員要求的更低的寄生參數(shù)滿足開關(guān)電源(SMPS)的設(shè)計(jì)要求。650V碳化硅場(chǎng)效應(yīng)管器件在推出之后,可以補(bǔ)充之前只有1200V碳化硅場(chǎng)效應(yīng)器件設(shè)計(jì)需求,碳化硅場(chǎng)效應(yīng)管(SiC MOSFET)由于能夠?qū)崿F(xiàn)硅
2023-03-14 14:05:02
。如下圖,這是一個(gè)碼表,我看到他的單片機(jī)封裝得好奇怪,但我覺得應(yīng)該是批量生產(chǎn)省成本的吧?我現(xiàn)在用來學(xué)習(xí)的89C52 是可以不斷改寫的,而我批量生產(chǎn)時(shí),當(dāng)然是不需要的是吧?問題是:我想要批量生產(chǎn)可以支持
2013-09-21 19:45:43
,因此碳化硅功率器件有低的結(jié)到環(huán)境的熱阻。 (4)碳化硅器件可工作在高溫,碳化硅器件已有工作在600oC的報(bào)道,而硅器件的最大工作溫度僅為150oC. (5)碳化硅具有很高的抗輻照能力。 (6
2019-01-11 13:42:03
本文的目的是分析碳化硅MOSFET的短路實(shí)驗(yàn)(SCT)表現(xiàn)。具體而言,該實(shí)驗(yàn)的重點(diǎn)是在不同條件下進(jìn)行專門的實(shí)驗(yàn)室測(cè)量,并借助一個(gè)穩(wěn)健的有限元法物理模型來證實(shí)和比較測(cè)量值,對(duì)短路行為的動(dòng)態(tài)變化進(jìn)行深度評(píng)估。
2019-08-02 08:44:07
應(yīng)用領(lǐng)域。更多規(guī)格參數(shù)及封裝產(chǎn)品請(qǐng)咨詢我司人員!附件是海飛樂技術(shù)碳化硅二極管選型表,歡迎大家選購(gòu)!碳化硅(SiC)半導(dǎo)體材料是自第一代元素半導(dǎo)體材料(Si、Ge)和第二代化合物半導(dǎo)體材料(GaAs
2019-10-24 14:21:23
200V,但是碳化硅肖特基二極管能擁有較短恢復(fù)時(shí)間實(shí)踐,同時(shí)在正向電壓也減少,耐壓也大大超過200V,典型的電壓有650V、1200V等,另外在反向恢復(fù)造成的損耗方面碳化硅肖特基二極管也有很大優(yōu)勢(shì)。在
2020-06-28 17:30:27
的碳化硅壓敏電阻由約90%的不同晶粒尺寸的碳化硅和10%的陶瓷粘合劑和添加劑制成。將原材料制成各種幾何尺寸的壓敏電阻,然后在特定的大氣和環(huán)境條件下在高溫下燒結(jié)。然后將一層黃銅作為電觸點(diǎn)噴上火焰。其他標(biāo)準(zhǔn)
2024-03-08 08:37:49
進(jìn)一步了解碳化硅器件是如何組成逆變器的。
2021-03-16 07:22:13
今天我們來聊聊碳化硅器件的特點(diǎn)
2021-03-16 08:00:04
碳化硅(SiC)即使在高達(dá)1400℃的溫度下,仍能保持其強(qiáng)度。這種材料的明顯特點(diǎn)在于導(dǎo)熱和電氣半導(dǎo)體的導(dǎo)電性極高。碳化硅化學(xué)和物理穩(wěn)定性,碳化硅的硬度和耐腐蝕性均較高。是陶瓷材料中高溫強(qiáng)度好的材料
2021-01-12 11:48:45
上,對(duì)介電常數(shù)要求嚴(yán)格,雖然有低溫共燒陶瓷,仍然無法滿足他們的要求,需要一種性能更好的升級(jí)產(chǎn)品,建議可以使用富力天晟的碳化硅基板;因應(yīng)汽車需求而特別開發(fā)的產(chǎn)品(如IC 載板、軟板、銀膠貫孔等),也在向
2020-12-16 11:31:13
。 總結(jié) 與硅替代品相比,SiC MOSFET 具有一系列優(yōu)勢(shì),再加上其在硬開關(guān)應(yīng)用中的魯棒性,使其值得在最有效的功率轉(zhuǎn)換應(yīng)用中加以考慮。650 V CoolSiC 系列的推出使 SiC? MOSFET 技術(shù)在經(jīng)濟(jì)上更加可行,適合那些將功率轉(zhuǎn)換推向極限的用戶。
2023-02-23 17:11:32
。強(qiáng)氧化氣體在1000℃以上與SiC反應(yīng),并分解SiC.水蒸氣能促使碳化硅氧化在有50%的水蒸氣的氣氛中,能促進(jìn)綠色碳化硅氧化從100℃開始,隨著溫度的提高,氧化程度愈為明顯,到1400℃時(shí)為最大
