--- 產(chǎn)品參數(shù) ---
- Package TO252
- 溝道 Single-N-Channel
- VDS 100V
- VGS 20(±V)
- Vth 1.8V
- RDS(ON) 114mΩ@VGS=10V
- ID 15A
--- 數(shù)據(jù)手冊 ---
--- 產(chǎn)品詳情 ---
### K654-Z-E1-VB MOSFET 產(chǎn)品簡介
K654-Z-E1-VB 是一款高效能的單N溝道功率MOSFET,采用 TO252 封裝,專為需要高電流和中等電壓的應(yīng)用而設(shè)計(jì)。該器件的漏源極電壓 (VDS) 為100V,最大漏極電流 (ID) 為15A,適合多種電源管理和開關(guān)應(yīng)用。K654-Z-E1-VB 在 VGS=10V 時的導(dǎo)通電阻 (RDS(ON)) 為114mΩ,確保低功耗和高效率的開關(guān)操作。其采用的 Trench 技術(shù)不僅提高了導(dǎo)通性能,還優(yōu)化了熱管理特性,使其在電力電子設(shè)備中表現(xiàn)優(yōu)異。
### K654-Z-E1-VB 詳細(xì)參數(shù)說明
- **封裝類型**:TO252
- **溝道類型**:單N溝道
- **漏源極電壓 (VDS)**:100V
- **柵源極電壓 (VGS)**:±20V
- **閾值電壓 (Vth)**:1.8V
- **導(dǎo)通電阻 (RDS(ON))**:114mΩ @ VGS=10V
- **漏極電流 (ID)**:15A
- **技術(shù)**:Trench(溝槽技術(shù))
### K654-Z-E1-VB 應(yīng)用領(lǐng)域及模塊
1. **電源管理模塊**:K654-Z-E1-VB 適用于各種電源管理應(yīng)用,包括DC-DC轉(zhuǎn)換器和電源適配器。由于其較低的導(dǎo)通電阻和高電流能力,能夠有效降低功耗,提高轉(zhuǎn)換效率,特別是在便攜式電子設(shè)備和充電器中應(yīng)用廣泛。
2. **電機(jī)驅(qū)動系統(tǒng)**:該MOSFET 在電機(jī)控制領(lǐng)域同樣表現(xiàn)出色,適用于電動機(jī)驅(qū)動和步進(jìn)電機(jī)控制。其能夠提供快速的開關(guān)響應(yīng)和穩(wěn)定的電流輸出,確保電機(jī)平穩(wěn)運(yùn)行,適合自動化設(shè)備、機(jī)器人和家電等應(yīng)用。
3. **LED驅(qū)動電路**:K654-Z-E1-VB 也適用于LED驅(qū)動電路,能夠在較高電壓和電流下穩(wěn)定工作。這使得其在LED照明和顯示屏控制中成為理想的選擇,幫助實(shí)現(xiàn)高效能和長壽命的照明解決方案。
4. **汽車電子**:在汽車電子領(lǐng)域,該MOSFET 可用于電池管理系統(tǒng)(BMS)、車載充電器和電動助力轉(zhuǎn)向等應(yīng)用。其高耐壓和良好的熱性能使其能夠在嚴(yán)苛的環(huán)境條件下穩(wěn)定工作,提高汽車電子系統(tǒng)的可靠性。
5. **通信設(shè)備**:K654-Z-E1-VB 適用于通信設(shè)備中的電源調(diào)節(jié)和信號放大應(yīng)用,確保穩(wěn)定的電流輸出和低噪聲操作。這使得其成為基站、路由器和其他通信硬件的關(guān)鍵組成部分,支持高效的數(shù)據(jù)傳輸和處理。
K654-Z-E1-VB 的高效能與靈活性使其成為多個行業(yè)中優(yōu)秀的選擇,適合電源、驅(qū)動和控制領(lǐng)域的各類應(yīng)用。
為你推薦
-
P3004BD-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:51
產(chǎn)品型號:P3004BD-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P3003BDG-VB一款TO252封裝P-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:48
產(chǎn)品型號:P3003BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-P-Channel VDS:-30V VGS:20(±V) Vth:-1.7V -
P2NK90Z-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:47
產(chǎn)品型號:P2NK90Z-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:900V VGS:30(±V) Vth:3.5V -
P2904BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:44
產(chǎn)品型號:P2904BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2804EDG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:42
產(chǎn)品型號:P2804EDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2804BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:40
產(chǎn)品型號:P2804BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2703BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:36
產(chǎn)品型號:P2703BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:30V VGS:20(±V) Vth:1.7V -
P2610BD-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:31
產(chǎn)品型號:P2610BD-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:100V VGS:20(±V) Vth:1.8V -
P2610ADG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:28
產(chǎn)品型號:P2610ADG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:100V VGS:20(±V) Vth:1.8V -
P2504BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:25
產(chǎn)品型號:P2504BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V
-
IRF640NPBF的替代VBM1201M以本土化供應(yīng)鏈保障高性價(jià)比功率方案2025-12-01 16:18
在當(dāng)今的電子設(shè)計(jì)與制造領(lǐng)域,供應(yīng)鏈的韌性與元器件的成本效益已成為關(guān)乎企業(yè)核心競爭力的關(guān)鍵因素。尋找一個性能相當(dāng)、甚至更優(yōu),同時兼具供應(yīng)穩(wěn)定與成本優(yōu)勢的國產(chǎn)替代器件,不再是簡單的備選方案,而是演進(jìn)為一項(xiàng)至關(guān)重要的戰(zhàn)略決策。當(dāng)我們聚焦于應(yīng)用廣泛的N溝道功率MOSFET——英飛凌的IRF640NPBF時,微碧半導(dǎo)體(VBsemi)推出的VBM1201M脫穎而出,它 -
VBE2610N:重塑P溝道功率方案,以本土化供應(yīng)鏈實(shí)現(xiàn)高性價(jià)比替代IRFR9024NTRPBF2025-12-01 15:12
在追求供應(yīng)鏈自主可控與極致成本效益的今天,為經(jīng)典器件尋找一個性能更強(qiáng)、供應(yīng)更穩(wěn)、價(jià)值更高的國產(chǎn)替代方案,已成為驅(qū)動產(chǎn)品創(chuàng)新與保障交付安全的核心戰(zhàn)略。面對英飛凌經(jīng)典的P溝道功率MOSFET——IRFR9024NTRPBF,微碧半導(dǎo)體(VBsemi)推出的VBE2610N提供了并非簡單的引腳兼容替代,而是一次從基礎(chǔ)參數(shù)到系統(tǒng)效能的全面價(jià)值躍升。從參數(shù)對標(biāo)到性能飛