蝕刻工藝課堂素材5（上）

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蝕刻工藝(12060) 蝕刻工藝(12060)

評(píng)論

集成電路制造中Bosch工藝的關(guān)鍵作用和流程步驟

Bosch工藝，又稱交替?zhèn)缺阝g化深層硅蝕刻工藝，是一種在半導(dǎo)體制造中用于刻蝕硅片上特定材料層的先進(jìn)技術(shù)，由Robert Bosch于1993年提出，屬于等離子體增強(qiáng)化學(xué)刻蝕（反應(yīng)離子刻蝕）的一種。該

2025-12-26 14:59:47

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KOH 槽式濕法清洗 / 蝕刻技術(shù)全解析：工藝、問題與優(yōu)化方案

一、核心化學(xué)品與工藝參數(shù) 二、常見問題點(diǎn)與專業(yè)處理措施 ? ? ? ? ? 三、華林科納設(shè)備選型建議槽式設(shè)備：適合批量處理（25-50片/批次），成本低但需關(guān)注交叉污染風(fēng)險(xiǎn)，建議搭配高精度過濾系統(tǒng)

2025-12-23 16:21:59

晶圓去膠后清洗干燥一般用什么工藝

晶圓去膠后的清洗與干燥工藝是半導(dǎo)體制造中保障良率和可靠性的核心環(huán)節(jié)，需結(jié)合化學(xué)、物理及先進(jìn)材料技術(shù)實(shí)現(xiàn)納米級(jí)潔凈度。以下是當(dāng)前主流的工藝流程：一、清洗工藝多階段化學(xué)清洗SC-1溶液（NH?OH+H

2025-12-23 10:22:11

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車載激光雷達(dá)接收端車規(guī)電容：快速充放電 + 抗強(qiáng)光干擾設(shè)計(jì)

車載激光雷達(dá)接收端車規(guī)電容需通過快速充放電設(shè)計(jì) （如低ESR、高紋波電流耐受、優(yōu)化陽極箔蝕刻工藝）滿足高頻脈沖需求，同時(shí)采用抗強(qiáng)光干擾設(shè)計(jì) （如光學(xué)濾波、信號(hào)處理算法優(yōu)化、電磁屏蔽、智能監(jiān)測(cè)

2025-12-17 15:54:32

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自動(dòng)駕駛高精地圖定位模塊車規(guī)電容：低 ESR + 抗振動(dòng) 10G 等級(jí)設(shè)計(jì)

設(shè)計(jì)：降低能量損耗與溫升材料創(chuàng)新電極箔蝕刻技術(shù) ：采用納米級(jí)多孔化處理，使陽極箔表面積增加200-300倍。例如，尼吉康“HS系列”通過立體蝕刻工藝，將ESR降低40%，同時(shí)提升容量密度。電解液配方優(yōu)化：添加有機(jī)酸復(fù)合物提升離子電導(dǎo)率。村田“XW系列

2025-12-17 15:10:54

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智能座艙車載娛樂系統(tǒng)車規(guī)電容：小型化 + 低噪音應(yīng)用方案

蝕刻工藝增加鋁箔表面積，提升單位體積容量。例如，松下采用三維多孔陽極結(jié)構(gòu)，使有效表面積提升3倍，配合新型電解質(zhì)體系，ESR值降低至15mΩ以下。應(yīng)用效果：在8×10mm封裝內(nèi)實(shí)現(xiàn)100μF~1000μF容量，體積縮小60%，同時(shí)保持125℃下2000小時(shí)壽

2025-12-16 14:24:19

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開源鴻蒙領(lǐng)學(xué)課堂——山東·泰安站圓滿舉辦

2025年12月3日下午，開源鴻蒙領(lǐng)學(xué)課堂（以下簡(jiǎn)稱"領(lǐng)學(xué)課堂"）——山東泰安站于山東科技大學(xué)泰安校區(qū)圓滿舉辦。本次領(lǐng)學(xué)課堂以聚焦操作系統(tǒng)及軟件領(lǐng)域前沿，通過技術(shù)理論與實(shí)踐經(jīng)驗(yàn)分享，推動(dòng)開源鴻蒙技術(shù)

2025-12-05 19:13:12

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冷熱循環(huán)控溫系統(tǒng)在材料研發(fā)工藝中的關(guān)鍵作用是什么

在精細(xì)化工與新材料研發(fā)的領(lǐng)域前沿，溫度對(duì)于化學(xué)反應(yīng)的進(jìn)程與結(jié)果起著一定的作用。溫度控制的準(zhǔn)確程度，對(duì)研發(fā)項(xiàng)目的成功與否以及效率高低有著直接且緊密的關(guān)聯(lián)。一、如何解決材料研發(fā)工藝的核心問題1、準(zhǔn)確復(fù)刻工藝

2025-12-02 10:38:22

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開源鴻蒙領(lǐng)學(xué)課堂——新疆·烏魯木齊站圓滿舉辦

2025年11月25日下午，開源鴻蒙領(lǐng)學(xué)課堂（以下簡(jiǎn)稱“領(lǐng)學(xué)課堂”）——新疆烏魯木齊站于新疆大學(xué)博達(dá)校區(qū)圓滿舉辦。本次領(lǐng)學(xué)課堂以聚焦操作系統(tǒng)及軟件領(lǐng)域前沿，通過技術(shù)理論與實(shí)踐經(jīng)驗(yàn)分享，推動(dòng)開源鴻蒙

2025-11-29 11:43:12

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高精度恒溫晶振制造工藝深度解析

諧振單元精密加工基材篩選與預(yù)處理選用天然或人造石英晶體作為基礎(chǔ)材料，通過X射線衍射技術(shù)進(jìn)行晶向標(biāo)定，確保晶體軸向精度優(yōu)于0.01度。采用超聲波清洗和化學(xué)蝕刻工藝去除表面雜質(zhì)，為后續(xù)加

2025-11-28 14:04:52

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普華基礎(chǔ)軟件走進(jìn)清華大學(xué)研究生課堂

近日，普華基礎(chǔ)軟件走進(jìn)清華大學(xué)車輛與運(yùn)載學(xué)院，在《車輛控制工程》課堂上開展研究生專題授課和交流。本次授課聚焦智能駕駛汽車基礎(chǔ)軟件發(fā)展與關(guān)鍵技術(shù)，旨在搭建校企知識(shí)傳遞橋梁，為高校學(xué)子帶來產(chǎn)業(yè)前沿視角，助力培養(yǎng)符合行業(yè)需求的復(fù)合型人才。