2019-07-04 04:20:22
和 DC-AC 變流器等。集成式快速開關(guān) 50A IGBT 的關(guān)斷性能優(yōu)于純硅解決方案,可與 MOSFET 媲美。較之常規(guī)的碳化硅 MOSFET,這款即插即用型解決方案可縮短產(chǎn)品上市時(shí)間,能以更低成本實(shí)現(xiàn) 95
2021-03-29 11:00:47
硅與碳的唯一合成物就是碳化硅(SiC),俗稱金剛砂。SiC 在自然界中以礦物碳硅石的形式存在,但十分稀少。不過,自1893 年以來,粉狀碳化硅已被大量生產(chǎn)用作研磨劑。碳化硅用作研磨劑已有一百多年
2019-07-02 07:14:52
碳化硅作為現(xiàn)在比較好的材料,為什么應(yīng)用的領(lǐng)域會(huì)受到部分限制呢?
2021-08-19 17:39:39
商用?! ?b class="flag-6" style="color: red">碳化硅肖特基二極管從2001年開始商用,至今已有20年商用積累,并在部分高中端電源市場(chǎng)批量應(yīng)用,逐步向通用市場(chǎng)滲透,具備廣闊的市場(chǎng)前景?! ?b class="flag-6" style="color: red">碳化硅材料在禁帶寬度和臨界擊穿場(chǎng)強(qiáng)等關(guān)鍵特性上具有
2023-02-28 16:55:45
。 基本半導(dǎo)體自主研發(fā)推出了650V、1200V、1700V系列標(biāo)準(zhǔn)封裝碳化硅肖特基二極管及1200V碳化硅MOSFET產(chǎn)品,具有極高的工作效率,性能優(yōu)越達(dá)到國(guó)際先進(jìn)水平,可廣泛應(yīng)用于新能源充電樁、光伏逆變器
2023-02-28 16:34:16
哪位大神知道CISSOID碳化硅驅(qū)動(dòng)芯片有幾款,型號(hào)是什么
2020-03-05 09:30:32
EAB450M12XM3全碳化硅半橋功率模塊CREEEAB450M12XM3是Wolfspeed(原CREE科銳)生產(chǎn)的1200V、450A全碳化硅半橋功率模塊,致力于高功率、高效化技術(shù)應(yīng)用打造
2025-06-25 09:13:14
SIC碳化硅二極管
2016-11-04 15:50:11
TGF2023-2-10碳化硅晶體管產(chǎn)品介紹TGF2023-2-10報(bào)價(jià)TGF2023-2-10代理TGF2023-2-10咨詢熱線TGF2023-2-10現(xiàn)貨,王先生*** 深圳市首質(zhì)誠(chéng)
2018-06-12 10:22:42
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2018-11-15 11:59:01
TGF2955碳化硅晶體管產(chǎn)品介紹TGF2955報(bào)價(jià)TGF2955代理TGF2955TGF2955現(xiàn)貨,王先生 深圳市首質(zhì)誠(chéng)科技有限公司TGF2955是離散的7.56毫米GaN-on-SiC
2018-11-15 14:06:57
基本半導(dǎo)體推出的1200V 80mΩ的碳化硅MOSFET兩種封裝的典型產(chǎn)品B1M080120HC(TO-247-3)和B1M080120HK(TO-247-4)為例,從理論上來解釋TO-247-4中輔助源
2023-02-27 16:14:19
,從而能夠改善應(yīng)用終端的性能和效率,并且比碳化硅材料要好得多,因此,可以大規(guī)模生產(chǎn)?,F(xiàn)在,研究和開發(fā)人員正致力于收集有關(guān)的資料來驗(yàn)證以上的結(jié)論。森勇介教授,日本大坂大學(xué),在以上研究和開發(fā)活動(dòng)中
2023-02-23 15:46:22
*附件:國(guó)產(chǎn)SiC碳化硅MOSFET功率模塊在工商業(yè)儲(chǔ)能變流器PCS中的應(yīng)用.pdf
2025-01-20 14:19:40
什么是碳化硅(SiC)?它有哪些用途?碳化硅(SiC)的結(jié)構(gòu)是如何構(gòu)成的?
