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基于SiC MOSFET的Z-Source斷路器在光伏匯流箱中的小型化設(shè)計(jì)
基于SiC MOSFET的Z-Source斷路器在光伏匯流箱中的小型化設(shè)計(jì) 光伏直流配電系統(tǒng)的保護(hù)挑戰(zhàn)與固態(tài)斷路器的技術(shù)演進(jìn) 隨著全球能源結(jié)構(gòu)的深度轉(zhuǎn)型...
2026-04-23 標(biāo)簽:斷路器光伏匯流箱SiC MOSFET 279 0
國產(chǎn)SiC MOSFET功率模塊替代進(jìn)口IGBT模塊的驅(qū)動(dòng)邏輯匹配與系統(tǒng)優(yōu)化
國產(chǎn)SiC MOSFET功率模塊替代進(jìn)口IGBT模塊的驅(qū)動(dòng)邏輯匹配與系統(tǒng)優(yōu)化研究報(bào)告 引言與產(chǎn)業(yè)演進(jìn)背景 在全球能源結(jié)構(gòu)向深度電氣化轉(zhuǎn)型的宏觀背景下,高...
2026-04-13 標(biāo)簽:IGBT功率模塊SiC MOSFET 971 0
多管并聯(lián) SiC MOSFET 的靜態(tài)與動(dòng)態(tài)均流控制方法研究報(bào)告
多管并聯(lián) SiC MOSFET 的靜態(tài)與動(dòng)態(tài)均流控制方法研究報(bào)告 引言與多管并聯(lián)的工程背景 在當(dāng)今的高功率電力電子轉(zhuǎn)換系統(tǒng)中,包括交通電氣化(如電動(dòng)汽車...
2026-04-13 標(biāo)簽:電力電子轉(zhuǎn)換系統(tǒng)SiC MOSFET 144 0
基于 SiC MOSFET 的高性能雙向 DAB 變換器全負(fù)載范圍 ZVS 實(shí)現(xiàn)與優(yōu)化
基于 SiC MOSFET 的高性能雙向 DAB 變換器全負(fù)載范圍 ZVS 實(shí)現(xiàn)與優(yōu)化指南 1. 緒論 在現(xiàn)代分布式能源架構(gòu)、大規(guī)模儲(chǔ)能系統(tǒng)(ESS)、...
納秒級(jí)響應(yīng):基于SiC MOSFET電流斜率 (di/dt) 的超快短路保護(hù)算法研究
納秒級(jí)響應(yīng):基于SiC MOSFET電流斜率 (di/dt) 的超快短路保護(hù)算法研究 1. 引言與研究背景 在現(xiàn)代電力電子技術(shù)向著高頻化、高效率和高功率...
2026-04-06 標(biāo)簽:SiC MOSFET 107 0
基于非線性電容特性的 SiC MOSFET 開關(guān)損耗解析模型建立
基于非線性電容特性的 SiC MOSFET 開關(guān)損耗解析模型建立 碳化硅功率器件技術(shù)背景與非線性建模的必要性 在現(xiàn)代電力電子變換器系統(tǒng)的演進(jìn)過程中,對(duì)更...
2026-04-06 標(biāo)簽:開關(guān)損耗SiC MOSFET 160 0
13.56MHz 射頻電源拓?fù)渑c 1200V SiC MOSFET 集成:非線性電容補(bǔ)償
13.56MHz 射頻電源拓?fù)渑c 1200V SiC MOSFET 集成:非線性電容補(bǔ)償與半導(dǎo)體刻蝕能量穩(wěn)定性深度研究報(bào)告 引言:半導(dǎo)體制造進(jìn)入埃米時(shí)代...
2026-04-06 標(biāo)簽:電容補(bǔ)償射頻電源SiC MOSFET 145 0
固態(tài) BDU 革命:EV 電池管理中 SiC MOSFET 對(duì)直流接觸器的全面替代
固態(tài) BDU 革命:EV 電池管理中 SiC MOSFET 對(duì)直流接觸器的全面替代 電動(dòng)汽車動(dòng)力分配架構(gòu)的歷史演進(jìn)與技術(shù)瓶頸 在全球汽車工業(yè)向高壓電氣化...
2026-04-04 標(biāo)簽:電池管理直流接觸器SiC MOSFET 268 0
SiC MOSFET芯片短路失效機(jī)理:基于 Sentaurus TCAD 的電-熱-力多物理場(chǎng)耦合仿真
SiC MOSFET芯片短路失效機(jī)理:基于 Sentaurus TCAD 的電-熱-力多物理場(chǎng)耦合仿真 1. 緒論:碳化硅功率器件在極端工況下的可靠性挑...
2026-04-03 標(biāo)簽:芯片SiC MOSFETsentaurus 215 0
國產(chǎn)SiC MOSFET平替國際大廠產(chǎn)品的關(guān)鍵參數(shù)對(duì)標(biāo):基于Qg與Coss的驅(qū)動(dòng)無感替換評(píng)估指南
國產(chǎn)SiC MOSFET平替國際大廠產(chǎn)品的關(guān)鍵參數(shù)對(duì)標(biāo):基于Qg與Coss的驅(qū)動(dòng)無感替換評(píng)估指南 碳化硅功率器件國產(chǎn)化替代的產(chǎn)業(yè)背景與工程挑戰(zhàn) 在當(dāng)前全...
