在現(xiàn)代高科技產(chǎn)業(yè)如半導(dǎo)體和新能源領(lǐng)域，厚度低于一微米的薄膜被廣泛應(yīng)用，其厚度精確測量是確保器件性能和質(zhì)量控制的核心挑戰(zhàn)。面對超薄、多層、高精度和非破壞性的測量需求，傳統(tǒng)的接觸式或破壞性方法已難以勝任
2025-12-22 18:04:28
1088 
Structure） 時存在天然物理瓶頸。本白皮書論述了光譜共焦（Chromatic Confocal）位移傳感器技術(shù)原理，并依據(jù) LTC系列產(chǎn)品的技術(shù)規(guī)格，為半導(dǎo)體行業(yè)的關(guān)鍵測控環(huán)節(jié)提供量得準(zhǔn)、測得快的選型指導(dǎo)與解決方案。
2025-12-21 19:01:03219 
傳統(tǒng)橢偏測量在同時確定薄膜光學(xué)常數(shù)（復(fù)折射率n,k）與厚度d時，通常要求薄膜厚度大于10nm，這限制了其在二維材料等超薄膜體系中的應(yīng)用。Flexfilm全光譜橢偏儀可以非接觸對薄膜的厚度與折射率
2025-12-08 18:01:31237 傳統(tǒng)檢測方式面臨挑戰(zhàn)： × ?? 接觸損傷風(fēng)險 ：傳統(tǒng)接觸式測量易劃傷光學(xué)膜層 × ? 數(shù)據(jù)可靠性低 ：高反光與透明層疊結(jié)構(gòu)使傳統(tǒng)光學(xué)測量受干擾 × ?? 多層測量難 ：偏振片的多層復(fù)合結(jié)構(gòu)使單層厚度測量困難 × ? 生產(chǎn)效率低 ：難以適配高速產(chǎn)
2025-12-04 08:10:33157 
共焦測量技術(shù)作為一種非接觸式光學(xué)測量方法，因其高精度和抗干擾能力強等特點，逐漸成為精密測量領(lǐng)域的研究熱點。本文首先從物理光學(xué)與信息論角度解釋其原理；其次闡述海伯森
2025-11-07 17:22:06669 
隨著半導(dǎo)體芯片制造精度進入納米尺度，薄膜厚度的精確測量已成為保障器件性能與良率的關(guān)鍵環(huán)節(jié)。光譜橢偏儀雖能實現(xiàn)埃米級精度的非接觸測量，但傳統(tǒng)設(shè)備依賴寬帶光源與光譜分光系統(tǒng)，存在測量效率低、系統(tǒng)復(fù)雜且易
2025-11-03 18:04:06220 01啤酒瓶身厚度測量難點啤酒瓶作為典型的高透明曲面容器，其厚度檢測長期受限于材料特性與工業(yè)環(huán)境的雙重制約，具體難點包括：表面光學(xué)干擾：玻璃的高透明度導(dǎo)致傳統(tǒng)光學(xué)設(shè)備面臨"雙重困境"
2025-10-27 08:17:30279 
共焦測量技術(shù)作為一種非接觸式光學(xué)測量方法，因其高精度和抗干擾能力強等特點，逐漸成為精密測量領(lǐng)域的研究熱點。
2025-10-24 16:49:211232 
在電子電氣系統(tǒng)中，共模電壓是影響系統(tǒng)穩(wěn)定性、電磁兼容性（EMC）以及設(shè)備安全的關(guān)鍵因素之一。 準(zhǔn)確測量共模電壓對于分析系統(tǒng)故障、優(yōu)化電路設(shè)計以及保障設(shè)備可靠運行至關(guān)重要。 本文將從共模電壓的基本概念
2025-10-14 09:13:28799 
一、引言
玻璃晶圓總厚度偏差（TTV）測量數(shù)據(jù)的準(zhǔn)確性，對半導(dǎo)體器件、微流控芯片等產(chǎn)品的質(zhì)量把控至關(guān)重要 。在實際測量過程中，數(shù)據(jù)異常情況時有發(fā)生，不僅影響生產(chǎn)進度，還可能導(dǎo)致產(chǎn)品質(zhì)量隱患 。因此
2025-09-29 13:32:12460 
我將從超薄玻璃晶圓 TTV 厚度測量面臨的問題出發(fā)，結(jié)合其自身特性與測量要求，分析材料、設(shè)備和環(huán)境等方面的技術(shù)瓶頸，并針對性提出突破方向和措施。
超薄玻璃晶圓（
2025-09-28 14:33:22338 一、引言
碳化硅（SiC）作為寬禁帶半導(dǎo)體材料的代表，在功率器件、射頻器件等領(lǐng)域發(fā)揮著關(guān)鍵作用?？?b class="flag-6" style="color: red">厚度偏差（TTV）是衡量碳化硅襯底及外延片質(zhì)量的重要指標(biāo)，其精確測量對保障碳化硅器件性能至關(guān)重要
