chinese直男口爆体育生外卖, 99久久er热在这里只有精品99, 又色又爽又黄18禁美女裸身无遮挡, gogogo高清免费观看日本电视,私密按摩师高清版在线,人妻视频毛茸茸,91论坛 兴趣闲谈,欧美 亚洲 精品 8区,国产精品久久久久精品免费

企業(yè)號(hào)介紹

全部
  • 全部
  • 產(chǎn)品
  • 方案
  • 文章
  • 資料
  • 企業(yè)

微碧半導(dǎo)體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務(wù)中高端市場的終端制造商

1.6w 內(nèi)容數(shù) 99w+ 瀏覽量 79 粉絲

TK6A53DTA4-VB一款TO220F封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管

型號(hào): TK6A53DTA4-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • Package TO220F
  • Configurat Single-N-Channel
  • VDS 650V
  • VGS 30(±V)
  • Vth 3.5V
  • RDS(ON) 1100mΩ@VGS=10V
  • ID 7A

--- 數(shù)據(jù)手冊(cè) ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

### TK6A53DTA4-VB MOSFET 產(chǎn)品簡介

TK6A53DTA4-VB 是一款采用 TO220F 封裝的單極性 N 通道 MOSFET,采用平面(Plannar)技術(shù),專為高電壓和中等功率應(yīng)用設(shè)計(jì)。該 MOSFET 的最大漏源電壓(VDS)為 650V,最大柵極源電壓(VGS)為 ±30V,適合需要承受較高電壓的電源管理和開關(guān)應(yīng)用。其閾值電壓(Vth)為 3.5V,能夠在較低柵極電壓下實(shí)現(xiàn)快速導(dǎo)通。TK6A53DTA4-VB 的導(dǎo)通電阻(RDS(ON))在 VGS = 10V 時(shí)為 1100mΩ,能夠提供相對(duì)較低的導(dǎo)通損耗,確保高效的電流傳輸,適用于中等電流(最大 ID 7A)場合。該 MOSFET 適用于高電壓開關(guān)電源、電力控制系統(tǒng)、電池管理系統(tǒng)(BMS)等多個(gè)領(lǐng)域,尤其適合需要高電壓承載和較低導(dǎo)通損耗的中功率電源應(yīng)用。

### TK6A53DTA4-VB MOSFET 詳細(xì)參數(shù)說明

| **參數(shù)**             | **規(guī)格**                         |
|----------------------|----------------------------------|
| **型號(hào)**             | TK6A53DTA4-VB                    |
| **封裝形式**         | TO220F                           |
| **配置**             | 單極性 N 通道                    |
| **最大漏極源電壓 (VDS)** | 650V                             |
| **最大柵極源電壓 (VGS)** | ±30V                             |
| **閾值電壓 (Vth)**   | 3.5V                             |
| **導(dǎo)通電阻 (RDS(ON))** | 1100mΩ @ VGS = 10V               |
| **最大漏極電流 (ID)** | 7A                               |
| **技術(shù)**             | Plannar技術(shù)                       |

### TK6A53DTA4-VB MOSFET 適用領(lǐng)域與模塊舉例

**1. 高電壓開關(guān)電源(SMPS):**
  - TK6A53DTA4-VB 由于其高耐壓特性(650V),是高電壓開關(guān)電源(SMPS)中的理想選擇。它能夠高效地控制電源轉(zhuǎn)換過程中的高電壓開關(guān),適用于 AC-DC 或 DC-DC 轉(zhuǎn)換器中。其低導(dǎo)通電阻(RDS(ON) 為 1100mΩ)有助于降低功率損失,提高電源轉(zhuǎn)換效率,從而確保電力電子系統(tǒng)在不同負(fù)載條件下穩(wěn)定運(yùn)行。該 MOSFET 被廣泛應(yīng)用于工業(yè)電源、LED 驅(qū)動(dòng)器、電力適配器和通訊電源等領(lǐng)域。

**2. 電池管理系統(tǒng)(BMS):**
  - 在電池管理系統(tǒng)(BMS)中,TK6A53DTA4-VB 可用于高電壓電池的充放電控制。由于其能夠承受高達(dá) 650V 的電壓,該 MOSFET 適合用于高電壓電池的電流開關(guān)和保護(hù)。它在電動(dòng)汽車(EV)和儲(chǔ)能系統(tǒng)(ESS)中有廣泛應(yīng)用,能夠確保電池系統(tǒng)在充電和放電過程中具有高效、穩(wěn)定的電流控制,防止電池過充或過放。

**3. 電力因數(shù)校正(PFC)電路:**
  - TK6A53DTA4-VB 由于其高 VDS 和低導(dǎo)通電阻,非常適用于電力因數(shù)校正(PFC)電路。它能夠高效地工作在高電壓輸入電源中,幫助改善電源的功率因數(shù),降低無功功率,并提高電力傳輸?shù)男?。在電力因?shù)校正模塊中,該 MOSFET 能夠通過減少導(dǎo)通損耗優(yōu)化電能轉(zhuǎn)換效率,廣泛應(yīng)用于工業(yè)電源、家用電器以及數(shù)據(jù)中心電力供應(yīng)中。

