下，渠道搶貨助推價(jià)格上漲。未來隨著大廠的減產(chǎn)，其他內(nèi)存廠商承接市場需求或?qū)⒊掷m(xù)影響DDR4的供需走勢。 ? 極速漲價(jià) ? CFM閃存市場數(shù)據(jù)顯示，近期渠道資源從高端到底部低端料號價(jià)格自上而下全線走高，渠道存儲(chǔ)廠商仍堅(jiān)定強(qiáng)勢拉漲DDR4 UDIMM報(bào)價(jià)，部分DDR4顆?，F(xiàn)貨價(jià)格
2025-06-19 00:54:00
10155 
了三星自DDR2時(shí)代延續(xù)的命名傳統(tǒng)，不再以“K4”為前綴。這一變化背后，折射出三星在DDR5技術(shù)競爭中的新戰(zhàn)略布局
2026-01-02 05:53:004498 74SSTUB32868A：28位到56位寄存器緩沖器的技術(shù)剖析 在DDR2內(nèi)存模塊的設(shè)計(jì)中，一款合適的寄存器緩沖器至關(guān)重要。今天，我們就來深入探討德州儀器（Texas Instruments
2025-12-29 17:15:03414 探索IDT74SSTUBF32866B：DDR2的25位可配置寄存器緩沖器 在DDR2內(nèi)存模塊的設(shè)計(jì)中，擁有高性能且穩(wěn)定的寄存器緩沖器至關(guān)重要。Renesas的IDT74SSTUBF32866B就是
2025-12-24 16:30:09124 Renesas IDT74SSTUBF32866B：DDR2的25位可配置寄存器緩沖器詳解 在DDR2內(nèi)存模塊的設(shè)計(jì)中，一款合適的寄存器緩沖器至關(guān)重要。Renesas
2025-12-23 15:55:06168 。內(nèi)存整體使用布局如下，以 ARM64 為例（常規(guī)情況）： ? ? 上表中的 Start Addr Offset 一欄表示基于 DDR base 的地址偏移； Fastboot 地址和大小由
2025-12-15 10:42:00101 
在電子設(shè)備不斷追求更高性能和更低功耗的今天，內(nèi)存連接器的性能和特性對整個(gè)系統(tǒng)的表現(xiàn)起著至關(guān)重要的作用。Amphenol推出的DDR5/LPDDR5 CAMM2連接器，憑借其出色的設(shè)計(jì)和性能，成為了眾多電子設(shè)備的理想選擇。今天，我們就來詳細(xì)了解一下這款連接器。
2025-12-09 15:11:43377 
本章的實(shí)驗(yàn)任務(wù)是在 PL 端自定義一個(gè) AXI4 接口的 IP 核，通過 AXI_HP 接口對 PS 端 DDR3 進(jìn)行讀寫測試，讀寫的內(nèi)存大小是 4K 字節(jié)。
2025-11-24 09:19:423466 
DDR?作為?RK?平臺(tái)數(shù)據(jù)傳輸?shù)?“主動(dòng)脈”，其穩(wěn)定性與性能直接決定產(chǎn)品體驗(yàn)。尤其在內(nèi)存顆粒迭代快、多場景應(yīng)用普及的當(dāng)下，一套通用且精準(zhǔn)的?DDR?測試方法，能有效規(guī)避兼容性問題、提前發(fā)現(xiàn)隱性故障
2025-11-19 07:08:56291 
信號完整性(Signal Integrity, SI)問題：隨著DDR內(nèi)存頻率的提高，信號完整性問題變得更加突出。高速信號在傳輸過程中會(huì)受到各種因素的影響，如反射、串?dāng)_、噪聲干擾等，這些問題會(huì)導(dǎo)致
2025-11-17 10:25:333397 
近期內(nèi)存市場的漲勢令人震驚。行業(yè)分析報(bào)告顯示，2025年第三季度DRAM合約價(jià)格同比上漲高達(dá)171.8%，這一數(shù)字甚至超過了同期黃金的漲幅。有業(yè)內(nèi)觀察人士指出，2025年第四季度將標(biāo)志著 “DRAM牛市” 的真正開始。市場普遍預(yù)期，2026年可能會(huì)出現(xiàn)更嚴(yán)重的DRAM供應(yīng)短缺。
2025-11-06 16:46:112705 
空間（僅作測試用，可以正常訪問）。
最后在頂層system.v文件中例化block design，并添加DDR訪問接口：
添加DDR內(nèi)存擴(kuò)展前，原來的蜂鳥v2在Nexys Video上
2025-10-31 06:07:38
