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標簽 > 氮化鎵
氮化鎵,分子式GaN,英文名稱Gallium nitride,是氮和鎵的化合物,是一種直接能隙(direct bandgap)的半導體,自1990年起常用在發(fā)光二極管中。
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在半導體層面上,硅基氮化鎵的主流商業(yè)化為提高射頻性能敞開了大門,其中包括增加功率放大器的功率密度,以及縮小器件尺寸并最終節(jié)省系統(tǒng)空間。
氮化鎵芯片熱穩(wěn)定性好、電子遷移速度更快、熱導率更高,同時,氮化鎵芯片還具有更低的導通和開關損耗,整體的功耗更低。在一些對功耗要求嚴格的應用場景中,進一步...
氮化鎵 (GaN) 或碳化硅 (SiC) 器件也被成為第三代半導體,其禁帶寬度約是硅器件的3倍,擊穿場強約是硅器件的10倍,因而具有更高的耐壓能力以及更...
用于CRPS應用的采用氮化鎵功率集成電路的帶平面矩陣變壓器的高頻高效LLC模塊
隨著云計算和人工智能的快速發(fā)展,數(shù)據(jù)中心對電源的需求不斷增加,對其功率密度和效率也提出了更高要求。在數(shù)據(jù)中心中, Common Redundant Po...
用戶指南:LMG2100EVM-097 LMG2100R026評估模塊介紹
LMG2100R026 評估模塊是一款緊湊且易于使用的功率級模塊,通過外部 PWM 信號進行控制。該電路板可配置為降壓轉(zhuǎn)換器、升壓轉(zhuǎn)換器或其他使用半橋的...
2025-02-21 標簽:升壓轉(zhuǎn)換器場效應晶體管氮化鎵 1.3k 0
NCP51820 是一款 650 V、高速、半橋驅(qū)動器,能夠以高達 200 V/ns 的 dV/dt 速率驅(qū)動氮化鎵(以下簡稱“GaN”) 功率開關。只...
UCC28780 1MHz 高頻有源鉗位反激式控制器數(shù)據(jù)手冊
UCC28780 是一款高頻有源鉗位反激式控制器,可實現(xiàn)高密度 AC-DC 電源,符合嚴格的全球能效標準,如 DoE VI 級和歐盟 CoC V5 Ti...
據(jù)物理學家組織網(wǎng)近日報道,一種新的制造技術有望大幅降低發(fā)光二極管(LED)的生產(chǎn)成本,進一步推動其普及進程。
應用資料#QFN12x12封裝600V GaN功率級熱性能總結
德州儀器(TI)提供的一種新的驅(qū)動器集成氮化鎵(GaN)功率級產(chǎn)品系列已在一個低成本、緊湊的四扁平無引腳(QFN)封裝中實現(xiàn),該封裝尺寸為12mm x ...
對于 GaN,中文名氮化鎵,我們實在是聽得太多了。 這要從近兩年充電器上的瘋狂內(nèi)卷開始說起。好像從某個時間點開始,一夜之間,GaN 就如雨后春筍般...
深圳銀聯(lián)寶氮化鎵快充芯片U8608具有多重故障保護機制,通過集成多維度安全防護,防止設備出現(xiàn)過充電、過放電、過電流等問題?,在電子設備中構建起全方位的安...
氮化鎵電源芯片U8733推薦工作頻率130KHz/220KHz
氮化鎵電源芯片U8733推薦工作頻率130KHz/220KHz氮化鎵電源芯片U8733集成恒功率控制與主動降功率控制功能,在恒功率區(qū)間,通過控制輸出電流...
氮化鎵電源芯片U8621是一款恒壓、恒功率、恒溫離線型電流模式PWM電源管理芯片,內(nèi)置1.9Ω/630V的超結硅功率MOS。U8621具有全負載高效率、...
產(chǎn)品介紹#LMG5200 80V GaN 半橋功率級
LMG5200器件是一個 80V、10A 驅(qū)動器和 GaN 半橋功率級,使用增強型氮化鎵 (GaN) FET 提供集成功率級解決方案。該器件由兩個 80...
在65W氮化鎵快充設計中,輸入欠壓保護與過壓保護協(xié)同工作,保障充電頭在電網(wǎng)波動時仍能穩(wěn)定輸出,并避免因輸入異常導致次級電路損壞。今天介紹的65W全壓氮化...
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