2025-09-22 09:53:361555 
Wafer厚度、表面粗糙度、三維形貌、單層膜厚、多層膜厚。1、使用光譜共焦對射技術(shù)測量晶圓Thickness、TTV、LTV、BOW、WARP、TIR、SORI等參數(shù)，同
2025-09-17 16:05:18
一、引言
碳化硅（SiC）憑借優(yōu)異的物理化學(xué)性能，成為功率半導(dǎo)體器件的核心材料?？?b class="flag-6" style="color: red">厚度偏差（TTV）作為衡量 SiC 襯底質(zhì)量的關(guān)鍵指標(biāo)，其精確測量對器件性能和可靠性至關(guān)重要。然而，碳化硅獨特
2025-09-16 13:33:131573 三維形貌膜厚測量系統(tǒng)自動測量Wafer厚度、表面粗糙度、三維形貌、單層膜厚、多層膜厚。1、使用光譜共焦對射技術(shù)測量晶圓Thickness、TTV、LTV、BOW、
2025-09-11 16:41:24
一、引言
碳化硅（SiC）作為寬禁帶半導(dǎo)體材料，在功率器件、射頻器件等領(lǐng)域應(yīng)用廣泛?？?b class="flag-6" style="color: red">厚度偏差（TTV）是衡量碳化硅襯底質(zhì)量的關(guān)鍵指標(biāo)，準(zhǔn)確測量 TTV 對保障器件性能至關(guān)重要。目前，探針式和非接觸
2025-09-10 10:26:371011 薄膜厚度的測量在芯片制造和集成電路等領(lǐng)域中發(fā)揮著重要作用。橢偏法具備高測量精度的優(yōu)點，利用寬譜測量方式可得到全光譜的橢偏參數(shù)，實現(xiàn)納米級薄膜的厚度測量。Flexfilm全光譜橢偏儀可以非接觸對薄膜
2025-09-08 18:02:421463 
水冷板覆膜厚度測量難點環(huán)境振動干擾測量穩(wěn)定性：產(chǎn)線高頻振動易致測量數(shù)據(jù)漂移，重復(fù)性差，難以保證覆膜厚度測量的一致性。膜厚差異與結(jié)構(gòu)復(fù)雜性：水冷板存在多種厚度規(guī)格，且表面常有坡度、凹槽等復(fù)雜形貌，對傳
2025-09-08 08:17:13898 
工業(yè)測量的終極目標(biāo)不是追求極致精度，而是實現(xiàn)恰到好處的質(zhì)量控制。光子精密 CD-5000 與 PDH 系列的技術(shù)分化，正體現(xiàn)了這一理念 —— 在高精度與高效率之間，為每個制造場景找到最優(yōu)解。隨著智能
2025-09-05 08:00:001007 
摘要
本文圍繞便攜式碳化硅襯底 TTV 厚度測量設(shè)備，深入分析其測量精度、速度、便攜性等性能指標(biāo)，并結(jié)合半導(dǎo)體生產(chǎn)車間、科研實驗室、現(xiàn)場檢測等場景，探討設(shè)備的適用性，旨在為行業(yè)選擇合適的測量設(shè)備提供
2025-08-29 14:43:09993 摘要
本文聚焦碳化硅襯底 TTV 厚度不均勻性測量需求，分析常規(guī)采樣策略的局限性，從不均勻性特征分析、采樣點布局優(yōu)化、采樣頻率確定等方面提出特殊采樣策略，旨在提升測量效率與準(zhǔn)確性，為碳化硅襯底
2025-08-28 14:03:25545 摘要
本文聚焦碳化硅襯底 TTV 厚度不均勻性測量需求，分析常規(guī)采樣策略的局限性，從不均勻性特征分析、采樣點布局優(yōu)化、采樣頻率確定等方面提出特殊采樣策略，旨在提升測量效率與準(zhǔn)確性，為碳化硅襯底
2025-08-27 14:28:52995 摘要
本文針對碳化硅襯底 TTV 厚度測量中存在的邊緣效應(yīng)問題，深入分析其產(chǎn)生原因，從樣品處理、測量技術(shù)改進及數(shù)據(jù)處理等多維度研究抑制方法，旨在提高 TTV 測量準(zhǔn)確性，為碳化硅半導(dǎo)體制造提供可靠
2025-08-26 16:52:101092 摘要
本文聚焦碳化硅襯底 TTV 厚度測量數(shù)據(jù)處理環(huán)節(jié)，針對傳統(tǒng)方法的局限性，探討 AI 算法在數(shù)據(jù)降噪、誤差校正、特征提取等方面的應(yīng)用，為提升數(shù)據(jù)處理效率與測量準(zhǔn)確性提供新的技術(shù)思路。
