能力、大模型適配和數(shù)據(jù)閉環(huán)能力，但是其45萬元的高價格也面臨著低價平臺型產(chǎn)品宇樹科技R1、銀河G1、星辰S1的激烈競爭。 10月16日，智元機器人正式發(fā)布新一代工業(yè)級交互式具身作業(yè)機器人智元精靈G2。目前，精靈G2已獲數(shù)億元訂單，并已開啟首批商用交付。10月
2025-10-19 00:53:00
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了三星自DDR2時代延續(xù)的命名傳統(tǒng)，不再以“K4”為前綴。這一變化背后，折射出三星在DDR5技術(shù)競爭中的新戰(zhàn)略布局
2026-01-02 05:53:004498 探索IDT74SSTUBF32866B：DDR2的25位可配置寄存器緩沖器 在DDR2內(nèi)存模塊的設(shè)計中，擁有高性能且穩(wěn)定的寄存器緩沖器至關(guān)重要。Renesas的IDT74SSTUBF32866B就是
2025-12-24 16:30:09124 Renesas IDT74SSTUBF32866B：DDR2的25位可配置寄存器緩沖器詳解 在DDR2內(nèi)存模塊的設(shè)計中，一款合適的寄存器緩沖器至關(guān)重要。Renesas
2025-12-23 15:55:06168 探索 KIT_T2G-B-E_LITE 評估套件：開啟 TRAVEO? T2G 開發(fā)之旅 在電子工程師的日常工作中，選擇一款合適的評估套件對于項目的開展至關(guān)重要。今天，我們就來深入了解一下英飛凌
2025-12-19 16:40:09483 2025年全運會期間，智元機器人推出的工業(yè)級交互式具身作業(yè)機器人一智元精靈G2，在廣州的交通樞紐承擔乘客引導(dǎo)、問題解答及安全巡查等核心任務(wù)，此外還支持全場景全向避障與高精度力控作業(yè)，應(yīng)用于汽車零部件
2025-12-19 11:23:09425 NXP UCODE G2iL和G2iL+芯片：開啟UHF RFID新征程 在UHF RFID領(lǐng)域，NXP的UCODE G2iL和G2iL+系列芯片憑借其卓越的性能和豐富的功能，成為眾多應(yīng)用場景的理想
2025-12-18 17:25:06425 探索NXP UCODE G2XM和G2XL：超高頻RFID芯片的卓越之選 在當今的科技領(lǐng)域，超高頻（UHF）射頻識別（RFID）技術(shù)正發(fā)揮著越來越重要的作用。NXP Semiconductors
2025-12-15 17:35:12402 在電子設(shè)備不斷追求更高性能和更低功耗的今天，內(nèi)存連接器的性能和特性對整個系統(tǒng)的表現(xiàn)起著至關(guān)重要的作用。Amphenol推出的DDR5/LPDDR5 CAMM2連接器，憑借其出色的設(shè)計和性能，成為了眾多電子設(shè)備的理想選擇。今天，我們就來詳細了解一下這款連接器。
2025-12-09 15:11:43377 
在電子工程師的日常工作中，選擇合適的功率模塊對于設(shè)計的成功至關(guān)重要。今天，我們就來深入探討一下onsemi推出的三電平ANPC Q2Pack模塊——NXH800A100L4Q2F2S1G/P1G和NXH800A100L4Q2F2S2G/P2G，看看它們有哪些獨特的特性和應(yīng)用場景。
2025-12-04 15:51:49910 
在電子工程領(lǐng)域，功率模塊的性能直接影響著整個系統(tǒng)的效率和可靠性。今天，我們就來深入了解一下 onsemi 推出的 NXH80T120L2Q0S2G/S2TG, NXH80T120L2Q0P2G 功率模塊，看看它有哪些獨特之處。
2025-12-04 10:35:53411 
專為DDR2 DIMM SPD（串行存在檢測）應(yīng)用設(shè)計的2-Kb I2C EEPROM，它具有眾多出色的特性和功能，能為工程師們的設(shè)計帶來諸多便利。
2025-11-27 11:18:26263 
