原子級(jí)潔凈的半導(dǎo)體工藝核心在于通過(guò)多維度技術(shù)協(xié)同，實(shí)現(xiàn)材料去除精度控制在埃米（?）量級(jí)，同時(shí)確保表面無(wú)殘留、無(wú)損傷。以下是關(guān)鍵要素的系統(tǒng)性解析：一、原子層級(jí)精準(zhǔn)刻蝕選擇性化學(xué)腐蝕利用氟基氣體（如CF?、C?F?）與硅基材料的特異性反應(yīng)，通過(guò)調(diào)節(jié)等離子體密度（>1012/cm3）和偏壓功率（
2026-01-04 11:39:38
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晶圓刻蝕清洗過(guò)濾是半導(dǎo)體制造中保障良率的關(guān)鍵環(huán)節(jié)，其核心在于通過(guò)多步驟協(xié)同實(shí)現(xiàn)原子級(jí)潔凈。以下從工藝整合、設(shè)備創(chuàng)新及挑戰(zhàn)突破三方面解析： 一、工藝鏈深度整合 濕法刻蝕與清洗一體化設(shè)計(jì) 化學(xué)體系匹配
2026-01-04 11:22:0353 Bosch工藝，又稱交替?zhèn)缺阝g化深層硅蝕刻工藝，是一種在半導(dǎo)體制造中用于刻蝕硅片上特定材料層的先進(jìn)技術(shù)，由Robert Bosch于1993年提出，屬于等離子體增強(qiáng)化學(xué)刻蝕（反應(yīng)離子刻蝕）的一種。該
2025-12-26 14:59:47218 
SPM5030VC-D型號(hào)，憑借其出色的特性，成為了汽車相關(guān)設(shè)備電源電路的優(yōu)質(zhì)選擇。今天，我們就來(lái)詳細(xì)了解一下這款電感。 文件下載： TDK SPM5030VC-D汽車用繞線金屬電感器.pdf 產(chǎn)品概述 TDK的SPM5030VC-D是一款用于電源電路的繞線金屬電感，屬于金屬?gòu)?fù)合類型，采用了金屬磁性材料。它符合AEC-Q200標(biāo)
2025-12-25 14:15:25118 工藝引入的側(cè)壁與底面粗糙度成為制約傳播損耗的主要因素。同時(shí)，為實(shí)現(xiàn)緊湊的光路設(shè)計(jì)與低偏振串?dāng)_，要求刻蝕剖面具有近乎垂直的側(cè)壁形貌。同時(shí)，為實(shí)現(xiàn)緊湊的光路設(shè)計(jì)與低偏
2025-12-15 18:03:481108 
SPM（硫酸-過(guò)氧化氫混合液）清洗是半導(dǎo)體制造中關(guān)鍵的濕法清洗工藝，主要用于去除晶圓表面的有機(jī)物、光刻膠殘留及金屬污染。以下是SPM清洗的標(biāo)準(zhǔn)化步驟及技術(shù)要點(diǎn)：一、溶液配制配比與成分典型體積比
2025-12-15 13:23:26392 
SPM（SulfuricPeroxideMixture，硫酸-過(guò)氧化氫混合液）作為一種高效強(qiáng)氧化性清洗劑，在工業(yè)清洗中應(yīng)用廣泛，以下是其主要應(yīng)用場(chǎng)景及技術(shù)特點(diǎn)的綜合分析：1.半導(dǎo)體制造中的核心應(yīng)用光
2025-12-15 13:20:31201 
詳細(xì)說(shuō)明LUA腳本函數(shù)功能和對(duì)應(yīng)的應(yīng)用實(shí)例。對(duì)于LUA腳本編程有很大的幫助和提高技能。
2025-11-24 16:43:50
0 大家好！疊層固態(tài)電容工藝相比傳統(tǒng)的電容工藝，在響應(yīng)速度上具體快在哪里？
2025-11-15 10:03:31
半導(dǎo)體清洗中SPM（硫酸-過(guò)氧化氫混合液）的最佳使用溫度需根據(jù)具體工藝目標(biāo)、污染物類型及設(shè)備條件綜合確定，以下是關(guān)鍵分析： 高溫場(chǎng)景（120–150℃） 適用場(chǎng)景：主要用于光刻膠剝離、重度有機(jī)污染
2025-11-11 10:32:03253 濕法蝕刻的最佳刻蝕條件需綜合溶液體系、溫度控制、時(shí)間管理及材料特性等因素，具體如下： 溶液體系與濃度 氫氟酸緩沖體系（BOE）：采用HF:NH?F:H?O=6:1:1的體積比配置，pH值控制在3-5
2025-11-11 10:28:48269 如有雷同或是不當(dāng)之處，還請(qǐng)大家海涵。當(dāng)前在各網(wǎng)絡(luò)平臺(tái)上均以此昵稱為ID跟大家一起交流學(xué)習(xí)！ 內(nèi)外行的朋友都知道：半導(dǎo)體制造過(guò)程復(fù)雜，工藝流程頗多，特別是前道的“流片”，更是繁瑣中的繁瑣。本章節(jié)要跟大家分享的就是關(guān)
2025-11-11 08:06:224296 
本文將詳細(xì)說(shuō)明其接線方法、技術(shù)原理及注意事項(xiàng)，為您提供清晰的解決方案。