引言
在
2025-08-25 14:06:16545 WD4000晶圓厚度翹曲度測量系統(tǒng)兼容不同材質(zhì)不同粗糙度、可測量大翹曲wafer、測量晶圓雙面數(shù)據(jù)更準(zhǔn)確。它通過非接觸測量，將晶圓的三維形貌進行重建，強大的測量分析軟件穩(wěn)定計算晶圓厚度，TTV
2025-08-25 11:29:30
本文圍繞探針式碳化硅襯底 TTV 厚度測量儀，系統(tǒng)闡述其操作規(guī)范與實用技巧，通過規(guī)范測量流程、分享操作要點，旨在提高測量準(zhǔn)確性與效率，為半導(dǎo)體制造過程中碳化硅襯底 TTV 測量提供標(biāo)準(zhǔn)化操作指導(dǎo)
2025-08-23 16:22:401082 摘要
本文圍繞探針式碳化硅襯底 TTV 厚度測量儀，系統(tǒng)闡述其操作規(guī)范與實用技巧，通過規(guī)范測量流程、分享操作要點，旨在提高測量準(zhǔn)確性與效率，為半導(dǎo)體制造過程中碳化硅襯底 TTV 測量提供標(biāo)準(zhǔn)化操作
2025-08-20 12:01:02551 形貌測量系統(tǒng)自動測量Wafer厚度、表面粗糙度、三維形貌、單層膜厚、多層膜厚。1、使用光譜共焦對射技術(shù)測量晶圓Thickness、TTV、LTV、BOW、WARP
2025-08-20 11:26:59
摘要
本文聚焦碳化硅襯底 TTV 厚度測量過程，深入探究表面粗糙度對測量結(jié)果的影響機制，通過理論分析與實驗驗證，揭示表面粗糙度與測量誤差的關(guān)聯(lián)，為優(yōu)化碳化硅襯底 TTV 測量方法、提升測量準(zhǔn)確性提供
2025-08-18 14:33:59454 本文通過對比國產(chǎn)與進口碳化硅襯底 TTV 厚度測量儀在性能、價格、維護成本等方面的差異，深入分析兩者的性價比，旨在為半導(dǎo)體制造企業(yè)及科研機構(gòu)選購測量設(shè)備提供科學(xué)依據(jù)，助力優(yōu)化資源配置。
引言
在
2025-08-15 11:55:31707 摘要
本文針對碳化硅襯底 TTV 厚度測量中出現(xiàn)的數(shù)據(jù)異常問題，系統(tǒng)分析異常類型與成因，構(gòu)建科學(xué)高效的快速診斷流程，并提出針對性處理方法，旨在提升數(shù)據(jù)異常處理效率，保障碳化硅襯底 TTV 測量準(zhǔn)確性
2025-08-14 13:29:381027 系統(tǒng)自動測量Wafer厚度、表面粗糙度、三維形貌、單層膜厚、多層膜厚。1、使用光譜共焦對射技術(shù)測量晶圓Thickness、TTV、LTV、BOW、WARP、TIR
2025-08-12 15:47:19
摘要
本文針對激光干涉法在碳化硅襯底 TTV 厚度測量中存在的精度問題，深入分析影響測量精度的因素，從設(shè)備優(yōu)化、環(huán)境控制、數(shù)據(jù)處理等多個維度提出精度提升策略，旨在為提高碳化硅襯底 TTV 測量準(zhǔn)確性
2025-08-12 13:20:16778 摘要
本文針對碳化硅襯底 TTV 厚度測量設(shè)備，詳細(xì)探討其日常維護要點與故障排查方法，旨在通過科學(xué)的維護管理和高效的故障處理，保障測量設(shè)備的穩(wěn)定性與測量結(jié)果的準(zhǔn)確性，降低設(shè)備故障率，延長設(shè)備使用壽命
2025-08-11 11:23:01555 摘要
本文對碳化硅襯底 TTV 厚度測量的多種方法進行系統(tǒng)性研究，深入對比分析原子力顯微鏡測量法、光學(xué)測量法、X 射線衍射測量法等在測量精度、效率、成本等方面的優(yōu)勢與劣勢，為不同應(yīng)用場景下選擇合適
2025-08-09 11:16:56898 摘要
本文針對碳化硅襯底 TTV 厚度測量中各向異性帶來的干擾問題展開研究，深入分析干擾產(chǎn)生的機理，提出多種解決策略，旨在提高碳化硅襯底 TTV 厚度測量的準(zhǔn)確性與可靠性，為碳化硅半導(dǎo)體制造工藝提供