由于FPGA內(nèi)部存儲(chǔ)資源有限，很多時(shí)候不能滿足需求，因此可以利用DDR對系統(tǒng)進(jìn)行存儲(chǔ)擴(kuò)展。由于DDR3內(nèi)部控制十分復(fù)雜，因此可以基于AXI總線，利用Vivado提供的MIG IP對DDR3進(jìn)行控制
2025-10-29 07:16:34
來源：深圳市興萬聯(lián)電子有限公司投稿 作者：蔡友華 很多同事、同行、客戶都曾問到：DDR與SODDR有什么區(qū)別？LPDDR SOCAMM2又是什么？今天，我來為大家整理一份簡明的資料，進(jìn)行一次系統(tǒng)性
2025-10-28 11:06:231062 
“ ?本文將詳細(xì)介紹 DDR5、LPDDR5 的技術(shù)細(xì)節(jié)以及 Layout 的規(guī)范要求。然后比較 CAMM2 模組與 SODIMM 的差別。? ” ?? 本文將介紹什么是 DDR5，DDR5 和之前
2025-10-27 19:28:167359 
產(chǎn)品而言，內(nèi)存顆粒的微小差異都可能引發(fā)硬件兼容性問題，從而給系統(tǒng)穩(wěn)定性帶來了挑戰(zhàn)。別慌！眺望電子基于RK3588核心板，梳理出一套完整的【DDR顆粒五步壓力驗(yàn)證法】
2025-10-24 11:59:51918 
使用的rtl官方源代碼：e203_hbirdv2
使用的FPGA開發(fā)板：DDR200T
擴(kuò)展原因：蜂鳥e203的內(nèi)存ITCM和DTCM都是64k，太小，不能加載較大的程序（如:幾M）
擴(kuò)展方案
2025-10-24 08:12:53
ip模塊進(jìn)行連接，從而達(dá)到一個(gè)控制ddr存儲(chǔ)的效果。如有錯(cuò)誤，歡迎評論指出。
2.將e203中自帶的axi-master線引出
蜂鳥e203內(nèi)部使用的是icb總線，這種總線協(xié)議與AXI類似，都
2025-10-23 06:22:22
電子發(fā)燒友網(wǎng)綜合報(bào)道 “早知道就多囤幾根內(nèi)存條了！”——這是2025年10月電商促銷季里，無數(shù)DIY玩家與渠道商發(fā)出的共同感嘆。如今，DDR4 16GB內(nèi)存價(jià)格突破500元，一年內(nèi)漲幅超兩倍，賺錢
2025-10-22 09:19:3710302 
Dynamic Random Access Memory)是DDR SDRAM的第三代產(chǎn)品，相較于DDR2，DDR3具有更高的運(yùn)行性能與更低的電壓。DDR SDRAM是在SDRAM技術(shù)的基礎(chǔ)上發(fā)展改進(jìn)而來的，同
2025-10-21 14:30:16
蜂鳥DDR200T中DDR3的ip配置案列，提供DDR3引腳配置。具體參數(shù)可更具項(xiàng)目實(shí)際更改。
這里選用的axi接口
在賽靈思的IP配置中沒有MT41K28M6JT-125K內(nèi)存的信息，因此選用
2025-10-21 11:19:08
Access Memory)是DDR SDRAM的第三代產(chǎn)品，相較于DDR2，DDR3具有更高的運(yùn)行性能與更低的電壓。DDR SDRAM是在SDRAM技術(shù)的基礎(chǔ)上發(fā)展改進(jìn)而來的，同SDRAM相比
2025-10-21 10:40:28
Random Access Memory)是DDR SDRAM的第三代產(chǎn)品，相較于DDR2，DDR3具有更高的運(yùn)行性能與更低的電壓。DDR SDRAM是在SDRAM技術(shù)的基礎(chǔ)上發(fā)展改進(jìn)而來的，同SDRAM相比
2025-10-21 08:43:39
涉及多款 8GB、16GB DDR4 SODIMM 及 UDIMM 模組，標(biāo)志著 DDR4 內(nèi)存時(shí)代進(jìn)入收尾階段。
2025-10-14 17:11:371033 DDR是硬件設(shè)計(jì)的重要一環(huán)，作為一名硬件工程師除了對DDR基礎(chǔ)和原理要有了解外，最重要的也就是對DDR控制器的掌握。本文章從DDR外部管腳的角度進(jìn)行描述，學(xué)習(xí)DDR的關(guān)鍵設(shè)計(jì)要注意和了解的部分。
2025-10-10 09:15:242073 
回收DDR2，回收DDR3，收購DDR2，收購DDR3 DDR4 DDR5長期現(xiàn)金高價(jià)回收DDR，回收三星DDR，回收海力士DDR，回收南亞DDR，回收爾必達(dá)DDR，回收美光DDR，回收DDR2
