近年來，三維微納米結構的組裝研究備受關注，現(xiàn)已成為當今世界的重要研究領域。復雜的三維微納結構在微納機電系統(tǒng)、生物醫(yī)療、組織工程、新材料(超材料、復合材料、光子晶體、功能梯度材料等)、新能源
2025-12-30 17:16:18
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隨著能源與環(huán)境危機的加劇，納米材料因其在熱電轉換和光電轉換方面的優(yōu)異性能，成為新能源材料研究的熱點。納米結構材料如硅納米線陣列、納米復合薄膜等，在熱電性能和光電性能方面展現(xiàn)出巨大潛力。然而，如何準確
2025-12-26 18:02:28977 
功率放大器測試解決方案分享——開放結構磁性納米粒子血管精細成像
2025-12-18 18:32:06155 
的關鍵作用：在真空腔室中，它以0.01Pa的感知精度維持10?3Pa級高真空，且憑借穩(wěn)定晶體結構，在輻射與溫度波動下精度長期可控，遠超硅、陶瓷材質；在光刻膠涂布環(huán)節(jié)，其將氣路壓力誤差鎖定在±0.05kPa，避免膜厚偏差導致芯片故障；在晶圓固定與設備防護中，它精準控制吸附壓力并監(jiān)測微泄漏，實現(xiàn)預警保護。
2025-12-12 13:02:26424 什么是化學開封化學開封是一種通過化學試劑選擇性溶解電子元器件外部封裝材料，從而暴露內部芯片結構的技術方法，主要用于失效分析、質量檢測和逆向工程等領域。化學開封的核心是利用特定的化學試劑（如強酸、強堿
2025-12-05 12:16:16705 
全固態(tài)電池（ASSB）憑借其在高能量密度和安全性方面的潛力，被視為超越傳統(tǒng)鋰離子電池的下一代儲能技術。為了追求能量密度的極限，行業(yè)內正致力于開發(fā)無負極（Anode-free）且所有組分均具電化學活性
2025-11-25 18:05:08507 
真正的全局平面化處理，為后續(xù)的SEM、EDS、EBSD等分析提供理想的觀測基底。一、微納米顆粒（針對200μm以下樣品）微納米顆粒樣品，如鋰電池陽極材料等，通常需要
2025-11-25 17:14:14456 
納米技術的發(fā)展催生了從超光滑表面到復雜納米結構表面的制備需求，這些表面的精確測量對質量控制至關重要。然而，當前納米尺度表面測量技術面臨顯著挑戰(zhàn)：原子力顯微鏡（AFM）測量速度慢、掃描面積有限；掃描
2025-11-24 18:02:362479 
在分析檢測領域，紅外光譜分析技術作為一種高效、準確的分析檢測手段，能夠快速準確地識別各類化合物的分子結構特征。這項技術基于一個簡單卻精妙的原理：當紅外光照射樣品時，分子中的化學鍵會吸收特定波長
2025-11-11 15:21:11471 
多臺織物透濕量測試儀，通常由人工在設備觸摸屏進行操作，同時對接測試結構進行抄表，面臨著工作量大、效率低、查找困難等問題?，F(xiàn)工廠部署一套PLM系統(tǒng)，要求將透濕量測試儀數(shù)據(jù)采集起來并實現(xiàn)集中監(jiān)控管理，以便于對織物研發(fā)
2025-11-11 10:55:03289 
電子背散射衍射（EBSD）技術概述電子背散射衍射（EBSD）技術是一種在材料科學領域中用于表征晶體結構的重要方法。它通過分析從樣品表面反射回來的電子的衍射模式，能夠精確地測量晶體的取向、晶界的角度
2025-11-10 11:12:40278 
EBSD技術：材料顯微學的先進工具電子背散射衍射（EBSD）技術是材料科學中一種重要的顯微分析技術。它通過分析高能電子束與樣品相互作用產生的背散射電子的衍射花樣，獲取樣品的晶體結構、晶粒取向、晶界