**4. 逆變器應(yīng)用:**
  - 在逆變器應(yīng)用中,TK6A53DTA4-VB 由于其耐壓能力高達(dá) 650V,能夠處理較高的電壓和電流,是光伏逆變器、風(fēng)能逆變器以及其他可再生能源系統(tǒng)中的關(guān)鍵組件。它能夠有效轉(zhuǎn)換直流電(DC)為交流電(AC),并且在高效運(yùn)行下減少能量損失。其低導(dǎo)通電阻有助于提高逆變器的工作效率,尤其是在中高功率要求的可再生能源發(fā)電系統(tǒng)中。

**5. 工業(yè)控制系統(tǒng):**
  - 在工業(yè)自動(dòng)化和電力控制系統(tǒng)中,TK6A53DTA4-VB 可以用作驅(qū)動(dòng)和保護(hù)繼電器、電動(dòng)機(jī)、變頻器等設(shè)備的開關(guān)元件。其高 VDS 和適中的最大漏極電流(7A)使得它非常適用于中等功率的電流開關(guān)需求。特別是在電機(jī)驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)和其他工業(yè)自動(dòng)化控制系統(tǒng)中,它能提供高效穩(wěn)定的開關(guān)控制,確保工業(yè)設(shè)備的精確操作和高效運(yùn)行。

**6. 高電壓過電流保護(hù)電路:**
  - 由于 TK6A53DTA4-VB 能夠承受較高的電壓(650V),它廣泛應(yīng)用于過電流保護(hù)電路中,尤其是在高電壓系統(tǒng)中。該 MOSFET 可以在電流異常時(shí)快速斷開電路,防止損壞電路組件。例如,在電力傳輸和配電系統(tǒng)中,MOSFET 用于保護(hù)關(guān)鍵電力設(shè)備免受過電流的損害,從而提高整個(gè)系統(tǒng)的安全性和可靠性。

**7. 電動(dòng)工具和家用電器:**
  - 在電動(dòng)工具、電動(dòng)泵以及家用電器中,TK6A53DTA4-VB 可用于電源管理和開關(guān)控制。其較低的導(dǎo)通電阻和高耐壓特性使其成為這些設(shè)備中的理想選擇,能夠在高效能和低功率損耗的前提下,精確控制電流,保證電動(dòng)工具和電器設(shè)備在不同負(fù)載條件下穩(wěn)定運(yùn)行。

總結(jié)來看,TK6A53DTA4-VB MOSFET 因其高耐壓(650V)、低導(dǎo)通電阻、良好的開關(guān)性能,非常適合用于高電壓開關(guān)電源、電池管理系統(tǒng)(BMS)、功率因數(shù)校正(PFC)、逆變器、電動(dòng)工具、工業(yè)控制等多個(gè)高電壓、高效率的電力電子系統(tǒng)中。

為你推薦

  • IRF640NPBF的替代VBM1201M以本土化供應(yīng)鏈保障高性價(jià)比功率方案2025-12-01 16:18

    在當(dāng)今的電子設(shè)計(jì)與制造領(lǐng)域,供應(yīng)鏈的韌性與元器件的成本效益已成為關(guān)乎企業(yè)核心競爭力的關(guān)鍵因素。尋找一個(gè)性能相當(dāng)、甚至更優(yōu),同時(shí)兼具供應(yīng)穩(wěn)定與成本優(yōu)勢的國產(chǎn)替代器件,不再是簡單的備選方案,而是演進(jìn)為一項(xiàng)至關(guān)重要的戰(zhàn)略決策。當(dāng)我們聚焦于應(yīng)用廣泛的N溝道功率MOSFET——英飛凌的IRF640NPBF時(shí),微碧半導(dǎo)體(VBsemi)推出的VBM1201M脫穎而出,它
    436瀏覽量
  • VBE2610N:重塑P溝道功率方案,以本土化供應(yīng)鏈實(shí)現(xiàn)高性價(jià)比替代IRFR9024NTRPBF2025-12-01 15:12

    在追求供應(yīng)鏈自主可控與極致成本效益的今天,為經(jīng)典器件尋找一個(gè)性能更強(qiáng)、供應(yīng)更穩(wěn)、價(jià)值更高的國產(chǎn)替代方案,已成為驅(qū)動(dòng)產(chǎn)品創(chuàng)新與保障交付安全的核心戰(zhàn)略。面對(duì)英飛凌經(jīng)典的P溝道功率MOSFET——IRFR9024NTRPBF,微碧半導(dǎo)體(VBsemi)推出的VBE2610N提供了并非簡單的引腳兼容替代,而是一次從基礎(chǔ)參數(shù)到系統(tǒng)效能的全面價(jià)值躍升。從參數(shù)對(duì)標(biāo)到性能飛
    383瀏覽量