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標(biāo)簽 > 氮化鎵
氮化鎵，分子式GaN，英文名稱Gallium nitride，是氮和鎵的化合物，是一種直接能隙（direct bandgap）的半導(dǎo)體，自1990年起常用在發(fā)光二極管中。
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干貨 | 氮化鎵GaN驅(qū)動(dòng)器的PCB設(shè)計(jì)策略概要
干貨 | 氮化鎵GaN驅(qū)動(dòng)器的PCB設(shè)計(jì)策略概要
2023-09-27 標(biāo)簽：PCB驅(qū)動(dòng)器氮化鎵 2.5k 0
MXene范德華接觸在氮化鎵高電子遷移率晶體管中的應(yīng)用
摘要：柵極控制能力是決定氮化鎵高電子遷移率晶體管性能的關(guān)鍵因素。然而在金屬-氮化鎵界面，金屬和半導(dǎo)體的直接接觸會(huì)導(dǎo)致界面缺陷和固定電荷，這會(huì)降低氮化鎵高...
氮化鎵在射頻領(lǐng)域的優(yōu)勢(shì)盤點(diǎn)
氮化鎵是一種二元III/V族直接帶隙半導(dǎo)體晶體，也是一般照明LED和藍(lán)光播放器最常使用的材料。另外，氮化鎵還被用于射頻放大器和功率電子器件。氮化鎵是非常...
本文研究了四個(gè)經(jīng)常被忽略的因素對(duì)基于GaN的全橋逆變器損耗模型的影響：器件的[寄生電容]()、時(shí)變功耗（Ploss）下的結(jié)溫度（*T*~j~）動(dòng)力學(xué)、殼...
2023-12-06 標(biāo)簽：轉(zhuǎn)換器濾波器氮化鎵 2.5k 0
一種是通過(guò)生長(zhǎng)碳化硅同質(zhì)外延，下游用于新能源汽車、光伏、工控、軌交等功率領(lǐng)域的導(dǎo)電型襯底，外延層上制造各類功率器件； 另一種是通過(guò)生長(zhǎng)氮化鎵異質(zhì)外延...
誰(shuí)發(fā)現(xiàn)了氮化鎵半導(dǎo)體材料？這種材料的特性是什么？
氮化鎵（GaN）是氮和鎵化合物，具體半導(dǎo)體特性，早期應(yīng)用于發(fā)光二極管中，其具有寬帶隙、高熱導(dǎo)率等特點(diǎn)，寬禁帶半導(dǎo)體是高溫、高頻、抗輻射及大功率器件的適合...
氮化鎵與其他半導(dǎo)體的比較(FOM) 氮化鎵晶體管的應(yīng)用
了解氮化鎵 -寬帶隙半導(dǎo)體：為什么？ -氮化鎵與其他半導(dǎo)體的比較(FOM) -如何獲得高片電荷和高遷移率？
意法半導(dǎo)體首款采用氮化鎵(GaN)晶體管的VIPer器件
VIPERGAN50是VIPerPLUS系列首款可在寬工作電壓(9 V至23 V)下提供高達(dá)50 W功率的產(chǎn)品。這也是我們首款采用氮化鎵(GaN)晶體管...
2022-04-09 標(biāo)簽：意法半導(dǎo)體晶體管氮化鎵 2.5k 0
Texas Instruments LMG2640EVM-090子卡評(píng)估模塊數(shù)據(jù)手冊(cè)
Texas Instruments LMG2640EVM-090子卡評(píng)估模塊 (EVM) 設(shè)計(jì)用于提供一個(gè)快速簡(jiǎn)便的評(píng)估平臺(tái)，用來(lái)評(píng)估任何半橋拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)中...
2025-07-15 標(biāo)簽：氮化鎵評(píng)估模塊EVM 2.5k 0
氮化鎵功率器件的電壓限制主要是由以下幾個(gè)原因造成的。 首先，氮化鎵是一種寬能帶隙半導(dǎo)體材料，具有較高的擊穿電場(chǎng)強(qiáng)度和較高的耐壓能力。盡管氮化鎵材料具有較...
今天拆解的是昭文推出的一款20W氮化鎵充電器，這款氮化鎵充電器采用白色直板機(jī)身設(shè)計(jì)，配有固定美規(guī)插腳。充電器具備單USB-C接口，支持20W PD和PP...
氮化鎵芯片（GaN芯片）是一種新型的半導(dǎo)體材料，在目前的電子設(shè)備中逐漸得到應(yīng)用。它以其優(yōu)異的性能和特點(diǎn)備受研究人員的關(guān)注和追捧。在現(xiàn)代科技的進(jìn)步中，氮化...
2024-01-10 標(biāo)簽：芯片電子設(shè)備半導(dǎo)體材料 2.4k 0
GaN 技術(shù)持續(xù)為國(guó)防和電信市場(chǎng)提供性能和效率。目前射頻市場(chǎng)應(yīng)用以碳化硅基氮化鎵器件為主。雖然硅基氮化鎵（GaN-on-Si）目前不會(huì)威脅到碳化硅基氮化...
過(guò)去兩年中，氮化鎵雖然發(fā)展迅速，但似乎已經(jīng)遇到了瓶頸。與此同時(shí)，不少垂直氮化鎵的初創(chuàng)企業(yè)倒閉或者賣盤，這引發(fā)大家對(duì)垂直氮化鎵未來(lái)的擔(dān)憂。為此，在本文中，...
氮化鎵 (GaN) 是需要高頻率工作（高 Fmax）、高功率密度和高效率的應(yīng)用的理想選擇。與硅相比，GaN 具有達(dá) 3.4 eV 的 3 倍帶隙，達(dá) 3...
GaN與SiC功率器件的特點(diǎn) GaN和SiC的技術(shù)挑戰(zhàn)
SiC和GaN被稱為“寬帶隙半導(dǎo)體”(WBG)，因?yàn)閷⑦@些材料的電子從價(jià)帶炸毀到導(dǎo)帶所需的能量：而在硅的情況下，該能量為1.1eV，SiC（碳化硅）為...
2023-08-09 標(biāo)簽：驅(qū)動(dòng)器SiC氮化鎵 2.3k 0
硅制造技術(shù)已經(jīng)足夠成熟，可以大規(guī)模生產(chǎn)直徑達(dá)18英寸的晶片，而GaN晶片仍在6英寸的晶片上制造。GaN制造的基底選擇范圍從硅或藍(lán)寶石基底（便宜但較大的晶...
氮化鎵快充電源ic U8722DE優(yōu)化系統(tǒng)輕載效率
氮化鎵快充電源ic U8722DE集成高壓E-Mode GaN FET，為了保障GaN FET工作的可靠性和高系統(tǒng)效率，芯片內(nèi)置了高精度、高可靠性的驅(qū)動(dòng)電路
2024-05-08 標(biāo)簽：驅(qū)動(dòng)電路氮化鎵電源IC 2.3k 0
訊天宏這款氮化鎵充電器采用多塊小板組合焊接而成，PCBA模塊正面覆蓋黃銅散熱片，背面粘貼導(dǎo)熱墊加強(qiáng)散熱。充電器內(nèi)置恩智浦TEA2016高集成電源芯片，內(nèi)...
氮化鎵（GaN）為從RF-IC到眾多功率控制IC（例如通信，能源和軍事應(yīng)用中使用的大功率HEMT）等各種模擬微芯片提供了顯著的性能優(yōu)勢(shì)。GaN還是高能效...
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