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微碧半導(dǎo)體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務(wù)中高端市場的終端制造商

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P3004BD-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管

型號: P3004BD-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • Package TO252
  • 溝道 Single-N-Channel
  • VDS 40V
  • VGS 20(±V)
  • Vth 2.5V
  • RDS(ON) 12mΩ@VGS=10V
  • ID 55A

--- 數(shù)據(jù)手冊 ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

### P3004BD-VB MOSFET 產(chǎn)品簡介

P3004BD-VB 是一款高性能的 N 溝道 MOSFET,專為高效功率管理和低導(dǎo)通損耗設(shè)計,廣泛應(yīng)用于各類需要大電流傳輸和低開關(guān)損耗的電子系統(tǒng)中。采用 Trench 技術(shù),具備優(yōu)異的開關(guān)性能,具有 40V 的漏源電壓 (V_DS) 和高達 55A 的連續(xù)漏極電流 (I_D),該器件尤其適合在高頻環(huán)境下使用,具有良好的穩(wěn)定性和熱效應(yīng)控制能力。封裝為 TO252,便于應(yīng)用于密集型電路板。

### P3004BD-VB 詳細參數(shù)說明

- **封裝類型**:TO252
- **配置**:單一 N 溝道
- **漏源電壓 (V_DS)**:40V,適合中等電壓應(yīng)用
- **柵極電壓 (V_GS)**:±20V,確保高柵極操作裕度
- **門限電壓 (V_th)**:2.5V,適用于低電壓開啟應(yīng)用
- **導(dǎo)通電阻 (R_DS(ON))**:在柵極電壓為 4.5V 時為 14mΩ,在 10V 時為 12mΩ,體現(xiàn)出低導(dǎo)通損耗
- **漏極電流 (I_D)**:55A,適合大電流需求場合
- **技術(shù)類型**:Trench 技術(shù),提供優(yōu)異的開關(guān)和導(dǎo)通性能

### P3004BD-VB 的應(yīng)用領(lǐng)域和模塊

1. **電源管理模塊**:該 MOSFET 的低導(dǎo)通電阻和大電流能力使其在電源管理模塊(如 DC-DC 轉(zhuǎn)換器、AC-DC 轉(zhuǎn)換器)中表現(xiàn)優(yōu)越,特別適合用于工業(yè)電源和服務(wù)器電源,提供低損耗的電能傳輸效果。

2. **電動工具**:P3004BD-VB 的高電流承載能力和穩(wěn)定的開關(guān)特性,使其在電動工具驅(qū)動電路中尤為適用。在這種應(yīng)用中,該器件有助于提供更高的電池效率和更低的發(fā)熱量。

3. **汽車電子**:在汽車電子系統(tǒng)中,例如電動座椅和電動轉(zhuǎn)向等模塊,P3004BD-VB 的耐用性和高電流能力保證了其可靠的性能,滿足了汽車應(yīng)用對高可靠性和高功率需求的標準。

4. **負載開關(guān)應(yīng)用**:憑借其低導(dǎo)通電阻,P3004BD-VB 非常適合負載開關(guān)應(yīng)用,例如高效的電池管理系統(tǒng)(BMS),在開關(guān)狀態(tài)下保持低功率損耗,提高系統(tǒng)的整體效率。

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