2025-11-06 12:38:16243 
大棚智能控制系統(tǒng)，通過多維度感知 + 云端決策 + 設備聯(lián)動模式，實時適配平菇各生長階段的環(huán)境需求，實現(xiàn)從經驗種植到數(shù)據(jù)種植的轉型，保障平菇產量穩(wěn)定、品質優(yōu)良。 一、系統(tǒng)架構 針對平菇大棚 “高濕、避光、需精準控碳” 的
2025-10-16 17:36:25438 的關鍵信息1.物相鑒定：EBSD能夠對每個分析點進行物相的識別和確認，這一過程基于晶體學的差異，并可結合化學信息（如能譜儀EDS提供的數(shù)據(jù)）。2.晶體取向：EBSD
2025-09-30 15:38:40750 
波長轉換技術在激光系統(tǒng)、量子光學和光譜分析等領域具有重要作用，其核心是通過非線性光學效應實現(xiàn)高效、靈活的波段調諧。在眾多非線性晶體中，周期極化磷酸氧鈦鉀（PPKTP）以其高損傷閾值和可見波段的低光
2025-09-29 17:36:35707 
滲透到人們衣食住行的各個領域。本章將圍繞集成電路的核心器件 —— 晶體管展開，闡述其如何憑借優(yōu)異性能與不斷演進的結構，成為信息時代不可或缺的重要推動力。
2025-09-22 10:53:481311 
作用。深入研究碳化硅外延片 TTV 厚度與生長工藝參數(shù)的關聯(lián)性，有助于優(yōu)化生長工藝，提升外延片質量，推動碳化硅半導體產業(yè)發(fā)展。
二、碳化硅外延片生長工藝參數(shù)分析
2025-09-18 14:44:40645 
植物生長燈補光的原理是什么？植物生長燈補光的核心原理，是模擬植物光合作用所需的特定光譜與光照條件，彌補自然光照的不足（如光照時長不夠、強度不足、光譜不完整），從而驅動或加速植物的光合作用、調節(jié)生長
2025-09-16 13:55:251207 
柔韌性的復合材料，可進行熱電轉換，并具有化學敏感性和生物適應性。
②用電解質溶液實現(xiàn)MAC計算單元
③具有神經形態(tài)功能的流體憶阻器
④用電化學實現(xiàn)的液體存儲器
膠體存儲器：
使用納米顆粒膠體，按照特定
2025-09-15 17:29:10
多值電場型電壓選擇晶體管結構
為滿足多進制邏輯運算的需要，設計了一款多值電場型電壓選擇晶體管?？刂贫M制電路通斷需要二進制邏輯門電路，實際上是對電壓的一種選擇，而傳統(tǒng)二進制邏輯門電路通常比較復雜
2025-09-15 15:31:09
什么是金屬間化合物（IMC）金屬間化合物（IMC）是兩種及以上金屬原子經擴散反應形成的特定化學計量比化合物，其晶體結構決定界面機械強度與電學性能。在芯片封裝中，常見的IMC產生于如金與鋁、銅與錫等
2025-09-11 14:42:282140 
實驗名稱： 微混合器合成CsPbBr?鈣鈦礦納米晶體研究實驗 研究方向： 基于微流控聲學混合技術優(yōu)化鈣鈦礦納米晶體的快速成核與生長 實驗內容： 探雙驅動聲學混合器實現(xiàn)通道流體擾動，通過LARP法合成
2025-09-11 10:41:05358 
濕件的源頭。
在相關的研究中，目前已取得了一定的進展，它將涉及到化學計算、生物計算等相關知識和技術。
所謂化學計算是指應用計算機科學和化學原理進行計算和模擬的跨學科領域，旨在研究化學反應、分子結構
2025-09-06 19:12:03
在高濕度環(huán)境下，貼片薄膜電阻可能因“電化學腐蝕”導致電阻膜層損傷，進而引發(fā)失效。為提升電阻器的抗濕性能，制造商通常采用兩種方法：一是在電阻膜層表面制造保護膜以隔絕濕氣；二是采用本身不易發(fā)生電化學腐蝕的材料制備電阻膜層。