2025-10-31 16:54:471581 
晶圓濕法刻蝕技術(shù)作為半導(dǎo)體制造中的重要工藝手段，具有以下顯著優(yōu)點(diǎn)：高選擇性與精準(zhǔn)保護(hù)通過(guò)選用特定的化學(xué)試劑和控制反應(yīng)條件，濕法刻蝕能夠?qū)崿F(xiàn)對(duì)目標(biāo)材料的高效去除，同時(shí)極大限度地減少對(duì)非目標(biāo)區(qū)域（如掩膜
2025-10-27 11:20:38369 
光刻與刻蝕是納米級(jí)圖形轉(zhuǎn)移的兩大核心工藝，其分辨率、精度與一致性共同決定器件性能與良率上限。
2025-10-24 13:49:061670 
薄膜刻蝕與薄膜淀積是集成電路制造中功能相反的核心工藝：若將薄膜淀積視為 “加法工藝”（通過(guò)材料堆積形成薄膜），則薄膜刻蝕可稱為 “減法工藝”（通過(guò)材料去除實(shí)現(xiàn)圖形化）。通過(guò)這一 “減” 的過(guò)程，可將
2025-10-16 16:25:052852 
如果你正在搜索“V-Cut分板應(yīng)力”、“PCB線路板斷裂”或“分板工藝優(yōu)化”，說(shuō)明你已經(jīng)意識(shí)到，這個(gè)看似簡(jiǎn)單的工序，實(shí)則是PCBA制造中應(yīng)力風(fēng)險(xiǎn)最高的環(huán)節(jié)之一。今天，我們就來(lái)拆解這個(gè)“隱形殺手”，并給出數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)的解決方案。
2025-10-11 22:11:39730 
的均勻性直接影響光刻工藝中曝光深度、圖形轉(zhuǎn)移精度等關(guān)鍵參數(shù) 。當(dāng)前，如何優(yōu)化玻璃晶圓 TTV 厚度在光刻工藝中的反饋控制，以提高光刻質(zhì)量和生產(chǎn)效率，成為亟待研究的重要
2025-10-09 16:29:24576 
引言 晶圓濕法刻蝕工藝通過(guò)化學(xué)溶液對(duì)材料進(jìn)行各向同性或選擇性腐蝕，廣泛應(yīng)用于硅襯底減薄、氧化層開(kāi)窗、淺溝槽隔離等工藝，其刻蝕深度均勻性、表面平整度、側(cè)向腐蝕量等參數(shù)直接影響器件性能。例如，MEMS
2025-09-26 16:48:41934 
確定 12 英寸集成電路新建項(xiàng)目中光刻機(jī)、刻蝕機(jī)等核心設(shè)備的防震基座類型與數(shù)量，需遵循 “設(shè)備需求為核心、環(huán)境評(píng)估為基礎(chǔ)、合規(guī)性為前提” 的原則，分步驟結(jié)合設(shè)備特性、廠房條件、工藝要求綜合判斷，具體流程與關(guān)鍵考量如下：
2025-09-18 11:24:23915 
過(guò)錫帶來(lái)的損傷。 其中， 焊接溫度 ?是影響焊點(diǎn)質(zhì)量和可靠性的核心參數(shù)之一。本文將系統(tǒng)解析選擇性波峰焊焊接溫度的定義、工藝要求、常見(jiàn)問(wèn)題及優(yōu)化思路，并介紹行業(yè)領(lǐng)先的? AST 埃斯特選擇性波峰焊設(shè)備 ?如何幫助企業(yè)實(shí)現(xiàn)高良率生產(chǎn)。 一、選擇性波峰焊焊接溫度的定義與作
2025-09-17 15:10:551009 PCB焊盤工藝對(duì)元器件焊接可靠性等很關(guān)鍵，不同工藝適用于不同場(chǎng)景，常見(jiàn)分類及說(shuō)明如下：
2025-09-10 16:45:14771 
優(yōu)化碳化硅（SiC）清洗工藝需要綜合考慮材料特性、污染物類型及設(shè)備兼容性，以下是系統(tǒng)性的技術(shù)路徑和實(shí)施策略：1.精準(zhǔn)匹配化學(xué)配方與反應(yīng)動(dòng)力學(xué)選擇性蝕刻控制：針對(duì)SiC表面常見(jiàn)的氧化層（SiO
2025-09-08 13:14:28621 
濕法刻蝕的工藝指標(biāo)是確保半導(dǎo)體制造過(guò)程中圖形轉(zhuǎn)移精度和器件性能的關(guān)鍵參數(shù)，主要包括以下幾個(gè)方面：刻蝕速率定義與意義：指單位時(shí)間內(nèi)材料被去除的厚度（如μm/min或nm/s），直接影響生產(chǎn)效率和成本
2025-09-02 11:49:32764 
促進(jìn) AI 工藝優(yōu)化與協(xié)同應(yīng)用在不同行業(yè)的發(fā)展，需要從政策支持、技術(shù)研發(fā)、人才培養(yǎng)、場(chǎng)景應(yīng)用等多個(gè)方面入手。
2025-08-29 10:38:31779 
