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微碧半導(dǎo)體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務(wù)中高端市場的終端制造商

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K654-Z-E1-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管

型號: K654-Z-E1-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • Package TO252
  • 溝道 Single-N-Channel
  • VDS 100V
  • VGS 20(±V)
  • Vth 1.8V
  • RDS(ON) 114mΩ@VGS=10V
  • ID 15A

--- 數(shù)據(jù)手冊 ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

### K654-Z-E1-VB MOSFET 產(chǎn)品簡介

K654-Z-E1-VB 是一款高效能的單N溝道功率MOSFET,采用 TO252 封裝,專為需要高電流和中等電壓的應(yīng)用而設(shè)計(jì)。該器件的漏源極電壓 (VDS) 為100V,最大漏極電流 (ID) 為15A,適合多種電源管理和開關(guān)應(yīng)用。K654-Z-E1-VB 在 VGS=10V 時的導(dǎo)通電阻 (RDS(ON)) 為114mΩ,確保低功耗和高效率的開關(guān)操作。其采用的 Trench 技術(shù)不僅提高了導(dǎo)通性能,還優(yōu)化了熱管理特性,使其在電力電子設(shè)備中表現(xiàn)優(yōu)異。

### K654-Z-E1-VB 詳細(xì)參數(shù)說明

- **封裝類型**:TO252
- **溝道類型**:單N溝道
- **漏源極電壓 (VDS)**:100V
- **柵源極電壓 (VGS)**:±20V
- **閾值電壓 (Vth)**:1.8V
- **導(dǎo)通電阻 (RDS(ON))**:114mΩ @ VGS=10V
- **漏極電流 (ID)**:15A
- **技術(shù)**:Trench(溝槽技術(shù))

### K654-Z-E1-VB 應(yīng)用領(lǐng)域及模塊

1. **電源管理模塊**:K654-Z-E1-VB 適用于各種電源管理應(yīng)用,包括DC-DC轉(zhuǎn)換器和電源適配器。由于其較低的導(dǎo)通電阻和高電流能力,能夠有效降低功耗,提高轉(zhuǎn)換效率,特別是在便攜式電子設(shè)備和充電器中應(yīng)用廣泛。

2. **電機(jī)驅(qū)動系統(tǒng)**:該MOSFET 在電機(jī)控制領(lǐng)域同樣表現(xiàn)出色,適用于電動機(jī)驅(qū)動和步進(jìn)電機(jī)控制。其能夠提供快速的開關(guān)響應(yīng)和穩(wěn)定的電流輸出,確保電機(jī)平穩(wěn)運(yùn)行,適合自動化設(shè)備、機(jī)器人和家電等應(yīng)用。

3. **LED驅(qū)動電路**:K654-Z-E1-VB 也適用于LED驅(qū)動電路,能夠在較高電壓和電流下穩(wěn)定工作。這使得其在LED照明和顯示屏控制中成為理想的選擇,幫助實(shí)現(xiàn)高效能和長壽命的照明解決方案。

4. **汽車電子**:在汽車電子領(lǐng)域,該MOSFET 可用于電池管理系統(tǒng)(BMS)、車載充電器和電動助力轉(zhuǎn)向等應(yīng)用。其高耐壓和良好的熱性能使其能夠在嚴(yán)苛的環(huán)境條件下穩(wěn)定工作,提高汽車電子系統(tǒng)的可靠性。

5. **通信設(shè)備**:K654-Z-E1-VB 適用于通信設(shè)備中的電源調(diào)節(jié)和信號放大應(yīng)用,確保穩(wěn)定的電流輸出和低噪聲操作。這使得其成為基站、路由器和其他通信硬件的關(guān)鍵組成部分,支持高效的數(shù)據(jù)傳輸和處理。

K654-Z-E1-VB 的高效能與靈活性使其成為多個行業(yè)中優(yōu)秀的選擇,適合電源、驅(qū)動和控制領(lǐng)域的各類應(yīng)用。

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