2025-09-04 15:34:41618 
在實驗室建設、產品研發(fā)及質量檢測中，步入式恒溫恒濕室 是一種常見的大體積環(huán)境試驗設備。相比小型恒溫恒濕試驗箱，步入式設計具備更大的測試空間和更多優(yōu)勢。本文將為大家盤點步入式恒溫恒濕室的主要優(yōu)點
2025-08-29 09:13:50501 
半波整流電化學方法中，以聚苯胺修飾碳氈電極（PANI/CF）為陰極，利用功率放大器及信號發(fā)生器等設備組裝了用于去除低濃度含鉛廢水中鉛離子的裝置。該研究豐富了對基于半波整流電化學法處理低濃度含鉛廢水機理的認識，為進一步加快該方法的實際應用提供了
2025-08-18 10:32:52535 
鄭州大學陳宗威和郭豐啟教授與中國科學院大連化學物理研究所吳凱豐研究員合作，在揭示分子“暗態(tài)”超快光物理研究中取得新進展。研究人員利用金屬納米顆粒與有機分子構建無機-有機雜化材料，通過金屬-分子界面超
2025-08-13 10:13:561077 
半導體外延和薄膜沉積是兩種密切相關但又有顯著區(qū)別的技術。以下是它們的主要差異：定義與目標半導體外延核心特征：在單晶襯底上生長一層具有相同或相似晶格結構的單晶薄膜（外延層），強調晶體結構的連續(xù)性和匹配
2025-08-11 14:40:061536 
性能。流變學分析也證實了溫度變化對水凝膠分子鏈間相互作用的顯著影響，使其從剛性轉變?yōu)槿嵝浴?
圖2.水凝膠溫度敏感粘附性機理探究
按需粘附特性與濕環(huán)境強粘附性能
PANC/T-Fe 水凝膠具有
2025-07-30 13:44:55
lt8334的濕敏等級是多少，我們如何查看各種元件的濕敏等級？
2025-07-30 06:07:41
SERS活性。而ZnO膜厚直接影響Au納米顆粒的分布與"熱點"形成。Flexfilm費曼儀器提供精準的膜厚測試，其中Flexfilm探針式臺階儀覆蓋納米至微米級薄膜的精
2025-07-28 18:04:53702 晶圓清洗后表面外延顆粒的要求是半導體制造中的關鍵質量控制指標，直接影響后續(xù)工藝（如外延生長、光刻、金屬化等）的良率和器件性能。以下是不同維度的具體要求和技術要點：一、顆粒污染的核心要求顆粒尺寸與數(shù)量
2025-07-22 16:54:431540 
制樣方式由于切片分析可以獲取到豐富的樣品內部微觀結構信息，因此被金鑒實驗室廣泛應用于LED支架結構觀察。例如：支架鍍層的厚度與均勻度，鍍層內部質量、鍍層晶體結構和形貌、基材的材質與質量，無一不關乎到
2025-07-18 21:03:56521 
本案例使用“自動計算透反率模式”研究光子晶體的透反率，將建立簡單二維光子晶體結構以說明透反率的計算方法。 ? 模型示意圖： ? 預覽網格劃分效果如下： ? 觀察到下面的實時場： ? 記錄得到數(shù)據(jù)如下
2025-07-16 11:26:09320 
超高分辨率形貌與結構信息1.微觀形貌TEM能夠直接觀察樣品的微觀結構，包括顆粒的形狀、大小、分布、表面特征、孔洞以及缺陷（如位錯、層錯、晶界、相界等）。這些信息對于理解材料的基本性質和性能至關重要
2025-07-10 16:01:431280 
芯片制程從微米級進入2納米時代，晶體管架構經歷了從 Planar FET 到 MBCFET的四次關鍵演變。這不僅僅是形狀的變化，更是一次次對物理極限的挑戰(zhàn)。從平面晶體管到MBCFET，每一次架構演進到底解決了哪些物理瓶頸呢？
2025-07-08 16:28:022046 