2025-10-09 14:15:34
5內(nèi)存。面對日趨內(nèi)卷的硬件市場，兩家明星產(chǎn)品攜手到底會(huì)不會(huì)產(chǎn)生“1+1>2”的效果，讓我們拭目以待！ 顏值即是正義，這波美學(xué)在大氣層 在“顏值即正義”的時(shí)代，只拼性能還是少了一半靈魂，云礪DDR5內(nèi)存從包裝取出的第一時(shí)間，就能感受到與眾不同的氣質(zhì)。它采用定
2025-09-23 17:02:15767 TPS7H3301-SP 支持使用 DDR、DDR2、DDR3、DDR4 的 DDR VTT 端接應(yīng)用。TPS7H3301-SP VTT 穩(wěn)壓器的快速瞬態(tài)響應(yīng)允許在讀/寫條件下提供非常穩(wěn)定的電源。在
2025-09-09 14:45:15719 
20 μF。該器件支持遙感功能以及 DDR、DDR2、DDR3 以及低功耗 DDR3 和 DDR4 VTT 總線端接的所有電源要求。
2025-09-09 14:28:07713 
TPS65295器件以最低的總成本和最小的空間為 DDR4 內(nèi)存系統(tǒng)提供完整的電源解決方案。它符合 DDR4 上電和斷電序列要求的 JEDEC 標(biāo)準(zhǔn)。該TPS65295集成了兩個(gè)同步降壓轉(zhuǎn)換器
2025-09-09 14:16:041731 
該TPS7H3302支持使用 DDR、DDR2、DDR3、DDR3L 和 DDR4 的 DDR VTT 端接應(yīng)用。TPS7H3302 VTT 穩(wěn)壓器的快速瞬態(tài)響應(yīng)允許在讀/寫條件下提供非常穩(wěn)定的電源
2025-09-09 13:53:22687 
該TPS7H3302支持使用 DDR、DDR2、DDR3、DDR3L 和 DDR4 的 DDR VTT 端接應(yīng)用。TPS7H3302 VTT 穩(wěn)壓器的快速瞬態(tài)響應(yīng)允許在讀/寫條件下提供非常穩(wěn)定的電源
2025-09-09 13:48:37754 
AI 內(nèi)存是一種專為人工智能 (AI) 應(yīng)用設(shè)計(jì)的新型內(nèi)存技術(shù)。與傳統(tǒng)的通用內(nèi)存（如 DDR5 或 LPDDR5）不同，AI 內(nèi)存的核心目標(biāo)是解決 AI 計(jì)算中遇到的兩大挑戰(zhàn)：帶寬瓶頸和延遲
2025-09-03 15:44:19965 3A，支持測試DDR、DDR2、 DDR3、DDR3L和DDR4。該評估模塊配有方便的測試點(diǎn)和跳線，用于評估TPS7H3302-SEP DDR端子。TPS7H3302EVM評估模塊非常適合用于抗輻射DDR電源應(yīng)用以及用于DDR、DDR2、DDR3和DDR4的存儲(chǔ)器終端穩(wěn)壓器。
2025-08-27 16:14:21831 
詳細(xì)了解硬件信息，包括#DDR 顆粒的型號、容量、速率、數(shù)據(jù)寬度等參數(shù)，以及原理圖中DDR顆粒與處理器的連接方式、引腳定義等 。這些信息是進(jìn)行準(zhǔn)確配置的基礎(chǔ)，直接影響到內(nèi)存的性能和穩(wěn)定性。
2025-08-13 09:25:053550 
DDR3 作為第三代雙倍數(shù)據(jù)速率同步動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器，在內(nèi)存發(fā)展歷程中具有重要地位。它采用了8n預(yù)取架構(gòu)，即每個(gè)時(shí)鐘周期能夠傳輸8倍于數(shù)據(jù)位寬的數(shù)據(jù)量，這使得數(shù)據(jù)傳輸效率大幅提升 。
2025-08-04 13:42:342910 
本文緊接著前一個(gè)文檔《AD設(shè)計(jì)DDR3時(shí)等長設(shè)計(jì)技巧-數(shù)據(jù)線等長 》。本文著重講解DDR地址線、控制信號線等長設(shè)計(jì)，因?yàn)榈刂肪€、控制信號線有分支，SOC有可能帶有2片DDR或者更多，我們叫做T型分支
2025-07-29 16:14:51
2 ? ? ? 本文講述了使用Altium designer設(shè)計(jì)SOC和DDR等高速PCB時(shí)候，如何設(shè)計(jì)信號線等長。DDR信號線分成兩大部分。一是數(shù)據(jù)線部分，二是地址線、控制信號線部分。本文著重詳細(xì)
