NSB9435 PNP雙極數(shù)字晶體管(BRT)
數(shù)據(jù):
數(shù)據(jù)表:高電流偏置電阻晶體管
該數(shù)字晶體管旨在取代單個器件及其外部電阻偏置網(wǎng)絡(luò)。雙極數(shù)字晶體管包含一個單晶體管,其單片偏置網(wǎng)絡(luò)由兩個電阻組成;一系列基極電阻和基極 - 發(fā)射極電阻。這通過將它們集成到單個設(shè)備中來消除這些單獨的組件,并且可以降低系統(tǒng)成本和電路板空間。
| 特性 |
- 集電極 - 發(fā)射極維持電壓 - V CEO(sus) = 30 Vdc(Min)@ I C = 10 mAdc
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- 高直流電流增益-h FE = 125(最小值)@ I C = 0.8 Adc
= 90(Min)@ I C = 3.0 Adc |
- 低集電極 - 發(fā)射極飽和電壓 - V CE(sat ) = 0.275 Vdc(Max)@ I C = 1.2 Adc
= 0.55 Vdc(Max)@ I C = 3.0 Adc |
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- ESD等級 - 人體模型:1B級
- 機器型號:B級 |
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- 汽車和O的NSV前綴需要獨特站點和控制變更要求的應(yīng)用程序; AECQ101
合格且有PPAP能力 |
電路圖、引腳圖和封裝圖