2025-08-08 11:38:30657 WD4000晶圓三維顯微形貌測量系統(tǒng)兼容不同材質(zhì)不同粗糙度、可測量大翹曲wafer、測量晶圓雙面數(shù)據(jù)更準(zhǔn)確。它采用白光光譜共焦多傳感器和白光干涉顯微測量雙向掃描技術(shù)，完成非接觸式掃描并建立表面3D
2025-08-04 13:59:53
精密測量領(lǐng)域再添利器深視智能重磅發(fā)布光譜共焦位移傳感器SCI系列全新型號SCI04020，這是高要求及嚴(yán)苛環(huán)境下精密測量的突破性升級，在影像儀檢測等需要大工作距離的場景中表現(xiàn)突出，切實解決碰撞風(fēng)險痛
2025-07-28 08:17:36724 
WD4000晶圓THK膜厚厚度測量系統(tǒng)兼容不同材質(zhì)不同粗糙度、可測量大翹曲wafer、測量晶圓雙面數(shù)據(jù)更準(zhǔn)確。它采用白光光譜共焦多傳感器和白光干涉顯微測量雙向掃描技術(shù)，完成非接觸式掃描并建立表面3D
2025-07-25 10:53:07
為多領(lǐng)域提供高標(biāo)準(zhǔn)的模擬解決方案。下文Luminbox將帶大家了解光譜匹配度測量的關(guān)鍵技術(shù)與標(biāo)準(zhǔn)。光譜匹配度測量的關(guān)鍵技術(shù)luminbox光譜測量示意圖1.測量前
2025-07-24 10:23:35587 
光子精密推出了QM系列閃測儀?+?CD-5000系列光譜共焦位移傳感器的組合，以高性價比的解決方案，滿足用戶的多重測量需求。
這一方案既能助用戶精準(zhǔn)完成輪廓與高度測量、也滿足了便捷式使用需求，同時還能有效降低成本，為企業(yè)的生產(chǎn)檢測環(huán)節(jié)提供更經(jīng)濟高效的選擇。
2025-07-23 09:23:02549 
在半導(dǎo)體制造中，薄膜的沉積和生長是關(guān)鍵步驟。薄膜的厚度需要精確控制，因為厚度偏差會導(dǎo)致不同的電氣特性。傳統(tǒng)的厚度測量依賴于模擬預(yù)測或后處理設(shè)備，無法實時監(jiān)測沉積過程中的厚度變化，可能導(dǎo)致工藝偏差和良
2025-07-22 09:54:561646 在現(xiàn)代半導(dǎo)體和顯示面板制造中，薄膜厚度的精確測量是確保產(chǎn)品質(zhì)量的關(guān)鍵環(huán)節(jié)。傳統(tǒng)方法如掃描電子顯微鏡（SEM）雖可靠，但無法用于在線檢測；橢圓偏振儀和光譜反射法（SR）雖能無損測量，卻受限于計算效率
2025-07-22 09:54:461178 在半導(dǎo)體、光學(xué)鍍膜及新能源材料等領(lǐng)域，精確測量薄膜厚度和光學(xué)常數(shù)是材料表征的關(guān)鍵步驟。Flexfilm光譜橢偏儀（SpectroscopicEllipsometry,SE）作為一種非接觸、非破壞性
2025-07-22 09:54:271747 在半導(dǎo)體芯片制造中，薄膜厚度的精確測量是確保器件性能的關(guān)鍵環(huán)節(jié)。隨著工藝節(jié)點進入納米級，單顆芯片上可能需要堆疊上百層薄膜，且每層厚度僅幾納米至幾十納米。光譜橢偏儀因其非接觸、高精度和快速測量的特性
2025-07-22 09:54:19881 被廣泛采用。Flexfilm全光譜橢偏儀不僅能夠滿足工業(yè)生產(chǎn)中對薄膜厚度和光學(xué)性質(zhì)的高精度測量需求，還能為科研人員提供豐富的光譜信息，助力新材料的研發(fā)和應(yīng)用。1光
2025-07-22 09:54:082166 在半導(dǎo)體和顯示器件制造中，薄膜與基底的厚度精度直接影響器件性能。現(xiàn)有的測量技術(shù)包括光譜橢偏儀（SE）和光譜反射儀（SR）用于薄膜厚度的測量，以及低相干干涉法（LCI）、彩色共焦顯微鏡（CCM）和光譜
2025-07-22 09:53:091468 。本文本文基于FlexFilm單點膜厚儀的光學(xué)干涉技術(shù)框架，提出一種基于共焦光譜成像與薄膜干涉原理的微型化測量系統(tǒng)，結(jié)合相位功率譜（PPS）算法，實現(xiàn)了無需校準(zhǔn)的高效
2025-07-21 18:17:571456 當(dāng) 3C 制造邁入 “納米級精度” 新紀(jì)元，消費者對屏幕顯示效果與設(shè)備輕薄化的極致追求，正倒逼制造環(huán)節(jié)升級 ——0.1 微米級質(zhì)量控制已成為行業(yè)硬性指標(biāo)。作為國產(chǎn)光譜共焦技術(shù)引領(lǐng)者，立儀光譜共焦