2025-11-26 15:53:19

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大家好! 疊層工藝相比傳統(tǒng)工藝，在響應(yīng)速度上具體快在哪里？

大家好！疊層固態(tài)電容工藝相比傳統(tǒng)的電容工藝，在響應(yīng)速度上具體快在哪里？

2025-11-15 10:03:31

濕法蝕刻的最佳刻蝕條件是什么

濕法蝕刻的最佳刻蝕條件需綜合溶液體系、溫度控制、時(shí)間管理及材料特性等因素，具體如下：溶液體系與濃度氫氟酸緩沖體系（BOE）：采用HF:NH?F:H?O=6:1:1的體積比配置，pH值控制在3-5

2025-11-11 10:28:48

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車載激光雷達(dá)供電濾波鋁電解電容車規(guī)應(yīng)用

原理、應(yīng)用場(chǎng)景、選型要點(diǎn)、行業(yè)趨勢(shì)四個(gè)方面進(jìn)行詳細(xì)分析：一、技術(shù)原理：四大特性保障供電穩(wěn)定耐高壓能力：激光雷達(dá)驅(qū)動(dòng)電路需承受瞬時(shí)高壓脈沖（如儲(chǔ)能電容釋放時(shí)電壓可達(dá)數(shù)十伏），車規(guī)級(jí)鋁電解電容通過優(yōu)化陽極箔蝕刻工藝和

2025-11-10 16:49:21

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多功能炭素材料電阻率測(cè)試儀中的低噪聲布線技術(shù)

在多功能炭素材料電阻率測(cè)試儀中，低噪聲布線技術(shù)是保障測(cè)試數(shù)據(jù)精準(zhǔn)的“隱形防線”。該技術(shù)通過優(yōu)化儀器內(nèi)部與外部連接線路的布局、材質(zhì)選擇及防護(hù)設(shè)計(jì)，最大程度減少外界干擾與內(nèi)部信號(hào)損耗，避免噪聲信號(hào)疊加

2025-10-31 09:20:23

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校園科普氣象站：技術(shù)賦能下的自然探索課堂

校園科普氣象站：技術(shù)賦能下的自然探索課堂柏峰【BF-XQX】在素質(zhì)教育深化推進(jìn)的背景下，校園科普氣象站正成為連接課堂理論與自然實(shí)踐的重要橋梁。它以模塊化的技術(shù)架構(gòu)、可視化的交互設(shè)計(jì)和趣味化的教學(xué)場(chǎng)景，

2025-10-22 10:05:21

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低 ESR 設(shè)計(jì)降損耗：車規(guī)鋁電解電容提升電機(jī)驅(qū)動(dòng) EMC 性能

景及實(shí)測(cè)數(shù)據(jù)四個(gè)維度展開分析： ?一、技術(shù)原理：低ESR設(shè)計(jì)的核心突破 1. 材料創(chuàng)新 ? 電極箔蝕刻技術(shù)：采用納米級(jí)多孔化處理，使陽極箔表面積增加200-300倍。例如，尼吉康“HS系列”通過立體蝕刻工藝，將ESR降低40%，同時(shí)提升電容容量密度。 ? 電

2025-10-20 16:54:20

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蝕刻機(jī)遠(yuǎn)程監(jiān)控物聯(lián)網(wǎng)解決方案

行業(yè)背景隨著工業(yè)技術(shù)的不斷發(fā)展，物聯(lián)網(wǎng)作為新興生產(chǎn)力正在深刻改變多個(gè)行業(yè)的工作方式。自動(dòng)蝕刻機(jī)通過利用金屬對(duì)電解作用的反應(yīng)，能夠精確地將金屬進(jìn)行腐蝕刻畫，從而制作出高精度的圖紋、花紋及幾何形狀產(chǎn)品

2025-10-15 10:13:18

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高純度鋁箔車規(guī)電解電容：容量密度提升 40% 的核心秘密

高純度鋁箔車規(guī)電解電容實(shí)現(xiàn)容量密度提升40%的核心秘密，在于材料科學(xué)、蝕刻工藝與電解液配方的協(xié)同創(chuàng)新，具體體現(xiàn)在以下方面：一、材料創(chuàng)新：高純度鋁箔的納米級(jí)蝕刻超高純度鋁箔：采用純度

2025-10-14 15:27:00

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晶圓蝕刻用得到硝酸鈉溶液

晶圓蝕刻過程中確實(shí)可能用到硝酸鈉溶液，但其應(yīng)用場(chǎng)景較為特定且需嚴(yán)格控制條件。以下是具體分析：潛在作用機(jī)制氧化性輔助清潔：在酸性環(huán)境中（如與氫氟酸或硫酸混合），硝酸鈉釋放的NO??離子可作為強(qiáng)氧化劑

2025-10-14 13:08:41

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【新啟航】玻璃晶圓 TTV 厚度在光刻工藝中的反饋控制優(yōu)化研究

一、引言玻璃晶圓在半導(dǎo)體制造、微流控芯片等領(lǐng)域應(yīng)用廣泛，光刻工藝作為決定器件圖案精度與性能的關(guān)鍵環(huán)節(jié)，對(duì)玻璃晶圓的質(zhì)量要求極為嚴(yán)苛 ?？偤穸绕睿═TV）是衡量玻璃晶圓質(zhì)量的重要指標(biāo)，其厚度

2025-10-09 16:29:24

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半導(dǎo)體金屬腐蝕工藝

半導(dǎo)體金屬腐蝕工藝是集成電路制造中的關(guān)鍵環(huán)節(jié)，涉及精密的材料去除與表面改性技術(shù)。以下是該工藝的核心要點(diǎn)及其實(shí)現(xiàn)方式：一、基礎(chǔ)原理與化學(xué)反應(yīng)體系金屬腐蝕本質(zhì)上是一種受控的氧化還原反應(yīng)過程。常用酸性溶液

2025-09-25 13:59:25

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什么是頂級(jí)的硅晶圓蝕刻工藝？# 硅晶圓# 蝕刻

芯片

華林科納半導(dǎo)體設(shè)備制造發(fā)布于 2025-09-23 11:35:34

PCB“蝕刻因子”是啥，聽說它很影響走線加工的阻抗？

蝕刻因子是啥玩意咱們先不說，要不先簡(jiǎn)單問大家一個(gè)問題：傳輸線在PCB設(shè)計(jì)時(shí)側(cè)面看是矩形的，你們猜猜PCB板廠加工完之后會(huì)變成什么形狀呢？

2025-09-19 11:52:07

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PCB設(shè)計(jì)避坑指南：死銅殘留的危害與實(shí)戰(zhàn)處理技巧

電路回路，就像電路板上的"僵尸區(qū)域"。其產(chǎn)生根源可追溯到多個(gè)環(huán)節(jié)：一、電路板上的"僵尸區(qū)域"——死銅的本質(zhì)解析 1. 蝕刻工藝偏差：化學(xué)蝕刻過程中，過度蝕刻會(huì)導(dǎo)致本應(yīng)保留的銅箔被意外清除 ? 2. 焊盤定位偏移：焊料掩膜對(duì)位誤差超過±0.

