功率MOSFET和散熱器的工作講解;散熱器熱阻計算所需的重要說明.
2022-05-19 09:08:06
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飛兆半導體的四路MOSFET解決方案提高了效率，解決了有源整流橋應用中的散熱問題。單個封裝中的四個60V MOSFET可提高系統(tǒng)效率，替代二極管整流橋，實現緊湊的設計并節(jié)省電路板空間
2013-05-02 15:18:551702 
安森美半導體創(chuàng)新的ATPAK封裝不僅可使功率MOSFET外形更纖薄，其采用的夾焊技術更可實現達100 A的電流處理能力，極佳的散熱性確保安全性和更高可靠性，且成本與DPAK相當.
2016-08-08 16:58:412168 傳導至散熱器，再由散熱器向外界環(huán)境散熱。根據FCBGA封裝的結構特性和相關研究表明，約90%以上的熱量是通過封裝頂面?zhèn)鲗е?b class="flag-6" style="color: red">散熱器進行散熱。因此，為提高芯片散熱效率，需要盡量減少芯片晶圓到外界環(huán)境的散熱熱阻。
2023-04-14 12:31:535488 碳化硅MOSFET和肖特基二極管產品，通過頂部散熱（TSC）封裝，可以顯著提升系統(tǒng)功率密度和效率，同時優(yōu)化熱管理性能并增強電路板布局靈活性。 ? 本次新推出的U2系列產品全系采用頂部散熱封裝，提供650 V 至 1200 V 多種電壓選項，面向電動汽車車載充電機及快速充電基礎設
2025-07-08 00:55:003494 
這些超結快速恢復硅基功率MOSFET兼具超低恢復電荷（Qrr）和超快快恢復時間（trr），以及出色的品質因數（RDS(on) x Qg），能夠為要求嚴苛的橋式拓撲和ZVS相移轉換器帶來極高的效率
2023-09-08 06:00:53
；集成軟啟動（減弱熱拔插浪涌與輸出過沖）、熱保護、輸出短路保護及電流限制，容錯性優(yōu)異；內置輸入線路電壓補償與高帶寬環(huán)路，輸出電壓精度達±3.5%。
寬應用適配：支持低至 3.3V 輸出電壓，采用 ESOP-8 封裝，底部功率散熱焊盤連接 VIN 及內置 MOS 漏極，增強散熱效率。
2025-08-08 14:57:48
和系統(tǒng)效率的前提下，選取參數和封裝更通用的功率MOSFET。有時候由于其他條件的限制，需要使用多個MOSFET并聯的方式來解決散熱的問題，如在PFC應用、電動汽車電機控制器、通信系統(tǒng)的模塊電源次級同步整流
2017-11-15 08:14:38
有的文獻說mosfet并聯緩沖電容，可以提升效率？？ 是否有這一說法
2017-02-22 18:19:40
實現小外形尺寸的設計。采用6.0mm x 3.7mm外形尺寸的雙芯片不對稱功率封裝是MOSFET封裝技術上的重大進步。這種封裝使工程師能夠改善電源的性能，縮小體積，以及簡化設計，同時實現現在的消費電子產品所要求的高效率或性能。本新聞來自大聯大云端`
2013-12-23 11:55:35
通過對同步交流對交流(DC-DC)轉換器的功耗機制進行詳細分析，可以界定必須要改進的關鍵金屬氧化物半導體場效晶體管(MOSFET)參數，進而確保持續(xù)提升系統(tǒng)效率和功率密度。分析顯示，在研發(fā)功率
2019-07-04 06:22:42
功率MOSFET的概念是什么 MOSFET的耗散功率如何計算 同步整流器的功耗如何計算
2021-03-11 07:32:50
Vac時，也實現了與之一致的效率提升。 圖5. 在110 Vac 輸入電壓條件下，TO247 4引腳封裝MOSFET與TO247封裝MOSFET的PFC效率對比。測試條件：Ext. Rg=5 Ω，開關頻率
2018-10-08 15:19:33
解決方案更高的功率密度和更高的效率。無鉛RoHS封裝新增PowerTrench器件，豐富了FAI中等電壓范圍MOSFET產品陣容，作為齊全的PowerTrenchMOSFET產品系列的一部分，它能夠滿足
