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標(biāo)簽 > 氮化鎵
氮化鎵，分子式GaN，英文名稱Gallium nitride，是氮和鎵的化合物，是一種直接能隙（direct bandgap）的半導(dǎo)體，自1990年起常用在發(fā)光二極管中。
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Transphorm 900V氮化鎵功率器件規(guī)格參數(shù)
兩款900V FET均屬于常閉型器件，通過更低的柵極電荷、更快的切換速度和更小的反向恢復(fù)電荷，提供更高的效率，明顯超越傳統(tǒng)硅 (Si) 器件，具有顯著優(yōu)勢。
簡單來說，化成分容就是為了激活電池。通常離子電池經(jīng)過繁雜的工序，只是生成半成品電芯，還未完成激活就無法正常使用，因此需要化成分容設(shè)備激活內(nèi)部的活性物質(zhì)，...
納微半導(dǎo)體利用橫向650V eMode硅基氮化鎵技術(shù)，創(chuàng)造了專有的AllGaN工藝設(shè)計(jì)套件（PDK），以實(shí)現(xiàn)集成氮化鎵 FET、氮化鎵驅(qū)動器，邏輯和保護(hù)...
使用GaN實(shí)現(xiàn)高功率密度和高效系統(tǒng)
氮化鎵是電力電子行業(yè)的熱門話題，因?yàn)樗梢詾殡娦烹娫吹葢?yīng)用提供高效設(shè)計(jì)；電動汽車充電；加熱，通風(fēng)和空調(diào); 電器；和消費(fèi)電源適配器。在工業(yè)應(yīng)用中，氮化鎵取...
可以改變焦距的鏡頭用于各種光學(xué)設(shè)備，例如可變放大倍率相機(jī)的變焦鏡頭、雙筒望遠(yuǎn)鏡、光學(xué)顯微鏡和投影儀。 最近，智能手機(jī)相機(jī)等小型光學(xué)單元也配備了可變放大倍...
GaN作為寬禁帶III-V族化合物半導(dǎo)體最近被深入研究。為了實(shí)現(xiàn)GaN基器件的良好性能，GaN的處理技術(shù)至關(guān)重要。目前英思特已經(jīng)嘗試了許多GaN蝕刻方法...
氮化鎵（GaN）技術(shù)如今在電力電子行業(yè)風(fēng)靡一時，這種寬禁帶半導(dǎo)體能夠?qū)崿F(xiàn)非常高的效率和功率密度，因此能夠減小電源的體積，并且降低其工作溫度，該性能優(yōu)勢正...
RF LDMOS之于早期蜂窩網(wǎng)絡(luò)，氮化鎵（GaN）之于現(xiàn)代和高頻應(yīng)用。與砷化鎵（GaAs）和Si LDMOS相比，GaN長期以來一直具有難以超越的優(yōu)勢：
擴(kuò)展到900V的氮化鎵產(chǎn)品滿足汽車、家電及工業(yè)類應(yīng)用需求
日前，Power Integrations（PI）舉辦新品媒體線上溝通會，公司資深技術(shù)培訓(xùn)經(jīng)理Jason Yan介紹了在美國APEC展（國際電力電子應(yīng)用...
2023-03-24 標(biāo)簽：功率開關(guān)PDSiC 1.6k 0
LMG342X-BB-EVM 是一款易于使用的分線板，可將任何 LMG342xR0x0 半橋板（如 LMG3422EVM-043）配置為同步降壓轉(zhuǎn)換器。...
2025-02-21 標(biāo)簽：降壓轉(zhuǎn)換器氮化鎵GaN 1.6k 0
到2030年，10類關(guān)鍵核心產(chǎn)品可靠性水平達(dá)到國際先進(jìn)水平，可靠性標(biāo)準(zhǔn)引領(lǐng)作用充分彰顯，培育一批可靠性公共服務(wù)機(jī)構(gòu)和可靠性專業(yè)人才，我國制造業(yè)可靠性整體...
干貨分享|高功率氮化鎵場效應(yīng)晶體管：高性能、高效率、高可靠性（上）
Nexperia(安世半導(dǎo)體)的高功率氮化鎵場效應(yīng)晶體管，共將分為(上)(下)兩期，包含其工藝、性能優(yōu)勢、產(chǎn)品及封裝等內(nèi)容。本期將先介紹 Nexperi...
用于高分辨率激光雷達(dá)的氮化鎵HEMT電路拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)
激光雷達(dá)（LiDAR）基于通過將光束照射到物體上并準(zhǔn)確測量反射的飛行時間來估算距離的原理。通過將發(fā)射光掃過真實(shí)世界的場景，可以收集三維信息以供計(jì)算機(jī)系統(tǒng)...
2023-05-06 標(biāo)簽：拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)氮化鎵激光雷達(dá) 1.6k 0
氮化鎵能實(shí)現(xiàn)多強(qiáng)大的性能
氮化鎵（GaN）是電力電子行業(yè)的一個熱門話題，因?yàn)樗梢詫?shí)現(xiàn)80Plus鈦電源、3.8 kW/L電動汽車（EV）車載充電器和電動汽車（EV）充電站等設(shè)計(jì)...
對于那些堅(jiān)持使用經(jīng)典放大器拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)的人來說，他們的要求將集中在準(zhǔn)確的音頻再現(xiàn)上，而很少考慮解決方案的整體電氣效率。雖然這在家庭音頻環(huán)境中是完全合理的，但...
由于同質(zhì)外延結(jié)構(gòu)帶來的晶格匹配和熱匹配，自支撐氮化鎵襯底在提升氮化鎵基器件性能方面有著巨大潛力，如發(fā)光二極管，激光二極管，功率器件和射頻器件等。相比異質(zhì)...
氮化鎵納米線是一種基于氮化鎵材料制備的納米結(jié)構(gòu)材料，具有許多優(yōu)異的電子、光學(xué)和機(jī)械性質(zhì)，因此受到了廣泛關(guān)注。氮化鎵材料是一種寬禁帶半導(dǎo)體材料，具有優(yōu)異的...
基于InnoSwitch 3-EP的PowiGaN 開關(guān)是PI恒壓/恒流準(zhǔn)諧振離線反激式開關(guān)IC產(chǎn)品系列。它采用同步整流和FluxLink 磁感耦合技術(shù)...
通過自由空間設(shè)計(jì)加速無線充電應(yīng)用
業(yè)界正在考慮使用新的半導(dǎo)體工藝。基于氮化鎵（GaN）的芯片用于功率控制器和發(fā)射器與接收器之間的無線電鏈路。
氮化鎵(GaN)技術(shù)創(chuàng)新概況 氮化鎵襯底技術(shù)是什么
氮化鎵(GaN)主要是由人工合成的一種半導(dǎo)體材料，禁帶寬度大于2.3eV，也稱為寬禁帶半導(dǎo)體材料 ?氮化鎵材料為第三代半導(dǎo)體材料的典型代表，是研制微電...
2023-09-04 標(biāo)簽：半導(dǎo)體材料氮化鎵GaN 1.6k 0
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