0xFFFFFFFF的地址空間，共有2G。注意這里ITCM的起始地址為0x80000000，DTCM的起始地址為0x90000000，與sysmem地址空間重合，實際上在代碼中判斷了如果訪存地址位于
2025-10-31 06:07:38
“ ? 本文將詳細介紹 CAMM2 及其布線規(guī)范。 ? ” ? ? 什么是 CAMM2？ CAMM2 的全稱是? Compression Attached Memory Module 2， 是由
2025-10-28 11:15:044595 
“ ?本文將詳細介紹 DDR5、LPDDR5 的技術(shù)細節(jié)以及 Layout 的規(guī)范要求。然后比較 CAMM2 模組與 SODIMM 的差別。? ” ?? 本文將介紹什么是 DDR5，DDR5 和之前
2025-10-27 19:28:167359 
使用的rtl官方源代碼：e203_hbirdv2
使用的FPGA開發(fā)板：DDR200T
擴展原因：蜂鳥e203的內(nèi)存ITCM和DTCM都是64k，太小，不能加載較大的程序（如:幾M）
擴展方案
2025-10-24 08:12:53
Dynamic Random Access Memory)是DDR SDRAM的第三代產(chǎn)品，相較于DDR2，DDR3具有更高的運行性能與更低的電壓。DDR SDRAM是在SDRAM技術(shù)的基礎(chǔ)上發(fā)展改進而來的，同
2025-10-21 14:30:16
“ddr3_dq[1]”LOC = “G1”|IOSTANDARD = SSTL15;
NET “ddr3_dq[2]”LOC = “A1”|IOSTANDARD = SSTL15;
NET
2025-10-21 11:19:08
Access Memory)是DDR SDRAM的第三代產(chǎn)品，相較于DDR2，DDR3具有更高的運行性能與更低的電壓。DDR SDRAM是在SDRAM技術(shù)的基礎(chǔ)上發(fā)展改進而來的，同SDRAM相比
2025-10-21 10:40:28
Random Access Memory)是DDR SDRAM的第三代產(chǎn)品，相較于DDR2，DDR3具有更高的運行性能與更低的電壓。DDR SDRAM是在SDRAM技術(shù)的基礎(chǔ)上發(fā)展改進而來的，同SDRAM相比
2025-10-21 08:43:39
NT5CB256M8GN-cg，回收H5TQ4G83AFRPBC，回收NT5CB256M16BP-di，回收K4B2G1646E-BCH9，
回收MT48LC16M16A2P75D，回收HY5PS1G831C。電子回收，回收電子元件?；厥?b class="flag-6" style="color: red">DDR，回收DDR2，回收DDR3（新舊/拆機/帶板均可）
2025-10-09 14:15:34
5內(nèi)存。面對日趨內(nèi)卷的硬件市場，兩家明星產(chǎn)品攜手到底會不會產(chǎn)生“1+1>2”的效果，讓我們拭目以待！ 顏值即是正義，這波美學(xué)在大氣層 在“顏值即正義”的時代，只拼性能還是少了一半靈魂，云礪DDR5內(nèi)存從包裝取出的第一時間，就能感受到與眾不同的氣質(zhì)。它采用定
2025-09-23 17:02:15767 IQxstream-MLitePoint IQxstream-M通信系統(tǒng)(2G/3G/4G/wifi/藍牙/Navigation/ZigBee/DECT)測試儀IQxstream-M? 是一款超精巧
2025-08-29 11:58:40
3A，支持測試DDR、DDR2、 DDR3、DDR3L和DDR4。該評估模塊配有方便的測試點和跳線，用于評估TPS7H3302-SEP DDR端子。TPS7H3302EVM評估模塊非常適合用于抗輻射DDR電源應(yīng)用以及用于DDR、DDR2、DDR3和DDR4的存儲器終端穩(wěn)壓器。
2025-08-27 16:14:21831 
詳細了解硬件信息，包括#DDR 顆粒的型號、容量、速率、數(shù)據(jù)寬度等參數(shù)，以及原理圖中DDR顆粒與處理器的連接方式、引腳定義等 。這些信息是進行準確配置的基礎(chǔ)，直接影響到內(nèi)存的性能和穩(wěn)定性。
