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標簽 > 功率模塊
功率模塊是功率電力電子器件按一定的功能組合再灌封成一個模塊，功率模塊的作用用很多，比如：空調(diào)上作用就是變頻用的。如果在音頻部分，那作用就是做放大的。如果是在電源，就是做穩(wěn)壓的。
功率模塊是功率電力電子器件按一定的功能組合再灌封成一個模塊。
功率模塊的作用
功率模塊要看在什么地方啦。如果在空調(diào)上那就是變頻用的。如果在音頻部分，那就是做放大的。要是在電源，就是做穩(wěn)壓的。
智能功率模塊
智能功率模塊是以IGBT為內(nèi)核的先進混合集成功率部件，由高速低功耗管芯（IGBT）和優(yōu)化的門極驅(qū)動電路，以及快速保護電路構(gòu)成。IPM內(nèi)的IGBT管芯都選用高速型的，而且驅(qū)動電路緊靠IGBT，驅(qū)動延時小，所以IPM開關(guān)速度快，損耗小。IPM內(nèi)部集成了能連續(xù)檢測IGBT電流和溫度的實時檢測電路，當發(fā)生嚴重過載甚至直接短路時，以及溫度過熱時，IGBT將被有控制地軟關(guān)斷，同時發(fā)出故障信號。此外IPM還具有橋臂對管互鎖、驅(qū)動電源欠壓保護等功能。盡管IPM價格高一些，但由于集成的驅(qū)動、保護功能使IPM與單純的IGBT相比具有結(jié)構(gòu)緊湊、可靠性高、易于使用等優(yōu)點。
檢測判斷方法： 功率模塊輸入的直流電壓（P、N之間）一般為260V-310V左右，而輸出的交流電壓為一般不應高于220V。如果功率模塊的輸入端無310V直流電壓，則表明該機的整流濾波電路有問題，而與功率模塊無關(guān)；如果有310V直流電壓輸入，而U、V、W三相間無低于220V均等的交流電壓輸出或U、V、W三相輸出的電壓不均等，則可初步判斷功率模塊有故障。
功率模塊是功率電力電子器件按一定的功能組合再灌封成一個模塊。
功率模塊的作用
功率模塊要看在什么地方啦。如果在空調(diào)上那就是變頻用的。如果在音頻部分，那就是做放大的。要是在電源，就是做穩(wěn)壓的。
智能功率模塊
智能功率模塊是以IGBT為內(nèi)核的先進混合集成功率部件，由高速低功耗管芯（IGBT）和優(yōu)化的門極驅(qū)動電路，以及快速保護電路構(gòu)成。IPM內(nèi)的IGBT管芯都選用高速型的，而且驅(qū)動電路緊靠IGBT，驅(qū)動延時小，所以IPM開關(guān)速度快，損耗小。IPM內(nèi)部集成了能連續(xù)檢測IGBT電流和溫度的實時檢測電路，當發(fā)生嚴重過載甚至直接短路時，以及溫度過熱時，IGBT將被有控制地軟關(guān)斷，同時發(fā)出故障信號。此外IPM還具有橋臂對管互鎖、驅(qū)動電源欠壓保護等功能。盡管IPM價格高一些，但由于集成的驅(qū)動、保護功能使IPM與單純的IGBT相比具有結(jié)構(gòu)緊湊、可靠性高、易于使用等優(yōu)點。
檢測判斷方法： 功率模塊輸入的直流電壓（P、N之間）一般為260V-310V左右，而輸出的交流電壓為一般不應高于220V。如果功率模塊的輸入端無310V直流電壓，則表明該機的整流濾波電路有問題，而與功率模塊無關(guān)；如果有310V直流電壓輸入，而U、V、W三相間無低于220V均等的交流電壓輸出或U、V、W三相輸出的電壓不均等，則可初步判斷功率模塊有故障。
智能功率模塊的原理與應用
由日本三菱電機公司開發(fā)出的IPM系列產(chǎn)品，屬于第三代智功率模塊。它采用第三代IGBT來代替?zhèn)鹘y(tǒng)的功率MOSFET和雙極型達林頓管，并配以功率完善的控制及保護電路，構(gòu)成了一種理想的調(diào)頻軟開關(guān)模塊。這類模塊特別適用于正弦波輸出的變壓變頻VVVF式變頻器中。
高動態(tài)范圍功率測量，射頻微波/平均功率計滿足各類測試場景
傳統(tǒng)功率測量方案面臨三大痛點：難以在單次測量中同時精確捕捉微弱信號與大功率輸出；面對脈沖、QAM、OFDM等復雜調(diào)制信號時，信號還原保真度不足，盛鉑科技...