2025-09-18 08:56:06

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別再被忽悠！5個(gè)方法，教你一眼識(shí)破PCBA無鉛工藝

，掌握快速識(shí)別無鉛PCBA板的技術(shù)至關(guān)重要。本文將從實(shí)際應(yīng)用角度出發(fā)，詳解5種行之有效的判斷方法。判斷PCBA板是否使用無鉛工藝的方法一、目視檢測(cè)法：觀察焊點(diǎn)特征 1. 表面光澤度對(duì)比用強(qiáng)光手電側(cè)向照射焊點(diǎn)，傳統(tǒng)含鉛焊點(diǎn)呈現(xiàn)鏡面般光澤，

2025-09-17 09:13:46

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PCB工藝路線詳解：加成法 vs 減成法，一文讀懂核心差異與未來趨勢(shì)

原理、成本結(jié)構(gòu)到應(yīng)用選型，為您提供系統(tǒng)性、深度的比較分析。 ” ? 1、技術(shù)原理的根本差異 1.1 減成法工藝 (Subtractive Process) 加成法工藝以覆銅板為基材，通過化學(xué)蝕刻（如酸性或堿性溶液）去除不需要的銅層，從而保留設(shè)計(jì)好的電路圖形。

2025-09-10 11:14:06

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合科泰MOS管工藝選型指南

當(dāng)客戶問為什么產(chǎn)品效率難以突破，答案往往藏在工藝細(xì)節(jié)里。新能源汽車?yán)m(xù)航提升5%、65W快充體積縮小40%，這些突破的核心在于MOS管工藝選型。

2025-09-08 15:54:52

837

如何優(yōu)化碳化硅清洗工藝

優(yōu)化碳化硅（SiC）清洗工藝需要綜合考慮材料特性、污染物類型及設(shè)備兼容性，以下是系統(tǒng)性的技術(shù)路徑和實(shí)施策略：1.精準(zhǔn)匹配化學(xué)配方與反應(yīng)動(dòng)力學(xué)選擇性蝕刻控制：針對(duì)SiC表面常見的氧化層（SiO

2025-09-08 13:14:28

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鈣鈦礦電池組件P1-P2-P3激光劃刻工藝實(shí)現(xiàn)高效互聯(lián)與死區(qū)最小化

在鈣鈦礦太陽能電池串聯(lián)結(jié)構(gòu)的制備過程中，需對(duì)不同功能膜層進(jìn)行精確定位劃線。目前，劃刻工藝主要包括掩模板法、化學(xué)蝕刻、機(jī)械劃片與激光劃片等方式，其中激光劃片因能夠?qū)崿F(xiàn)更高精度的劃區(qū)逐漸成為主流技術(shù)

2025-09-05 09:04:36

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白光干涉儀在晶圓光刻圖形 3D 輪廓測(cè)量中的應(yīng)用解析

引言晶圓光刻圖形是半導(dǎo)體制造中通過光刻工藝形成的微米至納米級(jí)三維結(jié)構(gòu)（如光刻膠線條、接觸孔、柵極圖形等），其線寬、高度、邊緣粗糙度等參數(shù)直接決定后續(xù)蝕刻、沉積工藝的精度，進(jìn)而影響器件性能。傳統(tǒng)

2025-09-03 09:25:20

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詳解超高密度互連的InFO封裝技術(shù)

InFO-R作為基礎(chǔ)架構(gòu)，采用"芯片嵌入+RDL成型"的工藝路徑。芯片在晶圓級(jí)基板上完成精準(zhǔn)定位后，通過光刻工藝直接在芯片表面構(gòu)建多層銅重布線層（RDL），線寬/線距（L/S）可壓縮至2μm/2μm級(jí)別。

2025-09-01 16:10:58

2543

氧化鋁蝕刻表面工藝流程#電路知識(shí) #

電路

efans_64070792發(fā)布于 2025-08-28 18:21:55

皮秒激光蝕刻機(jī)在消費(fèi)電子領(lǐng)域的創(chuàng)新應(yīng)用

隨著消費(fèi)電子產(chǎn)品向著更輕薄、更智能、一體化和高性能化的方向發(fā)展，傳統(tǒng)加工技術(shù)已難以滿足其日益精密的制造需求。激光蝕刻技術(shù)，特別是先進(jìn)的皮秒激光蝕刻，以其非接觸、高精度、高靈活性和“冷加工”等優(yōu)勢(shì)

2025-08-27 15:21:50

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創(chuàng)飛芯40nm HV工藝OTP IP完成上架

標(biāo)準(zhǔn)3lot qual 驗(yàn)證并完成上架。這一里程碑標(biāo)志著創(chuàng)飛芯在HV工藝OTP IP領(lǐng)域的技術(shù)實(shí)力再次獲得認(rèn)可，為顯示驅(qū)動(dòng)芯片及更多應(yīng)用場(chǎng)景提供了高可靠、大容量的存儲(chǔ)解決方案。

2025-08-14 17:20:53

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從原材料選擇到制造工藝，車規(guī)鋁電容的品質(zhì)是如何鑄就的？

之路。 **一、原材料：品質(zhì)的根基** 1. 高純鋁箔的嚴(yán)選車規(guī)電容采用純度達(dá)99.99%以上的電子級(jí)鋁箔，雜質(zhì)含量需控制在ppm級(jí)別。日本JCC公司采用特殊蝕刻工藝使鋁箔表面積擴(kuò)大50-100倍，這種"隧道蝕刻"技術(shù)能顯著提升單位體積的電容