2021-06-18 08:32:43
由米勒電容引起的寄生導(dǎo)通效應(yīng),常被認(rèn)為是當(dāng)今碳化硅MOSFET應(yīng)用的一大缺陷。為了避免這種效應(yīng),在硬開關(guān)變流器的柵極驅(qū)動(dòng)設(shè)計(jì)中,通常采用負(fù)柵極電壓關(guān)斷。但是這對(duì)于CoolSiC? MOSFET
2023-02-27 13:53:56
系統(tǒng)能做得越小巧,則電動(dòng)車的電池續(xù)航力越高。這是電動(dòng)車廠商之所以對(duì)碳化硅解決方案趨之若鶩的主要原因。相較于碳化硅在大功率電力電子設(shè)備上攻城略地,氮化鎵組件則是在小型化電源應(yīng)用產(chǎn)品領(lǐng)域逐漸擴(kuò)散,與碳化硅
2021-09-23 15:02:11
電機(jī)驅(qū)動(dòng)。碳化硅器件和碳化硅模組可用于太陽(yáng)能發(fā)電、風(fēng)力發(fā)電、電焊機(jī)、電力機(jī)車、遠(yuǎn)距離輸電、服務(wù)器、家電、電動(dòng)汽車、充電樁等用途。創(chuàng)能動(dòng)力于2015年在國(guó)內(nèi)開發(fā)出6英寸SiC制造技術(shù),2017年推出基于6
2023-02-22 15:27:51
,換向電感只能在DBC設(shè)計(jì)的限制范圍內(nèi)得到改善。由此產(chǎn)生的換向電感約為 20nH,對(duì)于 6 組功率模塊,這允許在中低功率范圍內(nèi)使用全 SiC 模塊。在全碳化硅中,MiniSKiiP 提供 25A 至
2023-02-20 16:29:54
75A的混合碳化硅分立器件,并同時(shí)推出了TO-247-3和TO-247-4封裝(如上圖),使得客戶在不需要更改電源電路和PCB的基礎(chǔ)上,直接進(jìn)行Pin To Pin替換驗(yàn)證測(cè)試及使用,在同樣的設(shè)計(jì)系統(tǒng)中
2023-02-28 16:48:24
采用溝槽型、低導(dǎo)通電阻碳化硅MOSFET芯片的半橋功率模塊系列 產(chǎn)品型號(hào) BMF600R12MCC4 BMF400R12MCC4 汽車級(jí)全碳化硅半橋MOSFET模塊Pcore2
2023-02-27 11:55:35
和 1200V SiC 功率芯片集成在同一塊 DBC 板上,使半橋模塊面積僅為 TO-247 單管大小,極大地減小了驅(qū)動(dòng)回路和功率回路的寄生電感參數(shù)。阿肯色大學(xué)則針對(duì)碳化硅芯片開發(fā)了相關(guān)的 SiC CMOS 驅(qū)動(dòng)
2023-02-22 16:06:08
新型材料鋁碳化硅解決了封裝中的散熱問題,解決各行業(yè)遇到的各種芯片散熱問題,如果你有類似的困惑,歡迎前來探討,鋁碳化硅做封裝材料的優(yōu)勢(shì)它有高導(dǎo)熱,高剛度,高耐磨,低膨脹,低密度,低成本,適合各種產(chǎn)品的IGBT。我西安明科微電子材料有限公司的趙昕。歡迎大家有問題及時(shí)交流,謝謝各位!
