--- 產(chǎn)品參數(shù) ---
- Package TO220F
- 溝道 Single-N-Channel
- VDS 650V
- VGS 30(±V)
- Vth 3.5V
- RDS(ON) 1100mΩ@VGS=10V
- ID 7A
--- 數(shù)據(jù)手冊(cè) ---
--- 產(chǎn)品詳情 ---
### TK4A53DTA4-VB MOSFET 產(chǎn)品簡(jiǎn)介
TK4A53DTA4-VB 是一款采用 TO220F 封裝的單極 N 溝道功率 MOSFET,專為中等功率應(yīng)用設(shè)計(jì)。該 MOSFET 的最大漏極源電壓(VDS)為 650V,適用于要求較高電壓的開(kāi)關(guān)電源及功率轉(zhuǎn)換電路。它具有閾值電壓(Vth)為 3.5V,并采用平面技術(shù)(Plannar),提供穩(wěn)定的開(kāi)關(guān)特性和較低的導(dǎo)通電阻(RDS(ON) 為 1100mΩ @ VGS=10V)。其最大漏極電流為 7A,適合用于需要較高電壓、較低電流的應(yīng)用場(chǎng)景。TK4A53DTA4-VB 特別適用于電力電子領(lǐng)域中的中等功率開(kāi)關(guān)、功率管理、以及電源轉(zhuǎn)換模塊。
### TK4A53DTA4-VB MOSFET 詳細(xì)參數(shù)說(shuō)明
- **型號(hào)**:TK4A53DTA4-VB
- **封裝**:TO220F
- **配置**:?jiǎn)螛O N 溝道 (Single-N-Channel)
- **最大漏極源電壓(VDS)**:650V
- **最大柵源電壓(VGS)**:±30V
- **閾值電壓(Vth)**:3.5V
- **導(dǎo)通電阻(RDS(ON))**:
- 1100mΩ @ VGS = 10V
- **最大漏極電流(ID)**:7A
- **技術(shù)類型**:Plannar 技術(shù)
- **工作溫度范圍**:-55°C 至 150°C(典型值)
- **最大功耗**:90W(根據(jù)實(shí)際應(yīng)用和散熱設(shè)計(jì)可能有所不同)
### TK4A53DTA4-VB 應(yīng)用領(lǐng)域與模塊
1. **中功率電源供應(yīng)器**
- TK4A53DTA4-VB 廣泛應(yīng)用于中功率電源供應(yīng)器(如 AC-DC 轉(zhuǎn)換器和 DC-DC 轉(zhuǎn)換器),特別是在需要較高電壓(如 650V)和中等電流(7A)的電源管理系統(tǒng)中。其穩(wěn)定的開(kāi)關(guān)性能和適中的導(dǎo)通電阻使其在這些應(yīng)用中具備較高的效率和較低的熱損耗。
2. **工業(yè)電源管理系統(tǒng)**
- 在工業(yè)自動(dòng)化、機(jī)器人控制和設(shè)備電源模塊中,TK4A53DTA4-VB 可用于提供電力轉(zhuǎn)換和開(kāi)關(guān)控制功能。它能夠滿足這些應(yīng)用中的高電壓需求,同時(shí)具有較低的功率損失,適合于各種電力電子控制系統(tǒng)。
3. **家電電源模塊**
- TK4A53DTA4-VB 在家電產(chǎn)品的電源模塊中也有廣泛應(yīng)用,尤其是在需要穩(wěn)定電壓供應(yīng)的電器設(shè)備中(如洗衣機(jī)、空調(diào)、電冰箱等)。其高耐壓能力和中等電流支持能力使其適合用于這些家電產(chǎn)品的電力轉(zhuǎn)換和調(diào)節(jié)電路。
4. **電池管理系統(tǒng)(BMS)**
- 在電池管理系統(tǒng)(BMS)中,TK4A53DTA4-VB 用于充電器和電池保護(hù)模塊。它的高耐壓特性使其適合用于電池充電控制,提供穩(wěn)定的開(kāi)關(guān)特性和高可靠性,確保電池在充電過(guò)程中的安全性和效率。
5. **汽車(chē)電源系統(tǒng)**
- TK4A53DTA4-VB 還適用于汽車(chē)電源系統(tǒng)中的功率轉(zhuǎn)換和電池管理模塊。在電動(dòng)汽車(chē)(EV)和混合動(dòng)力汽車(chē)(HEV)的電池充電器、電動(dòng)機(jī)驅(qū)動(dòng)和其他電源模塊中,它可以有效地處理高電壓和電流負(fù)載,提升系統(tǒng)的性能和效率。
6. **通信設(shè)備電源**
- 在通信設(shè)備(如交換機(jī)、路由器和基站電源模塊)中,TK4A53DTA4-VB 用于電源轉(zhuǎn)換和電壓調(diào)節(jié)。其高耐壓和高效能使其適合于這些要求高電壓和穩(wěn)定輸出的通信設(shè)備。
### 總結(jié)
TK4A53DTA4-VB MOSFET 是一款適用于中高電壓應(yīng)用的功率開(kāi)關(guān)元件。它具備較高的漏極源電壓(650V)和適中的導(dǎo)通電阻,能夠提供高效的電力轉(zhuǎn)換和管理功能。廣泛應(yīng)用于中功率電源供應(yīng)器、工業(yè)電源管理、家電電源、汽車(chē)電源系統(tǒng)及電池管理系統(tǒng)等領(lǐng)域,尤其適合需要高電壓和中等電流的開(kāi)關(guān)和功率管理任務(wù)。其平面技術(shù)提供了穩(wěn)定的性能和較長(zhǎng)的使用壽命,是各種電力電子設(shè)備中理想的選擇。