2025-08-13 15:32:03

505

半導(dǎo)體濕法工藝用高精度溫控器嗎

在半導(dǎo)體濕法工藝中，高精度溫控器是必需的關(guān)鍵設(shè)備，其應(yīng)用貫穿多個(gè)核心環(huán)節(jié)以確保工藝穩(wěn)定性和產(chǎn)品良率。以下是具體分析：一、為何需要高精度溫控？化學(xué)反應(yīng)速率控制濕法蝕刻、清洗等過程依賴化學(xué)液與材料

2025-08-12 11:23:14

660

濕法蝕刻工藝與顯示檢測(cè)技術(shù)的協(xié)同創(chuàng)新

制造工藝的深刻理解，將濕法蝕刻這一關(guān)鍵技術(shù)與我們自主研發(fā)的高精度檢測(cè)系統(tǒng)相結(jié)合，為行業(yè)提供從工藝開發(fā)到量產(chǎn)管控的完整解決方案。濕法蝕刻工藝：高精度制造的核心技術(shù)M

2025-08-11 14:27:12

1257

微型導(dǎo)軌在半導(dǎo)體制造中有哪些高精密應(yīng)用場(chǎng)景？

微型導(dǎo)軌在半導(dǎo)體制造中用于晶圓對(duì)準(zhǔn)和定位系統(tǒng)，確保晶圓在光刻、蝕刻等工藝中精確移動(dòng)。

2025-08-08 17:50:08

797

DEXMET PFA延展過濾網(wǎng)：0.11mm精度重塑芯片制造過濾工藝

大連義邦的DEXMET PFA全氟過濾支撐網(wǎng)憑借高精度（0.11mm）、耐強(qiáng)腐蝕、低摩擦、自潤(rùn)滑等特性，成為半導(dǎo)體制造（如光刻、蝕刻、CMP工藝）中提升過濾效率、保障芯片良率的關(guān)鍵材料之一，其獨(dú)家延展工藝和工業(yè)化量產(chǎn)能力在國(guó)際市場(chǎng)具有技術(shù)領(lǐng)先優(yōu)勢(shì)。

2025-08-08 14:17:34

543

3D 共聚焦顯微鏡 | 芯片制造光刻工藝的表征應(yīng)用

光刻工藝是芯片制造的關(guān)鍵步驟，其精度直接決定集成電路的性能與良率。隨著制程邁向3nm及以下，光刻膠圖案三維結(jié)構(gòu)和層間對(duì)準(zhǔn)精度的控制要求達(dá)納米級(jí)，傳統(tǒng)檢測(cè)手段難滿足需求。光子灣3D共聚焦顯微鏡憑借非

2025-08-05 17:46:43

944

靠專利復(fù)合陽極箔蝕刻技術(shù)，冠坤臺(tái)系電容在車規(guī)領(lǐng)域擴(kuò)充容值密度的 “魔術(shù)師”

一背景下，冠坤電子憑借其專利復(fù)合陽極箔蝕刻技術(shù)，成功在車規(guī)電容領(lǐng)域?qū)崿F(xiàn)了技術(shù)突破，成為提升容值密度的"魔術(shù)師"。冠坤電子的核心技術(shù)突破源于對(duì)陽極箔蝕刻工藝的深度創(chuàng)新。傳統(tǒng)鋁電解電容的陽極箔采用單一蝕刻技術(shù)，形

2025-08-05 17:05:20

647

光阻去除屬于什么制程

光阻去除（即去膠工藝）屬于半導(dǎo)體制造中的光刻制程環(huán)節(jié)，是光刻技術(shù)流程中不可或缺的關(guān)鍵步驟。以下是其在整個(gè)制程中的定位和作用：1.在光刻工藝鏈中的位置典型光刻流程為：涂膠→軟烘→曝光→硬烘→顯影→后烘

2025-07-30 13:33:02

1121

高校課堂數(shù)智化：飛利浦商顯為云師大打造智慧教學(xué)中樞

當(dāng)高校課堂遇上第四次教育革命在高校教育數(shù)智化浪潮中，飛利浦商顯以2652T系列智慧教育白板為核心，為云南師范大學(xué)打造沉浸式教學(xué)中樞。這不僅是一次硬件升級(jí)，更是對(duì)教育場(chǎng)景的生態(tài)重構(gòu)——用創(chuàng)新顯示方案

2025-07-28 11:12:35

737

半導(dǎo)體超聲波清洗機(jī) 芯矽科技

于：光刻工藝后清洗：去除光刻膠殘留及顯影液副產(chǎn)物?？涛g后清潔：清除蝕刻副產(chǎn)物及側(cè)壁顆粒。先進(jìn)封裝：TSV（硅通孔）、Bumping（凸點(diǎn)）等3D結(jié)構(gòu)的窄縫污染物清除。

2025-07-23 15:06:54

在樹莓派5上開啟YOLO姿態(tài)估計(jì)識(shí)別之旅！

大家好，接下來會(huì)為大家開一個(gè)樹莓派5和YOLO的連載文章。內(nèi)容包括四個(gè)部分：在樹莓派5上使用YOLO進(jìn)行物體和動(dòng)物識(shí)別-入門指南在樹莓派5上開啟YOLO人體姿態(tài)估計(jì)識(shí)別之旅YOLO物體檢測(cè)在樹莓派

2025-07-18 15:31:25

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在樹莓派5上使用YOLO進(jìn)行物體和動(dòng)物識(shí)別-入門指南

大家好，接下來會(huì)為大家開一個(gè)樹莓派5和YOLO的專題。內(nèi)容包括四個(gè)部分：在樹莓派5上使用YOLO進(jìn)行物體和動(dòng)物識(shí)別-入門指南在樹莓派5上開啟YOLO人體姿態(tài)估計(jì)識(shí)別之旅YOLO物體檢測(cè)在樹莓派

2025-07-17 17:16:57

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教育部力推“AI進(jìn)課堂”！高交會(huì)3E亞洲消費(fèi)電子展解鎖新興市場(chǎng)AI教育密碼！

政策東風(fēng)強(qiáng)勁，AI教育駛?cè)肟燔嚨溃?教育部今年重磅發(fā)布《人工智能賦能教育創(chuàng)新實(shí)施方案》，明確將AI素養(yǎng)納入基礎(chǔ)教育核心目標(biāo)。全國(guó)超萬所中小學(xué)正試點(diǎn)建設(shè)“智慧課堂”，真金白銀投入千億級(jí)教育新基建！這場(chǎng)