2016-10-19 10:45:41
工作頻率;(3) 由于拓?fù)浜?jiǎn)化,采用硅600V MOSFET的方案在每個(gè)開通時(shí)刻有兩顆MOSFET同時(shí)導(dǎo)通,所以實(shí)際等效導(dǎo)通損耗會(huì)比采用全橋拓?fù)涞?200V碳化硅MOSFET要大;(4) 低寄生電容
2016-08-25 14:39:53
10μs,在設(shè)計(jì)硅IGBT的短路保護(hù)電路時(shí),建議將短路保護(hù)的檢測(cè)延時(shí)和相應(yīng)時(shí)間設(shè)置在5-8μs較為合適?! ?)碳化硅MOSFET 一般碳化硅MOSFET模塊短路承受能力小于5μs,要求短路保護(hù)在3
2023-02-27 16:03:36
面向電動(dòng)汽車的全新碳化硅功率模塊 碳化硅在電動(dòng)汽車應(yīng)用中代表著更高的效率、更高的功率密度和更優(yōu)的性能,特別是在800 V 電池系統(tǒng)和大電池容量中,它可提高逆變器的效率,從而延長(zhǎng)續(xù)航里程或降低電池成本
2021-03-27 19:40:16
好,硬度大(莫氏硬度為9.5級(jí),僅次于世界上最硬的金剛石(10級(jí)))、導(dǎo)熱性能優(yōu)良、高溫抗氧化能力強(qiáng)等。由于天然含量甚少,碳化硅主要多為人造。二、碳化硅半導(dǎo)體器件由于碳化硅具有不可比擬的優(yōu)良性能,碳化硅
2023-02-20 15:15:50
最近需要用到干法刻蝕技術(shù)去刻蝕碳化硅,采用的是ICP系列設(shè)備,刻蝕氣體使用的是SF6+O2,碳化硅上面沒有做任何掩膜,就是為了去除SiC表面損傷層達(dá)到表面改性的效果。但是實(shí)際刻蝕過程中總是會(huì)在碳化硅
2022-08-31 16:29:50
CAB400M12XM3是XM3 半橋電源模塊系列。1200 V 半橋電源模塊,專為碳化硅而設(shè)計(jì),可實(shí)現(xiàn)高功率密度.借我們的首款汽車認(rèn)證 1200 V、450 A、全碳化硅傳導(dǎo)優(yōu)化半橋 XM3
2022-06-08 19:48:51
CAB425M12XM3是XM3 半橋電源模塊系列。1200 V 半橋電源模塊,專為碳化硅而設(shè)計(jì),可實(shí)現(xiàn)高功率密度.憑借我們的首款汽車認(rèn)證 1200 V、450 A、全碳化硅傳導(dǎo)優(yōu)化半橋 XM3
2022-06-08 19:54:48
CAB450M12XM3是XM3 半橋電源模塊系列。1200 V 半橋電源模塊,專為碳化硅而設(shè)計(jì),可實(shí)現(xiàn)高功率密度.憑借我們的首款汽車認(rèn)證 1200 V、450 A、全碳化硅傳導(dǎo)優(yōu)化半橋 XM3
2022-06-08 20:06:36
EAB450M12XM3是XM3 半橋電源模塊系列。1200 V 半橋電源模塊,專為碳化硅而設(shè)計(jì),可實(shí)現(xiàn)高功率密度.憑借我們的首款汽車認(rèn)證 1200 V、450 A、全碳化硅傳導(dǎo)優(yōu)化半橋 XM3
2022-06-09 19:32:13
2016年5月10日,德國(guó)慕尼黑訊——英飛凌科技股份公司(FSE: IFX / OTCQX: IFNNY)推出革命性的碳化硅(SiC)MOSFET技術(shù),使產(chǎn)品設(shè)計(jì)可以在功率密度和性能上達(dá)到前所未有的水平。英飛凌的CoolSiC? MOSFET具備更大靈活性,可提高效率和頻率。
2016-05-10 18:14:09
1448 具體來說,在新能源發(fā)電系統(tǒng)中,采用碳化硅技術(shù)能夠達(dá)到的更高的效率意味著其能夠更早地替代傳統(tǒng)的石化燃料發(fā)電。英飛凌為光伏串組串逆變器的升壓和逆變部分提供量身定制的模塊系列,可以提升的逆變器效率和性能。在充電樁應(yīng)用中,英飛凌的全碳化硅解決方案大幅提升功率密度,從而使充電設(shè)備變得更加輕巧便捷。
2018-05-04 09:05:01
10071 據(jù)外媒報(bào)道,在今年的紐倫堡PCIM歐洲展會(huì)上,英飛凌(Infineon)推出了首款車用碳化硅產(chǎn)品,肖特基(Schottky)二極管,并為其新創(chuàng)了一個(gè)品牌名CoolSiC。
2018-09-21 14:36:50
5349 各行業(yè)所需高溫半導(dǎo)體解決方案的領(lǐng)導(dǎo)者CISSOID,在2019年歐洲功率電子及智能傳動(dòng)產(chǎn)品展覽會(huì)(PCIM 2019)上展示了最新的高溫柵極驅(qū)動(dòng)器、碳化硅(SiC)MOSFET器件和IGBT功率模塊