2025-07-28 16:33:124 技術(shù)手冊，適用于使用LogiCORE IP核（如DDR3/DDR2 SDRAM、RLDRAM II、QDRII+）進(jìn)行存儲(chǔ)器接口設(shè)計(jì)26。核心功能：IP核配置與時(shí)序：詳細(xì)說明Xilinx MIG（Memory Interface Generator）IP核的使用方法，包括信號定義、時(shí)序約束、物理層（PHY
2025-07-28 16:17:453 DDR4停產(chǎn)后，引發(fā)全系內(nèi)存顆粒以及相關(guān)物料價(jià)格迅猛上漲，導(dǎo)致我們的生產(chǎn)成本急劇增加，已大大超出了我們的承受范圍?！?? 天啟智能宣布：自2025年8月1日起，F(xiàn)irefly全系產(chǎn)品價(jià)格將整體上調(diào)。調(diào)整后的具體價(jià)格，可以通過官方銷售人員或客服
2025-07-26 07:29:003933 
電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《臺(tái)式主板DDR5內(nèi)存插槽引腳功能表資料.pdf》資料免費(fèi)下載
2025-07-14 14:49:506 北京貞光科技有限公司作為紫光國芯的核心代理商，貞光科技在車規(guī)級存儲(chǔ)和工業(yè)控制領(lǐng)域深耕多年，憑借專業(yè)的技術(shù)服務(wù)能力為汽車電子、ADAS系統(tǒng)等高可靠性應(yīng)用提供穩(wěn)定供應(yīng)保障。近期DDR4內(nèi)存價(jià)格出現(xiàn)大幅
2025-06-27 09:45:114125 
（2GX8）內(nèi)存在6月2日的報(bào)價(jià)為5.171美元，當(dāng)時(shí)比DDR5低約8%。然而，最新報(bào)價(jià)顯示DDR4已上漲至8.633美元，不到一個(gè)月時(shí)間內(nèi)漲幅高達(dá)67%，且已經(jīng)超過DDR5的價(jià)格的44%。最新市場數(shù)據(jù)
2025-06-27 00:27:004538 DDR內(nèi)存占據(jù)主導(dǎo)地位。全球DDR內(nèi)存市場正經(jīng)歷一場前所未有的價(jià)格風(fēng)暴。由于原廠加速退出DDR3/DDR4市場，轉(zhuǎn)向DDR5和HBM（高帶寬內(nèi)存）生產(chǎn)，DDR3和DDR4市場呈現(xiàn)供不應(yīng)求、供需失衡、漲勢延續(xù)的局面。未來，DDR5滲透率將呈現(xiàn)快速提升，市場份額增長的趨勢。
2025-06-25 11:21:152009 
隨著計(jì)算密集型任務(wù)的日益增長，DDR4內(nèi)存的性能瓶頸已逐步顯現(xiàn)。DDR5的出現(xiàn)雖解燃眉之急，但真正推動(dòng)內(nèi)存發(fā)揮極致性能的背后“功臣”——正是 DDR5 SPD（Serial Presence Detect）芯片。
2025-06-11 10:07:301913 
PC處理器對DDR5的支持，DDR5內(nèi)存將更快滲透普及。相較于DDR4，所有電壓由主板供給，DDR5中內(nèi)存模組搭載PMIC，PMIC是實(shí)現(xiàn)高效供電的關(guān)鍵，能夠?yàn)橄冗M(jìn)的計(jì)算應(yīng)用提供突破性的性能表現(xiàn)。Rambus最近推出面向下一代AI PC內(nèi)存模塊的完整客戶端芯片組，包含兩款用于客戶端計(jì)算的全新電源
2025-05-29 09:11:208127 
傳輸兩次數(shù)據(jù)（上升沿和下降沿），從而顯著提高數(shù)據(jù)傳輸速率?。?同步設(shè)計(jì)?：DDR內(nèi)存與系統(tǒng)時(shí)鐘嚴(yán)格同步，降低了時(shí)序偏差，確保數(shù)據(jù)的準(zhǔn)確傳輸?。?高帶寬?：例如，DD
2025-05-17 23:35:17929 
參數(shù)規(guī)模達(dá)數(shù)百億甚至萬億級別，帶來巨大內(nèi)存需求，但HBM內(nèi)存價(jià)格高昂，只應(yīng)用在高端算力卡上。SOCAMM則有望應(yīng)用于AI服務(wù)器、高性能計(jì)算、AI PC以及其他如游戲、圖形設(shè)計(jì)、虛擬現(xiàn)實(shí)等領(lǐng)域。 ? SOCAMM利用高I/O密度和先進(jìn)封裝實(shí)現(xiàn)極高帶寬，有694個(gè)I/O端口，遠(yuǎn)超傳統(tǒng)內(nèi)存模塊（如DD