2025-07-15 16:37:49

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晶圓蝕刻擴(kuò)散工藝流程

晶圓蝕刻與擴(kuò)散是半導(dǎo)體制造中兩個(gè)關(guān)鍵工藝步驟，分別用于圖形化蝕刻和雜質(zhì)摻雜。以下是兩者的工藝流程、原理及技術(shù)要點(diǎn)的詳細(xì)介紹：一、晶圓蝕刻工藝流程1.蝕刻的目的圖形化轉(zhuǎn)移：將光刻膠圖案轉(zhuǎn)移到晶圓表面

2025-07-15 15:00:22

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晶圓蝕刻后的清洗方法有哪些

晶圓蝕刻后的清洗是半導(dǎo)體制造中的關(guān)鍵步驟，旨在去除蝕刻殘留物（如光刻膠、蝕刻產(chǎn)物、污染物等），同時(shí)避免對(duì)晶圓表面或結(jié)構(gòu)造成損傷。以下是常見的清洗方法及其原理：一、濕法清洗1.溶劑清洗目的：去除光刻膠

2025-07-15 14:59:01

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T90智能電烙鐵，全方位升級(jí)！PD3.1 140W大功率加熱，功率升級(jí)，IPS LCD彩屏，屏幕升級(jí)，質(zhì)感升級(jí)！

了140W！屏幕大升級(jí)：由以前的0.87寸 OLED升級(jí)為0.99 IPS LCD！質(zhì)感大升級(jí)：外殼使用鋁合金CNC雕刻工藝，更細(xì)的噴砂，更好的工藝！功能大升級(jí)：增加了電流采集、加熱功率顯示

2025-07-07 17:36:37

壓電納米技術(shù)如何輔助涂膠顯影設(shè)備實(shí)踐精度突圍

一、涂膠顯影設(shè)備：光刻工藝的“幕后守護(hù)者” 在半導(dǎo)體制造的光刻環(huán)節(jié)里，涂膠顯影設(shè)備與光刻機(jī)需協(xié)同作業(yè)，共同實(shí)現(xiàn)精密的光刻工藝。曝光工序前，涂膠機(jī)會(huì)在晶圓表面均勻涂覆光刻膠；曝光完成后，顯影設(shè)備則對(duì)晶

2025-07-03 09:14:54

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半導(dǎo)體直冷機(jī)Chiller應(yīng)用場(chǎng)景與選購(gòu)指南

、蝕刻、薄膜沉積等工序，每個(gè)環(huán)節(jié)均需準(zhǔn)確溫控。以下以典型場(chǎng)景為例，闡述半導(dǎo)體直冷機(jī)Chiller的技術(shù)需求與解決方案：1、光刻工藝中的溫度穩(wěn)定性保障光刻膠涂布與曝

2025-06-26 15:39:09

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針對(duì)晶圓上芯片工藝的光刻膠剝離方法及白光干涉儀在光刻圖形的測(cè)量

引言在晶圓上芯片制造工藝中，光刻膠剝離是承上啟下的關(guān)鍵環(huán)節(jié)，其效果直接影響芯片性能與良率。同時(shí)，光刻圖形的精確測(cè)量是保障工藝精度的重要手段。本文將介紹適用于晶圓芯片工藝的光刻膠剝離方法，并探討白光

2025-06-25 10:19:48

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索尼FCB - ER8530助力，遠(yuǎn)程課堂開啟科技教學(xué)新篇

”。遠(yuǎn)程課堂教育常面臨復(fù)雜場(chǎng)景的挑戰(zhàn)：教室光線不均、板書細(xì)節(jié)模糊、學(xué)生互動(dòng)難以捕捉……這些問題直接影響學(xué)習(xí)體驗(yàn)。索尼FCB-ER8530搭載的1/2.5英寸Exmor R CMOS傳感器，支持4K超高清分辨率，能夠清晰呈現(xiàn)黑板上的每一道公式、實(shí)驗(yàn)器材的細(xì)微結(jié)構(gòu)

2025-06-24 11:59:36

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金屬低蝕刻率光刻膠剝離液組合物應(yīng)用及白光干涉儀在光刻圖形的測(cè)量

引言在半導(dǎo)體及微納制造領(lǐng)域，光刻膠剝離工藝對(duì)金屬結(jié)構(gòu)的保護(hù)至關(guān)重要。傳統(tǒng)剝離液易造成金屬過度蝕刻，影響器件性能。同時(shí)，光刻圖形的精確測(cè)量是保障工藝質(zhì)量的關(guān)鍵。本文將介紹金屬低蝕刻率光刻膠剝離液組合

2025-06-24 10:58:22

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微加工激光蝕刻技術(shù)的基本原理及特點(diǎn)

特殊工藝(如高溫鍵合、濺射、電鍍等)形成金屬導(dǎo)電層(通常為銅箔)，并經(jīng)激光蝕刻、鉆孔等微加工技術(shù)制成精密電路的電子封裝核心材料。它兼具陶瓷的優(yōu)異物理特性和金屬的導(dǎo)電能力，是高端功率電子器件的關(guān)鍵載體。下面我們將通過基本原理及特性、工藝對(duì)比、工藝價(jià)值等方向進(jìn)行拓展。

2025-06-20 09:09:45

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MEMS制造領(lǐng)域中光刻Overlay的概念

在 MEMS（微機(jī)電系統(tǒng)）制造領(lǐng)域，光刻工藝是決定版圖中的圖案能否精確 “印刷” 到硅片上的核心環(huán)節(jié)。光刻 Overlay（套刻精度），則是衡量光刻機(jī)將不同層設(shè)計(jì)圖案對(duì)準(zhǔn)精度的關(guān)鍵指標(biāo)。光刻 Overlay 指的是芯片制造過程中，前后兩次光刻工藝形成的電路圖案之間的對(duì)準(zhǔn)精度。

2025-06-18 11:30:49

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預(yù)清洗機(jī) 多種工藝兼容

預(yù)清洗機(jī)（Pre-Cleaning System）是半導(dǎo)體制造前道工藝中的關(guān)鍵設(shè)備，用于在光刻、蝕刻、薄膜沉積等核心制程前，對(duì)晶圓、掩膜板、玻璃基板等精密部件進(jìn)行表面污染物（顆粒、有機(jī)物、金屬殘留等