2019-05-16 09:10:56
4561 英飛凌科技股份公司(FSE:IFX/OTCQX:IFNNY)推出了1200V碳化硅(SiC)集成功率模塊(IPM),并在今年大規(guī)模推出了SiC解決方案。CIPOS Maxi IPM IM828系列
2021-01-08 11:34:51
4444 《碳化硅產(chǎn)品級(jí)別的質(zhì)量認(rèn)證》 1. 根據(jù)實(shí)際應(yīng)用條件進(jìn)行超越當(dāng)前標(biāo)準(zhǔn)的測(cè)試 對(duì)分立器件和模塊,均按相關(guān)標(biāo)準(zhǔn)進(jìn)行常規(guī)檢測(cè),其中包括HTRB、H3TRB和HTGS。這些試驗(yàn)對(duì)于技術(shù)的發(fā)布是必不可少
2021-02-08 09:38:00
8078 
與業(yè)內(nèi)人士交流互動(dòng)產(chǎn)品和應(yīng)用技術(shù)。 借英飛凌碳化硅20周年之際,9月10日,我們在展會(huì)會(huì)場(chǎng),隆重舉辦第三屆碳化硅應(yīng)用技術(shù)發(fā)展論壇,敬請(qǐng)蒞臨。 英飛凌科技股份公司(FSE:IFX/OTCQX:IFNNY)將EasyDUAL CoolSiC MOSFET模塊升級(jí)為新型氮化鋁(AIN) 陶瓷。該器件采用半橋配置
2021-08-24 09:31:50
3563 ,基本半導(dǎo)體總經(jīng)理和巍巍博士發(fā)布了汽車級(jí)全碳化硅模塊、第三代碳化硅肖特基二極管、混合碳化硅分立器件三大系列碳化硅新品。至此基本半導(dǎo)體產(chǎn)品布局進(jìn)一步完善,產(chǎn)品競(jìng)爭(zhēng)力再度提升,將助力國(guó)內(nèi)第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)進(jìn)一步發(fā)展?;景雽?dǎo)體的碳化硅
2021-11-29 14:54:08
9429 
高端數(shù)字化智能工廠。 該基地將于2022年3月進(jìn)行小批量試生產(chǎn),年中實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)交付,2022年產(chǎn)能為25萬只模塊,2025年之前將提升至150萬只。 ? 本文圖源?基本半導(dǎo)體 這是基本半導(dǎo)體針對(duì)即將迎來爆發(fā)期的新能源汽車碳化硅市場(chǎng),提前布局、搶
2021-12-31 10:55:43
3454 
新一代碳化硅模塊采用增強(qiáng)型CoolSiC? MOSFET(M1H),首發(fā)型號(hào)為EasyPACK?和EasyDUAL?封裝。
2022-06-14 09:47:19
2347 在今年的虛擬 PCIM 貿(mào)易展上,英飛凌科技發(fā)布了一款基于成熟的、市場(chǎng)領(lǐng)先的 CoolSiC MOSFET 技術(shù)的新型汽車電源模塊。HybridPACK Drive CoolSiC 具有 1200
2022-08-04 17:09:47
2100 
汽車級(jí)全碳化硅三相全橋MOSFET模塊Pcore6是基本半導(dǎo)體基于廣大汽車廠商對(duì)核心牽引驅(qū)動(dòng)器功率器件的高性能、高效率等需求設(shè)計(jì)并推出的產(chǎn)品。
2022-09-13 15:49:02
2807 相比硅基功率半導(dǎo)體,碳化硅功率半導(dǎo)體在開關(guān)頻率、損耗、散熱、小型化等方面存在優(yōu)勢(shì),隨著特斯拉大規(guī)模量產(chǎn)碳化硅逆變器之后,更多的企業(yè)也開始落地碳化硅產(chǎn)品。
2022-10-14 17:52:06
7085 TI WiLink 8Q汽車連接產(chǎn)品系列開始批量生產(chǎn)
2022-11-04 09:52:41
0 碳化硅原理是什么 碳化硅,是一種無機(jī)物,化學(xué)式為SiC,是用石英砂、石油焦(或煤焦)、木屑(生產(chǎn)綠色碳化硅時(shí)需要加食鹽)等原料通過電阻爐高溫冶煉而成。碳化硅在大自然也存在罕見的礦物,莫桑石。在C、N
2023-02-02 14:50:02
3904 碳化硅模塊上車高濕測(cè)試 ? 2021年碳化硅很“熱”。比亞迪 半導(dǎo)體 、派恩杰、中車時(shí)代電氣、基本半導(dǎo)體等國(guó)內(nèi)碳化硅功率器件供應(yīng)商的產(chǎn)品批量應(yīng)用在汽車上,浙江金華、安徽合肥等地碳化硅項(xiàng)目開始投建