聚焦離子束技術概述聚焦離子束（FocusedIonBeam，F(xiàn)IB）技術是微納米尺度制造與分析領域的一項關鍵核心技術。其原理是利用靜電透鏡將離子源匯聚成極為精細的束斑，束斑直徑可精細至約5納米。當這
2025-07-08 15:33:30467 
LED植物生長燈基于植物光合作用對特定光譜的需求，通過人工光源精準調控光質、光強和光周期，優(yōu)化植物生長。其核心原理是利用LED芯片對光譜進行精確匹配，光強與光周期可控，適應不同應用場景。
2025-06-30 17:23:241349 
的等離子體微傳感器，通過將金納米顆粒高密度封裝于可壓變形的海藻酸鹽水凝膠微球中，實現(xiàn)了從溶液到生物組織的壓力傳感，為活體組織壓力監(jiān)測提供了新平臺。 ? 本 文 要 點 ? ? 1、本文提出一種基于納米光機械轉換器的等離子
2025-06-23 18:21:372965 
摘要:高轉矩密度、強抗沖擊性和低噪聲已經成為艦船用推進電機三大特征，以某推進電機的端蓋結構為分析研究對象，以有限元數(shù)值仿真分析為手段，分析了該結構在受到沖擊時的反應及隨材料屬性變化的規(guī)律變化規(guī)律
2025-06-23 07:12:36
先進的晶體管架構，是納米片晶體管（Nanosheet FET）的延伸和發(fā)展，主要用于實現(xiàn)更小的晶體管尺寸和更高的集成密度，以滿足未來半導體工藝中對微縮的需求。叉片晶體管的核心特點是其分叉式的柵極結構
2025-06-20 10:40:07
發(fā)電機廠生產的多臺無刷勵磁發(fā)電機出現(xiàn)了轉子電壓測量不準并引起轉子接地保護異常甚至誤動，本文對該問題進行分析，提出施加濕電流的解決辦法和對策。
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2025-06-17 08:55:28
隨著半導體器件特征尺寸不斷微縮，對高質量薄膜材料的需求愈發(fā)迫切。外延技術作為一種在半導體工藝制造中常用的單晶薄膜生長方法，能夠在單晶襯底上按襯底晶向生長新的單晶薄膜，為提升器件性能發(fā)揮了關鍵作用。本文將對外延技術的定義、分類、原理、常用技術及其應用進行探討。
2025-06-16 11:44:032477 
摘要
元件內部場分析器：FMM允許用戶可視化和研究微結構和納米結構內部的電磁場分布。為此，使用傅立葉模態(tài)法/嚴格耦合波分析（FMM/RCWA）計算周期性結構（透射或反射、電介質或金屬）內部的場
2025-06-12 08:52:23
中圖儀器納米級表面形貌臺階儀單拱龍門式設計，結構穩(wěn)定性好，而且降低了周圍環(huán)境中聲音和震動噪音對測量信號的影響，提高了測量精度。線性可變差動電容傳感器（LVDC），具有亞埃級分辨率，13μm量程下可達
2025-06-10 16:30:17
晶面和晶向是晶體學中兩個核心的概念，它們與硅基集成電路工藝中的晶體結構有密切的關系。
2025-06-05 16:58:563262 
摘要
可變角度橢圓偏振光譜儀（VASE）是一種常用的技術，由于其對光學參數(shù)的微小變化具有高靈敏度，而被用在許多使用薄膜結構的應用中，如半導體、光學涂層、數(shù)據(jù)存儲、平板制造等。在本用例中，我們演示了
2025-06-05 08:46:36
性和熱穩(wěn)定性是至關重要的，該方法比傳統(tǒng)的基于雙折射晶體或多層系統(tǒng)的方法具有明顯的優(yōu)勢。
在本周的時事通訊中，我們對快速物理光學建模和設計軟件虛擬實驗室融合中的這種結構進行了詳細的分析，使用了文獻[J.