2025-06-17 13:27:16

全自動(dòng)mask掩膜板清洗機(jī)

一、產(chǎn)品概述全自動(dòng)Mask掩膜板清洗機(jī)是半導(dǎo)體光刻工藝中用于清潔光罩（Reticle/Mask）表面的核心設(shè)備，主要去除光刻膠殘留、顆粒污染、金屬有機(jī)物沉積及蝕刻副產(chǎn)物。其技術(shù)覆蓋濕法化學(xué)清洗、兆

2025-06-17 11:06:03

一文詳解銅互連工藝

銅互連工藝是一種在集成電路制造中用于連接不同層電路的金屬互連技術(shù)，其核心在于通過“大馬士革”（Damascene）工藝實(shí)現(xiàn)銅的嵌入式填充。該工藝的基本原理是：在絕緣層上先蝕刻出溝槽或通孔，然后在溝槽或通孔中沉積銅，并通過化學(xué)機(jī)械拋光（CMP）去除多余的銅，從而形成嵌入式的金屬線。

2025-06-16 16:02:02

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深視課堂丨三維激光輪廓測(cè)量?jī)x的選型指南

2025-06-16 08:19:24

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光刻工藝中的顯影技術(shù)

一、光刻工藝概述光刻工藝是半導(dǎo)體制造的核心技術(shù)，通過光刻膠在特殊波長(zhǎng)光線或者電子束下發(fā)生化學(xué)變化，再經(jīng)過曝光、顯影、刻蝕等工藝過程，將設(shè)計(jì)在掩膜上的圖形轉(zhuǎn)移到襯底上，是現(xiàn)代半導(dǎo)體、微電子、信息產(chǎn)業(yè)

2025-06-09 15:51:16

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激光劃刻工藝革新：20.24%高效鈣鈦礦組件的長(zhǎng)期穩(wěn)定性突破

，傳統(tǒng)組件制備中的激光劃刻工藝（尤其是P3頂電極隔離步驟）會(huì)引發(fā)鈣鈦礦材料熱降解，但機(jī)制不明。本文通過調(diào)控激光脈沖重疊度，結(jié)合美能鈣鈦礦在線PL測(cè)試機(jī)評(píng)估激光刻劃過程引起的材料缺陷和界面狀態(tài)

2025-06-06 09:02:54

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光刻膠產(chǎn)業(yè)國(guó)內(nèi)發(fā)展現(xiàn)狀

，是指通過紫外光、深紫外光、電子束、離子束、X射線等光照或輻射，溶解度會(huì)發(fā)生變化的耐蝕刻薄膜材料，是光刻工藝中的關(guān)鍵材料。從芯片生產(chǎn)的工藝流程上來說，光刻膠的應(yīng)用處于芯片設(shè)計(jì)、制造、封測(cè)當(dāng)中的制造環(huán)節(jié)，是芯片制造過程里光刻工

2025-06-04 13:22:51

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MICRO OLED 金屬陽極像素制作工藝對(duì)晶圓 TTV 厚度的影響機(jī)制及測(cè)量?jī)?yōu)化

與良品率，因此深入探究二者關(guān)系并優(yōu)化測(cè)量方法意義重大。影響機(jī)制工藝應(yīng)力引發(fā)變形在金屬陽極像素制作時(shí)，諸如光刻、蝕刻、金屬沉積等步驟會(huì)引入工藝應(yīng)力。光刻中，光刻膠的涂覆與曝光過程會(huì)因光刻膠固化收縮產(chǎn)生應(yīng)力。蝕刻階段，蝕刻氣體或液體對(duì)晶圓表面的作用若不均

2025-05-29 09:43:43

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自對(duì)準(zhǔn)硅化物工藝詳解

源漏區(qū)的單晶硅和柵極上的多晶硅即使在摻雜后仍然具有較高的電阻率，自對(duì)準(zhǔn)硅化物(salicide)工藝能夠同時(shí)減小源/漏電極和柵電極的薄膜電阻，降低接觸電阻，并縮短與柵相關(guān)的RC延遲。另外，它避免了

2025-05-28 17:30:04

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如何打造高參與感課堂？來看看廣凌智慧教室建設(shè)方案！

在數(shù)字化教育快速發(fā)展的今天，傳統(tǒng)課堂已難以滿足學(xué)生個(gè)性化學(xué)習(xí)和深度互動(dòng)的需求。如何通過智慧教室建設(shè)方案，利用先進(jìn)技術(shù)與設(shè)備打造沉浸式教學(xué)環(huán)境，激發(fā)學(xué)生參與感？廣凌科技基于多年行業(yè)經(jīng)驗(yàn)與成功案例，為您解析智慧教室的核心價(jià)值與應(yīng)用場(chǎng)景。

2025-05-16 10:09:17

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雷曼光電助力高校打造智慧課堂新體驗(yàn)

在萬物智聯(lián)的當(dāng)代，全球教育系統(tǒng)正經(jīng)歷顛覆性沖擊。從傳統(tǒng)課堂的“黑板+粉筆”到智能設(shè)備的“大屏+算法”，教育場(chǎng)景的底層邏輯被徹底改寫。

2025-05-14 12:07:15

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什么是SMT錫膏工藝與紅膠工藝？

SMT錫膏工藝與紅膠工藝是電子制造中兩種關(guān)鍵工藝，主要區(qū)別在于材料特性、工藝目的及適用場(chǎng)景。以下是詳細(xì)解析：

2025-05-09 09:15:37

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智慧教室的技術(shù)對(duì)課堂教學(xué)效率的影響與改變

在現(xiàn)代教育改革的背景下，智慧教室的建設(shè)越來越受到重視。廣凌科技（廣凌股份）的智慧教室解決方案，通過先進(jìn)的技術(shù)和設(shè)備，為課堂教學(xué)帶來了顯著的效率提升和全新改變。以下將探討這些技術(shù)如何有效提升課堂教學(xué)效率，并增強(qiáng)學(xué)習(xí)體驗(yàn)。

2025-05-08 10:13:24

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課堂智能打卡系統(tǒng)芯片選擇

2025-05-07 17:30:49

智慧教室建設(shè)方案：如何打造高參與感課堂，提升教學(xué)效果？

2025-04-16 17:02:45

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質(zhì)量流量控制器在薄膜沉積工藝中的應(yīng)用

