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標(biāo)簽 > 氮化鎵
氮化鎵，分子式GaN，英文名稱Gallium nitride，是氮和鎵的化合物，是一種直接能隙（direct bandgap）的半導(dǎo)體，自1990年起常用在發(fā)光二極管中。
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智融SW1106 65W氮化鎵模塊快充方案評(píng)測(cè)分析
初級(jí)主控芯片來(lái)自智融，型號(hào)為SW1106，是一顆支持增強(qiáng)型氮化鎵開(kāi)關(guān)管直驅(qū)的高頻反激準(zhǔn)諧振控制器，芯片內(nèi)部集成氮化鎵驅(qū)動(dòng)器，驅(qū)動(dòng)電壓為6V，可直接驅(qū)動(dòng)增...
2022-09-13 標(biāo)簽：氮化鎵 2.6k 0
Texas Instruments PFC23338EVM-107評(píng)估主板數(shù)據(jù)手冊(cè)
Texas Instruments PFC23338EVM-107評(píng)估主板是一款基于氮化鎵(GaN)的3.6kW單相連續(xù)導(dǎo)通模式(CCM)圖騰柱無(wú)橋功率...
2025-07-05 標(biāo)簽：轉(zhuǎn)換器主板氮化鎵 2.6k 0
隨著氮化鎵技術(shù)的不斷發(fā)展，氮化鎵也應(yīng)用在了很多新興領(lǐng)域，充電頭網(wǎng)此次選取了手機(jī)、車充、PC電源、服務(wù)器電源、筆記本適配器、戶外電源等新場(chǎng)景，幫助大家掌握...
同步整流芯片U7714是一款帶快速關(guān)斷功能的高性能副邊同步整流功率開(kāi)關(guān)，可以替代肖特基整流二極管以提高系統(tǒng)效率。U7714內(nèi)置有VDD高壓供電模塊，無(wú)需...
聚焦大功率氮化鎵（GaN）器件及其在實(shí)際應(yīng)用中所面臨的相關(guān)熱問(wèn)題
熱設(shè)計(jì)是一個(gè)至關(guān)重要的課題，其中的各種規(guī)則、縮略語(yǔ)和復(fù)雜方程時(shí)常讓人感到它似乎是個(gè)深不可測(cè)的神秘領(lǐng)域；
氮化鎵（GaN）寬帶隙技術(shù)的電源應(yīng)用設(shè)計(jì)
隨著世界希望電氣化有助于有效利用能源并轉(zhuǎn)向可再生能源，氮化鎵（GaN）等寬帶隙半導(dǎo)體技術(shù)的時(shí)機(jī)已經(jīng)成熟。傳統(tǒng)硅MOSFET和IGBT的性能現(xiàn)在接近材料的...
氮化鎵和碳化硅正在爭(zhēng)奪主導(dǎo)地位，它們將減少數(shù)十億噸溫室氣體排放。
氮化鎵是一種半導(dǎo)體材料，由氮?dú)夂徒饘冁壏磻?yīng)得到。它具有優(yōu)異的光電特性和熱穩(wěn)定性，因此在電子器件、光電器件、化學(xué)傳感器等領(lǐng)域有著廣泛的應(yīng)用。本文將從氮化鎵...
2024-01-10 標(biāo)簽：電子器件半導(dǎo)體材料氮化鎵 2.5k 0
在多路輸出反激式電源中，如果希望每一路輸出都具備良好的調(diào)節(jié)精度，最常見(jiàn)的做法，是在反激級(jí)之后增加DC-DC后級(jí)穩(wěn)壓器。
氮化鎵工藝技術(shù)是什么意思？ 氮化鎵是一種無(wú)機(jī)物，化學(xué)式GaN，是氮和鎵的化合物，是一種直接能隙（direct bandgap）的半導(dǎo)體，自1990年起常...
使用GaN（氮化鎵）的功率半導(dǎo)體作為節(jié)能/低碳社會(huì)的關(guān)鍵器件而受到關(guān)注。兩家日本公司聯(lián)手創(chuàng)造了一項(xiàng)新技術(shù)，解決了導(dǎo)致其全面推廣的問(wèn)題。
氮化鎵不是充電器類型，而是一種化合物。 氮化鎵（GaN）是一種重要的半導(dǎo)體材料，具有優(yōu)異的電學(xué)和光學(xué)特性。近年來(lái)，氮化鎵材料在充電器領(lǐng)域得到了廣泛的應(yīng)用...
2024-01-10 標(biāo)簽：充電器電子器件半導(dǎo)體材料 2.5k 0
GaN將徹底改變數(shù)據(jù)中心電源 數(shù)據(jù)中心市場(chǎng)是下一個(gè)角逐點(diǎn)
高可靠性，高性能氮化鎵功率轉(zhuǎn)換產(chǎn)品供應(yīng)商Transphorm與貝爾集團(tuán)（Bel Group）聯(lián)合宣布Bel的鈦效率電源中使用了六個(gè)Transphorm的...
2021-01-22 標(biāo)簽：功率轉(zhuǎn)換器氮化鎵GaN 2.5k 0
氮化鎵開(kāi)關(guān)管是一種新型的半導(dǎo)體器件，適用于高頻高壓控制信號(hào)的開(kāi)關(guān)應(yīng)用。它由四個(gè)電極組成，包括柵極（G，Gate）、源極（S，Source）、漏極（D，D...
GaN-on-Si LED技術(shù)是行業(yè)夢(mèng)寐以求的技術(shù)。首先，硅是地殼含量第二的元素，物理和化學(xué)性能良好，在大尺寸硅襯底上制作氮化鎵LED的綜合成本可以降低25%；
充電頭網(wǎng)拿到了優(yōu)勝仕推出的一款35W氮化鎵磁吸收納線快充，這款充電器與傳統(tǒng)充電器不同的一點(diǎn)是配備了磁吸伸縮USB-C線模塊，既可以安裝磁吸USB-C線模...
一種是通過(guò)生長(zhǎng)碳化硅同質(zhì)外延，下游用于新能源汽車、光伏、工控、軌交等功率領(lǐng)域的導(dǎo)電型襯底，外延層上制造各類功率器件； 另一種是通過(guò)生長(zhǎng)氮化鎵異質(zhì)外延...
鑒于氮化鎵 (GaN) 場(chǎng)效應(yīng)晶體管 (FET) 能夠提高效率并縮小電源尺寸，其采用率正在迅速提高。但在投資這項(xiàng)技術(shù)之前，您可能仍然會(huì)好奇GaN是否具有...
氮化鎵（GaN）是一種非常堅(jiān)硬、機(jī)械穩(wěn)定的寬帶隙半導(dǎo)體。基于GaN的功率器件具有更高的擊穿強(qiáng)度、更快的開(kāi)關(guān)速度、更高的導(dǎo)熱性和更低的導(dǎo)通電阻，其性能明顯...
氮化鎵與其他半導(dǎo)體的比較(FOM) 氮化鎵晶體管的應(yīng)用
了解氮化鎵 -寬帶隙半導(dǎo)體：為什么？ -氮化鎵與其他半導(dǎo)體的比較(FOM) -如何獲得高片電荷和高遷移率？
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