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2026-02-05 標簽：電子系統(tǒng)SiC功率模塊 223 0
熱泵是以低排放電力為動力、經(jīng)實踐驗證的安全可持續(xù)供暖方式，也是全球向安全可持續(xù)供暖轉(zhuǎn)型的核心技術(shù)。盡管熱泵的主要用途是供暖，但其逆循環(huán)功能使其可同時實現(xiàn)...
基本半導體1200V工業(yè)級碳化硅MOSFET半橋模塊Pcore2 ED3系列介紹
基本半導體推出1200V工業(yè)級碳化硅MOSFET半橋模塊Pcore2 ED3系列，采用新一代碳化硅芯片技術(shù)，結(jié)合高性能Si3N4 AMB基板與銅基板封裝...
隨著技術(shù)的不斷進步，智能功率模塊（IPM）在電力電子領(lǐng)域的應用將愈加廣泛。通過合理的分類及其在各個領(lǐng)域的應用，功率模塊（IPM）不僅提高了設備的性能和效...
博世PM6功率模塊平臺化方案全景解析：拓撲結(jié)構(gòu)、三維布局、燒結(jié)/互聯(lián)、AMB+DBC
以下內(nèi)容發(fā)表在「SysPro電力電子技術(shù)」知識星球-關(guān)于BoschPM6功率模塊平臺化方案深度解析-「SysPro電力電子技術(shù)」知識星球節(jié)選，非授權(quán)不得...
Wolfspeed在碳化硅功率模塊中應對功率循環(huán)挑戰(zhàn)的方法
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安森美NXH400N100H4Q2F2系列三電平NPC Q2Pack模塊深度解析
在電力電子領(lǐng)域，高效、可靠的功率模塊一直是工程師們追求的目標。安森美（onsemi）的NXH400N100H4Q2F2系列三電平NPC Q2Pack模塊...
探索onsemi NXH450B100H4Q2F2/Q2F2PG-R Q2BOOST模塊：Si/SiC混合技術(shù)的卓越之選
在電子工程領(lǐng)域，功率模塊的性能和可靠性對整個系統(tǒng)的運行起著關(guān)鍵作用。今天，我們來深入了解一下onsemi的NXH450B100H4Q2F2和NXH450...
類別：IC datasheet pdf 2025-04-25 標簽：IGBT功率模塊
類別：IC datasheet pdf 2025-04-17 標簽：功率模塊智能電源
MSCGLQ50DH120CTBL2NG規(guī)格書立即下載
類別：IC datasheet pdf 2025-02-07 標簽：IGBT功率模塊
海上直流風電匯集系統(tǒng)深度分析與碳化硅（SiC）功率模塊的技術(shù)價值研究報告
全球能源互聯(lián)網(wǎng)核心節(jié)點賦能者-BASiC Semiconductor基本半導體之一級代理商傾佳電子（Changer Tech）是一家專注于功率半導體和新...
SiC碳化硅功率模塊與配套驅(qū)動技術(shù)的系統(tǒng)性變革：從IGBT模塊替代到電力電子架構(gòu)重構(gòu)
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SiC MOSFET功率模塊硬并聯(lián)環(huán)流產(chǎn)生機理與抑制手段剖析報告
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深度解析SiC碳化硅MOSFET功率模塊并聯(lián)技術(shù)：基于基本半導體產(chǎn)品矩陣的交錯與硬并聯(lián)策略全景研究 BASiC Semiconductor基本半導體一級...
半導體功率模塊（IPM）封裝創(chuàng)新趨勢分析的詳解；
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電力電子DPT雙脈沖測試原理及其在國產(chǎn)碳化硅（SiC）功率模塊替代進口IGBT模塊進程中的技術(shù)價值
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聯(lián)合電子新一代400V 油冷電橋順利批產(chǎn)，這是聯(lián)合電子首個搭載自制的新一代PM6功率模塊的三合一油冷電橋總成。400V的油冷電橋順利批產(chǎn)，既拓展了聯(lián)合電...
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