聽上去很高大上的“薄膜沉積”到底是什么？簡(jiǎn)單來說：薄膜沉積就是幫芯片“貼膜”的。薄膜沉積（Thin Film Deposition）是在半導(dǎo)體的主要襯底材料上鍍一層膜，再配合蝕刻和拋光等工藝

2025-04-16 14:25:09

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Cadence UCIe IP在Samsung Foundry的5nm汽車工藝上實(shí)現(xiàn)流片成功

我們很高興能在此宣布，Cadence 基于 UCIe 標(biāo)準(zhǔn)封裝 IP 已在 Samsung Foundry 的 5nm 汽車工藝上實(shí)現(xiàn)首次流片成功。這一里程碑彰顯了我們持續(xù)提供高性能車規(guī)級(jí) IP 解決方案?的承諾，可滿足新一代汽車電子和高性能計(jì)算應(yīng)用的嚴(yán)格要求。

2025-04-16 10:17:15

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晶圓高溫清洗蝕刻工藝介紹

晶圓高溫清洗蝕刻工藝是半導(dǎo)體制造過程中的關(guān)鍵環(huán)節(jié)，對(duì)于確保芯片的性能和質(zhì)量至關(guān)重要。為此，在目前市場(chǎng)需求的增長(zhǎng)情況下，我們來給大家介紹一下詳情。一、工藝原理清洗原理高溫清洗利用物理和化學(xué)的作用

2025-04-15 10:01:33

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我國(guó)成功研制出全球首臺(tái)193納米緊湊型固態(tài)激光器

的功耗，為系統(tǒng)小型化發(fā)展提供了可能。據(jù)《Advanced Photonics Nexus》報(bào)道，中國(guó)科學(xué)院研究團(tuán)隊(duì)取得重要突破，成功研制出可產(chǎn)生193納米相干光的緊湊型全固態(tài)激光系統(tǒng)。該波長(zhǎng)對(duì)于光刻工藝至關(guān)重要，該工藝通過在硅晶圓上蝕刻復(fù)雜電路圖案，

2025-04-11 06:26:07

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一文搞懂波峰焊工藝及缺陷預(yù)防

口的“腔體”，窄長(zhǎng)的腔體能吹出熱氣流，猶如刀狀，因此被稱為“熱風(fēng)刀”。 4、焊料純度在波峰焊接過程中，焊料的雜質(zhì)主要來源于PCB上焊盤的銅浸析。過量的銅會(huì)導(dǎo)致焊接缺陷增加。 5、助焊劑助焊劑是在焊接

2025-04-09 14:44:46

貼片電阻的厚膜與薄膜工藝之別

印刷工藝，通過在陶瓷基底上貼一層鈀化銀電極，再于電極之間印刷一層二氧化釕作為電阻體，其電阻膜厚度通常在100微米左右。而薄膜電阻則運(yùn)用真空蒸發(fā)、磁控濺射等工藝方法，在氧化鋁陶瓷基底上通過真空沉積形成鎳化鉻薄膜，

2025-04-07 15:08:00

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【「芯片通識(shí)課：一本書讀懂芯片技術(shù)」閱讀體驗(yàn)】芯片怎樣制造

。光刻工藝、刻蝕工藝在芯片制造過程中，光刻工藝和刻蝕工藝用于在某個(gè)半導(dǎo)體材料或介質(zhì)材料層上，按照光掩膜版上的圖形，“刻制”出材料層的圖形。首先準(zhǔn)備好硅片和光掩膜版，然后再硅片表面上通過薄膜工藝生成一

2025-04-02 15:59:44

智能IC卡可以做什么工藝呢？

可以印刷單面或雙面，采用數(shù)碼印刷、絲印或膠印(CMYK四色印刷)的，也可以印潘通色(膠印專色、絲印專色、印金、印銀)。5、可以在每一張IC卡上噴上不同的數(shù)字、或文字

2025-04-01 14:51:48

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【「芯片通識(shí)課：一本書讀懂芯片技術(shù)」閱讀體驗(yàn)】了解芯片怎樣制造

，三合一工藝平臺(tái)，CMOS圖像傳感器工藝平臺(tái)，微電機(jī)系統(tǒng)工藝平臺(tái)。光掩模版:基板，不透光材料光刻膠:感光樹脂，增感劑，溶劑。正性和負(fù)性。光刻工藝: 涂光刻膠。掩模版向下曝光。定影和后烘固化蝕刻工藝

2025-03-27 16:38:20

光刻工藝的主要流程和關(guān)鍵指標(biāo)

光刻工藝貫穿整個(gè)芯片制造流程的多次重復(fù)轉(zhuǎn)印環(huán)節(jié)，對(duì)于集成電路的微縮化和高性能起著決定性作用。隨著半導(dǎo)體制造工藝演進(jìn)，對(duì)光刻分辨率、套準(zhǔn)精度和可靠性的要求持續(xù)攀升，光刻技術(shù)也將不斷演化，支持更為先進(jìn)的制程與更復(fù)雜的器件設(shè)計(jì)。

2025-03-27 09:21:33

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CMOS,Bipolar，F(xiàn)ET這三種工藝的優(yōu)缺點(diǎn)是什么？

在我用photodiode工具選型I/V放大電路的時(shí)候，系統(tǒng)給我推薦了AD8655用于I/V，此芯片為CMOS工藝但是查閱資料很多都是用FET工藝的芯片，所以請(qǐng)教下用于光電信號(hào)放大轉(zhuǎn)換（主要考慮信噪比和帶寬）一般我們用哪種工藝的芯片， CMOS,Bipolar，F(xiàn)ET這三種工藝的優(yōu)缺點(diǎn)是什么？

2025-03-25 06:23:13

從設(shè)計(jì)到量產(chǎn)，一塊高質(zhì)量PCB的誕生之旅

采用LDI（激光直接成像）技術(shù)，實(shí)現(xiàn)3mil線寬線距的精密線路，確保高密度HDI板的信號(hào)完整性。經(jīng)過蝕刻工藝去除多余銅箔，確保線路清晰、無毛刺。 2. 層壓工藝（壓合）采用高TG FR4

2025-03-20 15:41:22

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多功能炭素材料電阻率測(cè)試儀在金屬粉末研究中的多元應(yīng)用與技術(shù)進(jìn)階