2023-02-21 09:26:45
2 如果要說當(dāng)前半導(dǎo)體行業(yè)最熱的話題是什么,無疑是第三代半導(dǎo)體,而這其中SiC毋庸置疑是最引人注目的當(dāng)紅“炸子雞”。英飛凌自1992開始著手于碳化硅的研究,在長(zhǎng)達(dá)30年的時(shí)間里,英飛凌不斷地進(jìn)行技術(shù)打磨
2023-05-19 10:27:03
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伴隨著這座采用領(lǐng)先前沿技術(shù) 200mm 碳化硅制造工廠的建設(shè)和產(chǎn)能擴(kuò)充計(jì)劃的執(zhí)行,莫霍克谷器件工廠已經(jīng)開始向中國(guó)終端客戶批量出貨碳化硅 MOSFET,首批供應(yīng)的產(chǎn)品型號(hào)為 C3M0040120K。莫霍克谷器件工廠后續(xù)還將開始更多產(chǎn)品型號(hào)碳化硅器件的樣品申請(qǐng),并批量出貨中國(guó)市場(chǎng)。
2023-07-05 10:31:44
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? 根據(jù)Wolfspeed的最新消息,隨著其在紐約州莫霍克谷工廠的投產(chǎn),Wolfspeed已經(jīng)開始向中國(guó)終端客戶批量出貨碳化硅MOSFET,首批供應(yīng)的產(chǎn)品型號(hào)為C3M0040120K。莫霍克谷器件
2023-07-06 10:35:14
1265 在碳化硅產(chǎn)業(yè)鏈中,碳化硅襯底制造是碳化硅產(chǎn)業(yè)鏈技術(shù)壁壘最高、價(jià)值量最大的環(huán)節(jié),是未來碳化硅大規(guī)模產(chǎn)業(yè)化推進(jìn)的核心環(huán)節(jié)。
碳化硅襯底的生產(chǎn)流程包括長(zhǎng)晶、切片、研磨和拋光四個(gè)環(huán)節(jié)。
2023-10-27 09:35:57
3651 基礎(chǔ)半導(dǎo)體器件領(lǐng)域的高產(chǎn)能生產(chǎn)專家 Nexperia(安世半導(dǎo)體)近日宣布推出其首款碳化硅(SiC) MOSFET,并發(fā)布兩款采用 3 引腳 TO-247 封裝的 1200 V 分立器件,RDS(on) 分別為 40 mΩ 和 80 mΩ。
2023-12-04 10:39:50
1725 英飛凌科技股份公司(FSE代碼:IFX/OTCQX代碼:IFNNY)近日宣布其CoolSiC1200V和2000VMOSFET模塊系列新添全新工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)封裝產(chǎn)品。其采用新推出的增強(qiáng)型M1H碳化硅
2023-12-02 08:14:01
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11月14日,英飛凌科技的62mmCoolSiCMOSFET2000VM1H碳化硅半橋模塊憑借其卓越的性能,榮獲2023年度行家極光獎(jiǎng)最具影響力產(chǎn)品獎(jiǎng),再次展現(xiàn)了英飛凌在碳化硅領(lǐng)域的技術(shù)創(chuàng)新能力
2023-12-21 08:14:09
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材料的生長(zhǎng)和加工難度較大,其特色工藝模塊的研究和應(yīng)用成為了當(dāng)前碳化硅產(chǎn)業(yè)發(fā)展的關(guān)鍵。 碳化硅特色工藝模塊主要包括以下幾個(gè)方面: 注入摻雜 在碳化硅中,碳硅鍵能較高,雜質(zhì)原子難以在其中擴(kuò)散。因此,在制備碳化硅器件時(shí)
2024-01-11 17:33:14
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在全球范圍內(nèi),有多家企業(yè)生產(chǎn)IGBT/碳化硅模塊,以下是一些知名的企業(yè)。
2024-01-25 14:01:22
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近日,芯聯(lián)集成與蔚來汽車簽署了碳化硅模塊產(chǎn)品的生產(chǎn)供貨協(xié)議。根據(jù)協(xié)議條款,芯聯(lián)集成將成為蔚來首款自研1200V碳化硅模塊的獨(dú)家生產(chǎn)供應(yīng)商。