AI 工藝優(yōu)化與協(xié)同應(yīng)用在制造業(yè)、醫(yī)療、能源等眾多領(lǐng)域已經(jīng)展現(xiàn)出巨大潛力，未來(lái)，它將在技術(shù)融合、應(yīng)用拓展、產(chǎn)業(yè)生態(tài)等多方面迎來(lái)新的發(fā)展趨勢(shì)
2025-08-28 09:49:29841 
的制造革命中，每一個(gè)工藝節(jié)點(diǎn)都依賴著比人類神經(jīng)更敏銳的感知系統(tǒng)——這正是明治傳感深耕多年的技術(shù)戰(zhàn)場(chǎng)。本期小明就來(lái)和大家分享一下明治傳感在刻蝕設(shè)備以及硅片上下料中的只能傳感解決方案。從實(shí)時(shí)監(jiān)測(cè)靜電卡盤氣壓
2025-08-26 07:33:391243 
隨著透明與非透明基板鍍膜工藝的發(fā)展，對(duì)膜層厚度的控制要求日益嚴(yán)格。臺(tái)階儀作為一種常用的膜厚測(cè)量設(shè)備，在實(shí)際使用中需通過(guò)刻蝕方式制備臺(tái)階結(jié)構(gòu)，通過(guò)測(cè)量臺(tái)階高度進(jìn)行膜層厚度測(cè)量。費(fèi)曼儀器致力于為全球工業(yè)
2025-08-25 18:05:421084 AI 在汽車制造工藝優(yōu)化和設(shè)備管理系統(tǒng)中的應(yīng)用已成效顯著，從提升產(chǎn)品質(zhì)量、提高生產(chǎn)效率，到降低成本、增強(qiáng)企業(yè)競(jìng)爭(zhēng)力，AI 正深刻改變行業(yè)格局。隨著技術(shù)不斷成熟，AI 將在汽車制造領(lǐng)域發(fā)揮更大作用，推動(dòng)行業(yè)向智能化、綠色化、高效化持續(xù)邁進(jìn)。
2025-08-25 10:55:28636 上海伯東 IBE 離子束刻蝕機(jī), 離子束具有方向性強(qiáng)的特點(diǎn), 刻蝕過(guò)程中對(duì)材料的側(cè)向侵蝕 (鉆蝕)少, 能形成陡峭的光柵槽壁, 適合加工高精度, 高分辨率的光柵 (如中高溝槽密度的光柵).
2025-08-21 15:18:181021 
半加成法雙面 PCB 工藝具有很強(qiáng)的代表性，其他類型的 PCB 工藝可參考該工藝，并通過(guò)對(duì)部分工藝步驟和方法進(jìn)行調(diào)整而得到。下面以半加成法雙面 PCB 工藝為基礎(chǔ)展開(kāi)詳細(xì)說(shuō)明。其具體制作工藝，尤其是孔金屬化環(huán)節(jié)，存在多種方法。
2025-08-12 10:55:336667 
濕法刻蝕SC2工藝在半導(dǎo)體制造及相關(guān)領(lǐng)域中具有廣泛的應(yīng)用，以下是其主要應(yīng)用場(chǎng)景和優(yōu)勢(shì)：材料選擇性去除與表面平整化功能描述：通過(guò)精確控制化學(xué)溶液的組成，能夠?qū)崿F(xiàn)對(duì)特定材料的選擇性去除。例如，它能
2025-08-06 11:19:181198 
濕法刻蝕通常是各向同性的（即沿所有方向均勻腐蝕），但在某些特定條件下也會(huì)表現(xiàn)出一定的各向異性。以下是其產(chǎn)生各向異性的主要原因及機(jī)制分析：晶體結(jié)構(gòu)的原子級(jí)差異晶面原子排列密度與鍵能差異：以石英為例
2025-08-06 11:13:571422 的延時(shí)。并且當(dāng)大量不同的讀請(qǐng)求交叉處理時(shí)，讀處理模塊的并行處理結(jié)構(gòu)更能夠充分利用PCIe的亂序傳輸能力來(lái)提高吞吐量。為了清晰的說(shuō)明讀處理模塊對(duì)吞吐量的提升，設(shè)置如圖1所示的簡(jiǎn)單時(shí)序樣例，樣例中PCIe
2025-08-05 18:09:27
海思音頻優(yōu)化方案介紹，文檔詳細(xì)介紹了硬件電路設(shè)計(jì)和軟件的API接口和調(diào)用說(shuō)明。
2025-08-04 14:59:520 濕法刻蝕是半導(dǎo)體制造中的關(guān)鍵工藝，其效果受多種因素影響。以下是主要影響因素及詳細(xì)分析：1.化學(xué)試劑性質(zhì)與濃度?種類選擇根據(jù)被刻蝕材料的化學(xué)活性匹配特定溶液（如HF用于SiO?、KOH用于硅襯底
2025-08-04 14:59:281458 
在半導(dǎo)體制造中，溝槽刻蝕工藝的臺(tái)階高度直接影響器件性能。臺(tái)階儀作為接觸式表面形貌測(cè)量核心設(shè)備，通過(guò)精準(zhǔn)監(jiān)測(cè)溝槽刻蝕形成的臺(tái)階參數(shù)（如臺(tái)階高度、表面粗糙度），為工藝優(yōu)化提供數(shù)據(jù)支撐。Flexfilm費(fèi)
2025-08-01 18:02:17845 運(yùn)算放大器權(quán)威指南 第三版
