chinese直男口爆体育生外卖, 99久久er热在这里只有精品99, 又色又爽又黄18禁美女裸身无遮挡, gogogo高清免费观看日本电视,私密按摩师高清版在线,人妻视频毛茸茸,91论坛 兴趣闲谈,欧美 亚洲 精品 8区,国产精品久久久久精品免费

企業(yè)號(hào)介紹

全部
  • 全部
  • 產(chǎn)品
  • 方案
  • 文章
  • 資料
  • 企業(yè)

微碧半導(dǎo)體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務(wù)中高端市場(chǎng)的終端制造商

1.6w 內(nèi)容數(shù) 99w+ 瀏覽量 78 粉絲

BUK542-100A-VB一種TO220封裝Single-N-Channel場(chǎng)效應(yīng)管

型號(hào): BUK542-100A-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • 封裝 TO220
  • 溝道 Single-N

--- 數(shù)據(jù)手冊(cè) ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

### 產(chǎn)品簡(jiǎn)介

**BUK542-100A** 是一款高性能單極N溝道金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET),封裝形式為T(mén)O220。這款MOSFET采用了先進(jìn)的溝槽(Trench)技術(shù),專為中等電壓和高電流應(yīng)用設(shè)計(jì)。其具有較低的導(dǎo)通電阻和較高的電流承載能力,非常適合于需要高效能開(kāi)關(guān)和穩(wěn)定電流處理的電子設(shè)備。

### 詳細(xì)參數(shù)說(shuō)明

- **型號(hào)**: BUK542-100A
- **封裝**: TO220
- **配置**: 單極N溝道(Single-N-Channel)
- **漏極-源極耐壓(V_DS)**: 100V
- **柵極-源極耐壓(V_GS)**: ±20V
- **閾值電壓(V_th)**: 1.8V
- **導(dǎo)通電阻(R_DS(ON))**:
 - 127mΩ(在V_GS = 10V時(shí))
- **漏極電流(I_D)**: 18A
- **技術(shù)**: 溝槽(Trench)

### 應(yīng)用領(lǐng)域及模塊示例

**1. 高電流電源管理:**  
BUK542-100A 的100V漏極-源極耐壓和18A漏極電流使其非常適合用于高電流電源管理系統(tǒng)。例如,它可以應(yīng)用于DC-DC轉(zhuǎn)換器和電源開(kāi)關(guān)模塊,提供高效的電源轉(zhuǎn)換和穩(wěn)定的電流管理,適合需要處理高電流的電源系統(tǒng)。

**2. 電機(jī)驅(qū)動(dòng)系統(tǒng):**  
在電機(jī)驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)中,BUK542-100A 的低導(dǎo)通電阻和高電流處理能力使其成為理想選擇。它可以用于電機(jī)控制器中,提供高效的開(kāi)關(guān)控制,確保電機(jī)在高負(fù)載條件下的穩(wěn)定運(yùn)行。

**3. 逆變器和電力變換器:**  
這款MOSFET 適合用于逆變器和電力變換器中的高電流開(kāi)關(guān)應(yīng)用。例如,它可以用于太陽(yáng)能逆變器和電力變換系統(tǒng),提供穩(wěn)定的電力轉(zhuǎn)換和高效的開(kāi)關(guān)性能,支持高電流負(fù)載的操作。

**4. 電池管理系統(tǒng):**  
BUK542-100A 也適用于電池管理系統(tǒng)中的高電流開(kāi)關(guān)和保護(hù)功能。其低導(dǎo)通電阻和高電流處理能力能夠有效管理電池的充電和放電過(guò)程,同時(shí)提供過(guò)流保護(hù),確保電池系統(tǒng)的安全和高效運(yùn)行。

**5. 汽車電子系統(tǒng):**  
在汽車電子系統(tǒng)中,這款MOSFET 可以用于高電流開(kāi)關(guān)和電源管理應(yīng)用,如電池保護(hù)和高電流負(fù)載控制。其卓越的電氣特性在汽車環(huán)境中提供可靠的開(kāi)關(guān)功能,滿足高功率要求。

這些應(yīng)用示例展示了 BUK542-100A 在中等電壓和高電流應(yīng)用中的廣泛適用性,其優(yōu)良的性能使其成為各種電子設(shè)備中的理想選擇。

為你推薦

  • IRF640NPBF的替代VBM1201M以本土化供應(yīng)鏈保障高性價(jià)比功率方案2025-12-01 16:18

    在當(dāng)今的電子設(shè)計(jì)與制造領(lǐng)域,供應(yīng)鏈的韌性與元器件的成本效益已成為關(guān)乎企業(yè)核心競(jìng)爭(zhēng)力的關(guān)鍵因素。尋找一個(gè)性能相當(dāng)、甚至更優(yōu),同時(shí)兼具供應(yīng)穩(wěn)定與成本優(yōu)勢(shì)的國(guó)產(chǎn)替代器件,不再是簡(jiǎn)單的備選方案,而是演進(jìn)為一項(xiàng)至關(guān)重要的戰(zhàn)略決策。當(dāng)我們聚焦于應(yīng)用廣泛的N溝道功率MOSFET——英飛凌的IRF640NPBF時(shí),微碧半導(dǎo)體(VBsemi)推出的VBM1201M脫穎而出,它
    181瀏覽量
  • VBE2610N:重塑P溝道功率方案,以本土化供應(yīng)鏈實(shí)現(xiàn)高性價(jià)比替代IRFR9024NTRPBF2025-12-01 15:12

    在追求供應(yīng)鏈自主可控與極致成本效益的今天,為經(jīng)典器件尋找一個(gè)性能更強(qiáng)、供應(yīng)更穩(wěn)、價(jià)值更高的國(guó)產(chǎn)替代方案,已成為驅(qū)動(dòng)產(chǎn)品創(chuàng)新與保障交付安全的核心戰(zhàn)略。面對(duì)英飛凌經(jīng)典的P溝道功率MOSFET——IRFR9024NTRPBF,微碧半導(dǎo)體(VBsemi)推出的VBE2610N提供了并非簡(jiǎn)單的引腳兼容替代,而是一次從基礎(chǔ)參數(shù)到系統(tǒng)效能的全面價(jià)值躍升。從參數(shù)對(duì)標(biāo)到性能飛
    155瀏覽量