為你推薦
-
P3004BD-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:51
產(chǎn)品型號(hào):P3004BD-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P3003BDG-VB一款TO252封裝P-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:48
產(chǎn)品型號(hào):P3003BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-P-Channel VDS:-30V VGS:20(±V) Vth:-1.7V -
P2NK90Z-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:47
產(chǎn)品型號(hào):P2NK90Z-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:900V VGS:30(±V) Vth:3.5V -
P2904BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:44
產(chǎn)品型號(hào):P2904BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2804EDG-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:42
產(chǎn)品型號(hào):P2804EDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2804BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:40
產(chǎn)品型號(hào):P2804BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2703BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:36
產(chǎn)品型號(hào):P2703BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:30V VGS:20(±V) Vth:1.7V -
P2610BD-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:31
產(chǎn)品型號(hào):P2610BD-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:100V VGS:20(±V) Vth:1.8V -
P2610ADG-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:28
產(chǎn)品型號(hào):P2610ADG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:100V VGS:20(±V) Vth:1.8V -
P2504BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:25
產(chǎn)品型號(hào):P2504BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V
-
IRF640NPBF的替代VBM1201M以本土化供應(yīng)鏈保障高性價(jià)比功率方案2025-12-01 16:18
在當(dāng)今的電子設(shè)計(jì)與制造領(lǐng)域,供應(yīng)鏈的韌性與元器件的成本效益已成為關(guān)乎企業(yè)核心競(jìng)爭(zhēng)力的關(guān)鍵因素。尋找一個(gè)性能相當(dāng)、甚至更優(yōu),同時(shí)兼具供應(yīng)穩(wěn)定與成本優(yōu)勢(shì)的國(guó)產(chǎn)替代器件,不再是簡(jiǎn)單的備選方案,而是演進(jìn)為一項(xiàng)至關(guān)重要的戰(zhàn)略決策。當(dāng)我們聚焦于應(yīng)用廣泛的N溝道功率MOSFET——英飛凌的IRF640NPBF時(shí),微碧半導(dǎo)體(VBsemi)推出的VBM1201M脫穎而出,它 -
VBE2610N:重塑P溝道功率方案,以本土化供應(yīng)鏈實(shí)現(xiàn)高性價(jià)比替代IRFR9024NTRPBF2025-12-01 15:12
在追求供應(yīng)鏈自主可控與極致成本效益的今天,為經(jīng)典器件尋找一個(gè)性能更強(qiáng)、供應(yīng)更穩(wěn)、價(jià)值更高的國(guó)產(chǎn)替代方案,已成為驅(qū)動(dòng)產(chǎn)品創(chuàng)新與保障交付安全的核心戰(zhàn)略。面對(duì)英飛凌經(jīng)典的P溝道功率MOSFET——IRFR9024NTRPBF,微碧半導(dǎo)體(VBsemi)推出的VBE2610N提供了并非簡(jiǎn)單的引腳兼容替代,而是一次從基礎(chǔ)參數(shù)到系統(tǒng)效能的全面價(jià)值躍升。從參數(shù)對(duì)標(biāo)到性能飛