--- 產(chǎn)品參數(shù) ---
- Package TO220F
- 溝道 Single-N-Channel
- VDS 650V
- VGS 30(±V)
- Vth 3.5V
- RDS(ON) 680mΩ@VGS=10V
- ID 12A
--- 數(shù)據(jù)手冊(cè) ---
--- 產(chǎn)品詳情 ---
### TK12A65D-VB MOSFET 產(chǎn)品簡(jiǎn)介
TK12A65D-VB 是一款采用 TO220F 封裝的單極 N 型 MOSFET,適用于高電壓和中功率開關(guān)電路,具有 650V 的漏源電壓(V_DS)和最大 12A 的漏極電流(I_D)。該 MOSFET 配備了 Plannar 技術(shù),確保其在高電壓操作下具有較低的導(dǎo)通電阻(R_DS(ON)),達(dá)到 680mΩ(@V_GS=10V)。這種特性使得 TK12A65D-VB 在電源轉(zhuǎn)換、電動(dòng)機(jī)控制和電力管理系統(tǒng)中具有優(yōu)異的性能,能夠提供高效的功率開關(guān),同時(shí)減少開關(guān)損耗和熱量生成。它的廣泛應(yīng)用領(lǐng)域包括高效電源設(shè)計(jì)、逆變器、電池管理系統(tǒng)(BMS)和工業(yè)控制模塊等。
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### TK12A65D-VB MOSFET 詳細(xì)參數(shù)說明
- **封裝類型**:TO220F
- **配置**:?jiǎn)螛O N 型 MOSFET(Single-N-Channel)
- **漏源電壓 (V_DS)**:650V
- **柵源電壓 (V_GS)**:±30V
- **閾值電壓 (V_th)**:3.5V
- **導(dǎo)通電阻 (R_DS(ON))**:
- 680mΩ @ V_GS = 10V
- **最大漏極電流 (I_D)**:12A
- **最大功率損耗**:由導(dǎo)通電阻和漏極電流決定,適用于中等功率的開關(guān)電路。
- **技術(shù)**:Plannar 技術(shù)
- **工作溫度范圍**:-55°C 到 +150°C(符合工業(yè)應(yīng)用要求)
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### 應(yīng)用領(lǐng)域和模塊舉例
1. **高效電源轉(zhuǎn)換**:
TK12A65D-VB 是開關(guān)電源(SMPS)和 DC-DC 轉(zhuǎn)換器中的理想選擇。其 650V 的耐壓能力和 12A 的最大漏極電流,使其能夠處理高功率和高電壓的電源轉(zhuǎn)換,特別是在高效能量轉(zhuǎn)換設(shè)備中使用。其低導(dǎo)通電阻特性(680mΩ)幫助降低開關(guān)過程中的功率損耗,提升系統(tǒng)的整體效率。
2. **太陽能逆變器**:
在太陽能光伏逆變器中,TK12A65D-VB 可作為高效的開關(guān)元件。由于其優(yōu)異的導(dǎo)電性能和高壓耐受能力,能夠在太陽能發(fā)電系統(tǒng)中有效轉(zhuǎn)換直流電至交流電。低導(dǎo)通電阻減少了逆變過程中產(chǎn)生的熱量,增加了系統(tǒng)的穩(wěn)定性和長(zhǎng)時(shí)間運(yùn)行的可靠性。
3. **電動(dòng)機(jī)驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)**:
TK12A65D-VB 適用于電動(dòng)機(jī)驅(qū)動(dòng)控制系統(tǒng)。其高電壓和大電流承載能力(12A)使其在變頻驅(qū)動(dòng)(VFD)、電動(dòng)工具和工業(yè)自動(dòng)化等應(yīng)用中非常可靠。MOSFET 低導(dǎo)通電阻特性可以減少電機(jī)驅(qū)動(dòng)電路中的功率損耗,提升電動(dòng)機(jī)運(yùn)行效率,降低運(yùn)行成本。
4. **電池管理系統(tǒng)(BMS)**:
TK12A65D-VB 還廣泛應(yīng)用于電池管理系統(tǒng)中,尤其是在高壓電池組的管理和保護(hù)中。作為高效開關(guān)器件,它能夠幫助管理電池的充電與放電過程。低 R_DS(ON) 值有助于減少電池充放電過程中的熱量積累,提高系統(tǒng)的運(yùn)行效率和電池壽命。
5. **高功率家電電源模塊**:
在家電產(chǎn)品中,尤其是空調(diào)、電視、音響系統(tǒng)等高功率設(shè)備,TK12A65D-VB 用作電源模塊中的核心開關(guān)元件。它能夠承受較高的輸入電壓,并通過低導(dǎo)通電阻高效地控制電流,從而確保設(shè)備的高效能運(yùn)作和長(zhǎng)時(shí)間穩(wěn)定工作。
6. **功率因數(shù)校正(PFC)電路**:
TK12A65D-VB 是功率因數(shù)校正電路中的理想選擇。由于其高電壓承受能力和低導(dǎo)通電阻,它能夠在電源輸入端進(jìn)行高效的電能轉(zhuǎn)換,減少諧波失真,優(yōu)化功率因數(shù),適用于各種高效能電力系統(tǒng)。
7. **工業(yè)自動(dòng)化系統(tǒng)**:
TK12A65D-VB 在工業(yè)自動(dòng)化系統(tǒng)中有廣泛應(yīng)用,尤其是在電力調(diào)節(jié)、負(fù)載控制等領(lǐng)域。其高耐壓和大電流能力使其能夠承受并控制工業(yè)設(shè)備中的大電流,提供精準(zhǔn)的控制和電力調(diào)節(jié),保證設(shè)備穩(wěn)定運(yùn)行。
8. **電動(dòng)汽車(EV)充電器**:
在電動(dòng)汽車充電器中,TK12A65D-VB 作為開關(guān)元件幫助實(shí)現(xiàn)高效的電能傳輸,控制充電過程中的電流。其 650V 的耐壓能力和 12A 的電流容量使其在快速充電系統(tǒng)中非常合適,減少能量損失并提升充電效率。
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### 總結(jié)
TK12A65D-VB 是一款功能強(qiáng)大且高效的單極 N 型 MOSFET,具有 650V 的漏源電壓能力、680mΩ 的導(dǎo)通電阻(@V_GS = 10V)和 12A 的最大漏極電流。憑借其 Plannar 技術(shù),它能夠在高壓電源轉(zhuǎn)換、電動(dòng)機(jī)控制、逆變器、電池管理系統(tǒng)等多個(gè)應(yīng)用領(lǐng)域中提供高效、可靠的性能。該 MOSFET 的低導(dǎo)通電阻特性有效減少了能量損失,優(yōu)化了整體系統(tǒng)效率,并且具備較高的熱穩(wěn)定性和耐用性,適合廣泛的工業(yè)應(yīng)用和高功率電源管理需求。
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