案例簡(jiǎn)介 雙脈沖測(cè)試可以幫助工程師評(píng)估電機(jī)控制器中功率器件的開(kāi)關(guān)速度
2025-01-09 16:58:30
/前言/功率半導(dǎo)體熱設(shè)計(jì)是實(shí)現(xiàn)IGBT、碳化硅SiC高功率密度的基礎(chǔ)，只有掌握功率半導(dǎo)體的熱設(shè)計(jì)基礎(chǔ)知識(shí)，才能完成精確熱設(shè)計(jì)，提高功率器件的利用率，降低系統(tǒng)成本，并保證系統(tǒng)的可靠性。功率器件熱
2025-01-06 17:05:481328
電子發(fā)燒友App
工商網(wǎng)監(jiān)
評(píng)論