--- 產(chǎn)品參數(shù) ---
- 封裝 SOT23-6封裝
- 溝道 2個(gè)N+P—Channel
--- 數(shù)據(jù)手冊 ---
--- 產(chǎn)品詳情 ---
### 一、產(chǎn)品簡介
VBsemi的2531-VB是一款多功能N+P溝道MOSFET,具有兩個(gè)N溝道MOSFET和一個(gè)P溝道MOSFET,可提供正負(fù)雙通道的電壓控制。它具有±20V的耐壓能力和7A(N溝道)/4.5A(P溝道)的電流承受能力,內(nèi)部電阻(RDS(ON))分別為20mΩ和70mΩ(@ VGS=4.5V)。封裝采用SOT23-6,適合小型電路板應(yīng)用。
### 二、詳細(xì)參數(shù)說明
- **型號:** 2531-VB
- **絲印:** VB5222
- **品牌:** VBsemi
- **溝道類型:** 2個(gè)N溝道 + 1個(gè)P溝道
- **最大耐壓:** ±20V
- **最大電流:**
- N溝道:7A
- P溝道:4.5A
- **內(nèi)部電阻(RDS(ON)):**
- N溝道:20mΩ @ VGS=4.5V
- P溝道:70mΩ @ VGS=4.5V
- **門極-源極閾值電壓(Vth):**
- N溝道:0.71V
- P溝道:-0.81V
- **封裝:** SOT23-6

### 三、適用領(lǐng)域和模塊示例
1. **電源管理模塊:**
2531-VB的正負(fù)雙通道特性使其非常適合用于電源管理模塊,如DC-DC轉(zhuǎn)換器和雙極性電源。它可以提供雙通道的電壓控制,同時(shí)具有較高的電流承受能力和低內(nèi)部電阻,確保電源的穩(wěn)定性和高效率。
2. **電流檢測模塊:**
作為雙通道MOSFET,2531-VB可用于電流檢測模塊,用作電流開關(guān)以控制電流的通斷。其正負(fù)雙通道設(shè)計(jì)適用于雙向電流控制,適用于電流檢測和電流限制應(yīng)用。
3. **信號開關(guān)模塊:**
其正負(fù)雙通道設(shè)計(jì)和低內(nèi)部電阻使其成為信號開關(guān)模塊的理想選擇。2531-VB可用于控制信號通斷和信號放大,確保穩(wěn)定的信號傳輸和較低的信號失真。
4. **電動工具模塊:**
由于其正負(fù)雙通道設(shè)計(jì)和較高的電流承受能力,2531-VB可用作電動工具模塊中的電機(jī)驅(qū)動器的控制開關(guān)。其穩(wěn)定性和可靠性保證了電動工具的高效率和安全性。
5. **車載電子模塊:**
由于耐壓能力和電流承受能力較高,2531-VB可用于車載電子模塊,如車載電源管理、車載音響系統(tǒng)和車載導(dǎo)航系統(tǒng)。其正負(fù)雙通道設(shè)計(jì)適用于雙極性電源需求,確保系統(tǒng)的穩(wěn)定性和可靠性。
為你推薦
-
P3004BD-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:51
產(chǎn)品型號:P3004BD-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P3003BDG-VB一款TO252封裝P-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:48
產(chǎn)品型號:P3003BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-P-Channel VDS:-30V VGS:20(±V) Vth:-1.7V -
P2NK90Z-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:47
產(chǎn)品型號:P2NK90Z-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:900V VGS:30(±V) Vth:3.5V -
P2904BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:44
產(chǎn)品型號:P2904BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2804EDG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:42
產(chǎn)品型號:P2804EDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2804BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:40
產(chǎn)品型號:P2804BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2703BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:36
產(chǎn)品型號:P2703BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:30V VGS:20(±V) Vth:1.7V -
P2610BD-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:31
產(chǎn)品型號:P2610BD-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:100V VGS:20(±V) Vth:1.8V -
P2610ADG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:28
產(chǎn)品型號:P2610ADG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:100V VGS:20(±V) Vth:1.8V -
P2504BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:25
產(chǎn)品型號:P2504BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V
-
IRF640NPBF的替代VBM1201M以本土化供應(yīng)鏈保障高性價(jià)比功率方案2025-12-01 16:18
在當(dāng)今的電子設(shè)計(jì)與制造領(lǐng)域,供應(yīng)鏈的韌性與元器件的成本效益已成為關(guān)乎企業(yè)核心競爭力的關(guān)鍵因素。尋找一個(gè)性能相當(dāng)、甚至更優(yōu),同時(shí)兼具供應(yīng)穩(wěn)定與成本優(yōu)勢的國產(chǎn)替代器件,不再是簡單的備選方案,而是演進(jìn)為一項(xiàng)至關(guān)重要的戰(zhàn)略決策。當(dāng)我們聚焦于應(yīng)用廣泛的N溝道功率MOSFET——英飛凌的IRF640NPBF時(shí),微碧半導(dǎo)體(VBsemi)推出的VBM1201M脫穎而出,它 -
VBE2610N:重塑P溝道功率方案,以本土化供應(yīng)鏈實(shí)現(xiàn)高性價(jià)比替代IRFR9024NTRPBF2025-12-01 15:12
在追求供應(yīng)鏈自主可控與極致成本效益的今天,為經(jīng)典器件尋找一個(gè)性能更強(qiáng)、供應(yīng)更穩(wěn)、價(jià)值更高的國產(chǎn)替代方案,已成為驅(qū)動產(chǎn)品創(chuàng)新與保障交付安全的核心戰(zhàn)略。面對英飛凌經(jīng)典的P溝道功率MOSFET——IRFR9024NTRPBF,微碧半導(dǎo)體(VBsemi)推出的VBE2610N提供了并非簡單的引腳兼容替代,而是一次從基礎(chǔ)參數(shù)到系統(tǒng)效能的全面價(jià)值躍升。從參數(shù)對標(biāo)到性能飛