2012-04-28 10:21:32
。這種散熱器效率很低，不適合用于大功率器件中。由于它的結構簡單、無噪音、免維護，特別是沒有運動部件，所以可靠性高，非常適用于額定電流在以下的器件?！ ?、強制空氣冷卻 強制對流風冷散熱特點是散熱效率
2012-06-19 11:35:49
。這種散熱器效率很低，不適合用于大功率器件中。由于它的結構簡單、無噪音、免維護，特別是沒有運動部件，所以可靠性高，非常適用于額定電流在以下的器件?！ ?、強制空氣冷卻 強制對流風冷散熱特點是散熱效率
2012-06-20 14:36:54
逐步走入市場。這種功率型的LED一般是將發(fā)光芯片放在散熱熱沉上，上面裝配光學透鏡以達到一定光學空間分布，透鏡內部填充低應力柔性硅膠。功率型LED要真正進入照明領域，實現家庭日常照明，其要解決的問題還有
2011-12-25 16:17:45
LED照明電路（臨界模式PFC＋DC/DC）：利用MOSFET提升效率并降低噪聲的案例下面的電路摘自實際LED照明電路的相關部分。該LED驅動電路是DC/DC轉換器通過臨界模式（BCM）的PFC向
2022-04-09 13:36:25
MUN12AD03-SEC是一款非隔離DC-DC轉換器，適配多種需要穩(wěn)定、高效電源供應的電子系統(tǒng)。MUN12AD03-SEC的封裝設計在提高散熱效率、降低模塊溫度、提高模塊可靠性和性能方面起著
2025-05-19 10:02:47
標準(與線性電源相比具有更好的功率密度和效率)，組件設計人員設法通過芯片級創(chuàng)新和改進封裝來不斷提升功率MOSFET的導通和開關性能。芯片的不斷更新換代使得在導通電阻(RDS(ON))和影響開關性能
2018-09-12 15:14:20
兩方面的損耗少與效率改善密切相關。另外，損耗少的話，發(fā)熱就會少，因此也與可使用的IC封裝種類和尺寸等息息相關。－ 這涉及到第二個課題小型化對吧。進一步講，一般MOSFET的導通電阻很大程度地依賴于元件
2019-04-29 01:41:22
;/p><p>ZXMS6004FF將靜電放電（ESD）、過壓、過流及過溫保護集成于一個高散熱效率封裝，為元件本身及負載提供了完善的保護，有助于減少元件
2009-01-07 16:01:44
MOSFET的柵極驅動器、面向上側驅動的自舉二極管、交叉?zhèn)鲗ПＷo和欠壓鎖定。3. 散熱效率由于像IGBT這樣的器件工作在較低溫度可減小器件上的應力，因此封裝的散熱性能與其可靠性存在內在聯系（圖2）。由于溫度
2020-12-01 15:40:26
，可以將高功率POL模塊調節(jié)器放在較小的PCB空間中，但更重要的是，可以實現效率冷卻。LTM4636是從這種堆疊式封裝技術受益的第一個μModule調節(jié)器系列。作為一款以堆疊式電感作為散熱器的40 A
2019-07-22 06:43:05
效率的前提下，選取參數和封裝更通用的功率MOSFET。有時候由于其他條件的限制，需要使用多個MOSFET并聯的方式來解決散熱的問題，如在PFC應用、電動汽車電機控制器、通信系統(tǒng)的模塊電源次級同步整流等
2019-04-04 06:30:00
層、導通孔的制備都面臨挑戰(zhàn)，良品率不高。目前雖有一些***企業(yè)開發(fā)出LED硅基板并量產，但良品率不超過60%。陶瓷封裝基板：提升散熱效率滿足高功率需求配合高導熱的陶瓷基體，DPC顯著提升了散熱效率
2020-12-23 15:20:06
功耗更大，而設備供應商則在憑借更快、更小、噪聲更低、效率更高的創(chuàng)新相互比拼。新型數字技術能力超群、令人振奮，但背后仍然存在模擬和電源技術角力，以在封裝更小的情況下提供更大功率，同時最大限度減小對系統(tǒng)總體
2018-10-16 06:10:07
“免費”冷卻機會，用來去除?MOSFET?、電感器等發(fā)熱組件產生的熱量。
將熱量從封裝內部引導到封裝頂部并擴散到空氣中
大功率開關 POL 穩(wěn)壓器靠電感器或變壓器將輸入電源電壓轉換成穩(wěn)定的輸出電壓
