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標簽 > 氮化鎵
氮化鎵，分子式GaN，英文名稱Gallium nitride，是氮和鎵的化合物，是一種直接能隙（direct bandgap）的半導體，自1990年起常用在發(fā)光二極管中。
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在過去幾年中，氮化鎵（GaN）在半導體技術中顯示出巨大的潛力，適用于各種高功率應用。與硅基半導體器件相比，氮化鎵是一種物理上堅硬且穩(wěn)定的寬帶隙（WBG）...
海凌科40WACDC系列氮化鎵電源模塊，具有全球輸入電壓范圍、低溫升、低功耗、高效率、高可靠性、高安全隔離等優(yōu)點，轉換效率高達91%，應用廣泛，性價比高...
TI LMG2100R044 具有集成驅動器和保護功能的 100V 4.4m? 半橋 GaN FET應用與設計
LMG2100R044 器件是一款 90V 連續(xù)、100V 脈沖、35A 半橋功率級，集成了柵極驅動器和增強型氮化鎵 （GaN） FET。該器件由兩個 ...
第三代半導體氮化鎵65W快充芯片已經(jīng)成為行業(yè)主流？
氮化鎵（GaN）功率芯片將多個電力電子功能集成到一顆GaN芯片中，可有效提高產(chǎn)品充電速度、效率、可靠性和成本效益。在很多情況下，GaN功率芯片可以使先進...
達摩院指出，近年來第三代半導體的性價比優(yōu)勢逐漸顯現(xiàn)，正在打開應用市場：SiC元件已用作汽車逆變器，GaN快速充電器也大量上市。
MICLEDI認為，其Micro LED全彩顯示器制造方法具有獨特的優(yōu)勢，可滿足AR眼鏡最高性能標準。目前，相較用于戶外的AR眼鏡，用于室內(nèi)或較暗場景的...
InnoSwitch3-AQ無需12V電源就可助力電動汽車高效運行
盡管車身裝備了最先進的電池組，但目前的常規(guī)電動汽車仍然使用鉛酸電池在電機關閉時為所有電氣子系統(tǒng)提供12V電源。
技術資料#LMG2100R026 100V 2.6mΩ 半橋氮化鎵 （GaN） 功率級
LMG2100R026 器件是一款 93V 連續(xù)、100V 脈沖、53A 半橋功率級，集成了柵極驅動器和增強型氮化鎵 （GaN） FET。該器件由兩個 ...
二次離子質譜是利用質譜法分辨一次離子入射到測試樣品表面濺射生成的二次離子而得到材料表面元素含量及分布的一種方法。二次離子質譜儀可以進行包括氫在內(nèi)的全元素...
集成驅動器可減小解決方案尺寸，實現(xiàn)功率密集型系統(tǒng)。同時，集成降壓/升壓轉換器意味著 LMG3522R030-Q1 可在 9V 至 18V 的非穩(wěn)壓電源下...
帶恒功率、底部無PAD的氮化鎵芯片U872XAHS系列型號分別為U8722AHS、U8723AHS、U8724AHS。耐壓700V，內(nèi)阻1.0--1.2...
GaN開始為人所知是在光電LED市場，廣為人知則是在功率半導體的消費電子快充市場。但實際上，GaN最初在功率半導體領域的目標據(jù)說是新能源汽車市場，而非消...
U860X氮化鎵快充芯片系列在原有的U8607、U8608基礎上，升級增加U8609料號，同時具備了輸入欠壓及軟入過壓保護功能，有需求的小伙伴趕緊看過來！
從智能手機和電動汽車 (EV) 到 EV 充電站和電信中心，電源管理已日益成為我們?nèi)粘Ｊ褂玫碾娮赢a(chǎn)品的關鍵因素。直到最近幾年，高效電源管理常常被其他設計...
相比傳統(tǒng)影視行業(yè)，手機攝影的發(fā)展史確實非常短，不可能跟專業(yè)攝影一樣隨身攜帶遮光板遮光斗等專業(yè)設備，呈現(xiàn)出極致的攝影效果。但手機跟相機相比最大的優(yōu)勢，在于...
氮化鎵憑借高頻高效特性，具備了體積小、功率高、發(fā)熱低等優(yōu)勢，但小型化雖好，散熱才是硬道理，選氮化鎵電源ic得看準散熱設計。今天就給小伙伴們推薦一款散熱性...
來源：電子工程專輯 比碳化硅器件，氮化鎵功率器件在同時對效率、頻率、體積等綜合方面有要求的場景中，將更有優(yōu)勢，比如氮化鎵基器件已成功規(guī)模應用于快充領域。...
HMC1086是一款25W氮化鎵(GaN)功率放大器MMIC，工作范圍為2至6 GHz。該放大器通常提供22 dB小信號增益，+44.5 dBm飽和輸出...
隨著氮化鎵GaN技術在PD快充領域的普及，充電器正朝著更小巧、更高效的方向發(fā)展。不過工程師在設計GaN充電器時，卻面臨一些棘手挑戰(zhàn)： 在高頻狀態(tài)下，電磁...
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