2025-07-15 17:00:10390 深視智能光譜共焦位移傳感器定時觸發(fā)功能操作指南旨在協(xié)助用戶更加全面地了解我們的傳感器設(shè)備。操作步驟一：打開SG-Imaging，連接控制器。操作步驟二：在主界面選擇【環(huán)境設(shè)定】，打開【編碼器設(shè)定
2025-07-14 08:18:37429 
光刻膠生產(chǎn)技術(shù)復(fù)雜、品種規(guī)格多樣，在電子工業(yè)集成電路制造中，對其有著極為嚴(yán)格的要求，而保證光刻膠產(chǎn)品的厚度便是其中至關(guān)重要的一環(huán)。 項目需求? 本次項目旨在測量光刻膠厚度，光刻膠本身厚度處于 30μm-35μm 范圍，測量精度要
2025-07-11 15:53:24430 
一種重要的光學(xué)檢測工具——光纖光譜儀。 光纖光譜儀以其結(jié)構(gòu)緊湊、響應(yīng)快速、操作靈活等優(yōu)勢，已廣泛應(yīng)用于薄膜厚度、光學(xué)常數(shù)、均勻性等參數(shù)的測量中，是當(dāng)前實現(xiàn)非接觸、非破壞性測量的重要手段之一。本文將圍繞光纖光譜
2025-07-08 10:29:37407 系列正以50納米重復(fù)精度和多材質(zhì)適應(yīng)性，成為3C行業(yè)質(zhì)檢環(huán)節(jié)的"終極武器"。本期小明就來分享明治光譜共焦在3C行業(yè)中的經(jīng)典應(yīng)用案例手機攝像頭點膠厚度測量在手機制造過程中，攝像頭模組的點
2025-07-08 07:34:52641 
光譜共焦傳感器是一種新型高精度非接觸式的光電位移傳感器。光譜共焦傳感技術(shù)以其具備高精度、高分辨率、可用于多維數(shù)字化成像分析等獨特優(yōu)勢，被廣泛應(yīng)用于手機/3C行業(yè)、半導(dǎo)體行業(yè)、材料科學(xué)研究和微觀
2025-06-30 15:28:30975 
WD4000全自動晶圓厚度測量設(shè)備兼容不同材質(zhì)不同粗糙度、可測量大翹曲wafer、測量晶圓雙面數(shù)據(jù)更準(zhǔn)確。它采用白光光譜共焦多傳感器和白光干涉顯微測量雙向掃描技術(shù)，完成非接觸式掃描并建立表面3D
2025-06-27 11:43:16
智能點光譜共焦位移傳感器，正是為破解這些行業(yè)痛點而生。它以光學(xué)技術(shù)為核心，重新定義了精密測量的標(biāo)準(zhǔn)，成為手機鏡頭、VR/AR光機等高端光學(xué)制造領(lǐng)域的“標(biāo)尺”。三大
2025-06-23 08:18:14534 
在光學(xué)元件制造領(lǐng)域，4-5mm 厚度玻璃鏡片的高精度測量面臨顯著挑戰(zhàn)：傳統(tǒng)滿足 1μm 精度的光譜共焦傳感器量程僅 2.6mm，無法直接覆蓋測量范圍，而單一傳感器搭配位移機構(gòu)又難以兼顧精度與效率
2025-06-19 17:14:25863 
WD4000晶圓厚度測量設(shè)備兼容不同材質(zhì)不同粗糙度、可測量大翹曲wafer、測量晶圓雙面數(shù)據(jù)更準(zhǔn)確。它通過非接觸測量，將晶圓的三維形貌進行重建，強大的測量分析軟件穩(wěn)定計算晶圓厚度，TTV，BOW
2025-06-18 15:40:06
深視智能光譜共焦位移傳感器SCI系列透明物體厚度測量操作指南旨在協(xié)助用戶更加全面地了解我們的傳感器設(shè)備。為方便后續(xù)
2025-06-16 08:19:40880 
光譜共焦位移傳感器采用同軸測量原理，克服了傳統(tǒng)激光三角測量傳感器的角度限制，顯著減少了測量盲區(qū)。同時擁有多種優(yōu)勢，能夠更精確地測量深孔、盲孔等復(fù)雜結(jié)構(gòu)。
2025-06-13 09:08:29849 
在碳化硅襯底厚度測量中，探頭溫漂與材料各向異性均會影響測量精度，且二者相互作用形成耦合效應(yīng)。深入研究這種耦合影響，有助于揭示測量誤差根源，為優(yōu)化測量探頭性能提供理論支撐。
耦合影響機制分析
材料
2025-06-11 09:57:28669 引言