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如果內(nèi)容有幫助可以關(guān)注、點(diǎn)贊、評(píng)論支持一下哦~
2025-08-01 13:51:29
相較于傳統(tǒng)CMOS工藝，TSV需應(yīng)對(duì)高深寬比結(jié)構(gòu)帶來(lái)的技術(shù)挑戰(zhàn)，從激光或深層離子反應(yīng)刻蝕形成盲孔開(kāi)始，經(jīng)等離子體化學(xué)氣相沉積絕緣層、金屬黏附/阻擋/種子層的多層沉積，到銅電鍍填充及改進(jìn)型化學(xué)機(jī)械拋光（CMP）處理厚銅層，每一步均需對(duì)既有設(shè)備與材料進(jìn)行適應(yīng)性革新，最終構(gòu)成三維集成的主要工藝成本來(lái)源。
2025-08-01 09:13:511976 晶圓清洗工藝是半導(dǎo)體制造中的關(guān)鍵步驟，用于去除晶圓表面的污染物（如顆粒、有機(jī)物、金屬離子和氧化物），確保后續(xù)工藝（如光刻、沉積、刻蝕）的良率和器件性能。根據(jù)清洗介質(zhì)、工藝原理和設(shè)備類型的不同，晶圓
2025-07-23 14:32:161368 
在MEMS中，玻璃因具有良好的絕緣性、透光性、化學(xué)穩(wěn)定性及可鍵合性（如與硅陽(yáng)極鍵合），常被用作襯底、封裝結(jié)構(gòu)或微流體通道基板。玻璃刻蝕是制備這些微結(jié)構(gòu)的核心工藝，需根據(jù)精度要求、結(jié)構(gòu)尺寸及玻璃類型選擇合適的方法，玻璃刻蝕主要分為濕法腐蝕和干法刻蝕兩大類。
2025-07-18 15:18:011491 與協(xié)同水平，不僅奠定了芯片制造的精密基礎(chǔ)，更從根本上左右著整個(gè)制程精度的發(fā)展方向與上限。 一、刻蝕機(jī)：芯片制造的“雕刻師” 芯片制造過(guò)程中，刻蝕技術(shù)是不可或缺的一環(huán)。刻蝕機(jī)在半導(dǎo)體制造中用于刻蝕工藝，其核心
2025-07-17 10:00:29605 
這一篇文章介紹幾種芯片加工工藝,在Fab里常見(jiàn)的加工工藝有四種類型,分別是圖形化技術(shù)（光刻）?摻雜技術(shù)?鍍膜技術(shù)和刻蝕技術(shù)。
2025-07-16 13:52:553329 
TTV 厚度均勻性欠佳。淺切多道切割工藝作為一種創(chuàng)新加工方式，為提升晶圓 TTV 厚度均勻性提供了新方向，深入探究其提升機(jī)制與參數(shù)優(yōu)化方法具有重要的現(xiàn)實(shí)意義。
二
2025-07-11 09:59:15471 在MEMS制造工藝中，干法刻蝕是通過(guò)等離子體、離子束等氣態(tài)物質(zhì)對(duì)薄膜材料或襯底進(jìn)行刻蝕的工藝，其評(píng)價(jià)參數(shù)直接影響器件的結(jié)構(gòu)精度和性能。那么干法刻蝕有哪些評(píng)價(jià)參數(shù)呢？
2025-07-07 11:21:571621 
遠(yuǎn)程等離子體刻蝕技術(shù)通過(guò)非接觸式能量傳遞實(shí)現(xiàn)材料加工，其中熱輔助離子束刻蝕（TAIBE）作為前沿技術(shù)，尤其適用于碳氟化合物（FC）材料（如聚四氟乙烯PTFE）的精密處理。
2025-06-30 14:34:451133 
近日，中微半導(dǎo)體設(shè)備（上海）股份有限公司（以下簡(jiǎn)稱“中微公司”，股票代碼：688012）宣布其刻蝕設(shè)備系列喜迎又一里程碑：Primo Menova12寸金屬刻蝕設(shè)備全球首臺(tái)機(jī)順利付運(yùn)國(guó)內(nèi)一家重要
2025-06-27 14:05:32835 RTD Wafer 晶圓測(cè)溫系統(tǒng)利用自主研發(fā)的核心技術(shù)將 RTD 傳感器集成到晶圓表面，實(shí)時(shí)監(jiān)控和記錄晶圓在制程過(guò)程中的溫度變化數(shù)據(jù)，為半導(dǎo)體 制造過(guò)程提供一種高效可靠的方式來(lái)監(jiān)測(cè)和優(yōu)化關(guān)鍵的工藝
2025-06-27 10:08:43
目前的Mirco Python sdk觸摸到底支持什么驅(qū)動(dòng)啊 能不能有資料詳細(xì)說(shuō)明 GT911 觸摸驅(qū)動(dòng)是否支持啊
2025-06-24 07:02:23
盛鉑科技（上海）有限公司SPM4240系列射頻微波功率表是基于數(shù)字信號(hào)處理技術(shù)的新一代檢波二極管式功率計(jì)，內(nèi)置50MHz 校準(zhǔn)源提供功率基準(zhǔn)，可對(duì)主機(jī)和功率傳感器進(jìn)行校準(zhǔn)，具有自動(dòng)校準(zhǔn)和調(diào)零，內(nèi)置