2025-05-17 01:15:003725 給大家?guī)硪恍I(yè)界資訊： 三星DDR4內(nèi)存漲價(jià)20%? 存儲(chǔ)器價(jià)格跌勢結(jié)束，在2025年一季度和第二季度，價(jià)格開始企穩(wěn)反彈。 據(jù)TrendForce報(bào)道稱，三星公司DDR4內(nèi)存開始漲價(jià)，在本月
2025-05-13 15:20:111204 最新消息，三星電子本月初與主要客戶就提高DRAM芯片售價(jià)達(dá)成一致。DDR4 DRAM價(jià)格平均上漲兩位數(shù)百分比；DDR5價(jià)格上漲個(gè)位數(shù)百分比。據(jù)稱 DDR4 上調(diào) 20%，DDR5 上調(diào)約 5
2025-05-13 01:09:006843 楷登電子（美國 Cadence 公司，NASDAQ：CDNS）近日宣布率先推出基于臺(tái)積公司 N3 工藝的 DDR5 12.8Gbps MRDIMM Gen2 內(nèi)存 IP 解決方案。該新解決方案可滿足
2025-05-09 16:37:44905 LP2996-N 和 LP2996A 線性穩(wěn)壓器旨在滿足 JEDEC SSTL-2 標(biāo)準(zhǔn) DDR-SDRAM 終止規(guī)范。該器件還支持 DDR2，而 LP2996A 支持 DDR3 和 DDR
2025-04-29 18:11:05834 
該TPS51100保持快速瞬態(tài)響應(yīng)，僅需 20 μF（2 × 10 μF）的 陶瓷輸出電容。TPS51100 支持遙感功能和所有功能 需要根據(jù) JEDEC 規(guī)范為 DDR 和 DDR2 VTT 總線
2025-04-29 17:15:20774 
TPS51116為 DDR/SSTL-2、DDR2/SSTL-18、DDR3/SSTL-15、DDR3L、LPDDR3 和 DDR4 內(nèi)存系統(tǒng)提供完整的電源。它將同步降壓控制器與 3A 灌電流/拉
2025-04-29 16:38:021031 
在高速PCB設(shè)計(jì)中，DDR模塊是絕對繞不過去的一關(guān)。無論你用的是DDR、DDR2還是DDR3，只要設(shè)計(jì)不規(guī)范，后果就是——信號反射、時(shí)序混亂、系統(tǒng)頻繁死機(jī)。
2025-04-29 13:51:032491 
LP2998 線性穩(wěn)壓器旨在滿足 JEDEC SSTL-2 和 JEDEC SSTL-18 標(biāo)準(zhǔn) DDR-SDRAM 和 DDR2 內(nèi)存終止的規(guī)范。該器件還支持 DDR3 和 DDR3L VTT
2025-04-29 11:34:59810 
僅為 20 μF。該TPS51200支持遠(yuǎn)程感應(yīng)功能以及 DDR、DDR2、DDR3、DDR3L、低功耗 DDR3 和 DDR4 VTT 總線終端的所有電源要求。
2025-04-29 09:59:251345 
只需要 20 μF 的最小輸出電容。TPS51200-Q1 器件支持遠(yuǎn)程感應(yīng)功能以及 DDR、DDR2、DDR3、DDR3L、低功耗 DDR3 和 DDR4 VTT 總線終端的所有電源要求。
2025-04-28 16:21:07852 
TPS59116 為 DDR/SSTL-2、DDR2/SSTL-18 和 DDR3 內(nèi)存提供完整的電源 系統(tǒng)。它將同步降壓控制器與 3A 灌電流/拉電流跟蹤線性穩(wěn)壓器和緩沖低噪聲基準(zhǔn)集成在一起
2025-04-28 13:54:45814 
TPS51216 以最低的總成本和最小的空間為 DDR2、DDR3 和 DDR3L 內(nèi)存系統(tǒng)提供完整的電源。它將同步降壓穩(wěn)壓控制器 （VDDQ） 與 2A 灌/拉跟蹤 LDO （VTT） 和緩
2025-04-28 11:09:05663 
TPS51916 器件以最低的總成本和最小的空間為 DDR2、DDR3、DDR3L 和 DDR4 內(nèi)存系統(tǒng)提供完整的電源。它集成了同步降壓穩(wěn)壓控制器 （VDDQ），具有 2A 灌電流和 2A 源跟蹤 LDO （VTT） 和緩沖低噪聲基準(zhǔn) （VTTREF）。
2025-04-28 10:58:44657 
