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標(biāo)簽 > 氮化鎵

氮化鎵

氮化鎵

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氮化鎵,分子式GaN,英文名稱Gallium nitride,是氮和鎵的化合物,是一種直接能隙(direct bandgap)的半導(dǎo)體,自1990年起常用在發(fā)光二極管中。

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氮化鎵技術(shù)

淺談雷達(dá)技術(shù)的幾個(gè)發(fā)展趨勢(shì)

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2023-07-27 標(biāo)簽:傳感器fpga氮化鎵 1.8k 0

耦合器技術(shù)有利于AC/DC設(shè)計(jì)中的氮化鎵晶體管

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高效的 AC/DC 電源是電信和數(shù)據(jù)通信基礎(chǔ)設(shè)施發(fā)展的關(guān)鍵,因?yàn)槌笠?guī)模數(shù)據(jù)中心、企業(yè)服務(wù)器或電信交換站的功耗會(huì)迅速增長(zhǎng)。然而,電力電子行業(yè)已經(jīng)達(dá)到了硅...

2022-12-19 標(biāo)簽:晶體管耦合器氮化鎵 1.8k 0

45W氮化鎵快充全套方案!采用智融SW1123+SW1608+SW2303

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45W氮化鎵快充全套方案

2023-06-17 標(biāo)簽:電源芯片充電器 1.8k 0

廈門大學(xué)張保平教授課題組發(fā)表綠光GaN基VCSEL重要成果

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近日,廈門大學(xué)電子科學(xué)與技術(shù)學(xué)院張保平教授等在氮化鎵垂直腔面發(fā)射激光器(GaN基VCSEL)方面取得新進(jìn)展,相關(guān)成果以“Green Vertical-C...

2023-11-10 標(biāo)簽:激光器氮化鎵VCSEL 1.8k 0

氮化鎵GaN驅(qū)動(dòng)器PCB設(shè)計(jì)必須掌握的要點(diǎn)

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NCP51820 是一款 650 V、高速、半橋驅(qū)動(dòng)器,能夠以高達(dá) 200 V/ns 的 dV/dt 速率驅(qū)動(dòng)氮化鎵(以下簡(jiǎn)稱“GaN”)功率開(kāi)關(guān)。之前...

2023-05-17 標(biāo)簽:柵極驅(qū)動(dòng)電路氮化鎵 1.8k 0

ST數(shù)字電源指南概述

數(shù)字電源是一種將數(shù)字控制技術(shù)應(yīng)用于電源管理應(yīng)用的能量轉(zhuǎn)換系統(tǒng),具有更高的功率密度,更快的控制回路,能管理復(fù)雜拓?fù)湟约霸O(shè)計(jì)靈活性等諸多優(yōu)勢(shì)。 關(guān)鍵特性與優(yōu)...

2023-02-22 標(biāo)簽:電源管理ST數(shù)字電源 1.8k 0

650V氮化鎵芯片U8722AH的工作原理

650V氮化鎵芯片U8722AH的工作原理

針對(duì)寬輸出電壓應(yīng)用場(chǎng)合,為了滿足VDD的寬電壓應(yīng)用需求,往往需要添加額外的電路或者輔助繞組,導(dǎo)致系統(tǒng)功耗和電路成本的增加。氮化鎵芯片U8722AH集成了...

2024-09-06 標(biāo)簽:芯片氮化鎵GaN 1.8k 0

納芯微高壓半橋驅(qū)動(dòng)芯片NSD2622N產(chǎn)品介紹

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納芯微發(fā)布專為增強(qiáng)型GaN設(shè)計(jì)的高壓半橋驅(qū)動(dòng)芯片NSD2622N,該芯片集成正負(fù)壓穩(wěn)壓電路,支持自舉供電,具備高dv/dt抗擾能力和強(qiáng)驅(qū)動(dòng)能力,可以顯著...

2025-06-09 標(biāo)簽:驅(qū)動(dòng)電路氮化鎵GaN 1.8k 0

氮化鎵充電器為什么喜歡用貼片Y電容呢?貼片Y電容有什么優(yōu)點(diǎn)?

在以前,很多手機(jī)充電器都會(huì)用到安規(guī)Y電容,不過(guò)用的都是插件形式的,現(xiàn)在情況明顯不一樣

2023-08-29 標(biāo)簽:電容器安規(guī)電容手機(jī)充電器 1.8k 0

干貨分享|高功率氮化鎵場(chǎng)效應(yīng)晶體管:高性能、高效率、高可靠性(下)

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2023-09-25 標(biāo)簽:半導(dǎo)體晶體管氮化鎵 1.8k 0

一款集成E-GaN的高頻高性能準(zhǔn)諧振模式交直流轉(zhuǎn)換功率開(kāi)關(guān)—U8722

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氮化鎵充電器是一種新型的快充技術(shù),在充電速度、安全性做到了突破。

2024-04-09 標(biāo)簽:充電器氮化鎵驅(qū)動(dòng)電流 1.8k 0

25W氮化鎵電源芯片方案介紹

同一套電源芯片方案,可直接應(yīng)用于不同的電壓輸出上,這不僅有效節(jié)省成本,更是大大縮短了開(kāi)發(fā)時(shí)間,使項(xiàng)目收益最大化。深圳銀聯(lián)寶科技最新推出的25W氮化鎵電源...

