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2SC2655-TA

晶體管類型:NPN;集射極擊穿電壓(Vceo):50V;集電極電流(Ic):2A;功率(Pd):900mW;集電極截止電流(Icbo):1uA;集電極-發(fā)射極飽和電壓(VCE(sat)@Ic,Ib):500mV@1A,50mA;直流電流增益(hFE@Ic,Vce):120@500mA,2V;特征頻率(fT):100MHz;工作溫度:-55℃~+150℃@(Tj);

TIP31A__SPTECH

MMBT4403__HXY MOSFET

晶體管類型:PNP;集射極擊穿電壓(Vceo):40V;集電極電流(Ic):600mA;功率(Pd):300mW;直流電流增益(hFE@Ic,Vce):100@150mA,2V;

KTC3551T-RTK/PW

晶體管類型:NPN;集射極擊穿電壓(Vceo):50V;集電極電流(Ic):1A;功率(Pd):900mW;直流電流增益(hFE@Ic,Vce):200@100mA,2V;

BC848BE6327XT

3DD3040A3-H

晶體管類型:NPN;集射極擊穿電壓(Vceo):450V;集電極電流(Ic):2A;功率(Pd):30W;集電極截止電流(Icbo):100uA;集電極-發(fā)射極飽和電壓(VCE(sat)@Ic,Ib):500mV@1A,250mA;特征頻率(fT):5MHz;工作溫度:+150℃@(Tj);

BCX55,135

晶體管類型:NPN;集射極擊穿電壓(Vceo):60V;集電極電流(Ic):1A;功率(Pd):500mW;直流電流增益(hFE@Ic,Vce):100@150mA,2V;

KTD998-O-U/P

晶體管類型:NPN;集射極擊穿電壓(Vceo):120V;集電極電流(Ic):10A;功率(Pd):80W;集電極截止電流(Icbo):10uA;集電極-發(fā)射極飽和電壓(VCE(sat)@Ic,Ib):2.5V@5A,500mA;直流電流增益(hFE@Ic,Vce):55@1A,5V;特征頻率(fT):12MHz;工作溫度:+150℃@(Tj);

BCP53TF

晶體管類型:PNP;集射極擊穿電壓(Vceo):80V;集電極電流(Ic):1A;功率(Pd):600mW;集電極截止電流(Icbo):100nA;集電極-發(fā)射極飽和電壓(VCE(sat)@Ic,Ib):500mV@500mA,50mA;直流電流增益(hFE@Ic,Vce):63@150mA,2V;特征頻率(fT):140MHz;工作溫度:+150℃@(Tj);

2SC3519