快速瞬態(tài)響應(yīng)，并且只需要 1 × 10μF 的陶瓷輸出電容。該器件支持遠(yuǎn)程感應(yīng)功能以及 DDR2、DDR3 和低功耗 DDR3 （DDR3L） 以及 DDR4 VTT 總線的所有電源要求。VTT 電流
2025-04-28 10:04:48685 
TPS51116為 DDR/SSTL-2、DDR2/SSTL-18、DDR3/SSTL-15、 和 LPDDR3 內(nèi)存系統(tǒng)。它將同步降壓控制器與 1A 灌電流/拉電流集成在一起 跟蹤線性穩(wěn)壓器和緩
2025-04-27 13:35:32741 
TPS51716為 DDR2、DDR3、DDR3L、LPDDR3 和 DDR4 提供完整的電源 以最低的總成本和最小空間實(shí)現(xiàn)內(nèi)存系統(tǒng)。它集成了一個(gè)同步降壓 具有 2A 灌電流/拉電流跟蹤 LDO
2025-04-27 11:36:05763 
LP2998 線性穩(wěn)壓器旨在滿足 JEDEC SSTL-2 和 JEDEC SSTL-18 標(biāo)準(zhǔn) DDR-SDRAM 和 DDR2 內(nèi)存終止的規(guī)范。該器件還支持 DDR3 和 DDR3L VTT
2025-04-27 09:40:04874 
LP2996A 線性穩(wěn)壓器旨在滿足 JEDEC SSTL-2 規(guī)范 DDR-SDRAM 終止。該器件還支持 DDR2、DDR3 和 DDR3L VTT 總線端接，帶 V~DDQ~最小為 1.35V
2025-04-26 15:02:50746 
TPS51216-EP 以最低的總成本和最小的空間為 DDR2、DDR3 和 DDR3L 內(nèi)存系統(tǒng)提供完整的電源。它將同步降壓穩(wěn)壓控制器 （VDDQ） 與 2A 灌/拉跟蹤 LDO （VTT） 和緩
2025-04-26 11:12:30681 
只需要最小輸出 電容為 20 μF。TPS51200-EP 支持遙感功能和所有功率要求 用于 DDR、DDR2、DDR3、低功耗 DDR3 和 DDR4 VTT 總線終端。
2025-04-26 10:26:351335 
的最小輸出電容。該器件支持遠(yuǎn)程感應(yīng)功能以及 DDR、DDR2、DDR3 以及低功耗 DDR3 和 DDR4 VTT 總線終端的所有電源要求。
2025-04-25 10:07:151053 
如果把CPU比作廚師，內(nèi)存就是廚房的操作臺(tái)，DDR5內(nèi)存相當(dāng)于給廚師換了一個(gè)更大、更快、更整潔的操作臺(tái)，做起菜來自然效率提升。隨著DDR5內(nèi)存價(jià)格逐步下降，這項(xiàng)具備更高帶寬和超大容量的新技術(shù)，正在
2025-04-18 10:34:1371 
DDR3 SDRAM(Double-Data-Rate ThreeSynchronous Dynamic Random Access Memory)是DDR SDRAM的第三代產(chǎn)品，相較于DDR2，DDR3有更高的運(yùn)行性能與更低的電壓。
2025-04-10 09:42:533930 
2025年4月3日?——全球硬件品牌技嘉科技今日宣布,其旗艦級超頻主板Z890 AORUS TACHYON ICE(鈦雕)通過采用XPG 龍耀 D500G DDR5內(nèi)存及液氮(LN2)散熱技術(shù),成功
2025-04-03 17:52:45803 DDR內(nèi)存控制器是一個(gè)高度集成的組件，支持多種DDR內(nèi)存類型（DDR2、DDR3、DDR3L、LPDDR2），并通過精心設(shè)計(jì)的架構(gòu)來優(yōu)化內(nèi)存訪問效率。
2025-03-05 13:47:403573 
我看了一下所購買的評估開發(fā)板，上面帶有DDR2的接口，我想使用DDR2來進(jìn)行存儲(chǔ)，但是沒有找到接口相關(guān)的引腳文件，ucf文件中也沒有DDR2相關(guān)的引腳
2025-02-28 08:42:16
1. DLPC410的datasheet寫明1bit的刷新率可以達(dá)到32KHz，在目前的EVM上可以實(shí)現(xiàn)嗎？
2. 如果第1個(gè)問題回答是否定的，那么如何設(shè)計(jì)才能達(dá)到高刷新率？
3.EVM上的內(nèi)存是DDR2，如果提升為DDR3或者DDR4是否可以提高刷新率？
2025-02-21 10:23:16