2018-10-16 06:31:24
源吸收熱量。吸熱部分吸收的熱量通過散熱器排到設備外面。水冷散熱充分利用了液體的比熱容大于空氣的優(yōu)勢，從而使散熱效率更高。此外，安靜的工作狀態(tài)，綠色穩(wěn)定的特點也深受信賴。大功率的發(fā)射機在數字信號傳輸的應用上
2018-11-28 15:47:02
大功率白光LED散熱及封裝大功率白光LED散熱LED發(fā)光是靠電子在能帶間躍遷產生光，其光譜中不包含紅外部分，LED的熱址不能靠輻射散出，因此LED是“冷”光源。目前LED的發(fā)光效率僅能達到10%一
2013-06-08 22:16:40
我們在當前的設計中遇到了 IC 控制器的溫度問題（高溫）。對于如何在通用的同步降壓概念設計方案中提高 IC 控制器（集成開關）的散熱效率，有人可以提供建議？
2019-06-27 11:19:03
的散熱通道的器件。最后還要量化地考慮必要的熱耗和保證足夠的散熱路徑。本文將一步一步地說明如何計算這些MOSFET的功率耗散，并確定它們的工作溫度。然后，通過分析一個多相、同步整流、降壓型CPU核電源中
2021-01-11 16:14:25
問題的關鍵在于找出適宜高溫工作的連接材料，匹配封裝中不同材料的熱性能。此外，多功能集成封裝技術以及先進的散熱技術在提升功率密度等方面也起著關鍵作用。本文重點就低雜散電感封裝、高溫封裝以及多功能集成封裝 3
2023-02-22 16:06:08
的 TPS40170 同步降壓控制器?！ ￡P于 NexFET 功率 MOSFET TI NexFET 功率 MOSFET 技術可提升高功率計算、網絡、工業(yè)以及電源的能源效率。這些高頻率、高效率模擬功率
2018-11-29 17:13:53
熱力學的基本規(guī)律揭示出沒有電子設備可以實現100％的效率——雖然開關電源比較接近（達到98％）。但不幸的是任何產生RF功率的器件目前都無法達到或者接近理想的性能，因為將直流功率轉換為射頻功率過程中
2017-08-29 10:19:12
解決515.08W/cm2的熱源散熱，而傳統(tǒng)純水冷板、金剛石鋁與金剛石銅的散熱效率僅為81.35W/cm2、161.16W/cm2和234.24W/cm2，分別提升533.16%、119.89%和219.61
2024-05-29 14:39:57
效率可編程的脈沖串模式可在空載條件下維持穩(wěn)壓，并提升輕載效率可編程的軟啟動時間及軟啟動前延遲適合高功率及高頻率的單封裝設計可通過夾片快速安裝到散熱片外露的散熱金屬部分與地電位相連 – 封裝和散熱
2019-03-07 14:39:44
Grant and S. Fletcher.。幸運的是，經過連年不斷努力提升RF效率，這些情況在逐漸改變。這些工作有一些是在器件級，有些則采用了一些創(chuàng)新技術，比如包絡跟綜，數字預失真/波峰因子降低方案，以及采用比常見AB類級別更高級的放大器。那么，還有哪些辦法可以提升射頻功率放大器的效率嗎？
2019-07-31 08:13:39
整個壽命周期成本時，逐步減少能量轉換過程中的小部分損失并不一定會帶來總體成本或環(huán)境效益的大幅提升。另一方面，將更多能量轉換設備集成到更小的封裝中，即提高“功率密度”，可以更有效地利用工廠或數據中心
2020-10-27 10:46:12
描述PMP10319參考設計是極具熱效率的緊湊型設計，旨在對廣泛的交流輸入（85VAC 至 265VAC）進行降壓。此非隔離式降壓設計整合了 UCC28710 PSR 控制器
2022-09-22 08:53:04
` 本帖最后由 eehome 于 2013-1-5 09:50 編輯
在小尺寸器件中驅動更高功率得益于半導體和封裝技術的進步。一種采用頂部散熱標準封裝形式的新型功率MOSFET就使用了新一代
2012-12-06 14:32:55
或RqJA來校核功率MOSFET的結溫，通?？梢栽龃?b class="flag-6" style="color: red">散熱器，提高器件通過電流的能力。底部沒有裸露銅皮的封裝，使用RqJL或RqJA來校核功率MOSFET的結溫，其散熱的能力主要受限于晶片到PCB的熱阻