在碳化硅襯底厚度測量中，探頭溫漂是影響測量精度的關(guān)鍵因素。傳統(tǒng)測量探頭受環(huán)境溫度變化干擾大，導(dǎo)致測量數(shù)據(jù)偏差。光纖傳感技術(shù)憑借獨特的物理特性，為探頭溫漂抑制提供了新方向，對提升碳化硅襯底厚度
2025-06-05 09:43:15465 厚度、表面粗糙度、三維形貌、單層膜厚、多層膜厚。1、使用光譜共焦對射技術(shù)測量晶圓Thickness、TTV、LTV、BOW、WARP、TIR、SORI等參數(shù)，同時
2025-06-03 15:52:50
引言
碳化硅襯底 TTV（總厚度變化）厚度是衡量其質(zhì)量的關(guān)鍵指標(biāo)，直接影響半導(dǎo)體器件性能。合理選擇測量儀器對準(zhǔn)確獲取 TTV 數(shù)據(jù)至關(guān)重要，不同應(yīng)用場景對測量儀器的要求存在差異，深入分析選型要點
2025-06-03 13:48:501453 WD4000晶圓幾何形貌在線測量系統(tǒng)采用高精度光譜共焦傳感技術(shù)、光干涉雙向掃描技術(shù)，完成非接觸式掃描并建立3D Mapping圖，實現(xiàn)晶圓厚度、TTV、LTV、Bow、Warp、TIR、SORI、等
2025-05-30 11:03:11
WD4000系列Wafer晶圓厚度量測系統(tǒng)采用白光光譜共焦多傳感器和白光干涉顯微測量雙向掃描技術(shù)，完成非接觸式掃描并建立表面3D層析圖像，實現(xiàn)Wafer厚度、翹曲度、平面度、線粗糙度、總體厚度變化
2025-05-27 13:54:33
較大。同時，鏡頭模組的形狀也較為復(fù)雜，存在曲面、臺階等多種結(jié)構(gòu)，增加測量的難度。深視智能SCI01045光譜共焦位移傳感器集成多項核心技術(shù)優(yōu)勢，以0.006μm分
2025-05-26 08:18:57744 
概況及原理海伯森HPS-LC系列3D線光譜共焦傳感器突破傳統(tǒng)檢測方式的限制，為工業(yè)4.0時代提供更高測量精度、更快測量速度的光學(xué)精密檢測傳感器。針對透明玻璃薄膜的透光特性、鋰電產(chǎn)品的復(fù)雜曲面結(jié)構(gòu)
2025-05-19 16:57:30125 
概況及原理海伯森HPS-LC系列3D線光譜共焦傳感器突破傳統(tǒng)檢測方式的限制，為工業(yè)4.0時代提供更高測量精度、更快測量速度的光學(xué)精密檢測傳感器。針對透明玻璃薄膜的透光特性、鋰電產(chǎn)品的復(fù)雜曲面結(jié)構(gòu)
2025-05-19 16:40:4819 
概況及原理海伯森HPS-LC系列3D線光譜共焦傳感器突破傳統(tǒng)檢測方式的限制，為工業(yè)4.0時代提供更高測量精度、更快測量速度的光學(xué)精密檢測傳感器。針對透明玻璃薄膜的透光特性、鋰電產(chǎn)品的復(fù)雜曲面結(jié)構(gòu)
2025-05-19 15:55:5816 
VT6000系列國產(chǎn)中圖共焦顯微鏡主要用于對各種精密器件及材料表面進行微納米級測量。它以轉(zhuǎn)盤共聚焦光學(xué)系統(tǒng)為基礎(chǔ)，結(jié)合高穩(wěn)定性結(jié)構(gòu)設(shè)計和3D重建算法，共同組成測量系統(tǒng)，保證儀器的高測量精度。國產(chǎn)中圖
2025-05-15 14:44:11
Wafer厚度、表面粗糙度、三維形貌、單層膜厚、多層膜厚。1、使用光譜共焦對射技術(shù)測量晶圓Thickness、TTV、LTV、BOW、WARP、TIR、SORI等參數(shù)，
2025-05-13 16:05:20
測量可能損傷鏡片、測量精度受人為因素影響大等問題。光譜共焦傳感器作為一種非接觸式、高精度的測量技術(shù)，在鏡片厚度測量領(lǐng)域展現(xiàn)出顯著優(yōu)勢。本期小明就來分享一下明治光譜共
2025-05-06 07:33:24822 
表磁測量是對磁性材料或磁體表面磁場強度的測量，表磁測量設(shè)備中有不同的測試模式適用于不同的樣品形狀、尺寸和測量目的。該如何選擇？以下是對各種測試模式的介紹及適用場景： 測試模式 維度 定義 適用
2025-04-22 09:24:01594 光譜共焦位移傳感器通過亞微米級精度、強材質(zhì)適應(yīng)性、超高速采樣頻率及非接觸式測量技術(shù)，解決晶圓表面平整度檢測的行業(yè)痛點，為半導(dǎo)體制造企業(yè)提供高效、精準(zhǔn)的檢測手段。檢
