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標簽 > 氮化鎵
氮化鎵,分子式GaN,英文名稱Gallium nitride,是氮和鎵的化合物,是一種直接能隙(direct bandgap)的半導體,自1990年起常用在發(fā)光二極管中。
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在過去幾年中,氮化鎵(GaN)在半導體技術中顯示出巨大的潛力,適用于各種高功率應用。與硅基半導體器件相比,氮化鎵是一種物理上堅硬且穩(wěn)定的寬帶隙(WBG)...
TI LMG2100R044 具有集成驅動器和保護功能的 100V 4.4m? 半橋 GaN FET應用與設計
LMG2100R044 器件是一款 90V 連續(xù)、100V 脈沖、35A 半橋功率級,集成了柵極驅動器和增強型氮化鎵 (GaN) FET。該器件由兩個 ...
第三代半導體氮化鎵65W快充芯片已經(jīng)成為行業(yè)主流?
氮化鎵(GaN)功率芯片將多個電力電子功能集成到一顆GaN芯片中,可有效提高產(chǎn)品充電速度、效率、可靠性和成本效益。在很多情況下,GaN功率芯片可以使先進...
MICLEDI認為,其Micro LED全彩顯示器制造方法具有獨特的優(yōu)勢,可滿足AR眼鏡最高性能標準。目前,相較用于戶外的AR眼鏡,用于室內(nèi)或較暗場景的...
InnoSwitch3-AQ無需12V電源就可助力電動汽車高效運行
盡管車身裝備了最先進的電池組,但目前的常規(guī)電動汽車仍然使用鉛酸電池在電機關閉時為所有電氣子系統(tǒng)提供12V電源。
技術資料#LMG2100R026 100V 2.6mΩ 半橋氮化鎵 (GaN) 功率級
LMG2100R026 器件是一款 93V 連續(xù)、100V 脈沖、53A 半橋功率級,集成了柵極驅動器和增強型氮化鎵 (GaN) FET。該器件由兩個 ...
集成驅動器可減小解決方案尺寸,實現(xiàn)功率密集型系統(tǒng)。同時,集成降壓/升壓轉換器意味著 LMG3522R030-Q1 可在 9V 至 18V 的非穩(wěn)壓電源下...
帶恒功率、底部無PAD的氮化鎵芯片U872XAHS系列型號分別為U8722AHS、U8723AHS、U8724AHS。耐壓700V,內(nèi)阻1.0--1.2...
相比傳統(tǒng)影視行業(yè),手機攝影的發(fā)展史確實非常短,不可能跟專業(yè)攝影一樣隨身攜帶遮光板遮光斗等專業(yè)設備,呈現(xiàn)出極致的攝影效果。但手機跟相機相比最大的優(yōu)勢,在于...
氮化鎵憑借高頻高效特性,具備了體積小、功率高、發(fā)熱低等優(yōu)勢,但小型化雖好,散熱才是硬道理,選氮化鎵電源ic得看準散熱設計。今天就給小伙伴們推薦一款散熱性...
來源:電子工程專輯 比碳化硅器件,氮化鎵功率器件在同時對效率、頻率、體積等綜合方面有要求的場景中,將更有優(yōu)勢,比如氮化鎵基器件已成功規(guī)模應用于快充領域。...
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