2025-05-26 08:45:20
充滿奧秘的納米世界。它主要由納米級別的銀顆粒組成，如此微小的尺寸，使得它們具有了宏觀銀材料所不具備的特殊性質。
尺寸效應是納米銀顆粒的一大特性。當銀顆粒的尺寸進入納米級別，其物理和化學性質會發(fā)生顯著變化
2025-05-22 10:26:27
恒溫恒濕試驗箱，又被稱為恒溫恒濕試驗機、可程式濕熱交變試驗箱等，在眾多領域中發(fā)揮著關鍵作用。它主要用于檢測材料在各種環(huán)境下的性能，能夠精準試驗各種材料的耐熱、耐寒、耐干、耐濕性能，是一款為產品質量
2025-05-21 16:38:42533 
系列納米級臺階儀主要用于臺階高、膜層厚度、表面粗糙度等微觀形貌參數(shù)的測量。單拱龍門式設計，結構穩(wěn)定性好，而且降低了周圍環(huán)境中聲音和震動噪音對測量信號的影響，提高了
2025-05-15 14:41:51
的便攜式電化學傳感器（ip-ECS），它將金納米顆粒（AuNP）和MXene修飾的絲網印刷電極（SPE）與自主設計的低功耗電化學檢測電路相結合，用于血清生物標志物的即時監(jiān)測。 傳統(tǒng)檢測方法存在成本高、操作復
2025-05-11 17:17:011270 
選擇性外延生長(SEG)是當今關鍵的前端工藝(FEOL)技術之一，已在CMOS器件制造中使用了20年。英特爾在2003年的90納米節(jié)點平面CMOS中首次引入了SEG技術，用于pMOS源/漏(S/D
2025-05-03 12:51:003633 
性和熱穩(wěn)定性是至關重要的，該方法比傳統(tǒng)的基于雙折射晶體或多層系統(tǒng)的方法具有明顯的優(yōu)勢。在本周的時事通訊中，我們對快速物理光學建模和設計軟件虛擬實驗室融合中的這種結構進行了詳細的分析，使用了文獻[J.
2025-04-28 10:09:23
可能獲取滿足化學計量比的SiC熔體。如此嚴苛的條件，使得通過傳統(tǒng)的同成分SiC熔體緩慢冷卻凝固的熔體法來生長SiC單晶變得極為困難，不僅對設備的耐高溫、耐壓性能要求近乎苛刻，還會導致生產成本飆升，生長過程的可操作性和穩(wěn)定性極差。
2025-04-18 11:28:061061 
ROSAHL使用注意事項1)根據(jù)需要附加保護罩，不要用手和物體接觸薄膜的除濕/加濕表面。2)安裝前確認膜的除濕/加濕表面不會有錯誤的方向。誤貼ROSAHL會對集裝箱中的幾樣東西產生不利影響。3
2025-04-17 14:53:55
0 本文從多個角度分析了在晶圓襯底上生長外延層的必要性。
2025-04-17 10:06:39868 為滿足多進制邏輯運算的需要，設計了一款多值電場型電壓選擇晶體管?？刂贫M制電路通斷需要二進制邏輯門電路，實際上是對電壓的一種選擇，而傳統(tǒng)二進制邏輯門電路通常比較復雜，有沒有一種簡單且有效的器件實現(xiàn)
2025-04-16 16:42:262 多值電場型電壓選擇晶體管結構
為滿足多進制邏輯運算的需要，設計了一款多值電場型電壓選擇晶體管?？刂贫M制電路通斷需要二進制邏輯門電路，實際上是對電壓的一種選擇，而傳統(tǒng)二進制邏輯門電路通常比較復雜
2025-04-15 10:24:55
摘要
Field Inside Component Analyzer: FMM使用戶能夠分析電磁場在微納米結構內部的分布。為此，任意周期結構(包括透射和反射、介質或金屬光柵)內的場通過應用傅里葉
2025-04-07 08:53:23
性和熱穩(wěn)定性是至關重要的，該方法比傳統(tǒng)的基于雙折射晶體或多層系統(tǒng)的方法具有明顯的優(yōu)勢。
在本周的時事通訊中，我們對快速物理光學建模和設計軟件虛擬實驗室融合中的這種結構進行了詳細的分析，使用了文獻[J.