2025-04-21 08:18:31783 
在精密測量領(lǐng)域，明治的ADK系列與ACC系列光譜共焦傳感器以各自獨特的技術(shù)優(yōu)勢廣泛應(yīng)用于工業(yè)檢測、科研實驗等高精度位移測量場景。ADK系列一拖二雙探頭;最小分辨率0.02um可穩(wěn)定測量金屬、陶瓷
2025-04-15 07:32:57730 
級的厚度測量精度呢？本期小明就來分享一下明治傳感的解決辦法~場景需求1、非接觸式在線測量：要求測量過程中不與極片直接接觸，避免對極片造成損傷或污染2、測量速度：需
2025-04-01 07:34:03783 
WD4000系列晶圓微觀幾何輪廓測量系統(tǒng)采用高精度光譜共焦傳感技術(shù)、光干涉雙向掃描技術(shù)，完成非接觸式掃描并建立3D Mapping圖，實現(xiàn)晶圓厚度、TTV、LTV、Bow、Warp、TIR、SORI
2025-03-19 17:36:45
。成像與光譜共焦技術(shù)，結(jié)合專業(yè)測量軟件，把測量結(jié)果可以上傳數(shù)字化、數(shù)據(jù)化。一、產(chǎn)品描述1.產(chǎn)品特性武漢易之測儀器生產(chǎn)的全自動臥式光學(xué)投影像測量儀基于光學(xué)尺的全閉環(huán)
2025-03-07 10:15:17
有人知道怎么通過圖案模式軟件觸發(fā)光譜儀嗎，光譜儀不能硬件觸發(fā)，控制光譜儀去單次測量，在特定圖片下光譜儀測量。
2025-02-24 08:31:23
進行實測，對于同一樣品不同測量位置，在1200-1700nm波段，光譜曲線上下波動波幅較大，重復(fù)性也不好。
問題如下：
1.一般的光譜模塊，每次使用前都需要使用白板和黑板校準(zhǔn)，nanoEVM模塊沒有附帶
2025-02-24 07:07:15
NS系列膜層厚度臺階高度測量儀主要用于臺階高、膜層厚度、表面粗糙度等微觀形貌參數(shù)的測量。測量時通過使用2μm半徑的金剛石針尖在超精密位移臺移動樣品時掃描其表面，測針的垂直位移距離被轉(zhuǎn)換為與特征尺寸
2025-02-21 14:05:13
一、無錫泓川科技（國產(chǎn)品牌，性價比高） 無錫泓川科技有限公司專注于光學(xué)測量與檢測領(lǐng)域，其核心產(chǎn)品LTC系列光譜共焦位移傳感器以高精度、強適應(yīng)性為特色。該系列具備亞微米級測量精度（最小靜態(tài)噪聲僅3nm
2025-02-20 08:17:254461 
前言非接觸式激光厚度測量儀支持多種激光型號，并對應(yīng)有不同的測量模式，比其他類似軟件更合理，更加容易上手。下面我們用 CMS 激光下的厚度模式與平面模式進行操作。一、產(chǎn)品描述1.產(chǎn)品特性非接觸式激光
2025-02-13 09:37:19
前言利用光學(xué)+激光制造技術(shù)新的創(chuàng)新，武漢易之測儀器可以制造各種高質(zhì)量標(biāo)準(zhǔn)或定制設(shè)計的各種石英晶圓玻璃激光厚度測量儀定制，以滿足許多客戶應(yīng)用的需求。一、產(chǎn)品描述1.產(chǎn)品特性以下原材料可以用于石英晶圓
2025-02-13 09:32:35
摘要 本研究基于泓川科技LTC型光譜共焦傳感器，針對冷軋無取向硅鋼（牌號35W300，厚度0.35mm）的在線厚度檢測需求，提出基于光-熱-力耦合模型的動態(tài)補償方案。通過六傳感器陣列協(xié)同測量技術(shù)
2025-02-11 06:45:55761 
白光干涉儀的膜厚測量模式原理主要基于光的干涉原理，通過測量反射光波的相位差或干涉條紋的變化來精確計算薄膜的厚度。以下是該原理的詳細(xì)解釋：
一、基本原理
當(dāng)光線照射到薄膜表面時，部分光線會在薄膜表面
2025-02-08 14:24:34508 
白光干涉儀的光譜干涉模式原理主要基于光的干涉和光譜分析。以下是對該原理的詳細(xì)解釋：
一、基本原理
白光干涉儀利用干涉原理測量光程之差，從而測定有關(guān)物理量。在光譜干涉模式中，白光作為光源，其發(fā)出的光
2025-02-07 15:11:00563 基本理論和典型應(yīng)用\"，并研究該方法對輕微變化的涂層厚度有多敏感。
任務(wù)描述
鍍膜樣品
橢圓偏振分析儀
總結(jié) - 組件 ...
