--- 產(chǎn)品參數(shù) ---
- Package TO252
- 溝道 Single-N-Channel
- VDS 40V
- VGS 20(±V)
- Vth 2.5V
- RDS(ON) 12mΩ@VGS=10V
- ID 55A
--- 數(shù)據(jù)手冊(cè) ---
--- 產(chǎn)品詳情 ---
### P3004BD-VB MOSFET 產(chǎn)品簡(jiǎn)介
P3004BD-VB 是一款高性能的 N 溝道 MOSFET,專為高效功率管理和低導(dǎo)通損耗設(shè)計(jì),廣泛應(yīng)用于各類需要大電流傳輸和低開(kāi)關(guān)損耗的電子系統(tǒng)中。采用 Trench 技術(shù),具備優(yōu)異的開(kāi)關(guān)性能,具有 40V 的漏源電壓 (V_DS) 和高達(dá) 55A 的連續(xù)漏極電流 (I_D),該器件尤其適合在高頻環(huán)境下使用,具有良好的穩(wěn)定性和熱效應(yīng)控制能力。封裝為 TO252,便于應(yīng)用于密集型電路板。
### P3004BD-VB 詳細(xì)參數(shù)說(shuō)明
- **封裝類型**:TO252
- **配置**:?jiǎn)我?N 溝道
- **漏源電壓 (V_DS)**:40V,適合中等電壓應(yīng)用
- **柵極電壓 (V_GS)**:±20V,確保高柵極操作裕度
- **門限電壓 (V_th)**:2.5V,適用于低電壓開(kāi)啟應(yīng)用
- **導(dǎo)通電阻 (R_DS(ON))**:在柵極電壓為 4.5V 時(shí)為 14mΩ,在 10V 時(shí)為 12mΩ,體現(xiàn)出低導(dǎo)通損耗
- **漏極電流 (I_D)**:55A,適合大電流需求場(chǎng)合
- **技術(shù)類型**:Trench 技術(shù),提供優(yōu)異的開(kāi)關(guān)和導(dǎo)通性能
### P3004BD-VB 的應(yīng)用領(lǐng)域和模塊
1. **電源管理模塊**:該 MOSFET 的低導(dǎo)通電阻和大電流能力使其在電源管理模塊(如 DC-DC 轉(zhuǎn)換器、AC-DC 轉(zhuǎn)換器)中表現(xiàn)優(yōu)越,特別適合用于工業(yè)電源和服務(wù)器電源,提供低損耗的電能傳輸效果。
2. **電動(dòng)工具**:P3004BD-VB 的高電流承載能力和穩(wěn)定的開(kāi)關(guān)特性,使其在電動(dòng)工具驅(qū)動(dòng)電路中尤為適用。在這種應(yīng)用中,該器件有助于提供更高的電池效率和更低的發(fā)熱量。
3. **汽車電子**:在汽車電子系統(tǒng)中,例如電動(dòng)座椅和電動(dòng)轉(zhuǎn)向等模塊,P3004BD-VB 的耐用性和高電流能力保證了其可靠的性能,滿足了汽車應(yīng)用對(duì)高可靠性和高功率需求的標(biāo)準(zhǔn)。
4. **負(fù)載開(kāi)關(guān)應(yīng)用**:憑借其低導(dǎo)通電阻,P3004BD-VB 非常適合負(fù)載開(kāi)關(guān)應(yīng)用,例如高效的電池管理系統(tǒng)(BMS),在開(kāi)關(guān)狀態(tài)下保持低功率損耗,提高系統(tǒng)的整體效率。
為你推薦
-
P3004BD-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:51
產(chǎn)品型號(hào):P3004BD-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P3003BDG-VB一款TO252封裝P-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:48
產(chǎn)品型號(hào):P3003BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-P-Channel VDS:-30V VGS:20(±V) Vth:-1.7V -
P2NK90Z-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:47
產(chǎn)品型號(hào):P2NK90Z-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:900V VGS:30(±V) Vth:3.5V -
P2904BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:44
產(chǎn)品型號(hào):P2904BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2804EDG-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:42
產(chǎn)品型號(hào):P2804EDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2804BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:40
產(chǎn)品型號(hào):P2804BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2703BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:36
產(chǎn)品型號(hào):P2703BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:30V VGS:20(±V) Vth:1.7V -
P2610BD-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:31
產(chǎn)品型號(hào):P2610BD-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:100V VGS:20(±V) Vth:1.8V -
P2610ADG-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:28
產(chǎn)品型號(hào):P2610ADG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:100V VGS:20(±V) Vth:1.8V -
P2504BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:25
產(chǎn)品型號(hào):P2504BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V
-
IRF640NPBF的替代VBM1201M以本土化供應(yīng)鏈保障高性價(jià)比功率方案2025-12-01 16:18
在當(dāng)今的電子設(shè)計(jì)與制造領(lǐng)域,供應(yīng)鏈的韌性與元器件的成本效益已成為關(guān)乎企業(yè)核心競(jìng)爭(zhēng)力的關(guān)鍵因素。尋找一個(gè)性能相當(dāng)、甚至更優(yōu),同時(shí)兼具供應(yīng)穩(wěn)定與成本優(yōu)勢(shì)的國(guó)產(chǎn)替代器件,不再是簡(jiǎn)單的備選方案,而是演進(jìn)為一項(xiàng)至關(guān)重要的戰(zhàn)略決策。當(dāng)我們聚焦于應(yīng)用廣泛的N溝道功率MOSFET——英飛凌的IRF640NPBF時(shí),微碧半導(dǎo)體(VBsemi)推出的VBM1201M脫穎而出,它 -
VBE2610N:重塑P溝道功率方案,以本土化供應(yīng)鏈實(shí)現(xiàn)高性價(jià)比替代IRFR9024NTRPBF2025-12-01 15:12
在追求供應(yīng)鏈自主可控與極致成本效益的今天,為經(jīng)典器件尋找一個(gè)性能更強(qiáng)、供應(yīng)更穩(wěn)、價(jià)值更高的國(guó)產(chǎn)替代方案,已成為驅(qū)動(dòng)產(chǎn)品創(chuàng)新與保障交付安全的核心戰(zhàn)略。面對(duì)英飛凌經(jīng)典的P溝道功率MOSFET——IRFR9024NTRPBF,微碧半導(dǎo)體(VBsemi)推出的VBE2610N提供了并非簡(jiǎn)單的引腳兼容替代,而是一次從基礎(chǔ)參數(shù)到系統(tǒng)效能的全面價(jià)值躍升。從參數(shù)對(duì)標(biāo)到性能飛