--- 產(chǎn)品參數(shù) ---
- 封裝 SOP8封裝
- 溝道 N+P—Channel
--- 數(shù)據(jù)手冊(cè) ---
--- 產(chǎn)品詳情 ---
**產(chǎn)品型號(hào):** W352-VB
**絲印:** VBA5638
**品牌:** VBsemi
**參數(shù):**
- **溝道類型:** N+P溝道MOSFET
- **工作電壓:** ±60V
- **最大電流:** 6.5A(正向) / -5A(反向)
- **導(dǎo)通電阻:** RDS(ON)=28mΩ(@VGS=10V) / 51mΩ(@VGS=20V)
- **門極閾值電壓:** Vth=±1.9V
**封裝:** SOP8

**產(chǎn)品應(yīng)用簡介:**
W352-VB是VBsemi生產(chǎn)的N+P溝道MOSFET,具有優(yōu)秀的性能和可靠性,適用于多種電源管理、功率控制和電機(jī)驅(qū)動(dòng)應(yīng)用。
**應(yīng)用示例:**
1. **電源管理模塊:** 在電源管理模塊中,W352-VB可用作電源開關(guān)或負(fù)載開關(guān),用于控制電源的開關(guān)和調(diào)節(jié)。其高耐壓和大電流能力使其能夠在高壓、大電流的電源系統(tǒng)中穩(wěn)定工作。
2. **功率控制器:** 在功率控制器中,W352-VB可用作功率開關(guān)或電流控制器,用于控制電路中的功率輸出和電流流動(dòng)。其低導(dǎo)通電阻和高功率處理能力能夠確保電路的高效能輸出。
3. **電機(jī)驅(qū)動(dòng)器:** 在電機(jī)驅(qū)動(dòng)器中,W352-VB可用作電機(jī)驅(qū)動(dòng)器的功率開關(guān),用于控制電機(jī)的啟停和轉(zhuǎn)速調(diào)節(jié)。其高耐壓和大電流能力能夠確保電機(jī)系統(tǒng)的穩(wěn)定工作和高效能輸出。
W352-VB可廣泛應(yīng)用于電源管理、功率控制和電機(jī)驅(qū)動(dòng)等領(lǐng)域,為電子產(chǎn)品的穩(wěn)定運(yùn)行和高效性能提供可靠保障。
為你推薦
-
P3004BD-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:51
產(chǎn)品型號(hào):P3004BD-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P3003BDG-VB一款TO252封裝P-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:48
產(chǎn)品型號(hào):P3003BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-P-Channel VDS:-30V VGS:20(±V) Vth:-1.7V -
P2NK90Z-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:47
產(chǎn)品型號(hào):P2NK90Z-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:900V VGS:30(±V) Vth:3.5V -
P2904BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:44
產(chǎn)品型號(hào):P2904BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2804EDG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:42
產(chǎn)品型號(hào):P2804EDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2804BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:40
產(chǎn)品型號(hào):P2804BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2703BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:36
產(chǎn)品型號(hào):P2703BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:30V VGS:20(±V) Vth:1.7V -
P2610BD-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:31
產(chǎn)品型號(hào):P2610BD-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:100V VGS:20(±V) Vth:1.8V -
P2610ADG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:28
產(chǎn)品型號(hào):P2610ADG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:100V VGS:20(±V) Vth:1.8V -
P2504BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:25
產(chǎn)品型號(hào):P2504BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V
-
IRF640NPBF的替代VBM1201M以本土化供應(yīng)鏈保障高性價(jià)比功率方案2025-12-01 16:18
在當(dāng)今的電子設(shè)計(jì)與制造領(lǐng)域,供應(yīng)鏈的韌性與元器件的成本效益已成為關(guān)乎企業(yè)核心競爭力的關(guān)鍵因素。尋找一個(gè)性能相當(dāng)、甚至更優(yōu),同時(shí)兼具供應(yīng)穩(wěn)定與成本優(yōu)勢(shì)的國產(chǎn)替代器件,不再是簡單的備選方案,而是演進(jìn)為一項(xiàng)至關(guān)重要的戰(zhàn)略決策。當(dāng)我們聚焦于應(yīng)用廣泛的N溝道功率MOSFET——英飛凌的IRF640NPBF時(shí),微碧半導(dǎo)體(VBsemi)推出的VBM1201M脫穎而出,它 -
VBE2610N:重塑P溝道功率方案,以本土化供應(yīng)鏈實(shí)現(xiàn)高性價(jià)比替代IRFR9024NTRPBF2025-12-01 15:12
在追求供應(yīng)鏈自主可控與極致成本效益的今天,為經(jīng)典器件尋找一個(gè)性能更強(qiáng)、供應(yīng)更穩(wěn)、價(jià)值更高的國產(chǎn)替代方案,已成為驅(qū)動(dòng)產(chǎn)品創(chuàng)新與保障交付安全的核心戰(zhàn)略。面對(duì)英飛凌經(jīng)典的P溝道功率MOSFET——IRFR9024NTRPBF,微碧半導(dǎo)體(VBsemi)推出的VBE2610N提供了并非簡單的引腳兼容替代,而是一次從基礎(chǔ)參數(shù)到系統(tǒng)效能的全面價(jià)值躍升。從參數(shù)對(duì)標(biāo)到性能飛