### 產品簡介
P2904BDG-VB是一款高效能的單通道N型MOSFET，采用TO252封裝，專為低壓應用設計。其出色的RDS(ON)特性和高漏電流能力，使其在電源管理和開關應用中表現(xiàn)優(yōu)異，是現(xiàn)代電子設備中常見的關鍵組件。
### 詳細參數(shù)說明
- **封裝**：TO252
- **配置**：單N型
- **最大漏源電壓 (VDS)**：40V
- **柵源電壓 (VGS)**：±20V
- **閾值電壓 (Vth)**：2.5V
- **導通電阻 (RDS(ON))**：
- 14mΩ @ VGS = 4.5V
- 12mΩ @ VGS = 10V
- **最大漏電流 (ID)**：55A
- **技術**：Trench
### 適用領域與模塊
P2904BDG-VB廣泛應用于各類電源管理系統(tǒng)，例如DC-DC轉換器、開關電源和電池管理系統(tǒng)，其能夠承受高達40V的漏源電壓，使其在這些應用中具有良好的穩(wěn)定性。此外，該MOSFET適合用于電機驅動、LED照明和消費電子產品，因其低導通電阻可以顯著提高系統(tǒng)效率，降低能量損失和發(fā)熱。