2025-08-13 09:25:053550 
x/MSPM0G350x-Q1 MCU具有數(shù)據(jù)完整性和加密外設(shè)（AES、CRC和TRNG）以及改進的通信接口（四個UART、兩個I^2^C、兩個SPI和CAN 2.0/FD）。
2025-08-12 11:39:07954 
CPU
LS2K3000
內(nèi)存/ 存儲
標配8G DDR4 SODIMM/ 標配 32G EMMC
FLASH
8MB SPI FLASH
HDMI 輸出
1 個標準接口
eDP 輸出
可直接驅(qū)動
2025-08-08 14:23:05
DDR3 作為第三代雙倍數(shù)據(jù)速率同步動態(tài)隨機存儲器，在內(nèi)存發(fā)展歷程中具有重要地位。它采用了8n預(yù)取架構(gòu)，即每個時鐘周期能夠傳輸8倍于數(shù)據(jù)位寬的數(shù)據(jù)量，這使得數(shù)據(jù)傳輸效率大幅提升 。
2025-08-04 13:42:342910 
RZ/G2L微處理器配備Cortex-A55（1.2GHz）CPU、16位DDR3L/DDR4接口、帶Arm Mali-G31的3D圖形加速引擎以及視頻編解碼器（H.264）。此外，這款微處理器還
2025-08-04 13:40:033085 
目前，我正在研究TRAVEO? 2G - CYT4EN。
我想了解一些與 eFUSE 相關(guān)的主題。
1. eFUSE 是控制器訪問的物理芯片還是 SOC 的一部分？
2. eFUSE內(nèi)存是如何組織
2025-07-30 07:07:38
電子發(fā)燒友網(wǎng)為你提供()具有 MIPI? RF 前端控制功能的高頻降壓轉(zhuǎn)換器，用于 2G/3G/4G RF 功率放大器相關(guān)產(chǎn)品參數(shù)、數(shù)據(jù)手冊，更有具有 MIPI? RF 前端控制功能的高頻降壓轉(zhuǎn)換器
2025-07-24 18:31:47
電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《臺式主板DDR5內(nèi)存插槽引腳功能表資料.pdf》資料免費下載
2025-07-14 14:49:50
6 ? RZ/G2L微處理器配備Cortex -A55（1.2 GHz）CPU、16位DDR3L/DDR4接口、帶Arm Mali-G31的3D圖形加速引擎以及視頻編解碼器（H.264）。此外，這款
2025-07-08 14:47:432410 
電子發(fā)燒友網(wǎng)為你提供()SkyOne? 低頻段 Tx-Rx 前端模塊，適用于低頻段/高頻段 2G 的 3G/4G 應(yīng)用相關(guān)產(chǎn)品參數(shù)、數(shù)據(jù)手冊，更有SkyOne? 低頻段 Tx-Rx 前端模塊，適用于
2025-07-02 18:30:26
LM3253 是一款直流/直流轉(zhuǎn)換器，針對多模 2G/3G/4G 射頻功率供電進行了優(yōu)化 來自單個鋰離子電池的放大器 （PA）。LM3253 可從 2.7V 降壓輸入電壓 至 5.5V 至 0.4V
2025-07-02 10:07:58555 
LM3253 是一款直流/直流轉(zhuǎn)換器，針對多模 2G/3G/4G 射頻功率供電進行了優(yōu)化 來自單個鋰離子電池的放大器 （PA）。LM3253 可從 2.7V 降壓輸入電壓 至 5.5V 至 0.4V
2025-07-02 09:54:31529 
（2GX8）內(nèi)存在6月2日的報價為5.171美元，當時比DDR5低約8%。然而，最新報價顯示DDR4已上漲至8.633美元，不到一個月時間內(nèi)漲幅高達67%，且已經(jīng)超過DDR5的價格的44%。最新市場數(shù)據(jù)
2025-06-27 00:27:004538 ?、板載 512MB DDR3 內(nèi)存 、128 MiB NAND、16 MiB NOR、M.2接?，MINI PCIE和USB 2.0接?等。
Banana Pi BPI-RV2 開源網(wǎng)關(guān)是矽昌和?蕉派
2025-06-26 19:51:09