2025-06-16 16:30:59
引言 在半導(dǎo)體制造與微納加工領(lǐng)域，光刻膠剝離是重要工序。傳統(tǒng)剝離液常對(duì)金屬層產(chǎn)生過(guò)度刻蝕，影響器件性能。同時(shí)，光刻圖形的精確測(cè)量也是確保制造質(zhì)量的關(guān)鍵。本文聚焦金屬低刻蝕的光刻膠剝離液及其應(yīng)用，并
2025-06-16 09:31:51586 
引言
在碳化硅襯底加工過(guò)程中，切割進(jìn)給量是影響其厚度均勻性的關(guān)鍵工藝參數(shù)。深入探究二者的量化關(guān)系，并進(jìn)行工藝優(yōu)化，對(duì)提升碳化硅襯底質(zhì)量、滿足半導(dǎo)體器件制造需求具有重要意義。
量化關(guān)系分析
切割機(jī)
2025-06-12 10:03:28536 一、光刻工藝概述 光刻工藝是半導(dǎo)體制造的核心技術(shù)，通過(guò)光刻膠在特殊波長(zhǎng)光線或者電子束下發(fā)生化學(xué)變化，再經(jīng)過(guò)曝光、顯影、刻蝕等工藝過(guò)程，將設(shè)計(jì)在掩膜上的圖形轉(zhuǎn)移到襯底上，是現(xiàn)代半導(dǎo)體、微電子、信息產(chǎn)業(yè)
2025-06-09 15:51:162127 SPM清洗設(shè)備（硫酸-過(guò)氧化氫混合液清洗系統(tǒng)）是半導(dǎo)體制造中關(guān)鍵的濕法清洗設(shè)備，專為去除晶圓表面的有機(jī)物、金屬污染及殘留物而設(shè)計(jì)。其核心優(yōu)勢(shì)在于強(qiáng)氧化性、高效清潔與工藝兼容性，廣泛應(yīng)用于先進(jìn)制程（如
2025-06-06 15:04:41
穩(wěn)定的工藝控制，廣泛應(yīng)用于集成電路、MEMS器件、分立元件等領(lǐng)域的制造環(huán)節(jié)。二、核心功能與技術(shù)原理刻蝕原理利用高溫下磷酸溶液的強(qiáng)氧化性，對(duì)半導(dǎo)體材料進(jìn)行化學(xué)腐蝕。例
2025-06-06 14:38:13
本文分三部分，詳細(xì)的描述了電感的定義、磁珠的定義以及對(duì)比了磁珠與電感的區(qū)別，通過(guò)舉例方式詳細(xì)說(shuō)明了磁珠的應(yīng)用場(chǎng)合和使用方法
2025-05-29 15:50:40
與良品率，因此深入探究二者關(guān)系并優(yōu)化測(cè)量方法意義重大。 影響機(jī)制 工藝應(yīng)力引發(fā)變形 在金屬陽(yáng)極像素制作時(shí)，諸如光刻、蝕刻、金屬沉積等步驟會(huì)引入工藝應(yīng)力。光刻中，光刻膠的涂覆與曝光過(guò)程會(huì)因光刻膠固化收縮產(chǎn)生應(yīng)力。蝕刻階段，蝕刻氣體或液體對(duì)晶圓表面的作用若不均
2025-05-29 09:43:43589 
干法刻蝕技術(shù)作為半導(dǎo)體制造的核心工藝模塊，通過(guò)等離子體與材料表面的相互作用實(shí)現(xiàn)精準(zhǔn)刻蝕，其技術(shù)特性與工藝優(yōu)勢(shì)深刻影響著先進(jìn)制程的演進(jìn)方向。
2025-05-28 17:01:183198 
濕法刻蝕作為半導(dǎo)體制造領(lǐng)域的元老級(jí)技術(shù)，其發(fā)展歷程與集成電路的微型化進(jìn)程緊密交織。盡管在先進(jìn)制程中因線寬控制瓶頸逐步被干法工藝取代，但憑借獨(dú)特的工藝優(yōu)勢(shì)，濕法刻蝕仍在特定場(chǎng)景中占據(jù)不可替代的地位。
2025-05-28 16:42:544247 
本文檔的主要內(nèi)容詳細(xì)介紹的是貼片三極管上的印字與真實(shí)名稱的對(duì)照表詳細(xì)說(shuō)明。
2025-05-28 09:05:25110 光柵是光學(xué)工程師使用的最基本的工具。為了設(shè)計(jì)和分析這類組件，快速物理光學(xué)建模和設(shè)計(jì)軟件VirtualLab Fusion為用戶提供了許多有用的工具。其中包括參數(shù)優(yōu)化，以輕松優(yōu)化系統(tǒng)，以及參數(shù)運(yùn)行，它
2025-05-23 08:49:17
摘要：本文針對(duì)濕法腐蝕工藝后晶圓總厚度偏差（TTV）的管控問(wèn)題，探討從工藝參數(shù)優(yōu)化、設(shè)備改進(jìn)及檢測(cè)反饋機(jī)制完善等方面入手，提出一系列優(yōu)化方法，以有效降低濕法腐蝕后晶圓 TTV，提升晶圓制造質(zhì)量
2025-05-22 10:05:57511 
瑞芯微rv1106開(kāi)發(fā)資料 rv1106數(shù)據(jù)手冊(cè) rv1106詳細(xì)說(shuō)明書(shū)免費(fèi)下載