2016-08-15 14:31:59
效應封裝、更高的散熱效率以及多芯片封裝解決方案。WBG 器件的高效率功率轉換性能外加封裝的更高散熱效率，將實現高能效功率轉換系統(tǒng)。我們知道，封裝有助于提高能效，但是什么是封裝技術人員與裝配制造工程師實現
2018-09-14 14:40:23
／高功率／高速器件，其將充分滿足工業(yè)及樓宇自動化、能源生成與配送以及汽車等市場領域的需求。封裝技術中的多芯片模塊／系統(tǒng)將增強這些應用的封裝與系統(tǒng)級集成。能源效率是當前乃至以后眾多應用的重要要求…
2022-11-22 06:32:07
電源效率與散熱0 前言1 電源效率2 散熱設計0 前言在電路后期優(yōu)化中，提高電源效率可以提高用戶體驗，注重散熱可以保證電路穩(wěn)定運行。1 電源效率提高電源效率的措施有以下幾種：使用DC-DC拓撲；增大功率
2022-01-03 07:23:53
，再通過風扇強制對流散熱。多熱管設計可進一步提升導熱效率，滿足高端顯卡的散熱需求。 3. 均熱板（Vapor Chamber, VC）均熱板可視為二維擴展的熱管，其內部腔體通過蒸發(fā)-冷凝循環(huán)實現
2025-03-20 09:39:58
密度。以MOSFET取代二極管，可以彌補上述不足。SuperSO8與TO-220封裝型式的效率比較請參見圖3。僅僅采用SuperSO8封裝代替TO-220封裝，就可以將效率提高0.4%，相對于功率損耗降低
2018-12-07 10:23:12
那里，因為電荷和電容是固定的。讓 MOSFET 開關需要增加或消除足夠的柵極電荷。隔離式柵極驅動器必須以高電流驅動MOSFET柵極，以便增加或消除柵極電荷，以減少功率損耗。公式1計算隔離式柵極驅動器將
2022-11-02 12:02:05
集成是固態(tài)電子產品的基礎，將類似且互補的功能匯集到單一器件中的能力驅動著整個行業(yè)的發(fā)展。隨著封裝、晶圓處理和光刻技術的發(fā)展，功能密度不斷提高，在物理尺寸和功率兩方面都提供了更高能效的方案。對產品
2020-10-28 09:10:17
文章論述了大功率LED封裝中的散熱問題，說明它對器件的輸出功率和壽命有很大的影響，分析了小功率、大功率LED 模塊的封裝中的散熱對光效和壽命的影響。對封裝及應用而言，
2010-10-22 08:53:33
136 MOSFET將封裝面積減半-Zetex新款無鉛型Zetex 新款無鉛型 MOSFET 將占位面積減半模擬信號處理及功率管理方案供應商Zetex Semiconductors (捷特科)公司推出其
2008-03-22 14:46:02688 TI 推出面向高電流 DC/DC 應用、顯著降低上表面熱阻的功率 MOSFE 采用創(chuàng)新封裝手段的 DualCool(TM) NexFET(TM) 功率 MOSFET 在標準封裝尺寸下將散熱效率提升 80%、允許電流
2010-01-14 14:17:31555 德州儀器推出面向高電流DC/DC應用的功率MOSFET，可以顯著降低上表面熱阻
采用創(chuàng)新封裝手段的DualCool NexFET功率 MOSFET在標準封裝尺寸下將散熱效率提升80%、允許電流提高5
2010-01-15 08:39:051039 TI推出通過封裝頂部散熱的標準尺寸功率MOSFET
日前，德州儀器 (TI) 宣布面向高電流 DC/DC 應用推出業(yè)界第一個通過封裝頂部散熱的標準尺寸功率 MOSFET 產品系列。相對
2010-01-22 09:40:491194 喇叭狀鰭片設計可提高針鰭散熱片散熱效率
近年來，尖端FPGA的功能快速發(fā)展到了前所未有的高度。但不幸的是，功能方面的快速發(fā)展也隨之加大了對散熱的需求。因
2010-03-03 11:26:131974 
基于功率MOSFET設計考量
用作功率開關的MOSFET
