用于雷達100W LDMOS晶體管ILD2731M140和I

Integratech推出用于雷達的100W LDMOS晶體管，ILD2731M140和ILD3135M180 LDMOS晶體管分別工作在2.7GHz~3.1GH和3.1GHz~3.5GHz頻段，用于S-頻段雷達應用。ILD2731M140工作在300μs脈寬10%占空比脈沖條件，典型的峰值輸出功率大于140W，增益為12dB。特別適合與AB類偏置工作。LDMOS晶體管采用鍍金系統(tǒng)以實現(xiàn)最高穩(wěn)定性。單端器件采用陶瓷凸緣封裝。在相似工作條件和AB類偏置，ILD3135M180的峰值輸出功率大于180W，增益為11dB。

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雷達(123163) 雷達(123163)
LDMOS(26304) LDMOS(26304)

探索BFU520Y：雙NPN寬帶硅射頻晶體管的卓越性能

它究竟有何獨特之處。文件下載： BFU520YX.pdf 產(chǎn)品概述基本描述 BFU520Y是一款采用6引腳SOT363塑料封裝的雙NPN硅射頻晶體管。它屬于BFU5晶體管家族，適用于高達2 GHz的小信號到中功率應用。這種封裝形式不僅便于安裝，而且在一定程度上保護了晶體管，使其在各種環(huán)境下

2025-12-30 17:35:13

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汽車級低功耗、高增益晶體管輸出光耦 ACPL - M417T 深度解析

汽車級低功耗、高增益晶體管輸出光耦 ACPL - M417T 深度解析在汽車和高溫工業(yè)應用中，安全信號隔離至關(guān)重要。今天我們要深入探討的是博通（Broadcom）推出的 ACPL - M

2025-12-30 14:40:06

晶體管入門：BJT 與 MOSFET 的控制差異#晶體管 #BJT #MOSFET? #場效應管 #電子放大

晶體管

安泰小課堂發(fā)布于 2025-12-05 17:20:57

探索NSS40301MZ4：高性能NPN晶體管的卓越之選

在電子工程師的日常設計工作中，選擇合適的晶體管至關(guān)重要。今天，我們就來深入了解一下ON Semiconductor的NSS40301MZ4 NPN晶體管，看看它在實際應用中能為我們帶來哪些優(yōu)勢。

2025-12-02 16:14:18

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基于偏置電阻晶體管（BRT）的數(shù)字晶體管系列MUN2231等產(chǎn)品解析

在電子電路設計中，晶體管的合理選擇和應用對于電路性能起著關(guān)鍵作用。今天，我們就來深入探討ON Semiconductor推出的MUN2231、MMUN2231L、MUN5231、DTC123EE、DTC123EM3、NSBC123EF3這一系列數(shù)字晶體管。

2025-12-02 15:46:03

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數(shù)字晶體管MUN2234等系列產(chǎn)品介紹

在電子電路設計中，合理選擇晶體管至關(guān)重要，它關(guān)乎著電路的性能、成本和空間利用。今天就來為大家詳細介紹ON Semiconductor的MUN2234、MMUN2234L、MUN5234、DTC124XE、DTC124XM3、NSBC124XF3這一系列數(shù)字晶體管。

2025-12-02 09:41:59

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選型手冊：VS1401ATH N 溝道增強型功率 MOSFET 晶體管

選型手冊：VS1401ATHN溝道增強型功率MOSFET晶體管威兆半導體推出的VS1401ATH是一款面向100V中壓超大電流場景的N溝道增強型功率MOSFET，采用TO-220AB直插封裝，憑借

2025-11-28 12:14:04

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探索NSV1C300CT：高性能PNP晶體管的卓越之選

在電子工程師的日常設計工作中，選擇合適的晶體管對于實現(xiàn)高效、可靠的電路至關(guān)重要。今天，我們將深入探討ON Semiconductor的NSV1C300CT PNP晶體管，這款器件在低電壓、高電流應用中展現(xiàn)出了出色的性能。

2025-11-26 15:15:05

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探索NST846MTWFT通用晶體管：特性、參數(shù)與應用前景

