chinese直男口爆体育生外卖, 99久久er热在这里只有精品99, 又色又爽又黄18禁美女裸身无遮挡, gogogo高清免费观看日本电视,私密按摩师高清版在线,人妻视频毛茸茸,91论坛 兴趣闲谈,欧美 亚洲 精品 8区,国产精品久久久久精品免费

企業(yè)號(hào)介紹

全部
  • 全部
  • 產(chǎn)品
  • 方案
  • 文章
  • 資料
  • 企業(yè)

微碧半導(dǎo)體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務(wù)中高端市場(chǎng)的終端制造商

1.6w 內(nèi)容數(shù) 99w+ 瀏覽量 79 粉絲

PHK13N03LT-VB一款SOP8封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)MOS管

型號(hào): PHK13N03LT-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • Package SOP8
  • Configurat Single-N-Channel
  • VDS 30V
  • VGS 20(±V)
  • Vth 1.7V
  • RDS(ON) 8mΩ@VGS=10V
  • ID 13A

--- 數(shù)據(jù)手冊(cè) ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

### 產(chǎn)品簡(jiǎn)介

PHK13N03LT-VB是一款高效能的N溝道MOSFET,采用SOP8封裝,專為低壓和中等電流應(yīng)用設(shè)計(jì)。其漏源電壓(VDS)為30V,適合多種電源管理和開關(guān)應(yīng)用。該器件的閾值電壓(Vth)為1.7V,能夠在低電壓下迅速開啟。在VGS=4.5V時(shí),導(dǎo)通電阻(RDS(ON))為11mΩ,而在VGS=10V時(shí)降低至8mΩ,支持高達(dá)13A的連續(xù)漏電流(ID)。利用Trench技術(shù),這款MOSFET在高頻開關(guān)應(yīng)用中表現(xiàn)出色,有助于降低功耗和熱量生成,提升系統(tǒng)整體效率。

### 詳細(xì)參數(shù)說明

- **型號(hào)**:PHK13N03LT-VB
- **封裝**:SOP8
- **配置**:Single-N-Channel
- **漏源電壓(VDS)**:30V
- **柵源電壓(VGS)**:±20V
- **閾值電壓(Vth)**:1.7V
- **導(dǎo)通電阻(RDS(ON))**:
 - 11mΩ(@VGS=4.5V)
 - 8mΩ(@VGS=10V)
- **連續(xù)漏電流(ID)**:13A
- **技術(shù)**:Trench

### 應(yīng)用領(lǐng)域和模塊示例

1. **電源管理**:PHK13N03LT-VB適合用于開關(guān)電源(SMPS)和直流-直流轉(zhuǎn)換器(DC-DC converters),其低導(dǎo)通電阻能顯著提高能效,廣泛應(yīng)用于計(jì)算機(jī)電源和其他消費(fèi)電子設(shè)備的電源管理模塊。

2. **LED驅(qū)動(dòng)**:該MOSFET在LED照明系統(tǒng)中表現(xiàn)優(yōu)異,能夠?yàn)長(zhǎng)ED提供穩(wěn)定的電流,實(shí)現(xiàn)精確的亮度調(diào)節(jié),適用于室內(nèi)和戶外的各種照明應(yīng)用。

3. **電機(jī)驅(qū)動(dòng)**:在小型電機(jī)控制應(yīng)用中,PHK13N03LT-VB可以用作H橋中的開關(guān)元件,支持高效的電機(jī)驅(qū)動(dòng),適合用于家用電器、玩具和機(jī)器人等設(shè)備。

4. **逆變器**:在太陽能和風(fēng)能系統(tǒng)中,該MOSFET可用于逆變器的高頻開關(guān)電路,提高能量轉(zhuǎn)換效率,優(yōu)化系統(tǒng)的整體性能,適合于可再生能源的應(yīng)用。

為你推薦

  • IRF640NPBF的替代VBM1201M以本土化供應(yīng)鏈保障高性價(jià)比功率方案2025-12-01 16:18

    在當(dāng)今的電子設(shè)計(jì)與制造領(lǐng)域,供應(yīng)鏈的韌性與元器件的成本效益已成為關(guān)乎企業(yè)核心競(jìng)爭(zhēng)力的關(guān)鍵因素。尋找一個(gè)性能相當(dāng)、甚至更優(yōu),同時(shí)兼具供應(yīng)穩(wěn)定與成本優(yōu)勢(shì)的國(guó)產(chǎn)替代器件,不再是簡(jiǎn)單的備選方案,而是演進(jìn)為一項(xiàng)至關(guān)重要的戰(zhàn)略決策。當(dāng)我們聚焦于應(yīng)用廣泛的N溝道功率MOSFET——英飛凌的IRF640NPBF時(shí),微碧半導(dǎo)體(VBsemi)推出的VBM1201M脫穎而出,它
    436瀏覽量
  • VBE2610N:重塑P溝道功率方案,以本土化供應(yīng)鏈實(shí)現(xiàn)高性價(jià)比替代IRFR9024NTRPBF2025-12-01 15:12

    在追求供應(yīng)鏈自主可控與極致成本效益的今天,為經(jīng)典器件尋找一個(gè)性能更強(qiáng)、供應(yīng)更穩(wěn)、價(jià)值更高的國(guó)產(chǎn)替代方案,已成為驅(qū)動(dòng)產(chǎn)品創(chuàng)新與保障交付安全的核心戰(zhàn)略。面對(duì)英飛凌經(jīng)典的P溝道功率MOSFET——IRFR9024NTRPBF,微碧半導(dǎo)體(VBsemi)推出的VBE2610N提供了并非簡(jiǎn)單的引腳兼容替代,而是一次從基礎(chǔ)參數(shù)到系統(tǒng)效能的全面價(jià)值躍升。從參數(shù)對(duì)標(biāo)到性能飛
    383瀏覽量