chinese直男口爆体育生外卖, 99久久er热在这里只有精品99, 又色又爽又黄18禁美女裸身无遮挡, gogogo高清免费观看日本电视,私密按摩师高清版在线,人妻视频毛茸茸,91论坛 兴趣闲谈,欧美 亚洲 精品 8区,国产精品久久久久精品免费

企業(yè)號(hào)介紹

全部
  • 全部
  • 產(chǎn)品
  • 方案
  • 文章
  • 資料
  • 企業(yè)

微碧半導(dǎo)體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務(wù)中高端市場(chǎng)的終端制造商

1.6w 內(nèi)容數(shù) 99w+ 瀏覽量 78 粉絲

BUK543-100B-VB一款Single-N溝道TO220的MOSFET晶體管參數(shù)介紹與應(yīng)用說(shuō)明

型號(hào): BUK543-100B-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • 封裝 TO220
  • 溝道 Single-N

--- 數(shù)據(jù)手冊(cè) ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

### 產(chǎn)品簡(jiǎn)介
BUK543-100B-VB是一款N溝道功率MOSFET,采用TO-220封裝,專為高效率和高可靠性設(shè)計(jì)。其100V的漏源電壓和18A的連續(xù)漏電流使其在各種高功率應(yīng)用中表現(xiàn)出色。采用了先進(jìn)的溝槽(Trench)技術(shù),提供了較低的導(dǎo)通電阻和出色的開(kāi)關(guān)性能,適用于多種電力電子設(shè)備和模塊。

### 詳細(xì)參數(shù)說(shuō)明
1. **型號(hào)**: BUK543-100B-VB
2. **封裝**: TO-220
3. **配置**: 單N溝道
4. **漏源電壓 (VDS)**: 100V
5. **柵源電壓 (VGS)**: ±20V
6. **柵極閾值電壓 (Vth)**: 1.8V
7. **導(dǎo)通電阻 (RDS(ON))**: 127mΩ @ VGS = 10V
8. **連續(xù)漏電流 (ID)**: 18A
9. **技術(shù)**: 溝槽(Trench)

### 應(yīng)用領(lǐng)域和模塊
1. **電機(jī)驅(qū)動(dòng)控制**:BUK543-100B-VB MOSFET因其高電流和高電壓特性,非常適用于電機(jī)驅(qū)動(dòng)模塊,特別是在工業(yè)和家用電器中,用于控制電機(jī)的啟動(dòng)和運(yùn)行。
2. **開(kāi)關(guān)電源(SMPS)**:在開(kāi)關(guān)電源中,BUK543-100B-VB可以作為主開(kāi)關(guān)器件,提供高效的電能轉(zhuǎn)換和穩(wěn)定的電源輸出,常用于計(jì)算機(jī)電源、通信設(shè)備電源等領(lǐng)域。
3. **光伏逆變器**:在光伏系統(tǒng)中,BUK543-100B-VB MOSFET可以用于直流到交流的逆變模塊,確保高效能量轉(zhuǎn)換和可靠的系統(tǒng)運(yùn)行,支持家庭和商業(yè)光伏發(fā)電系統(tǒng)。
4. **UPS不間斷電源**:在UPS系統(tǒng)中,該MOSFET能夠高效處理大電流負(fù)載,確保電源切換時(shí)的穩(wěn)定性和可靠性,廣泛應(yīng)用于數(shù)據(jù)中心、醫(yī)療設(shè)備等需要高可靠性的場(chǎng)景。

BUK543-100B-VB MOSFET因其優(yōu)越的電氣性能和可靠性,廣泛應(yīng)用于各類需要高效開(kāi)關(guān)和控制的電力電子設(shè)備和模塊中。

為你推薦

  • IRF640NPBF的替代VBM1201M以本土化供應(yīng)鏈保障高性價(jià)比功率方案2025-12-01 16:18

    在當(dāng)今的電子設(shè)計(jì)與制造領(lǐng)域,供應(yīng)鏈的韌性與元器件的成本效益已成為關(guān)乎企業(yè)核心競(jìng)爭(zhēng)力的關(guān)鍵因素。尋找一個(gè)性能相當(dāng)、甚至更優(yōu),同時(shí)兼具供應(yīng)穩(wěn)定與成本優(yōu)勢(shì)的國(guó)產(chǎn)替代器件,不再是簡(jiǎn)單的備選方案,而是演進(jìn)為一項(xiàng)至關(guān)重要的戰(zhàn)略決策。當(dāng)我們聚焦于應(yīng)用廣泛的N溝道功率MOSFET——英飛凌的IRF640NPBF時(shí),微碧半導(dǎo)體(VBsemi)推出的VBM1201M脫穎而出,它
    170瀏覽量
  • VBE2610N:重塑P溝道功率方案,以本土化供應(yīng)鏈實(shí)現(xiàn)高性價(jià)比替代IRFR9024NTRPBF2025-12-01 15:12

    在追求供應(yīng)鏈自主可控與極致成本效益的今天,為經(jīng)典器件尋找一個(gè)性能更強(qiáng)、供應(yīng)更穩(wěn)、價(jià)值更高的國(guó)產(chǎn)替代方案,已成為驅(qū)動(dòng)產(chǎn)品創(chuàng)新與保障交付安全的核心戰(zhàn)略。面對(duì)英飛凌經(jīng)典的P溝道功率MOSFET——IRFR9024NTRPBF,微碧半導(dǎo)體(VBsemi)推出的VBE2610N提供了并非簡(jiǎn)單的引腳兼容替代,而是一次從基礎(chǔ)參數(shù)到系統(tǒng)效能的全面價(jià)值躍升。從參數(shù)對(duì)標(biāo)到性能飛
    154瀏覽量