2025-05-19 11:16:434815 
SMT錫膏工藝與紅膠工藝是電子制造中兩種關(guān)鍵工藝，主要區(qū)別在于材料特性、工藝目的及適用場(chǎng)景。以下是詳細(xì)解析：
2025-05-09 09:15:371246 
芯片刻蝕是半導(dǎo)體制造中的關(guān)鍵步驟，用于將設(shè)計(jì)圖案從掩膜轉(zhuǎn)移到硅片或其他材料上，形成電路結(jié)構(gòu)。其原理是通過(guò)化學(xué)或物理方法去除特定材料（如硅、金屬或介質(zhì)層），以下是芯片刻蝕的基本原理和分類： 1. 刻蝕
2025-05-06 10:35:311972 ICP（Inductively Coupled Plasma，電感耦合等離子體）刻蝕技術(shù)是半導(dǎo)體制造中的一種關(guān)鍵干法刻蝕工藝，廣泛應(yīng)用于先進(jìn)集成電路、MEMS器件和光電子器件的加工。以下是關(guān)于ICP
2025-05-06 10:33:063901 參數(shù)，為高速信號(hào)測(cè)量提供了堅(jiān)實(shí)基礎(chǔ)。但僅依賴硬件指標(biāo)遠(yuǎn)遠(yuǎn)不夠，需通過(guò)系統(tǒng)性優(yōu)化方能最大化釋放其潛能。以下從硬件配置、探頭選擇、軟件參數(shù)及實(shí)操技巧四個(gè)維度展開(kāi)詳細(xì)說(shuō)明。 ? 一、硬件配置：構(gòu)建測(cè)量基礎(chǔ) 1. 帶寬與采樣率適配策略 帶寬選擇原則：DS70000最高
2025-04-29 10:35:04759 
泛應(yīng)用。以下是其技術(shù)原理、組成、工藝特點(diǎn)及發(fā)展趨勢(shì)的詳細(xì)介紹： 一、技術(shù)原理 BOE刻蝕液是一種以氫氟酸（HF）和氟化銨（NH?F）為基礎(chǔ)的緩沖溶液，通過(guò)化學(xué)腐蝕作用去除半導(dǎo)體表面的氧化層（如SiO?、SiN?）。其核心反應(yīng)機(jī)制包括： 氟化物離子攻擊： 氟化銨（NH?
2025-04-28 17:17:255516 很多行業(yè)的人都在好奇一個(gè)問(wèn)題，就是spm清洗會(huì)把氮化硅去除嗎？為此，我們根據(jù)實(shí)踐與理論，給大家找到一個(gè)結(jié)果，感興趣的話可以來(lái)看看吧。 SPM清洗通常不會(huì)去除氮化硅（Si?N?），但需注意特定條件
2025-04-27 11:31:40866 刻蝕工藝的核心機(jī)理與重要性 刻蝕工藝是半導(dǎo)體圖案化過(guò)程中的關(guān)鍵環(huán)節(jié)，與光刻機(jī)和薄膜沉積設(shè)備并稱為半導(dǎo)體制造的三大核心設(shè)備。刻蝕的主要作用是將光刻膠上的圖形轉(zhuǎn)移到功能膜層，具體而言，是通過(guò)物理及化學(xué)
2025-04-27 10:42:452200 
調(diào)試變頻器是一個(gè)復(fù)雜但至關(guān)重要的過(guò)程，它涉及多個(gè)參數(shù)的設(shè)定和調(diào)整，以確保變頻器能夠正常運(yùn)行并滿足特定應(yīng)用需求。以下是對(duì)變頻器調(diào)試的詳細(xì)說(shuō)明。 一、準(zhǔn)備工作 1. 選擇合適的電機(jī)功率：根據(jù)實(shí)際需求選擇
2025-04-25 15:32:051653 半導(dǎo)體行業(yè)用Chiller（冷熱循環(huán)系統(tǒng)）通過(guò)溫控保障半導(dǎo)體制造工藝的穩(wěn)定性，其應(yīng)用覆蓋晶圓制造流程中的環(huán)節(jié)，以下是對(duì)Chiller在半導(dǎo)體工藝中的應(yīng)用、選購(gòu)及操作注意事項(xiàng)的詳細(xì)闡述。一
2025-04-21 16:23:481232 
資料介紹本文檔共9章內(nèi)容，以圖文同頁(yè)的方式細(xì)說(shuō)了常用的11大類數(shù)十種電子元器件，介紹元器件的識(shí)別方法、電路符號(hào)識(shí)圖信息、主要特性、重要參數(shù)、典型應(yīng)用電路、檢測(cè)方法、修配技術(shù)、更換操作、調(diào)整技術(shù)等相關(guān)
2025-04-17 17:10:10
運(yùn)行和加工精度。本文將詳細(xì)說(shuō)明編碼器常見(jiàn)的故障及其排除方法，以幫助用戶更好地維護(hù)和使用編碼器。 一、信號(hào)輸出故障 1. 無(wú)信號(hào)輸出：編碼器無(wú)法產(chǎn)生信號(hào)，上位機(jī)或控制系統(tǒng)接收不到任何數(shù)據(jù)，導(dǎo)致設(shè)備無(wú)法正常運(yùn)行。這可能