隨著數十年來器件設計的不斷優(yōu)化，功率MOSFET晶體管帶來了新的電路拓撲和電源效率的提升。功率器件從電流驅
2010-04-24 11:44:421581 
過去LED只能拿來做為狀態(tài)指示燈的時代，其封裝散熱從來就不是問題，但近年來LED的亮度，功率皆積極提升，并開始用于背光與電子照明等應用后，LED的封裝散熱問題已悄然浮現。上述
2012-05-07 11:59:151612 
通過對同步交流對交流(DC-DC)轉換器的功耗機制進行詳細分析，可以界定必須要改進的關鍵金屬氧化物半導體場效晶體管(MOSFET)參數，進而確保持續(xù)提升系統(tǒng)效率和功率密度。 分析顯示，在研發(fā)功率
2017-11-24 06:21:01944 
在大屏幕電視中，要求在諧振電源內使用表面黏著MOSFET取代帶散熱器的輸出二極管。不過，由于時序復雜性、成本和現有同步整流器解決方案欠佳的表現，迄今為止，采用這一替代方案的數量非常有限。本文將揭示自定時電壓檢測同步MOSFET控制方案如何提升電源轉換效率。
2018-07-10 13:32:001627 
兩個風扇不但造型重新設計，還支持異步運行，可分別根據GPU核心溫度、供電區(qū)域／顯存溫度運轉在不同的速度上，可提高散熱效率并降低噪音。
2018-07-09 10:54:001348 電源系統(tǒng)中的主開關器件是低電壓功率MOSFET，這些系統(tǒng)需要的功率密度正在不斷增加。為減小系統(tǒng)體積和功率損失，需要大力改進MOSFET的封裝散熱性。通過降低器件導通電阻和寄生電容，可降低功率損失。
2018-04-04 11:02:0213589 
PowerPAD?熱增強封裝提供了更大的設計靈活性，并提高了在標準尺寸器件封裝中的熱效率。PowerPAD包的改進性能允許更高的時鐘速度，更緊湊的系統(tǒng)和更積極的設計標準。PowerPAD軟件包在幾種標準的表面安裝配置中是可用的。
2018-05-03 14:37:0019 將量子點灌注至玻璃容器的設計，使量子點維持以液態(tài)的方式，有效提升發(fā)光效率與散熱效果，可達到NTSC 120% 與Rec. 2020 90%的廣色域表現。
2019-10-09 14:24:214804 
近年來，隨著油耗排放法規(guī)的日益嚴苛，提升壓縮比成為提高發(fā)動機熱效率的重要技術措施，但壓縮比越高，在大負荷工況下發(fā)生爆震的可能性也越大。發(fā)動機噴水技術則可以通過向進氣歧管或者缸內噴水來降低進氣溫度，從而降低整個工作循環(huán)的溫度，有效抑制爆震的發(fā)生，因此是一種有效提升發(fā)動機熱效率的技術。
2020-06-18 14:29:213786 
通過對同步交流對交流（DC-DC）轉換器的功耗機制進行詳細分析，可以界定必須要改進的關鍵金屬氧化物半導體場效晶體管 （MOSFET）參數，進而確保持續(xù)提升系統(tǒng)效率和功率密度。分析顯示，在研發(fā)功率
2020-08-07 18:52:000 板式換熱器的應用非常廣泛，可以說在很多行業(yè)的廠家都能看到換熱器的身影，板式換熱器具有傳熱拆卸方便，體積小的特點。但是對于用戶來說，安裝完換熱器以后，怎樣提升它的換熱效率，較大程度的發(fā)揮它的價值，估計
2020-09-03 14:21:555061 。 了解使用此 SMD 封裝從而提高應用性能的多種方法：被動冷卻解決方案、增大功率密度、延長使用壽命等等。 CoolSiC?溝槽 MOSFET 技術經過優(yōu)化，將性能與可靠性相結合，并具有 3μs 的短路時間。由于采用 .XT 連接技術，其小巧封裝外形的散熱性能得到顯著改善。相比標準封裝的連接技術，
2021-03-01 12:16:023163 產品特點
1、優(yōu)異的開關特性和導通特性；
2、更好的導通電阻溫度特性，顯著增強器件高溫下的電流能力和抗沖擊特性；
3、配合先進的封裝技術，SGT MOSFET器件有助于提升系統(tǒng)效率和功率密度；
4、另有P-60/-80/-100V SGT MOSFET。