2025-03-28 08:55:41
實驗名稱：顆粒電霧化布控實驗研究 測試目的：圍繞導電顆粒電霧化布控的有關特性展開具體研究，通過對比不同參數(shù)下的顆粒沉積情況來考察該工藝的目標工作區(qū)間，并就實驗中遭遇到的其他現(xiàn)象進行分析和說明。 測試
2025-03-26 11:05:48529 
本文介紹了利用X射線衍射方法測量薄膜晶體沿襯底生長的錯配角，可以推廣測量單晶體的晶帶軸與單晶體表面之間的夾角，為單晶體沿某晶帶軸切割提供依據(jù)。
2025-03-20 09:29:10848 
柵極（Gate）是晶體管的核心控制結構，位于源極（Source）和漏極（Drain）之間。其功能類似于“開關”，通過施加電壓控制源漏極之間的電流通斷。例如，在MOS管中，柵極電壓的變化會在半導體表面形成導電溝道，從而調節(jié)電流的導通與截止。
2025-03-12 17:33:202749 
移相全橋 ZVS 及 ZVZCS 拓撲結構分析
1.引言
移相控制方式是控制型軟開關技術在全開關 PWM 拓撲的兩態(tài)開關模式(通態(tài)和斷態(tài))通過控制方法變?yōu)槿龖B(tài)開關工作模式(通態(tài)斷態(tài)和續(xù)流態(tài))，在
2025-03-04 16:42:48
與設置：單平臺互操作性
連接建模技術：超構透鏡
? 超構透鏡(柱結構分析)
? 傳播到焦點
? 探測器
周期性微納米結構可用的建模技術：
作為一種嚴格的特征模態(tài)求解器，傅里葉模態(tài)法(也稱為嚴格耦合波分析
2025-03-04 10:05:32
不同的具有亞波長結構的系統(tǒng)的例子的鏈接：由不同直徑的納米柱排列構建的超透鏡的設計工作流程的示意圖，和基于受抑全內反射（FTIR）工作原理的棱鏡分束器，其中分束器的兩臂之間的能量再分配是通過倏逝波隧穿一層很薄
2025-03-04 09:59:44
納米技術是一個高度跨學科的領域，涉及在納米尺度上精確控制和操縱物質。集成電路（IC）作為已經達到納米級別的重要技術，對社會生活產生了深遠影響。晶體管器件的關鍵尺寸在過去數(shù)十年間不斷縮小，如今已經接近
2025-03-04 09:43:084283 
銅引線鍵合由于在價格、電導率和熱導率等方面的優(yōu)勢有望取代傳統(tǒng)的金引線鍵合, 然而 Cu/Al 引線鍵合界面的金屬間化合物 (intermetallic compounds, IMC) 的過量生長將增大接觸電阻和降低鍵合強度, 從而影響器件的性能和可靠性。
2025-03-01 15:00:092398 
微反應器是微加工或其他結構化的設備，至少有一個(特性)尺寸小于1毫米。通常使用的最小結構是幾十微米，但也有尺寸更小的例外。微反應技術利用微反應器進行化學反應工程。流動化學是一種由化學動機(例如
2025-02-28 14:05:58724 本案例使用“自動計算透反率模式”研究光子晶體的透反率，將建立簡單二維光子晶體結構以說明透反率的計算方法。
模型示意圖：
預覽網格劃分效果如下：
觀察到下面的實時場：
記錄得到數(shù)據(jù)如下：
雙擊
2025-02-28 08:46:25
在工業(yè)生產和科學研究中，模擬各種復雜環(huán)境條件對產品或材料進行測試至關重要，步入式恒溫恒濕試驗箱正是這樣一款強大的設備。上海和晟HS系列步入式恒溫恒濕試驗箱步入式恒溫恒濕試驗箱通過制冷、制熱以及加濕
2025-02-26 13:08:45682 
壓控晶體振蕩器（Voltage Controlled Crystal Oscillator，簡稱VCXO）是一種基于石英晶體的振蕩器，其頻率可以通過外部電壓進行微調。
2025-02-24 13:50:091056 化處理。這是因為光滑的界面表面能較低，不利于銀顆粒的附著與擴散。通過機械打磨、噴砂或化學蝕刻等方法，增加界面的粗糙度，可以顯著提升界面表面能，促進燒結過程中銀顆粒的相互融合。
第二步：涂布燒結銀
2025-02-23 16:31:42