近年來，隨著人工智能（AI）、高性能計算（HPC）、5G通信和游戲產(chǎn)業(yè)的爆發(fā)式增長，DDR內(nèi)存市場持續(xù)升溫。根據(jù)TrendForce數(shù)據(jù)，2023年全球DRAM市場規(guī)模已突破1000億美元，其中
2025-06-25 11:21:152009 
RZ/G2UL微處理器配備Cortex-A55（1.0 GHz）CPU、16位DDR3L/DDR4接口以及簡單的LCD控制器。此外，這款微處理器還配備有大量接口，如攝像頭輸入、顯示輸出、USB 2.0和千兆以太網(wǎng)，因此特別適用于入門級工業(yè)網(wǎng)關(guān)控制器和具有簡單GUI功能的嵌入式設(shè)備等應(yīng)用。
2025-06-19 11:16:511724 
電子發(fā)燒友網(wǎng)為你提供()SkyOne? LiTE 低頻段前端模塊，帶 2G/3G/4G 功率放大器，適用于 LTE 應(yīng)用相關(guān)產(chǎn)品參數(shù)、數(shù)據(jù)手冊，更有SkyOne? LiTE 低頻段前端模塊，帶 2G
2025-06-18 18:31:53
PC處理器對DDR5的支持，DDR5內(nèi)存將更快滲透普及。相較于DDR4，所有電壓由主板供給，DDR5中內(nèi)存模組搭載PMIC，PMIC是實現(xiàn)高效供電的關(guān)鍵，能夠為先進的計算應(yīng)用提供突破性的性能表現(xiàn)。Rambus最近推出面向下一代AI PC內(nèi)存模塊的完整客戶端芯片組，包含兩款用于客戶端計算的全新電源
2025-05-29 09:11:208127 
電子發(fā)燒友網(wǎng)為你提供()390 – 500 MHz 高增益和線性度分集下變頻混頻器，適用于 2G/3G 基站收發(fā)器應(yīng)用相關(guān)產(chǎn)品參數(shù)、數(shù)據(jù)手冊，更有390 – 500 MHz 高增益和線性度分集下變頻
2025-05-21 18:35:04
電子發(fā)燒友網(wǎng)為你提供()用于 2G/3G 收發(fā)器的 1700-2200 MHz 高增益和線性度單下變頻混頻器相關(guān)產(chǎn)品參數(shù)、數(shù)據(jù)手冊，更有用于 2G/3G 收發(fā)器的 1700-2200 MHz 高增益
2025-05-21 18:32:24
深圳帝歐電子求購內(nèi)存SD卡2G,4G,8G,16G,32G,64G,128G,256G,512G......新卡，舊卡，拆機卡都有收，價高同行回收三星內(nèi)存TF卡、金士頓TF卡、閃迪TF卡、東芝TF卡
2025-05-21 17:48:25
電子發(fā)燒友網(wǎng)為你提供()用于 2G/3G 收發(fā)器的 700-1000 MHz 高增益和線性度單下變頻混頻器相關(guān)產(chǎn)品參數(shù)、數(shù)據(jù)手冊，更有用于 2G/3G 收發(fā)器的 700-1000 MHz 高增益
2025-05-20 18:33:43
電子發(fā)燒友網(wǎng)為你提供()700 – 1000 MHz 高增益和線性度分集下變頻混頻器，適用于 2G/3G 基站收發(fā)器應(yīng)用相關(guān)產(chǎn)品參數(shù)、數(shù)據(jù)手冊，更有700 – 1000 MHz 高增益和線性度分集
2025-05-20 18:33:03
電子發(fā)燒友網(wǎng)為你提供()SkyOne? 低頻段 Tx-Rx 前端模塊，適用于低頻段/高頻段 2G 的 3G / 4G / 5G 應(yīng)用相關(guān)產(chǎn)品參數(shù)、數(shù)據(jù)手冊，更有SkyOne? 低頻段 Tx-Rx
2025-05-19 18:32:40
楷登電子（美國 Cadence 公司，NASDAQ：CDNS）近日宣布率先推出基于臺積公司 N3 工藝的 DDR5 12.8Gbps MRDIMM Gen2 內(nèi)存 IP 解決方案。該新解決方案可滿足