2026-03-30 標(biāo)簽:SiC MOSFET基本半導(dǎo)體 551 0
SiC MOSFET 米勒平臺(tái)震蕩的根源分析與 Layout 優(yōu)化策略
SiC MOSFET 米勒平臺(tái)震蕩的根源分析與 Layout 優(yōu)化策略 寬禁帶(Wide Bandgap, WBG)半導(dǎo)體材料的突破性進(jìn)展,尤其是碳化硅...
2026-03-30 標(biāo)簽:LayoutSiC MOSFET 592 0
SiC MOSFET 關(guān)斷過壓抑制:門極電容與有源鉗位的協(xié)同設(shè)計(jì)
SiC MOSFET 關(guān)斷過壓抑制:門極電容與有源鉗位的協(xié)同設(shè)計(jì) 一、 引言:碳化硅功率器件的動(dòng)態(tài)開關(guān)挑戰(zhàn) 在現(xiàn)代電力電子系統(tǒng)中,高頻、高壓、高功率密度...
2026-03-24 標(biāo)簽:電容SiC MOSFET 289 0
基于 SiC MOSFET 的高頻 LLC 諧振變換器:針對(duì) AI 負(fù)載 0%-200% 瞬態(tài)切換的軟開關(guān)失效預(yù)防與可靠性優(yōu)化
傾佳楊茜-死磕算電-基于 SiC MOSFET 的高頻 LLC 諧振變換器:針對(duì) AI 負(fù)載 0%-200% 瞬態(tài)切換的軟開關(guān)失效預(yù)防與可靠性優(yōu)化 1....
基于SiC MOSFET的雙向 CLLC 諧振變換器的對(duì)稱性設(shè)計(jì)與增益特性分析
基于SiC MOSFET的雙向 CLLC 諧振變換器的對(duì)稱性設(shè)計(jì)與增益特性分析 隨著全球能源結(jié)構(gòu)的深刻轉(zhuǎn)型,分布式儲(chǔ)能系統(tǒng)(Energy Storage...
2026-03-19 標(biāo)簽:諧振變換器SiC MOSFET 369 0
SiC MOSFET隔離驅(qū)動(dòng)供電的首選和主流方案BTP1521P加TR-P15DS23-EE1
BTP1521P電源芯片加TR-P15DS23-EE13隔離變壓器成為中國電力電子行業(yè)SiC MOSFET隔離驅(qū)動(dòng)供電的首選和主流方案 第一章 產(chǎn)業(yè)宏觀...
2026-03-19 標(biāo)簽:SiC MOSFET 237 0
CRPS 電源數(shù)字控制技巧:如何實(shí)現(xiàn)高效率的SiC MOSFET同步整流(SR)動(dòng)態(tài)調(diào)節(jié)
傾佳楊茜-死磕算電-CRPS 電源數(shù)字控制技巧:如何實(shí)現(xiàn)高效率的SiC MOSFET同步整流(SR)動(dòng)態(tài)調(diào)節(jié) 1. 引言:人工智能數(shù)據(jù)中心供電架構(gòu)的演進(jìn)...
2026-03-18 標(biāo)簽:數(shù)字控制同步整流SiC MOSFET 384 0
SiC MOSFET 與貼片封裝助力戶用儲(chǔ)能逆變器高功率密度革命
傾佳楊茜-戶儲(chǔ)方案:SiC MOSFET 與貼片封裝助力戶用儲(chǔ)能逆變器高功率密度革命 一、 引言:全球戶用儲(chǔ)能市場(chǎng)的爆發(fā)與系統(tǒng)設(shè)計(jì)的演進(jìn) 在全球能源結(jié)構(gòu)...
2026-02-27 標(biāo)簽:貼片封裝SiC MOSFET儲(chǔ)能逆變器 362 0
基于功率評(píng)估法(PEM)的固態(tài)斷路器SiC MOSFET短路保護(hù)方案
傾佳楊茜-固斷方案:基于功率評(píng)估法(PEM)的超快保護(hù)方案突破固態(tài)斷路器SiC MOSFET“短路耐受時(shí)間”瓶頸 引言:固態(tài)斷路器與碳化硅功率器件的可靠...
2026-02-27 標(biāo)簽:斷路器PEMSiC MOSFET 378 0
380V工業(yè)電機(jī)控制中心的SiC MOSFET固態(tài)斷路器與軟啟動(dòng)器融合技術(shù)
傾佳楊茜-固斷方案:基于SiC MOSFET與先進(jìn)驅(qū)動(dòng)架構(gòu)的交流380V工業(yè)電機(jī)控制中心(MCC)固態(tài)斷路器與軟啟動(dòng)器融合技術(shù) 工業(yè)電機(jī)控制中心(MCC...
2026-02-27 標(biāo)簽:電機(jī)斷路器軟啟動(dòng)器 390 0
基于SiC MOSFET和低寄生電感 PCB 層疊母排的 50kHz變頻器設(shè)計(jì)
傾佳楊茜-變頻方案:基于SiC MOSFET和低寄生電感 PCB 層疊母排的 50kHz變頻器設(shè)計(jì)對(duì)數(shù)控加工表面質(zhì)量的提升分析 在現(xiàn)代工業(yè)自動(dòng)化與高端制...
2026-02-26 標(biāo)簽:PCB變頻器SiC MOSFET 214 0
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