2024-01-31 10:29:51
1038 碳化硅(SiC)技術(shù)一直是推動(dòng)高效能源轉(zhuǎn)換和降低碳排放的關(guān)鍵,英飛凌最近推出的CoolSiC MOSFET第2代(G2)技術(shù),也是要在這個(gè)領(lǐng)域提高了MOSFET的性能指標(biāo),擴(kuò)大還在光伏、儲(chǔ)能、電動(dòng)汽車充電等領(lǐng)域的市場(chǎng)份額。
2024-03-12 09:33:26
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在電力電子領(lǐng)域持續(xù)創(chuàng)新的英飛凌科技股份公司近日宣布,其已成功推出新一代碳化硅(SiC)MOSFET溝槽柵技術(shù)——CoolSiC? MOSFET Generation 2。這一創(chuàng)新技術(shù)的推出,標(biāo)志著功率系統(tǒng)和能量轉(zhuǎn)換領(lǐng)域迎來了新的里程碑,為行業(yè)的低碳化進(jìn)程注入了強(qiáng)大動(dòng)力。
2024-03-12 09:43:29
1432 英飛凌科技股份公司推出的新一代碳化硅(SiC)MOSFET溝槽柵技術(shù),無疑為功率系統(tǒng)和能量轉(zhuǎn)換領(lǐng)域帶來了革命性的進(jìn)步。與上一代產(chǎn)品相比,全新的CoolSiC? MOSFET 650V和1200V
2024-03-20 10:32:36
1715 英飛凌科技推出新一代碳化硅(SiC)MOSFET溝槽柵技術(shù),開啟功率系統(tǒng)和能量轉(zhuǎn)換的新篇章。與上一代產(chǎn)品相比,英飛凌全新的 CoolSiC? MOSFET 650 V 和 1200 V
2024-04-20 10:41:20
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近日,我們注意到在電動(dòng)車行業(yè)中,小米電動(dòng)汽車的新款SU7將由英飛凌科技提供具備碳化硅(SiC)元素的功率模塊CoolSiC以及裸芯片產(chǎn)品。英飛凌的這款CoolSiC技術(shù)產(chǎn)品可以實(shí)現(xiàn)更高的工作溫度,并
2024-05-07 11:30:36
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在成功發(fā)布首款1200V 100A H橋全碳化硅模塊后,先導(dǎo)中心再度展現(xiàn)了其技術(shù)實(shí)力,推出了全新的1200V 100A 三電平全碳化硅模塊。
2024-05-09 14:25:26
1354 半導(dǎo)體領(lǐng)域的創(chuàng)新者英飛凌科技近日發(fā)布了一款革命性的數(shù)字驅(qū)動(dòng)評(píng)估板——EVAL-FFXMR20KM1HDR,專為2kV碳化硅MOSFET模塊設(shè)計(jì)。這款評(píng)估板為工程師們提供了一個(gè)快速、便捷的測(cè)試平臺(tái),以評(píng)估基于2kV碳化硅MOSFET樣機(jī)的性能特性。
2024-05-11 11:33:45
1358 迄今為止,英飛凌1200VCoolSiCMOSFETM1HEasy模塊系列的很多產(chǎn)品已經(jīng)正式推出。錯(cuò)過了IPAC碳化硅Easy模塊直播間的小伙伴們有福啦!我們貼心地為您整理了直播的精華以及筆記重點(diǎn)
2024-05-16 08:14:00
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英飛凌IPAC直播間|CoolSiC碳化硅直播季第二期將為大家介紹兩款將在7月正式發(fā)布的3300V高壓SiC產(chǎn)品組合系列,一是漏極-源極導(dǎo)通電阻2.0m?(25℃條件下),標(biāo)稱電流1000A的模塊
2024-06-21 08:14:31
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全球能源轉(zhuǎn)型相關(guān)應(yīng)用領(lǐng)域,例如,光伏、儲(chǔ)能、電動(dòng)汽車和電動(dòng)汽車充電基礎(chǔ)設(shè)施。英飛凌CoolSiC產(chǎn)品系列在這些領(lǐng)域大有可為。掃碼下載英飛凌碳化硅白皮書QCoolSi
2024-07-12 08:14:41