2025-06-16 標(biāo)簽:氮化鎵電源芯片同步整流芯片 1.7k 0

炸管,探頭也被燒壞了?

在進(jìn)行碳化硅、氮化鎵功率器件研發(fā)和特性評(píng)估、功率模塊開(kāi)發(fā)和特性評(píng)估、電源設(shè)計(jì)器件選型、電源調(diào)試以及學(xué)術(shù)研究時(shí),都需要對(duì)其驅(qū)動(dòng)波形進(jìn)行測(cè)試,這時(shí)大多數(shù)工程...

2022-12-09 標(biāo)簽:功率器件探頭氮化鎵 1.7k 0

遠(yuǎn)山半導(dǎo)體氮化鎵功率器件的耐高壓測(cè)試

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氮化鎵(GaN),作為一種具有獨(dú)特物理和化學(xué)性質(zhì)的半導(dǎo)體材料,近年來(lái)在電子領(lǐng)域大放異彩,其制成的氮化鎵功率芯片在功率轉(zhuǎn)換效率、開(kāi)關(guān)速度及耐高溫等方面優(yōu)勢(shì)...

2024-10-29 標(biāo)簽:半導(dǎo)體功率器件氮化鎵 1.7k 0

射頻硅基氮化鎵:兩個(gè)世界的最佳選擇

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在這種情況下,氮化鎵因其卓越的射頻性能而成為5G mMIMO無(wú)線電的領(lǐng)先大功率射頻功率放大器技術(shù)。然而,目前的實(shí)現(xiàn)方式成本過(guò)高。與硅基技術(shù)相比,氮化鎵生...

2023-02-10 標(biāo)簽:功率放大器晶圓氮化鎵 1.7k 0

新型功率器件的老化測(cè)試方法

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隨著技術(shù)的不斷進(jìn)步,新型功率器件如碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)因其優(yōu)異的性能被廣泛應(yīng)用于各種電子設(shè)備中。然而,這些器件在長(zhǎng)期連續(xù)使用后會(huì)出現(xiàn)老化現(xiàn)...

2025-06-03 標(biāo)簽:功率器件氮化鎵碳化硅 1.7k 0

什么是第三代半導(dǎo)體技術(shù) 碳化硅的產(chǎn)業(yè)結(jié)構(gòu)分析

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第三代半導(dǎo)體以碳化硅、氮化鎵為代表的寬禁帶半導(dǎo)體材料,用于高壓、高溫、高頻場(chǎng)景。廣泛應(yīng)用于新能源汽車、光伏、工控等領(lǐng)域。因此第三代半導(dǎo)體研究主要是集中在...

2023-08-11 標(biāo)簽:氮化鎵砷化鎵碳化硅 1.7k 0

Analog Devices Inc. ADPA1122 20W氮化鎵 (GaN) 功率放大器數(shù)據(jù)手冊(cè)

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Analog Devices Inc. ADPA1122 20W氮化鎵 (GaN) 功率放大器可在8.2GHz至11.8GHz的頻率范圍內(nèi)提供43dBm...

2025-06-15 標(biāo)簽:功率放大器氮化鎵Analog 1.7k 0

雷達(dá)的常見(jiàn)分類方法及發(fā)展趨勢(shì)

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GaN技術(shù)可以提高雷達(dá)的性能和適用性,但也需要更多的測(cè)試和優(yōu)化,在雷達(dá)中的應(yīng)用有以下優(yōu)勢(shì)和劣勢(shì): 優(yōu)勢(shì): GaN提供更高的功率水平和更強(qiáng)的魯棒性,可以提...

2023-07-10 標(biāo)簽:氮化鎵GaN 1.7k 0

氮化鎵技術(shù)在電源應(yīng)用方面的優(yōu)勢(shì)

 GaN和SiC屬于高帶隙的第三代半導(dǎo)體材料,與第一代Si和第二代GaAs等前輩相比,它們?cè)谔匦陨暇哂型怀鰞?yōu)勢(shì)。由于大的帶隙和高的熱導(dǎo)率,GaN器件可以...

2023-02-13 標(biāo)簽:氮化鎵 1.7k 0

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Xilinx 廣瀨電機(jī) 金升陽(yáng) 君耀電子 聚洵 Liteon 新潔能 Maxim
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