在7納米、3納米等先進(jìn)芯片制造中,光刻機(jī)0.1納米級(jí)的曝光精度離不開高精度石英壓力傳感器的支撐,其作為“隱形功臣”,是保障工藝穩(wěn)定、設(shè)備安全與產(chǎn)品良率的核心部件。本文聚焦石英壓力傳感器在光刻機(jī)中
2025-12-12 13:02:26
424 自石墨烯在實(shí)驗(yàn)室中被成功分離以來(lái),其基礎(chǔ)研究與工業(yè)應(yīng)用迅速發(fā)展。亟需建立其關(guān)鍵控制特性的標(biāo)準(zhǔn)測(cè)量方法。國(guó)際電工委員會(huì)發(fā)布的IECTS62607-6-8:2023技術(shù)規(guī)范,確立了使用四點(diǎn)探針法評(píng)估
2025-11-27 18:04:50
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未來(lái)5-10年,傳感器技術(shù)將迎來(lái)革命性突破,主要體現(xiàn)在材料科學(xué)、感知-計(jì)算-執(zhí)行一體化、能量自治與超微型化、神經(jīng)擬態(tài)感知以及宏觀-微觀跨尺度感知五大方向。石墨烯、量子點(diǎn)等新材料將推動(dòng)傳感器性能飛躍
2025-10-28 10:27:00
372 STMicroelectronics ST1VAFE6AX帶垂直模擬前端 (vAFE) 通道的生物傳感器設(shè)計(jì)用于生物電勢(shì)信號(hào)檢測(cè)和運(yùn)動(dòng)跟蹤。該傳感器嵌入了用于運(yùn)動(dòng)處理的特性和數(shù)據(jù)處理功能,例如傳感器
2025-10-21 09:23:03
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STMicroelectronics ST1VAFE3BX生物傳感器具有垂直模擬前端 (vAFE),可檢測(cè)生物電勢(shì)信號(hào),并設(shè)有跟蹤運(yùn)動(dòng)的高性能3軸數(shù)字加速度計(jì)。 STMicroelectronics
2025-10-17 17:58:51
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石墨烯作為原子級(jí)薄二維材料,具備優(yōu)異電學(xué)與機(jī)械性能,在防腐、OLED、傳感器等領(lǐng)域應(yīng)用廣泛。隨著大面積石墨烯生長(zhǎng)與轉(zhuǎn)移技術(shù)的成熟,如何實(shí)現(xiàn)其電學(xué)性能的快速、無(wú)損、高分辨率表征成為推動(dòng)其產(chǎn)業(yè)化
2025-10-16 18:03:30
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石墨烯柔性傳感器陣列的應(yīng)用受兩大限制制約:現(xiàn)有制備方法難以實(shí)現(xiàn)高空間分辨率,且缺乏面向?qū)嶋H應(yīng)用的系統(tǒng)級(jí)集成方案。為應(yīng)對(duì)這些挑戰(zhàn),本文,深圳技術(shù)大學(xué)賈原 副教授、天津師范大學(xué)王程 副教授、哈爾濱
2025-10-11 18:38:53
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一、引言
玻璃晶圓在半導(dǎo)體制造、微流控芯片等領(lǐng)域應(yīng)用廣泛,光刻工藝作為決定器件圖案精度與性能的關(guān)鍵環(huán)節(jié),對(duì)玻璃晶圓的質(zhì)量要求極為嚴(yán)苛 。總厚度偏差(TTV)是衡量玻璃晶圓質(zhì)量的重要指標(biāo),其厚度
2025-10-09 16:29:24
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石墨烯因其高載流子遷移率(~200,000cm2/V·s)、低方阻和高透光性(~97.7%),在電子應(yīng)用領(lǐng)域備受關(guān)注。然而,單層石墨烯的電學(xué)性能受限于表面摻雜效應(yīng)(如PMMA殘留或環(huán)境吸附物引起的p
2025-09-29 13:44:20
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2025年9月16日,2025潔凈技術(shù)高峰論壇在上海召開,作為國(guó)際公認(rèn)的測(cè)試、檢驗(yàn)和認(rèn)證機(jī)構(gòu),SGS受邀出席并發(fā)表《潔凈室控降分子污染 (AMC)》主題演講,從技術(shù)解析到實(shí)踐應(yīng)用,為行業(yè)帶來(lái)分子級(jí)污染管控的專業(yè)視角。
2025-09-17 17:36:58
1048 光刻膠剝離工藝是半導(dǎo)體制造和微納加工中的關(guān)鍵步驟,其核心目標(biāo)是高效、精準(zhǔn)地去除光刻膠而不損傷基底材料或已形成的結(jié)構(gòu)。以下是該工藝的主要類型及實(shí)施要點(diǎn):濕法剝離技術(shù)有機(jī)溶劑溶解法原理:使用丙酮、NMP
2025-09-17 11:01:27
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半導(dǎo)體制造潔凈室防震基座安裝施工的崗位設(shè)置,需圍繞 “高精度安裝、潔凈管控、安全合規(guī)” 核心需求,覆蓋 “技術(shù) - 施工 - 檢測(cè) - 管理” 全流程,確保防震精度(通常要求振動(dòng)控制在微米級(jí))與潔凈室環(huán)境零污染,具體崗位及職責(zé)如下:
2025-09-08 16:24:06
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隨著半導(dǎo)體制造技術(shù)的飛速發(fā)展,芯片集成度越來(lái)越高,特征線寬不斷縮小至納米級(jí)別,對(duì)生產(chǎn)環(huán)境的潔凈度要求也達(dá)到了前所未有的高度。在這樣的背景下,除了傳統(tǒng)的塵埃顆粒物控制,氣態(tài)分子污染物(Airborne Molecular Contaminants,AMC) 的監(jiān)控與去除已成為影響產(chǎn)品良率和可靠性的關(guān)鍵因素。
2025-09-05 11:19:57
884 半導(dǎo)體制造潔凈室防震基座是支撐精密設(shè)備穩(wěn)定運(yùn)行的核心設(shè)施,其施工管理的每一個(gè)環(huán)節(jié)都需以 “微米級(jí)精度” 為標(biāo)準(zhǔn)。以下從施工前準(zhǔn)備、施工過程、驗(yàn)收交付三個(gè)階段,梳理核心管控要點(diǎn),確?;婢叻勒鹦阅芘c潔凈室環(huán)境適應(yīng)性。
2025-09-02 15:20:30
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。適用領(lǐng)域:半導(dǎo)體制造中的光刻、蝕刻等關(guān)鍵工藝環(huán)節(jié),以及生物制藥領(lǐng)域的無(wú)菌藥品灌裝與分裝操作。該級(jí)別要求極高的空氣純凈度,以避免微小顆粒對(duì)精密元件或藥品造成污染。
2025-08-26 13:42:17
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在芯片制造領(lǐng)域的光刻工藝中,光刻膠旋涂是不可或缺的基石環(huán)節(jié),而保障光刻膠旋涂的厚度是電路圖案精度的前提。優(yōu)可測(cè)薄膜厚度測(cè)量?jī)xAF系列憑借高精度、高速度的特點(diǎn),為光刻膠厚度監(jiān)測(cè)提供了可靠解決方案。
2025-08-22 17:52:46
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監(jiān)測(cè),徹底消除人為干預(yù)需求,實(shí)現(xiàn)醫(yī)療監(jiān)測(cè)與日常生活的無(wú)縫整合。圖1人體多模態(tài)生物信號(hào)傳感分布圖HUIYING可穿戴傳感器總結(jié)分析穿戴傳感器通過超薄柔性材料(如石墨烯
2025-08-18 20:21:41
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半導(dǎo)體制造潔凈室的防震基座,是支撐光刻機(jī)等納米級(jí)精密設(shè)備穩(wěn)定運(yùn)行的 “神經(jīng)中樞”。其施工管理需在防震性能、潔凈標(biāo)準(zhǔn)與工程精度之間找到完美平衡,而這種平衡的實(shí)現(xiàn),貫穿于施工前、施工中、驗(yàn)收交付三個(gè)階段
2025-08-14 15:25:35
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本案例使用“自動(dòng)計(jì)算透反率模式”研究石墨烯和特異介質(zhì)的相互作用,分析透反率在有無(wú)石墨烯存在情況下的變化。光源處于近紅外波段。 ?模型為周期結(jié)構(gòu),圖中只顯示了該結(jié)構(gòu)的一個(gè)單元,其中綠色介質(zhì)為石墨烯
2025-08-13 15:36:11
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在最初電子工廠潔凈室系統(tǒng)中,尤其是在電子平板顯示器件潔凈室中,因?yàn)?b class="flag-6" style="color: red">潔凈室潔凈程度相對(duì)較高,需要在潔凈室里設(shè)置垂直通風(fēng)系統(tǒng)結(jié)構(gòu)。在最初潔凈室系統(tǒng)中,地面結(jié)構(gòu)通常設(shè)置成高架地板支撐系統(tǒng),主要是通過可調(diào)
2025-08-12 15:24:25
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光刻工藝是芯片制造的關(guān)鍵步驟,其精度直接決定集成電路的性能與良率。隨著制程邁向3nm及以下,光刻膠圖案三維結(jié)構(gòu)和層間對(duì)準(zhǔn)精度的控制要求達(dá)納米級(jí),傳統(tǒng)檢測(cè)手段難滿足需求。光子灣3D共聚焦顯微鏡憑借非
2025-08-05 17:46:43
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拉曼光譜因其快速、無(wú)損、高空間分辨率的特性,已成為石墨烯(包括單層、多層及氧化石墨烯)層數(shù)、缺陷、結(jié)晶質(zhì)量與摻雜狀態(tài)的首選表征手段。本文以GB/T30544.13-2018《納米科技術(shù)語(yǔ)第13部分
2025-08-05 15:30:53
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評(píng)論