2020-11-26 14:54:434609 
。 大功率LED燈具的熱管理主要包括3個方面：芯片級、封裝級和系統(tǒng)集成散熱級。其中，芯片是主要的發(fā)熱部件，其量子效率決定發(fā)熱效率，襯底材料決定芯片向外傳熱效率；對封裝而言，封裝結構、材料以及工藝直接影響散熱效率；系統(tǒng)集成散熱
2021-01-12 14:35:043953 一臺好的發(fā)動力除了功率和扭矩之外，熱效率同樣重要；因為發(fā)動機熱效率越高往往意味著其越省油，這在油價節(jié)節(jié)攀升的當下更具現實意義。
2021-03-02 10:06:252129 一臺好的發(fā)動力除了功率和扭矩之外，熱效率同樣重要；因為發(fā)動機熱效率越高往往意味著其越省油，這在油價節(jié)節(jié)攀升的當下更具現實意義。
2021-03-02 10:52:042651 ，遠超目前國內行業(yè)熱效率水平，處世界先進水平，前瞻技術研究成果未來將應用于新一代混動專用發(fā)動機。 事實上，此次并非吉利汽車在發(fā)動機熱效率領域的首次突破。近年來，吉利汽車一直深耕于混動高效發(fā)動機效率提升的技術研究。從2017年率
2021-05-13 10:44:592927 電源效率與散熱0 前言1 電源效率2 散熱設計0 前言在電路后期優(yōu)化中，提高電源效率可以提高用戶體驗，注重散熱可以保證電路穩(wěn)定運行。1 電源效率提高電源效率的措施有以下幾種：使用DC-DC拓撲；增大功率
2022-01-11 13:37:0717 電源封裝發(fā)展提升能源效率
2022-11-04 09:52:220 相移全橋電路的功率轉換效率提升，針對本系列文章的主題——轉換效率，本文將會給出使用實際電源電路進行評估的結果。具體而言，本文對Q1～Q4的MOSFET使用導通電阻約0.2Ω的五種快速恢復型SJ MOSFET時的結果進行了比較。
2023-02-13 09:30:062124 
未來電力電子系統(tǒng)的設計將持續(xù)推進，以實現最高水平的性能和功率密度。為順應這一發(fā)展趨勢，英飛凌科技有限公司推出了全新的3.3 x 3.3 mm2 PQFN 封裝的源極底置功率MOSFET，電壓范圍涵蓋
2023-02-16 16:27:221708 TO-220 封裝的 N 溝道 80 V、3.5 mΩ 標準電平 MOSFET-PSMN3R5-80PS
2023-02-22 19:00:220 TO-220 封裝的 N 溝道 80 V、3.3 mΩ 標準電平 MOSFET-PSMN3R3-80PS
2023-02-22 19:00:520 點擊藍字?關注我們 電源應用中的 MOSFET 大多是表面貼裝器件 (SMD)，包括 SO8FL、u8FL 和 LFPAK 等封裝。通常選擇這些 SMD 的原因是它們具有良好的功率能力，同時尺寸較小
2023-03-10 21:50:042468 總之，芯片導熱硅脂是一種非常有效的散熱材料，它可以大大提高大功率晶體管的散熱效率，保證機器設備的正常運行和可靠性
2023-06-08 17:34:261799 
有沒有什么辦法能讓發(fā)動機的熱效率大幅提升，如果能提升到一半甚至現有水平的一倍，燃油車的未來又會是什么樣子呢？
2023-09-12 11:12:231899 
隨著汽車行業(yè)逐步縱深電氣化，我們已經創(chuàng)造出了顯著減少碳排放的可能性。然而，由此而來的是，增加的電子設備使得汽車對電力運作的需求日益攀升，這無疑對電源網絡提出了更高的功率密度和效率的要求。在其中，MOSFET以其在電源管理設計中的關鍵切換功能，成為了提升功率密度不可或缺的元素。
2023-11-20 14:10:061580 
新半導體技術將提升功率轉換效率
2023-12-15 09:18:511355 
發(fā)動機的熱效率，是指發(fā)動機有效功率的熱量與單位時間所消耗燃料的熱量比值。簡單來理解就是燃油燃燒后產生的能量有多少轉變成了汽車的驅動力。