在材料科學(xué)快速發(fā)展的當(dāng)下，金屬粉末憑借其獨(dú)特性質(zhì)，在眾多領(lǐng)域發(fā)揮著重要作用。多功能炭素材料電阻率測(cè)試儀作為剖析金屬粉末電學(xué)特性的關(guān)鍵設(shè)備，其應(yīng)用與技術(shù)革新對(duì)推動(dòng)金屬粉末的研究與應(yīng)用極為重要。在汽車

2025-03-18 10:26:17

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什么是高選擇性蝕刻

華林科納半導(dǎo)體高選擇性蝕刻是指在半導(dǎo)體制造等精密加工中，通過化學(xué)或物理手段實(shí)現(xiàn)目標(biāo)材料與非目標(biāo)材料刻蝕速率的顯著差異，從而精準(zhǔn)去除指定材料并保護(hù)其他結(jié)構(gòu)的工藝技術(shù)?。其核心在于通過工藝優(yōu)化控制

2025-03-12 17:02:49

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使用person-detection-action-recognition-0006模型運(yùn)行智能課堂C++演示遇到報(bào)錯(cuò)怎么解決？

使用以下命令運(yùn)行帶有 person-detection-action-recognition-0006 模型的智能課堂 C++ 演示： smart_classroom_demo.exe

2025-03-05 07:13:37

等離子體蝕刻工藝對(duì)集成電路可靠性的影響

隨著集成電路特征尺寸的縮小，工藝窗口變小，可靠性成為更難兼顧的因素，設(shè)計(jì)上的改善對(duì)于優(yōu)化可靠性至關(guān)重要。本文介紹了等離子刻蝕對(duì)高能量電子和空穴注入柵氧化層、負(fù)偏壓溫度不穩(wěn)定性、等離子體誘發(fā)損傷、應(yīng)力遷移等問題的影響，從而影響集成電路可靠性。

2025-03-01 15:58:15

1548

想做好 PCB 板蝕刻？先搞懂這些影響因素

影響 PCB 板蝕刻的因素電路板從發(fā)光板轉(zhuǎn)變?yōu)轱@示電路圖的過程頗為復(fù)雜。當(dāng)前，電路板加工典型采用 “圖形電鍍法”，即在電路板外層需保留的銅箔部分（即電路圖形部分），預(yù)先涂覆一層鉛錫耐腐蝕層，隨后

2025-02-27 16:35:58

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接觸孔工藝簡(jiǎn)介

本文主要簡(jiǎn)單介紹探討接觸孔工藝制造流程。以55nm接觸控工藝為切入點(diǎn)進(jìn)行簡(jiǎn)單介紹。 ? 在集成電路制造領(lǐng)域，工藝流程主要涵蓋前段工藝（Front End of Line，F(xiàn)EOL）與后段工藝

2025-02-17 09:43:28

2173

背金工藝的工藝流程

本文介紹了背金工藝的工藝流程。本文將解析一下背金工藝的具體的工藝流程及每步的工藝原理。背金工藝的工藝流程 ? 如上圖，步驟為： ? tape→grinding →Si etch?→ Detape

2025-02-12 09:33:18

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蘋果M5芯片量產(chǎn)，采用臺(tái)積電N3P制程工藝

工藝——N3P。與前代工藝相比，N3P在性能上實(shí)現(xiàn)了約5%的提升，同時(shí)在功耗方面降低了5%至10%。這一顯著的進(jìn)步意味著，搭載M5芯片的設(shè)備將能夠提供更強(qiáng)大的處理能力，同時(shí)擁有更出色的電池續(xù)航能力。除了制程工藝的提升，蘋果M5系列芯片還采用了臺(tái)積電

2025-02-06 14:17:46

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科普小課堂：噪聲是什么，你“噪”嗎？

噪聲是什么？納祥科技科普小課堂Hey，各位音頻發(fā)燒友們當(dāng)我們沉醉于視聽世界里震撼的音效時(shí)又是否深入了解過噪聲是什么今天，讓我們一起揭開噪聲的神秘面紗探尋音頻世界的無窮魅力！在音頻世界里，噪聲的簡(jiǎn)單

2025-02-05 17:29:51

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芯片制造:光刻工藝原理與流程

光刻是芯片制造過程中至關(guān)重要的一步，它定義了芯片上的各種微細(xì)圖案，并且要求極高的精度。以下是光刻過程的詳細(xì)介紹，包括原理和具體步驟。?? 光刻原理?????? 光刻的核心工具包括光掩膜、光刻機(jī)

2025-01-28 16:36:00

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深入探討 PCB 制造技術(shù)：化學(xué)蝕刻

作者：Jake Hertz 在眾多可用的 PCB 制造方法中，化學(xué)蝕刻仍然是行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)。蝕刻以其精度和可擴(kuò)展性而聞名，它提供了一種創(chuàng)建詳細(xì)電路圖案的可靠方法。在本博客中，我們將詳細(xì)探討化學(xué)蝕刻工藝及其

2025-01-25 15:09:00

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蝕刻基礎(chǔ)知識(shí)

制作氧化局限面射型雷射與蝕刻空氣柱狀結(jié)構(gòu)一樣都需要先將磊晶片進(jìn)行蝕刻，以便暴露出側(cè)向蝕刻表面（etched sidewall）提供增益波導(dǎo)或折射率波導(dǎo)效果，同時(shí)靠近活性層的高鋁含量砷化鋁鎵層也才

2025-01-22 14:23:49

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荷蘭政府加強(qiáng)半導(dǎo)體設(shè)備出口管制，確保技術(shù)安全！

口管制措施主要針對(duì)數(shù)量“非常有限”的先進(jìn)技術(shù)。具體而言，這些技術(shù)涉及測(cè)量和檢測(cè)設(shè)備，特別是用于檢測(cè)晶圓微小缺陷的技術(shù)，以及改進(jìn)沉積和蝕刻工藝的設(shè)備。荷蘭貿(mào)易部發(fā)言人在

2025-01-17 11:38:12

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CJT長(zhǎng)江連接器小課堂開課啦！

在長(zhǎng)江連接器小課堂，工程課長(zhǎng)尹志鵬第開課內(nèi)容小結(jié)。主要講解長(zhǎng)江連接器分類及產(chǎn)品相關(guān)材料內(nèi)容解析。?一、連接器分類?高速連接器?：適用于高速信號(hào)傳輸，具有優(yōu)異的電氣性能和信號(hào)完整性。?航空連接器

2025-01-10 16:40:40

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