的準一維結構，能夠有效減小散射相位空間，載流子平均自由程長，在尺寸縮減過程中受到的短溝道效應弱，同時具有優(yōu)異的化學穩(wěn)定性、機械強度和熱穩(wěn)定性。 CMOS架構：碳納米管可以實現(xiàn)CMOS架構，這是其他新材料難以企及的優(yōu)勢，
2025-02-13 09:52:281053 
這類復雜材料進行精確的結構表征始終是一大挑戰(zhàn)。傳統(tǒng)的×射線衍射(XRD)技術在面對微米甚至納米尺度的樣品時， 難以獲取其精細的晶體結構信息，限制了對 MOF 材料深入的研究與應用。
2025-02-12 16:07:351183 
密度。其中，軟金屬在電化學過程中通過晶粒選擇性生長形成的紋理是一個影響功率和安全性的關鍵因素。 在此，美國芝加哥大學Ying Shirley Meng（孟穎）教授和美國密西根大學陳磊教授等人制定了一個通用的熱力學理論和相場模型來研究軟金屬的晶粒選擇性生長，研究重點
2025-02-12 13:54:13928 
的連接器，在使用中給植物生長燈應用帶來經濟損失，基本被否決了。潮濕、高溫、化學腐蝕等嚴苛的應用環(huán)境，是考驗所需連接器可靠性和長期使用的“攔路虎”。凌科去年年終發(fā)布
2025-02-11 18:12:34624 
文章首先介紹了電化學傳感器的構成，對傳統(tǒng)的信號調理電路進行了簡要分析，指出經典電路在設計實現(xiàn)時存在的一些局限性以及在傳感器電極故障狀態(tài)檢測中遇到的困難。隨后介紹了電化學傳感器模擬前端
2025-02-11 08:02:11
引言
在半導體材料領域，碳化硅（SiC）因其出色的物理和化學特性，如高硬度、高熱導率、高擊穿電場強度等，成為制造高功率、高頻電子器件的理想材料。然而，在大尺寸SiC外延生長過程中，襯底應力問題一直是
2025-02-08 09:45:00268 
合成方法熒光粉的合成方法多種多樣，不同的合成工藝對熒光粉的晶體結構、顆粒尺寸和發(fā)光性能有著顯著影響。以下是幾種常見的合成方法：1.固相合成法固相合成法是一種傳統(tǒng)的熒
2025-02-07 14:05:381454 
SiC外延設備的復雜性主要體現(xiàn)在反應室設計、加熱系統(tǒng)和旋轉系統(tǒng)等關鍵部件的精確控制上。在SiC外延生長過程中，晶型夾雜和缺陷問題頻發(fā)，嚴重影響外延膜的質量。如何在提高外延生長速率和品質的同時，有效避免這些問題的產生，可以從以下幾個方面入手。?
2025-02-06 10:10:581349 原子級薄的范德瓦爾斯van der Waals (vdW) 薄膜，為量子異質結構的外延生長提供了新材料體系。然而，不同于三維塊晶體的遠程外延生長，由于較弱的范德華vdW相互作用，跨原子層的二維材料異質結構生長受到了限制。
2025-02-05 15:13:06966 
摘要
可變角度橢圓偏振光譜儀（VASE）是一種常用的技術，由于其對光學參數(shù)的微小變化具有高靈敏度，而被用在許多使用薄膜結構的應用中，如半導體、光學涂層、數(shù)據(jù)存儲、平板制造等。在本用例中，我們演示了
2025-02-05 09:35:38
EBSD技術概述電子背散射衍射（EBSD）是一種尖端的材料分析技術，它依托于高能電子與材料表面晶體結構的交互作用，通過捕捉和解析由此產生的背散射電子的衍射模式，揭示材料的晶體學特征。EBSD技術能夠
2025-01-24 16:15:491003 
, Gate-all-Around）全環(huán)繞柵極晶體管(GAAFET)等先進結構，在減少漏電、降低功耗方面雖然取得了顯著成就，但進一步微縮的挑戰(zhàn)日益顯現(xiàn)。為了延續(xù)摩爾定律的發(fā)展趨勢，并滿足未來高性能計算的需求，業(yè)界正積極研發(fā)下一代晶體管架構——互補場效應晶體管（Complementary FET, CFET）。
2025-01-24 10:03:514438 
