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微碧半導(dǎo)體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務(wù)中高端市場的終端制造商

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TK10A60DR-VB一款TO220F封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管

型號: TK10A60DR-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • Package TO220F
  • 溝道 Single-N-Channel
  • VDS 650V
  • VGS 30(±V)
  • Vth 3.5V
  • RDS(ON) 680mΩ@VGS=10V
  • ID 12A

--- 數(shù)據(jù)手冊 ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

### TK10A60DR-VB MOSFET 產(chǎn)品簡介

TK10A60DR-VB 是一款采用 TO220F 封裝的單極 N 型 MOSFET,適用于中高壓電源應(yīng)用。它具有 650V 的漏源電壓(V_DS),最大漏極電流為 12A,適用于要求較高電壓和大電流處理的應(yīng)用。該 MOSFET 的導(dǎo)通電阻(R_DS(ON))為 680mΩ @ V_GS = 10V,具備較低的導(dǎo)通電阻,能夠在開關(guān)操作時有效減少功率損失和熱量生成。該 MOSFET 基于傳統(tǒng)的 Plannar 技術(shù),適合高壓電源轉(zhuǎn)換、電機(jī)驅(qū)動、電池管理等領(lǐng)域,能夠在較高負(fù)載下提供穩(wěn)定的開關(guān)性能。

---

### TK10A60DR-VB MOSFET 詳細(xì)參數(shù)說明

- **封裝類型**:TO220F  
- **配置**:單極 N 型 MOSFET(Single-N-Channel)  
- **漏源電壓 (V_DS)**:650V  
- **柵源電壓 (V_GS)**:±30V  
- **閾值電壓 (V_th)**:3.5V  
- **導(dǎo)通電阻 (R_DS(ON))**:  
 - 680mΩ @ V_GS = 10V  
- **最大漏極電流 (I_D)**:12A  
- **技術(shù)**:Plannar 技術(shù)  
- **最大功率損耗**:基于較低的導(dǎo)通電阻,降低了開關(guān)損耗,提高了系統(tǒng)效率。

---

### 應(yīng)用領(lǐng)域和模塊舉例

1. **高效電源轉(zhuǎn)換**:
  TK10A60DR-VB 在高壓電源轉(zhuǎn)換應(yīng)用中表現(xiàn)出色,特別是用于工業(yè)電源、UPS(不間斷電源)和電力轉(zhuǎn)換系統(tǒng)。其 650V 的耐壓能力和 12A 的漏極電流能力,使其在高功率電源設(shè)計中,能夠承受較大的電壓和電流,同時保持較低的功率損耗。因此,適用于高效的 DC-DC 轉(zhuǎn)換器、電力調(diào)節(jié)和逆變器應(yīng)用。

2. **電動機(jī)驅(qū)動系統(tǒng)**:
  在電動機(jī)控制和驅(qū)動系統(tǒng)中,TK10A60DR-VB 可作為高效的開關(guān)元件。它能夠在高電流負(fù)載下運(yùn)行,并且由于其較低的導(dǎo)通電阻,有助于減少系統(tǒng)中的開關(guān)損耗。這使其適用于工業(yè)電動機(jī)驅(qū)動系統(tǒng)、家電產(chǎn)品中的電機(jī)控制以及電動工具等應(yīng)用中。

3. **電池管理系統(tǒng)(BMS)**:
  在電池管理系統(tǒng)中,TK10A60DR-VB 能夠提供電池充電、放電控制和保護(hù)功能。通過其高壓承受能力和良好的導(dǎo)通特性,該 MOSFET 可有效調(diào)節(jié)充電過程中的電流,保護(hù)電池免受過電流或過電壓的損害。同時,低導(dǎo)通電阻有助于提高電池充電效率,減少熱量生成。

4. **功率因數(shù)校正(PFC)電路**:
  TK10A60DR-VB 可以在功率因數(shù)校正(PFC)電路中作為開關(guān)元件使用,尤其是在電力電子設(shè)備中。通過減少導(dǎo)通電阻,它能有效提高 PFC 電路的效率,降低電能損失,并且在電力系統(tǒng)中優(yōu)化電流和電壓的相位,使得電源能夠更加穩(wěn)定地運(yùn)行。

5. **逆變器和太陽能發(fā)電系統(tǒng)**:
  在逆變器和太陽能發(fā)電系統(tǒng)中,TK10A60DR-VB 提供了理想的開關(guān)解決方案。它能夠承受 650V 的較高電壓,適用于從直流電池或太陽能電池板轉(zhuǎn)換為交流電的過程。由于 MOSFET 的低導(dǎo)通電阻,其效率較高,能夠減少電能轉(zhuǎn)換過程中的熱量損耗。

6. **高壓電源開關(guān)**:
  由于 TK10A60DR-VB 的較高電壓和電流處理能力,它在高壓電源開關(guān)中表現(xiàn)突出。特別適用于電視、音響系統(tǒng)和計算機(jī)設(shè)備等高電壓輸入的電源開關(guān)領(lǐng)域,能夠有效地控制電源的開關(guān)并保護(hù)系統(tǒng)免受過載損害。

7. **過電流保護(hù)電路**:
  在過電流保護(hù)電路中,TK10A60DR-VB 可用作負(fù)載開關(guān),幫助防止電路中過電流導(dǎo)致的故障。其高電壓耐受和較低的導(dǎo)通電阻有助于電路穩(wěn)定工作,并且能夠快速響應(yīng)電流變化,保護(hù)電路不受損壞。

8. **電動汽車充電器**:
  TK10A60DR-VB 在電動汽車充電器中可作為重要的功率開關(guān)組件。它支持較高的電壓(650V),能夠在電動汽車快速充電過程中高效切換電流,為電動汽車電池提供穩(wěn)定的充電電流,同時減少熱量和功率損耗,提高充電效率。

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### 總結(jié)

TK10A60DR-VB 是一款高效的 N 型 MOSFET,采用 TO220F 封裝,適用于高壓應(yīng)用,具備 650V 的耐壓能力和 12A 的漏極電流能力。其低導(dǎo)通電阻和較低的功率損耗使其在電源轉(zhuǎn)換、電池管理、電動機(jī)驅(qū)動、逆變器和功率因數(shù)校正電路等多個領(lǐng)域中具有廣泛的應(yīng)用。憑借 Plannar 技術(shù)的高效開關(guān)性能,TK10A60DR-VB 能夠提供穩(wěn)定、可靠的電流控制,適應(yīng)各種工業(yè)和商業(yè)電源管理需求。

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