2025-05-09 16:37:44905 Mail-G31GPU(500MHz)和視頻處理單元（支持H.264硬件編解碼）,16位的DDR4-1600/DDR3L-1333內(nèi)存控制器、千兆以太網(wǎng)控制器、USB、CAN、
2025-05-08 08:07:511072 
電子發(fā)燒友網(wǎng)為你提供()Sky5? 低頻段 Tx-Rx 前端模塊，適用于低頻段/高頻段 2G 的 3G/4G/5G 應(yīng)用相關(guān)產(chǎn)品參數(shù)、數(shù)據(jù)手冊，更有Sky5? 低頻段 Tx-Rx 前端模塊，適用于
2025-05-07 18:31:11
LP2996-N 和 LP2996A 線性穩(wěn)壓器旨在滿足 JEDEC SSTL-2 標準 DDR-SDRAM 終止規(guī)范。該器件還支持 DDR2，而 LP2996A 支持 DDR3 和 DDR
2025-04-29 18:11:05834 
該TPS51100保持快速瞬態(tài)響應(yīng)，僅需 20 μF（2 × 10 μF）的 陶瓷輸出電容。TPS51100 支持遙感功能和所有功能 需要根據(jù) JEDEC 規(guī)范為 DDR 和 DDR2 VTT 總線
2025-04-29 17:15:20774 
TPS51116為 DDR/SSTL-2、DDR2/SSTL-18、DDR3/SSTL-15、DDR3L、LPDDR3 和 DDR4 內(nèi)存系統(tǒng)提供完整的電源。它將同步降壓控制器與 3A 灌電流/拉
2025-04-29 16:38:021031 
在高速PCB設(shè)計中，DDR模塊是絕對繞不過去的一關(guān)。無論你用的是DDR、DDR2還是DDR3，只要設(shè)計不規(guī)范，后果就是——信號反射、時序混亂、系統(tǒng)頻繁死機。
2025-04-29 13:51:032491 
LP2998 線性穩(wěn)壓器旨在滿足 JEDEC SSTL-2 和 JEDEC SSTL-18 標準 DDR-SDRAM 和 DDR2 內(nèi)存終止的規(guī)范。該器件還支持 DDR3 和 DDR3L VTT
2025-04-29 11:34:59810 
僅為 20 μF。該TPS51200支持遠程感應(yīng)功能以及 DDR、DDR2、DDR3、DDR3L、低功耗 DDR3 和 DDR4 VTT 總線終端的所有電源要求。
2025-04-29 09:59:251345 
只需要 20 μF 的最小輸出電容。TPS51200-Q1 器件支持遠程感應(yīng)功能以及 DDR、DDR2、DDR3、DDR3L、低功耗 DDR3 和 DDR4 VTT 總線終端的所有電源要求。
2025-04-28 16:21:07852 
TPS59116 為 DDR/SSTL-2、DDR2/SSTL-18 和 DDR3 內(nèi)存提供完整的電源 系統(tǒng)。它將同步降壓控制器與 3A 灌電流/拉電流跟蹤線性穩(wěn)壓器和緩沖低噪聲基準集成在一起
2025-04-28 13:54:45814 
TPS51216 以最低的總成本和最小的空間為 DDR2、DDR3 和 DDR3L 內(nèi)存系統(tǒng)提供完整的電源。它將同步降壓穩(wěn)壓控制器 （VDDQ） 與 2A 灌/拉跟蹤 LDO （VTT） 和緩
2025-04-28 11:09:05663 
TPS51916 器件以最低的總成本和最小的空間為 DDR2、DDR3、DDR3L 和 DDR4 內(nèi)存系統(tǒng)提供完整的電源。它集成了同步降壓穩(wěn)壓控制器 （VDDQ），具有 2A 灌電流和 2A 源跟蹤 LDO （VTT） 和緩沖低噪聲基準 （VTTREF）。
2025-04-28 10:58:44657 
快速瞬態(tài)響應(yīng)，并且只需要 1 × 10μF 的陶瓷輸出電容。該器件支持遠程感應(yīng)功能以及 DDR2、DDR3 和低功耗 DDR3 （DDR3L） 以及 DDR4 VTT 總線的所有電源要求。VTT 電流
2025-04-28 10:04:48685 
TPS51116為 DDR/SSTL-2、DDR2/SSTL-18、DDR3/SSTL-15、 和 LPDDR3 內(nèi)存系統(tǒng)。它將同步降壓控制器與 1A 灌電流/拉電流集成在一起 跟蹤線性穩(wěn)壓器和緩