。 碳化硅的主要缺陷類型 微管缺陷 ：微管是碳化硅晶體生長過程中最常見的缺陷之一，它們會形成垂直于晶體生長方向的空管，影響電子器件的電導率和熱導率。 位錯缺陷 ：位錯是晶體結構中的線缺陷，它們會破壞晶體的周期性
2025-01-24 09:17:142515 ：
?周期：400納米
?z方向延伸（沿z軸的調制深度）：400nm
?填充系數(shù)（非平行情況下底部或頂部）：50%
?傾斜角度：40o
總結—元件
具有非正交二維周期的菱形（菱形）光柵結構，通過定制接口
2025-01-23 10:37:47
近日，荷蘭特文特大學科學家開發(fā)出一種新工藝，能在室溫下制造出晶體結構高度有序的半導體材料。他們表示，通過精準控制這種半導體材料的晶體結構，大幅降低了內部納米級缺陷的數(shù)量，可顯著提升光電子學效率，進而
2025-01-23 09:52:54686 
? 壓阻式壓力傳感器因其結構簡單、靈敏度高和成本低而備受關注。石墨烯以其出色的機械和電氣性能而聞名，作為傳感器材料已顯示出巨大的應用潛力。然而，其在實際應用中的耐用性和性能一致性仍有待提高。 本文
2025-01-21 17:07:00913 
求解，這個電路圖該怎么分析，圖中各元件的作用是什么？？？
2025-01-20 15:43:04
MSL是Mositure Sensitivity Level的簡稱，即濕敏等級，也叫潮敏等級，表征芯片抗潮濕環(huán)境的能力，這是一個極為重要然而卻極容易被電子工程師忽視的參數(shù)。
2025-01-14 15:07:236030 
、晶體結構、晶界特征等。EBSD技術在材料科學領域具有廣泛的應用，如相鑒定、晶體取向分析、織構分析、晶界特征研究等。SEM原理：EBSD技術的基石掃描電子顯微鏡（SEM
2025-01-14 12:00:142982 
電子背散射衍射（EBSD）技術概述電子背散射衍射（EBSD）技術是一種在材料科學領域中用于表征晶體結構的重要方法。它通過分析從樣品表面反射回來的電子的衍射模式，能夠精確地測量晶體的取向、晶界的角度
2025-01-13 11:19:41898 
一站式PCBA智造廠家今天為大家講講PCBA加工中濕敏元件如何管理?PCBA加工中濕敏元件的管理方法。在PCBA(印刷電路板組裝)加工過程中，濕敏電子元器件的管理至關重要。濕敏元件管理不當，會導致
2025-01-13 09:29:593743 本文旨在介紹人類祖先曾經使用過納米晶體的應用領域。 ? 納米技術/材料在現(xiàn)代社會中的應用與日俱增。納米晶體，這一類獨特的納米材料，預計將在液晶顯示器、發(fā)光二極管、激光器等新一代設備中發(fā)揮關鍵作用
2025-01-13 09:10:191505 
一、引言
在半導體制造業(yè)中，外延生長技術扮演著至關重要的角色。化學氣相沉積（CVD）作為一種主流的外延生長方法，被廣泛應用于制備高質量的外延片。而在CVD外延生長過程中，石墨托盤作為承載和支撐半導體
2025-01-08 15:49:10364 器件制造的關鍵。鐘罩式熱壁碳化硅高溫外延片生長裝置作為一種先進的生長設備，以其獨特的結構和高效的生長性能，成為制備高質量SiC外延片的重要工具。本文將詳細介紹鐘罩式
2025-01-07 15:19:59423 在電子制造領域，錫須是一種常見的物理現(xiàn)象，表現(xiàn)為在錫質表面自發(fā)生長的細長晶體。這些晶體類似于晶須，能在多種金屬表面形成，但以錫、鎘、鋅等金屬最為常見。錫須的形成對那些選擇錫作為電路連接材料的制造商
2025-01-07 11:20:53932 
晶體的取向，即晶體坐標系（CCS）相對于樣品坐標系（SCS）的定位，對于理解材料的物理和化學性質具有決定性的作用。晶體取向不僅影響材料的力學性能，如強度、韌性、塑性等，還對電學、熱學、光學等性能產生
2025-01-07 11:17:551731 
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