2025-04-16 18:28:443539 刻蝕 第17章 離子注入 第18章 化學(xué)機(jī)械平坦化 第19章 硅片測(cè)試 第20章 裝配與封裝 本書(shū)詳細(xì)追述了半導(dǎo)體發(fā)展的歷史并吸收了當(dāng)今最新技術(shù)資料，學(xué)術(shù)界和工業(yè)界對(duì)《半導(dǎo)體制造技術(shù)》的評(píng)價(jià)都很高。
2025-04-15 13:52:11
迷糊，到底這兩個(gè)誰(shuí)先誰(shuí)后呢？或者說(shuō)在程序步驟上，這兩者有什么講究順序？ 先總結(jié)一句話來(lái)說(shuō)明這個(gè)問(wèn)題：先后順序通常是先進(jìn)行SPM清洗，再進(jìn)行HF清洗。為此我們也準(zhǔn)備了資料，給大家進(jìn)行詳細(xì)的解釋說(shuō)明，希望給大家?guī)?lái)更好的了解。 一、SPM清洗的作用及特點(diǎn) 作用 SPM是一種強(qiáng)氧化性和酸性的
2025-04-07 09:47:101341 。
光刻工藝、刻蝕工藝
在芯片制造過(guò)程中，光刻工藝和刻蝕工藝用于在某個(gè)半導(dǎo)體材料或介質(zhì)材料層上，按照光掩膜版上的圖形，“刻制”出材料層的圖形。
首先準(zhǔn)備好硅片和光掩膜版，然后再硅片表面上通過(guò)薄膜工藝生成一
2025-04-02 15:59:44
Halona正式發(fā)布。中微公司此款刻蝕設(shè)備的問(wèn)世，實(shí)現(xiàn)了在等離子體刻蝕技術(shù)領(lǐng)域的又一次突破創(chuàng)新，標(biāo)志著公司向關(guān)鍵工藝全面覆蓋的目標(biāo)再進(jìn)一步，也為公司的高質(zhì)量發(fā)展注入強(qiáng)勁動(dòng)能。
2025-03-28 09:21:191195 近日，中微半導(dǎo)體設(shè)備（上海）股份有限公司（以下簡(jiǎn)稱“中微公司”，股票代碼“688012.SH”）宣布通過(guò)不斷提升反應(yīng)臺(tái)之間氣體控制的精度， ICP雙反應(yīng)臺(tái)刻蝕機(jī)Primo Twin-Star 又取得新的突破，反應(yīng)臺(tái)之間的刻蝕精度已達(dá)到0.2A（亞埃級(jí)）。
2025-03-27 15:46:001178 
要求，如清潔、干燥、尺寸合適、具有良好導(dǎo)電性等。開(kāi)機(jī)1.打開(kāi)總電源開(kāi)關(guān)，等待電源穩(wěn)定輸出。2.依次打開(kāi)真空泵、電子槍、探測(cè)器等各部件的電源開(kāi)關(guān)，按照儀器說(shuō)明書(shū)的要
2025-03-24 11:42:261429 
華林科納半導(dǎo)體高選擇性蝕刻是指在半導(dǎo)體制造等精密加工中，通過(guò)化學(xué)或物理手段實(shí)現(xiàn)目標(biāo)材料與非目標(biāo)材料刻蝕速率的顯著差異，從而精準(zhǔn)去除指定材料并保護(hù)其他結(jié)構(gòu)的工藝技術(shù)?。其核心在于通過(guò)工藝優(yōu)化控制
2025-03-12 17:02:49809 在芯片制造的精密工藝中，華林科納濕法刻蝕（Wet Etching）如同一把精妙的雕刻刀，以化學(xué)的魔力在晶圓這張潔白的畫布上，雕琢出微觀世界的奇跡。它是芯片制造中不可或缺的一環(huán)，以其高效、低成本的特點(diǎn)
2025-03-12 13:59:11983 STM32G0B1VE芯片的CAN過(guò)濾器分為掩碼模式和列表模式，在列表模式下，可過(guò)濾多少個(gè)ID呢？芯片手冊(cè)中未有詳細(xì)說(shuō)明
2025-03-12 07:16:29
電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《FSBB15CH60F Motion SPM3系列規(guī)格書(shū)中文版.pdf》資料免費(fèi)下載
2025-03-10 17:54:490 ）的結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)生成一系列分束器的初始設(shè)計(jì)，然后通過(guò)傅里葉模態(tài)法或嚴(yán)格耦合波分析(FMM/RCWA)進(jìn)一步優(yōu)化。為了給最后一個(gè)優(yōu)化步驟定義一個(gè)合適和有效的優(yōu)化函數(shù)，應(yīng)用了可編程光柵分析器。第二個(gè)示例更詳細(xì)
2025-03-10 08:56:58
隨著電動(dòng)汽車行業(yè)的快速發(fā)展，對(duì)于制造工藝的優(yōu)化和創(chuàng)新提出了更高的要求。在眾多制造工藝中，電阻焊技術(shù)因其高效、快速、成本低廉等優(yōu)點(diǎn)，在電動(dòng)汽車框架制造中占據(jù)著重要地位。然而，傳統(tǒng)電阻焊技術(shù)在焊接質(zhì)量