2024-02-29 14:31:373229 
近日，全球知名的半導體解決方案供應商Vishay宣布推出新型80V對稱雙通道N溝道功率MOSFET，型號為SiZF4800LDT。這款新產品將高邊和低邊TrenchFET? Gen IV
2024-03-12 10:32:021362 英飛凌科技近日推出了其最新的OptiMOS? 7 80 V系列首款產品——IAUCN08S7N013。這款MOSFET技術不僅顯著提升了功率密度，還采用了通用且堅固的SSO8 5x6mm2 SMD封裝。
2024-05-07 15:08:071440 電子發(fā)燒友網站提供《如何設計散熱效率高的集成BLDCM電機驅動PCB.pdf》資料免費下載
2024-09-29 09:59:550 現代電子應用需要高開關頻率以實現相應的高效率。功率MOSFET是電力密集型應用中的重要組成部分。它們具有相對較低的門電荷，使其非常適合中高功率的應用場景。這種較低的門電荷減少了驅動電流的要求，從而
2024-11-26 11:17:051309 
基礎半導體器件領域的高產能生產專家Nexperia（安世半導體）近日宣布推出16款新80 V和100 V功率MOSFET。這些產品均采用創(chuàng)新型銅夾片CCPAK1212封裝，具有業(yè)內領先的功率
2024-12-12 11:35:134678 提供超低RDS(on)和超高的電流與熱管理能力 ? 奈梅亨，2024 年12 月12 日 ：Nexperia今日宣布推出16款新80 V和100 V功率MOSFET。這些產品均采用創(chuàng)新型銅夾片
2024-12-16 14:09:09578 DOH：DirectonHeatsink,熱沉。助力提升TEC、MOSFET、IPM、IGBT等功率器件性能提升，解決孔洞和裂紋問題提升產品良率及使用壽命。為綜合評估SiC功率模塊的液冷冷板散熱效果
2024-12-24 06:41:261405 
封裝工藝正從傳統(tǒng)保護功能向系統(tǒng)級集成演進，其核心在于平衡電氣性能、散熱效率與制造成本?。 一、封裝工藝的基本概念 芯片封裝是將半導體芯片通過特定工藝封裝于保護性外殼中的技術，主要功能包括： 物理保護
2025-04-16 14:33:342238 ，散熱效率比風冷提升50%，支持單機柜15kW+功率密度，PUE降至1.2以下，并實現余熱回收利用。 高風壓風機系統(tǒng)?：針對復雜風道環(huán)境，采用靜壓200-500Pa的風機，穿透服務器內部密集組件（如NPU加速器），氣流速度提升30%-50%，有效消除局部熱點。 冗余散
2025-06-09 09:19:38662 
。其核心器件——MOSFET，在設計中扮演著至關重要的角色。本文將深入探討同步整流MOSFET的選型要點和提升效率的設計技巧。一、同步整流的基本原理傳統(tǒng)整流使用二極
2025-07-03 09:42:30753 
與電流路徑解耦"的核心設計，實現了功率密度與散熱效率的跨越式升級，標志著我國在高功率半導體封裝技術領域成功躋身國際先進行列！ TOLT-16封裝圖 ?創(chuàng)新封裝，破解高功率散熱難題 VBGQTA1101采用的TOLT封裝，通過將散熱路徑與電流傳輸路徑分離，徹底解決了傳統(tǒng)封裝中熱管理與
2025-10-11 19:43:0019764 
當AI技術芯片的功耗和熱量不斷攀升，散熱成為技術進步新瓶頸。微軟最新研發(fā)的微流體冷卻系統(tǒng)突破傳統(tǒng)冷板限制，將液體冷卻劑直接引入芯片內部，散熱效率提升最高3倍。這項技術不僅顯著降低溫升與能耗，還為3D芯片架構和更高密度的數據中心鋪平道路，標志著AI技術算力基礎設施邁向更高效、更可持續(xù)的新階段。
2025-11-17 09:39:35534
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工商網監(jiān)
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