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英飛凌繼推出市面首款擊穿電壓達(dá)到2000V的CoolSiCMOSFET分立器件,再次推出首個(gè)應(yīng)用于2000VCoolSiCMOSFET的評(píng)估板。本次IPAC直播間特邀評(píng)估板開發(fā)團(tuán)隊(duì),免費(fèi)教學(xué),帶您深入了解兩款評(píng)估板設(shè)計(jì)精髓與測(cè)試要點(diǎn),領(lǐng)略英飛凌2000VCoolSiC碳化硅產(chǎn)品的高效與可靠
2024-08-02 08:14:50
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全球領(lǐng)先的芯片制造商 Wolfspeed 近日宣布了一項(xiàng)重大技術(shù)創(chuàng)新,成功推出了一款專為可再生能源、儲(chǔ)能系統(tǒng)以及高容量快速充電領(lǐng)域設(shè)計(jì)的碳化硅模塊。這款模塊以 Wolfspeed 最尖端的 200 毫米碳化硅晶片為核心,實(shí)現(xiàn)了前所未有的性能飛躍。
2024-09-12 17:13:32
1309 英飛凌開始向客戶提供首批采用先進(jìn)的200mm碳化硅(SiC)晶圓制造技術(shù)的SiC產(chǎn)品這些產(chǎn)品在奧地利菲拉赫生產(chǎn),為高壓應(yīng)用領(lǐng)域提供一流的SiC功率技術(shù)200mmSiC的生產(chǎn)將鞏固英飛凌在所
2025-02-18 17:32:45
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2月27日,三安光電與意法半導(dǎo)體在重慶合資設(shè)立的安意法半導(dǎo)體碳化硅晶圓廠正式通線。預(yù)計(jì)項(xiàng)目將在2025年四季度實(shí)現(xiàn)批量生產(chǎn),這將成為國(guó)內(nèi)首條8英寸車規(guī)級(jí)碳化硅功率芯片規(guī)模化量產(chǎn)線,項(xiàng)目規(guī)劃全面達(dá)產(chǎn)
2025-02-27 18:45:10
4659 近日,博世汽車電子中國(guó)區(qū)(ME-CN)在蘇州五廠建成碳化硅(SiC)功率模塊生產(chǎn)基地,并于2025年1月成功下線首批產(chǎn)品。這標(biāo)志著博世在全球碳化硅功率模塊制造領(lǐng)域邁出了重要一步,也進(jìn)一步提升了本土市場(chǎng)的響應(yīng)速度,增強(qiáng)了博世智能出行集團(tuán)的競(jìng)爭(zhēng)力。
2025-03-06 18:09:29
1115 在碳化硅(SiC)技術(shù)的應(yīng)用中,許多工程師對(duì)SiC的性能評(píng)價(jià)存在誤解,尤其是關(guān)于“單位面積導(dǎo)通電阻(Rsp)”和“高溫漂移”的問題。作為“碳化硅何以英飛凌”的系列文章,本文將繼續(xù)為您揭開這些誤區(qū)
2025-04-30 18:21:20
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近日,全球電力電子領(lǐng)域的“頂流”盛會(huì)——PCIM Europe 2025在德國(guó)紐倫堡會(huì)展中心盛大開幕?;景雽?dǎo)體攜全系列碳化硅功率器件及門極驅(qū)動(dòng)解決方案盛裝亮相,并隆重發(fā)布新一代碳化硅MOSFET
2025-05-09 09:19:10
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基本半導(dǎo)體推出34mm封裝的全碳化硅MOSFET半橋模塊,該系列產(chǎn)品采用第三代碳化硅MOSFET芯片技術(shù),在比導(dǎo)通電阻、開關(guān)損耗、可靠性等方面表現(xiàn)更出色。
2025-08-01 10:25:14
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基本半導(dǎo)體推出62mm封裝的1200V工業(yè)級(jí)碳化硅MOSFET半橋模塊,產(chǎn)品采用新一代碳化硅MOSFET芯片技術(shù),在保持傳統(tǒng)62mm封裝尺寸優(yōu)勢(shì)的基礎(chǔ)上,通過創(chuàng)新的模塊設(shè)計(jì)顯著降低了模塊雜散電感,使碳化硅MOSFET的高頻性能得到更充分發(fā)揮。
2025-09-15 16:53:03
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評(píng)論