2025-04-27 13:35:32741 
TPS51716為 DDR2、DDR3、DDR3L、LPDDR3 和 DDR4 提供完整的電源 以最低的總成本和最小空間實現(xiàn)內(nèi)存系統(tǒng)。它集成了一個同步降壓 具有 2A 灌電流/拉電流跟蹤 LDO
2025-04-27 11:36:05763 
LP2998 線性穩(wěn)壓器旨在滿足 JEDEC SSTL-2 和 JEDEC SSTL-18 標準 DDR-SDRAM 和 DDR2 內(nèi)存終止的規(guī)范。該器件還支持 DDR3 和 DDR3L VTT
2025-04-27 09:40:04874 
LP2996A 線性穩(wěn)壓器旨在滿足 JEDEC SSTL-2 規(guī)范 DDR-SDRAM 終止。該器件還支持 DDR2、DDR3 和 DDR3L VTT 總線端接，帶 V~DDQ~最小為 1.35V
2025-04-26 15:02:50746 
TPS51216-EP 以最低的總成本和最小的空間為 DDR2、DDR3 和 DDR3L 內(nèi)存系統(tǒng)提供完整的電源。它將同步降壓穩(wěn)壓控制器 （VDDQ） 與 2A 灌/拉跟蹤 LDO （VTT） 和緩
2025-04-26 11:12:30681 
只需要最小輸出 電容為 20 μF。TPS51200-EP 支持遙感功能和所有功率要求 用于 DDR、DDR2、DDR3、低功耗 DDR3 和 DDR4 VTT 總線終端。
2025-04-26 10:26:351335 
的最小輸出電容。該器件支持遠程感應(yīng)功能以及 DDR、DDR2、DDR3 以及低功耗 DDR3 和 DDR4 VTT 總線終端的所有電源要求。
2025-04-25 10:07:151053 
電子發(fā)燒友網(wǎng)為你提供()Sky5? TX/RX 前端模塊，帶 15 個線性 TRx 交換機端口（無 2G 集成）相關(guān)產(chǎn)品參數(shù)、數(shù)據(jù)手冊，更有Sky5? TX/RX 前端模塊，帶 15 個線性 TRx
2025-04-11 18:31:55
DDR3 SDRAM(Double-Data-Rate ThreeSynchronous Dynamic Random Access Memory)是DDR SDRAM的第三代產(chǎn)品，相較于DDR2，DDR3有更高的運行性能與更低的電壓。
2025-04-10 09:42:533930 
2025年4月3日?——全球硬件品牌技嘉科技今日宣布,其旗艦級超頻主板Z890 AORUS TACHYON ICE(鈦雕)通過采用XPG 龍耀 D500G DDR5內(nèi)存及液氮(LN2)散熱技術(shù),成功
2025-04-03 17:52:45803 電子發(fā)燒友網(wǎng)為你提供AIPULNION(AIPULNION)BK350-800S32G1N6相關(guān)產(chǎn)品參數(shù)、數(shù)據(jù)手冊，更有BK350-800S32G1N6的引腳圖、接線圖、封裝手冊、中文資料、英文資料，BK350-800S32G1N6真值表，BK350-800S32G1N6管腳等資料，希望可以幫助到廣大的電子工程師們。
2025-03-21 18:41:31
RZ/G2L 微處理器配備 Cortex-A55?（1.2GHz）CPU、16 位 DDR3L/DDR4 接口、使用 Arm? Mali-G31 的 3D 圖形引擎以及視頻編解碼器（H.264
2025-03-12 17:46:21977 
DDR內(nèi)存控制器是一個高度集成的組件，支持多種DDR內(nèi)存類型（DDR2、DDR3、DDR3L、LPDDR2），并通過精心設(shè)計的架構(gòu)來優(yōu)化內(nèi)存訪問效率。
2025-03-05 13:47:403573 
我看了一下所購買的評估開發(fā)板，上面帶有DDR2的接口，我想使用DDR2來進行存儲，但是沒有找到接口相關(guān)的引腳文件，ucf文件中也沒有DDR2相關(guān)的引腳