橢圓偏振系數(shù)測量
橢圓偏振分析儀測量反射系數(shù)（s-和p-
2025-02-05 09:35:38
，我們以太陽光為例，說明了如何將測量到的光譜導(dǎo)入VirtualLab Fusion中，然后介紹了如何使用所述數(shù)據(jù)用作光學(xué)系統(tǒng)中光源的光譜組成。
建模任務(wù)
如何將測量到的太陽光光譜(見下圖)導(dǎo)入到
2025-01-23 10:22:34
在半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)這片高精尖的領(lǐng)域中，氮化鎵（GaN）襯底作為新一代芯片制造的核心支撐材料，正驅(qū)動著光電器件、功率器件等諸多領(lǐng)域邁向新的高峰。然而，氮化鎵襯底厚度測量的精準(zhǔn)度卻時刻面臨著一個來自暗處的挑戰(zhàn)
2025-01-22 09:43:37449 
在半導(dǎo)體制造這一微觀且精密的領(lǐng)域里，氮化鎵（GaN）襯底作為高端芯片的關(guān)鍵基石，正支撐著光電器件、功率器件等眾多前沿應(yīng)用蓬勃發(fā)展。然而，氮化鎵襯底厚度測量的準(zhǔn)確性卻常常受到一個隱匿 “敵手” 的威脅
2025-01-20 09:36:50404 在半導(dǎo)體制造這一高精尖領(lǐng)域，碳化硅襯底作為支撐新一代芯片性能飛躍的關(guān)鍵基礎(chǔ)材料，其厚度測量的準(zhǔn)確性如同精密機械運轉(zhuǎn)的核心齒輪，容不得絲毫差錯。然而，測量探頭的 “溫漂” 問題卻如隱匿在暗處的 “幽靈
2025-01-15 09:36:13386 。 ? ? ?而在生產(chǎn)階段需要將原料進行混合、熔化、壓延、退火和切割等工藝才能制成光伏原片半成品。而在壓延的過程中，產(chǎn)品的厚度往往關(guān)系到產(chǎn)品的合格度。 項目需求 1、已知玻璃的厚度大約為2-3.5mm，需要測量出玻璃的精確厚度，并保證測
2025-01-14 16:43:52850 
在半導(dǎo)體制造的微觀世界里，碳化硅襯底作為新一代芯片的關(guān)鍵基石，其厚度測量的精準(zhǔn)性如同精密建筑的根基，不容有絲毫偏差。然而，測量探頭的 “溫漂” 問題卻如同一股暗流，悄然沖擊著這一精準(zhǔn)測量的防線，給
2025-01-14 14:40:26447 在半導(dǎo)體芯片制造的微觀世界里，精度就是生命線，晶圓厚度測量的精準(zhǔn)程度直接關(guān)聯(lián)著最終產(chǎn)品的性能優(yōu)劣。而測量探頭的 “溫漂” 問題，宛如精密時鐘里的一粒微塵，雖小卻能攪亂整個測量體系的精準(zhǔn)節(jié)奏。深入探究
2025-01-13 09:56:22693 一、“溫漂” 現(xiàn)象的本質(zhì)剖析
測量探頭的 “溫漂”，指的是由于環(huán)境溫度變化或探頭自身在工作過程中的發(fā)熱，導(dǎo)致探頭的物理特性發(fā)生改變，進而使其測量精度出現(xiàn)偏差的現(xiàn)象。從原理上看，多數(shù)測量探頭基于電學(xué)或
2025-01-10 15:12:22598
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