2025-03-06 16:39:13732 隨著集成電路特征尺寸的縮小，工藝窗口變小，可靠性成為更難兼顧的因素，設(shè)計(jì)上的改善對(duì)于優(yōu)化可靠性至關(guān)重要。本文介紹了等離子刻蝕對(duì)高能量電子和空穴注入柵氧化層、負(fù)偏壓溫度不穩(wěn)定性、等離子體誘發(fā)損傷、應(yīng)力遷移等問(wèn)題的影響，從而影響集成電路可靠性。
2025-03-01 15:58:151548 
UHV系列 雷電沖擊電壓發(fā)生器試驗(yàn)裝置產(chǎn)品詳細(xì)說(shuō)明書(shū)
2025-02-21 17:55:4717
我們買了一套DLPC5740EVM+DLP650TEEVM的開(kāi)發(fā)板，現(xiàn)在想外接光源，那么外接光源的控制接口在哪？有沒(méi)有詳細(xì)說(shuō)明
2025-02-21 13:03:23
在DAC3482中，采用片內(nèi)混頻器實(shí)現(xiàn)上變頻功能需要保證兩路輸入信號(hào)的正交性么？現(xiàn)在想用DAC3482將兩路不相關(guān)的基帶信號(hào)轉(zhuǎn)換成中頻信號(hào)輸出，能否實(shí)現(xiàn)？請(qǐng)詳細(xì)說(shuō)明一下信號(hào)處理過(guò)程
2025-02-13 06:28:15
本文介紹了背金工藝的工藝流程。 本文將解析一下背金工藝的具體的工藝流程及每步的工藝原理。 背金工藝的工藝流程 ? 如上圖，步驟為： ? tape→grinding →Si etch?→ Detape
2025-02-12 09:33:182057 
ALD 和 ALE 是微納制造領(lǐng)域的核心工藝技術(shù)，它們分別從沉積和刻蝕兩個(gè)維度解決了傳統(tǒng)工藝在精度、均勻性、選擇性等方面的挑戰(zhàn)。兩者既互補(bǔ)又相輔相成，未來(lái)在半導(dǎo)體、光子學(xué)、能源等領(lǐng)域的聯(lián)用將顯著加速
2025-01-23 09:59:542207 
碳化硅（SiC）作為一種高性能材料，在大功率器件、高溫器件和發(fā)光二極管等領(lǐng)域有著廣泛的應(yīng)用。其中，基于等離子體的干法蝕刻在SiC的圖案化及電子器件制造中起到了關(guān)鍵作用，本文將介紹干法刻蝕的概念、碳硅
2025-01-22 10:59:232668 
本文介紹了什么是原子層刻蝕（ALE, Atomic Layer Etching）。 1.ALE 的基本原理：逐層精準(zhǔn)刻蝕? 原子層刻蝕（ALE）是一種基于“自限性反應(yīng)”的納米加工技術(shù)，其特點(diǎn)是以單
2025-01-20 09:32:431280 
半導(dǎo)體濕法刻蝕過(guò)程中殘留物的形成，其背后的機(jī)制涵蓋了化學(xué)反應(yīng)、表面交互作用以及側(cè)壁防護(hù)等多個(gè)層面，下面是對(duì)這些機(jī)制的深入剖析： 化學(xué)反應(yīng)層面 1 刻蝕劑與半導(dǎo)體材料的交互：濕法刻蝕技術(shù)依賴于特定
2025-01-08 16:57:451468 。這一精密而復(fù)雜的流程主要包括以下幾個(gè)工藝過(guò)程：晶圓制造工藝、熱工藝、光刻工藝、刻蝕工藝、離子注入工藝、薄膜淀積工藝、化學(xué)機(jī)械拋光工藝。 ? ? ? 晶圓制造工藝 晶圓制造工藝包括單晶生長(zhǎng)、晶片切割和晶圓清洗。 ? 半導(dǎo)
2025-01-08 11:48:344048 
反應(yīng)離子刻蝕工藝（DRIE工藝），也被稱為“博世工藝”，成為MEMS制造領(lǐng)域的里程碑。這一工藝進(jìn)一步夯實(shí)了博世作為MEMS市場(chǎng)領(lǐng)導(dǎo)者的地位。
2025-01-08 10:33:422262 可能來(lái)源于前道工序或環(huán)境。通常采用超聲波清洗、機(jī)械刷洗等物理方法，結(jié)合化學(xué)溶液（如酸性過(guò)氧化氫溶液）進(jìn)行清洗。 刻蝕后清洗 目的與方法：在晶圓經(jīng)過(guò)刻蝕工藝后，表面會(huì)殘留刻蝕劑和其他雜質(zhì)，需要通過(guò)清洗去除。此步驟通常
2025-01-07 16:12:00813 將探討焊接工藝過(guò)程監(jiān)測(cè)器的應(yīng)用及其優(yōu)化策略。
### 焊接工藝過(guò)程監(jiān)測(cè)器概述
焊接工藝過(guò)程監(jiān)測(cè)器是一種能夠?qū)崟r(shí)監(jiān)控焊接過(guò)程中的各種參數(shù)（如電流、電壓、速度等）并據(jù)
2025-01-07 11:40:58697 
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