2025-02-28 08:42:16
現(xiàn)象：I2C快速模式400KHZ完全無法通信，DLPC350沒有給任何的ACK信號，標準模式100KHZ能正常通信但是不穩(wěn)定，會出現(xiàn)送出的SUBADDR沒有ACK的問題，大部分時候都能正常通信
2025-02-24 06:25:30
1. DLPC410的datasheet寫明1bit的刷新率可以達到32KHz，在目前的EVM上可以實現(xiàn)嗎？
2. 如果第1個問題回答是否定的，那么如何設(shè)計才能達到高刷新率？
3.EVM上的內(nèi)存是DDR2，如果提升為DDR3或者DDR4是否可以提高刷新率？
2025-02-21 10:23:16
據(jù)報道，業(yè)內(nèi)人士透露，全球三大DRAM內(nèi)存制造商——三星電子、SK海力士和美光，有望在2025年內(nèi)正式停產(chǎn)已有多年歷史的DDR3和DDR4兩代內(nèi)存。 隨著技術(shù)的不斷進步和消費級平臺的更新?lián)Q代
2025-02-19 11:11:513460
我發(fā)現(xiàn)一個現(xiàn)象：“當我想獲取LED的值時，我必須調(diào)用兩次才能獲取到正確的值”。
我的PLPC350是使用的USB接口的。
獲取LED的值，使用的是：
dlpc350
2025-02-19 06:20:56
使用場景：Arm板作為主控，通過I2C接口控制DLPC350進行投影操作
問題1：
按照參考設(shè)計DLP驅(qū)動板上設(shè)計有2片F(xiàn)lash，容量為2x16MB，理論上能夠燒錄小于32MB的固件。
但是
2025-02-18 07:11:31
硬件配置
國產(chǎn)龍芯處理器，雙核64位系統(tǒng)，板載2G DDR3內(nèi)存，流暢運行Busybox、Buildroot、Loognix、QT5.12 系統(tǒng)!
接口全板載4路USB HOST、2路千兆以太網(wǎng)、2
2025-02-17 11:12:32
MT62F1G64D8EK-031 AAT:B是一款高性能的DDR3 SDRAM內(nèi)存芯片，由MICRON制造，專為滿足現(xiàn)代電子設(shè)備對高速內(nèi)存的需求而設(shè)計。該產(chǎn)品具備優(yōu)秀的存儲性能和能效，適用于多種
2025-02-14 07:41:56
MT53E1G32D2FW-046 AAT:B是一款高性能的DDR4 SDRAM內(nèi)存芯片，由MICRON制造，專為滿足現(xiàn)代電子設(shè)備對高速內(nèi)存的需求而設(shè)計。該產(chǎn)品具備出色的存儲性能和能效，適用于多種
2025-02-14 07:39:58
HMAA2GU7CJR8N-XN和MTA9ASF2G72AZ-3G2F1是兩款高性能的16GB 1Rx8 PC4-25600E DDR4-3200MHz UDIMM內(nèi)存條，專為需要高可靠性和高性能
2025-02-14 06:58:55
HMA81GU7DJR8N-XN、HMA81GU7DJR8N-XNT0以及MTA9ASF1G72AZ-3G2R1是三款高性能的8GB DDR4-3200MHz PC4-25600 ECC
2025-02-14 06:57:09
;MTA9ASF1G72AZ-3G2R1是一款高性能的DDR3 SDRAM內(nèi)存模塊，專為滿足現(xiàn)代計算需求而設(shè)計。該產(chǎn)品以其高帶寬和低功耗的特性，廣泛應(yīng)用于個人電腦、服務(wù)器和嵌入式系統(tǒng)中，成為市場上備
2025-02-10 20:10:39
;MTA9ASF2G72AZ-3G2F1是一款高性能的DDR3 SDRAM內(nèi)存模塊，專為現(xiàn)代計算需求而設(shè)計。該產(chǎn)品以其高帶寬和低功耗的特性，廣泛應(yīng)用于個人電腦、工作站和嵌入式系統(tǒng)中，成為市場上備受歡
2025-02-10 20:09:33
M471A2G43AB2-CWE 是一款高性能的 DDR4 SO-DIMM 內(nèi)存模塊，具有 16GB 的容量，專為滿足現(xiàn)代移動計算需求而設(shè)計。這款內(nèi)存條采用了 Samsung 的先進技術(shù)，適用于各種
