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MMBT4401__CBI

2SC2884Y

晶體管類型:NPN;集射極擊穿電壓(Vceo):25V;集電極電流(Ic):1.5A;功率(Pd):1W;集電極截止電流(Icbo):100nA;集電極-發(fā)射極飽和電壓(VCE(sat)@Ic,Ib):500mV@800mA,80mA;直流電流增益(hFE@Ic,Vce):200@100mA,1V;特征頻率(fT):100MHz;工作溫度:+150℃@(Tj);

TIP35CT4TL

晶體管類型:NPN;集射極擊穿電壓(Vceo):100V;集電極電流(Ic):25A;功率(Pd):125W;集電極截止電流(Icbo):1mA;集電極-發(fā)射極飽和電壓(VCE(sat)@Ic,Ib):4V@25A,5A;直流電流增益(hFE@Ic,Vce):15@15A,4V;特征頻率(fT):3MHz;工作溫度:+150℃@(Tj);

BC817K-25R

晶體管類型:NPN;集射極擊穿電壓(Vceo):45V;集電極電流(Ic):500mA;功率(Pd):350mW;直流電流增益(hFE@Ic,Vce):160@100mA,1V;

BC807-40,235

晶體管類型:PNP;集射極擊穿電壓(Vceo):45V;集電極電流(Ic):500mA;功率(Pd):250mW;直流電流增益(hFE@Ic,Vce):250@100mA,1V;

2SA733L-K-T92-B

晶體管類型:PNP;集射極擊穿電壓(Vceo):50V;集電極電流(Ic):150mA;功率(Pd):750mW;集電極截止電流(Icbo):100nA;集電極-發(fā)射極飽和電壓(VCE(sat)@Ic,Ib):100mV@100mA,10mA;直流電流增益(hFE@Ic,Vce):300@1mA,6V;特征頻率(fT):190MHz;工作溫度:+125℃@(Tj);

MAT02NBC

2N3906D26ZTR

MMBTA44__FOSAN

放大倍數(shù)100-200 400V電壓

BC806-25R

晶體管類型:PNP;集射極擊穿電壓(Vceo):80V;集電極電流(Ic):500mA;功率(Pd):250mW;直流電流增益(hFE@Ic,Vce):160@100mA,1V;