電子發(fā)燒友網(wǎng)綜合報(bào)道，日前，日媒報(bào)道由于DRAM內(nèi)存芯片價(jià)格持續(xù)下滑，全球三大原廠三星、SK海力士和美光計(jì)劃在2025年停產(chǎn)DDR4內(nèi)存芯片。 ? 數(shù)據(jù)顯示，2025年1月，DDR4 8Gb顆粒
2025-02-21 00:10:002803 據(jù)報(bào)道，業(yè)內(nèi)人士透露，全球三大DRAM內(nèi)存制造商——三星電子、SK海力士和美光，有望在2025年內(nèi)正式停產(chǎn)已有多年歷史的DDR3和DDR4兩代內(nèi)存。 隨著技術(shù)的不斷進(jìn)步和消費(fèi)級平臺(tái)的更新?lián)Q代
2025-02-19 11:11:513460 MT53E1G32D2FW-046 AAT:B是一款高性能的DDR4 SDRAM內(nèi)存芯片，由MICRON制造，專為滿足現(xiàn)代電子設(shè)備對高速內(nèi)存的需求而設(shè)計(jì)。該產(chǎn)品具備出色的存儲(chǔ)性能和能效，適用于多種
2025-02-14 07:39:58
HMCG78AEBRA是一款高性能的16GB DDR5 4800 RDIMM內(nèi)存條，專為需要高帶寬和高效能的應(yīng)用而設(shè)計(jì)。這款內(nèi)存條采用288-Pin RDIMM封裝，支持1.1V低電壓運(yùn)行，能夠有效
2025-02-14 07:17:55
HMCG88AEBRA和M321R4GA3BB6-CQK是兩款高性能的32GB DDR5 4800 EC8 RDIMM內(nèi)存條，專為需要高可靠性和高性能的應(yīng)用而設(shè)計(jì)。這些內(nèi)存條采用288-Pin
2025-02-14 07:02:20
HMAA2GU7CJR8N-XN和MTA9ASF2G72AZ-3G2F1是兩款高性能的16GB 1Rx8 PC4-25600E DDR4-3200MHz UDIMM內(nèi)存條，專為需要高可靠性和高性能
2025-02-14 06:58:55
據(jù)韓媒報(bào)道，知名分析機(jī)構(gòu)Omdia在其最新報(bào)告中預(yù)測，2025年前三季度，PC、服務(wù)器及移動(dòng)DRAM內(nèi)存價(jià)格將面臨顯著下滑。 具體而言，Omdia預(yù)計(jì)2025年上半年，這些內(nèi)存產(chǎn)品的價(jià)格將下降約10
2025-02-11 10:41:561750 ;MTA9ASF1G72AZ-3G2R1是一款高性能的DDR3 SDRAM內(nèi)存模塊，專為滿足現(xiàn)代計(jì)算需求而設(shè)計(jì)。該產(chǎn)品以其高帶寬和低功耗的特性，廣泛應(yīng)用于個(gè)人電腦、服務(wù)器和嵌入式系統(tǒng)中，成為市場上備
2025-02-10 20:10:39
如需了解價(jià)格貨期等具體信息，歡迎在首頁找到聯(lián)系方式鏈接我。不要留言，留言會(huì)被吞，收不到留言。 8GB DDR4 ECC UDIMM 產(chǎn)品概述 8GB DDR4 ECC UDIMM
2025-02-10 20:07:47
如需了解價(jià)格貨期等具體信息，歡迎在首頁找到聯(lián)系方式鏈接我。不要留言，留言會(huì)被吞，收不到留言。 16GB DDR4 ECC UDIMM 產(chǎn)品概述 16GB DDR4 ECC
2025-02-10 20:05:15
內(nèi)存（DRAM-Random Access Memory）作為現(xiàn)代數(shù)字系統(tǒng)的核心組件之一，在計(jì)算機(jī)、汽車與消費(fèi)電子產(chǎn)品上可謂無所不在。
2025-02-10 17:42:185046 M471A2G43AB2-CWE 是一款高性能的 DDR4 SO-DIMM 內(nèi)存模塊，具有 16GB 的容量，專為滿足現(xiàn)代移動(dòng)計(jì)算需求而設(shè)計(jì)。這款內(nèi)存條采用了 Samsung 的先進(jìn)技術(shù)，適用于各種
2025-02-10 07:49:49
M425R2GA3PB0-CWM 是一款高性能的 DDR5 SO-DIMM 內(nèi)存模塊，具有 16GB 的容量，專為滿足現(xiàn)代移動(dòng)計(jì)算需求而設(shè)計(jì)。這款內(nèi)存條采用了 Samsung 的先進(jìn)技術(shù)，適用于各種
2025-02-10 07:49:16