2025-02-10 07:49:49
M425R2GA3PB0-CWM 是一款高性能的 DDR5 SO-DIMM 內(nèi)存模塊，具有 16GB 的容量，專為滿足現(xiàn)代移動計算需求而設(shè)計。這款內(nèi)存條采用了 Samsung 的先進技術(shù)，適用于各種
2025-02-10 07:49:16
M471A1G44CB0-CWE 是一款高性能的 DDR4 SO-DIMM 內(nèi)存模塊，具有 8GB 的容量，專為滿足現(xiàn)代移動計算需求而設(shè)計。這款內(nèi)存條采用了 Samsung 的先進技術(shù)，適用于各類
2025-02-10 07:48:41
M425R1GB4PB0-CWM 是一款高性能的 DDR5 SO-DIMM 內(nèi)存模塊，具有 8GB 的容量，專為滿足現(xiàn)代移動計算需求而設(shè)計。這款內(nèi)存條采用了最新的 DDR5 技術(shù)，具有
2025-02-10 07:47:57
硬件配置
國產(chǎn)龍芯處理器，雙核64位系統(tǒng)，板載2G DDR3內(nèi)存，流暢運行Busybox、Buildroot、Loognix、QT5.12 系統(tǒng)!
接口全板載4路USB HOST、2路千兆以太網(wǎng)、2
2025-02-08 11:01:59
雖然目前DDR5高頻內(nèi)存已經(jīng)相當普及了，但還是有一些用戶始終對頻率不怎么敏感。他們追求更為親民的裝機成本，對超頻了解也有限，單純希望內(nèi)存可以做到穩(wěn)定兼容，到手即用。對于這類用戶來說，裸條其實是個不錯
2025-01-24 11:18:52996 
2024年作為AIPC元年伴隨異構(gòu)算力（CPU+GPU+NPU）需求高漲及新處理器平臺推出DDR5內(nèi)存以高速率、大容量低延遲與高帶寬有效滿足高性能算力要求加速本地AI大模型運行效率推動AIPC硬件端
2025-01-21 16:34:412426 
硬件配置
國產(chǎn)龍芯處理器，雙核64位系統(tǒng)，板載2G DDR3內(nèi)存，流暢運行Busybox、Buildroot、Loognix、QT5.12 系統(tǒng)!
接口全板載4路USB HOST、2路千兆以太網(wǎng)、2
2025-01-21 14:38:29
我們現(xiàn)在要使用ADC08D1000的芯片進行1G雙通道采樣或2G單通道采樣，需要對AD的前端用繼電器進行信號調(diào)理處理，請問有沒有相關(guān)的資料介紹，或相應(yīng)參考設(shè)計的？
2025-01-21 10:08:18
Banana Pi BPI-RV2 開源網(wǎng)關(guān)是?款基于矽昌SF2H8898 SoC的設(shè)備，1 × 2.5 G WAN?絡(luò)接?、5 個千兆LAN ?絡(luò)接?、板載 512MB DDR3 內(nèi)存 、128
2025-01-15 17:03:48
Banana Pi BPI-RV2 開源網(wǎng)關(guān)是?款基于矽昌SF2H8898 SoC的設(shè)備，1 × 2.5 G WAN?絡(luò)接?、5 個千兆LAN ?絡(luò)接?、板載 512MB DDR3 內(nèi)存 、128 MiB NAND、16 MiB NOR、M.2接?，MINI PCIE和USB 2.0接?等。
2025-01-15 17:02:251845 
隨著國產(chǎn)DDR5內(nèi)存的上市，內(nèi)存市場的競爭態(tài)勢即將迎來新的變化。DRAM內(nèi)存作為半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的明星產(chǎn)品，據(jù)市調(diào)機構(gòu)Trendforce預(yù)估，2024年全球DRAM內(nèi)存的產(chǎn)值將達到約907億美元。
2025-01-07 15:53:292422
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