M471A1G44CB0-CWE 是一款高性能的 DDR4 SO-DIMM 內(nèi)存模塊，具有 8GB 的容量，專為滿足現(xiàn)代移動(dòng)計(jì)算需求而設(shè)計(jì)。這款內(nèi)存條采用了 Samsung 的先進(jìn)技術(shù)，適用于各類
2025-02-10 07:48:41
M425R1GB4PB0-CWM 是一款高性能的 DDR5 SO-DIMM 內(nèi)存模塊，具有 8GB 的容量，專為滿足現(xiàn)代移動(dòng)計(jì)算需求而設(shè)計(jì)。這款內(nèi)存條采用了最新的 DDR5 技術(shù)，具有
2025-02-10 07:47:57
TrendForce集邦咨詢最新發(fā)布的內(nèi)存現(xiàn)貨價(jià)格趨勢報(bào)告顯示，DRAM和NAND閃存市場近期呈現(xiàn)出不同的態(tài)勢。
2025-02-08 16:41:02930 全球工業(yè)級嵌入式存儲(chǔ)領(lǐng)域的領(lǐng)導(dǎo)品牌ADATA威剛科技，近期正式推出了其最新的工業(yè)級DDR5 6400 CU-DIMM與CSO-DIMM內(nèi)存產(chǎn)品，為高性能運(yùn)算(HPC)領(lǐng)域注入了新的活力。 這兩款內(nèi)存
2025-02-08 10:20:131039 般回暖，反而持續(xù)呈現(xiàn)出疲軟態(tài)勢。這一趨勢直接導(dǎo)致了DDR4現(xiàn)貨價(jià)格的持續(xù)下滑，盡管市場上存在部分買家對DDR5產(chǎn)品有特殊需求，并一度引發(fā)了其價(jià)格的臨時(shí)上漲，但整體來看，DRAM市場的低迷氛圍并未因此得到根本性的改善。 集邦咨詢的數(shù)據(jù)顯示，目前DDR4主流芯片(例如
2025-02-06 14:47:47930 根據(jù)市場研究機(jī)構(gòu)Gartner的統(tǒng)計(jì)數(shù)據(jù)顯示，在2024年全球半導(dǎo)體行業(yè)營收達(dá)到6260億美元，同比增長18.1%。分廠商來看的話，三星登頂全球最大半導(dǎo)體廠商。 排名第一的是三星；得益于內(nèi)存價(jià)格大幅
2025-02-05 16:49:551828 
雖然目前DDR5高頻內(nèi)存已經(jīng)相當(dāng)普及了，但還是有一些用戶始終對頻率不怎么敏感。他們追求更為親民的裝機(jī)成本，對超頻了解也有限，單純希望內(nèi)存可以做到穩(wěn)定兼容，到手即用。對于這類用戶來說，裸條其實(shí)是個(gè)不錯(cuò)
2025-01-24 11:18:52996 
創(chuàng)見（Transcend）近日宣布面向消費(fèi)領(lǐng)域推出DDR5 6400 CUDIMM內(nèi)存條，為硬件市場注入新活力。 該系列最先面世的型號為16GB容量單條模組，專為游戲玩家、內(nèi)容創(chuàng)作者、計(jì)算機(jī)DIY
2025-01-24 11:16:181754 2024年作為AIPC元年伴隨異構(gòu)算力（CPU+GPU+NPU）需求高漲及新處理器平臺(tái)推出DDR5內(nèi)存以高速率、大容量低延遲與高帶寬有效滿足高性能算力要求加速本地AI大模型運(yùn)行效率推動(dòng)AIPC硬件端
2025-01-21 16:34:412426 
單條16 GB作為過渡。不過現(xiàn)在好了,不僅內(nèi)存價(jià)格降下來,而且最近還是年貨節(jié),趁著有優(yōu)惠,直接升級一波硬件。 簡單評估了一下自己的需求和預(yù)算,48 GB是目前最適合的容量,冗余的部分空間可以戰(zhàn)未來,畢竟距離DDR5淘汰還很久遠(yuǎn)。在電商平臺(tái)看了一圈
2025-01-14 15:30:27810 
隨著國產(chǎn)DDR5內(nèi)存的上市，內(nèi)存市場的競爭態(tài)勢即將迎來新的變化。DRAM內(nèi)存作為半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的明星產(chǎn)品，據(jù)市調(diào)機(jī)構(gòu)Trendforce預(yù)估，2024年全球DRAM內(nèi)存的產(chǎn)值將達(dá)到約907億美元。
2025-01-07 15:53:292422
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