在電子工程師的日常設計工作中，通用晶體管是不可或缺的基礎(chǔ)元件。今天我們要深入探討的是安森美（onsemi）推出的NST846MTWFT NPN通用晶體管，它在諸多方面展現(xiàn)出了獨特的優(yōu)勢，下面我們就來詳細了解一下。

2025-11-26 15:10:43

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探索ON Semiconductor NSS40300CT PNP晶體管：高效節(jié)能的理想之選

在電子設備的設計中，選擇合適的晶體管對于實現(xiàn)高效、穩(wěn)定的性能至關(guān)重要。今天，我們將深入探討ON Semiconductor推出的NSS40300CT PNP晶體管，看看它在電子設計領(lǐng)域能為我們帶來哪些優(yōu)勢。

2025-11-26 15:01:11

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深入解析 onsemi BCP56M 通用晶體管：特性、參數(shù)與應用考量

在電子工程師的日常設計工作中，晶體管作為基礎(chǔ)且關(guān)鍵的元件，其性能和特性直接影響著整個電路的表現(xiàn)。今天，我們就來詳細探討 onsemi 推出的 BCP56M 通用晶體管，看看它在實際應用中能為我們帶來哪些優(yōu)勢。

2025-11-26 14:28:03

280

?onsemi BCP53M PNP中等功率晶體管技術(shù)解析與應用指南

安森美BCP53M PNP中等功率晶體管是一款80 V、1 A器件，設計用于通用放大器應用。該晶體管采用可濕性側(cè)翼DFN2020-3封裝，可實現(xiàn)最佳自動光學檢測（AOI），具有出色的熱性

2025-11-26 14:12:12

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基于 onsemi NST856MTWFT 晶體管的通用放大器設計與應用指南

RoHS指令。這些晶體管的集電極-發(fā)射極電壓為65V，集電極連續(xù)電流為100mA。NST856MTWFT晶體管非常適合用于低功耗表面貼裝應用。

2025-11-26 13:45:33

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?MJD31C/MJD32C系列雙極功率晶體管技術(shù)解析與應用指南

，適用于表面貼裝應用，采用塑料編帶包裝。MJD31C晶體管的工作溫度范圍為-65°C至150°C，發(fā)射極-基極電壓為5V ~EB~ ，持續(xù)電流為3A ~DC~ 。這些雙極晶體管通常采用DPAK

2025-11-25 11:38:42

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?基于NSS1001CL低壓飽和壓降晶體管的技術(shù)解析與應用設計

安森美NSS100xCL通用低VCE(sat)晶體管是高性能雙極結(jié)型晶體管，設計用于汽車和其他要求苛刻的應用。安森美NSS100xCL晶體管具有大電流能力、低集電極-發(fā)射極飽和電壓[V ~CE

2025-11-25 11:26:35

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NSVT5551M雙極晶體管技術(shù)深度解析與應用指南

150°C。NSVT5551M BJT無鉛、無鹵素、無BFR，符合 RoHS 標準。這款晶體管通常用于許多不同的應用。

2025-11-25 10:50:45

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MUN5136數(shù)字晶體管技術(shù)解析與應用指南

onsemi MUN5136數(shù)字晶體管旨在取代單個器件及其外部電阻偏置網(wǎng)絡。這些數(shù)字晶體管包含一個晶體管和一個單片偏置網(wǎng)絡，單片偏置網(wǎng)絡由兩個電阻器組成，一個是串聯(lián)基極電阻器，另一個是基極-發(fā)射極

2025-11-24 16:27:15

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NST807 通用PNP晶體管技術(shù)特性與應用分析

onsemi NST807通用PNP晶體管專為通用開關(guān)和放大器應用而設計。onsemi NST807具有高性能和高可靠性，適用于低功耗電路、信號處理和一般電子應用。該晶體管的最大集電極-發(fā)射極電壓

2025-11-24 14:19:59

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NSBCMXW系列偏置電阻晶體管（BRT）技術(shù)解析與應用指南

安森美 (onsemi) NSBCMXW NPN 偏置電阻晶體管 (BRT) 設計用于替代單個設備及其相關(guān)的外部偏置電阻網(wǎng)絡。這些安森美 (onsemi) BRT集成了單個晶體管和一個單片偏置網(wǎng)絡

2025-11-22 09:44:46

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深入解析onsemi偏置電阻晶體管(BRT)NSBAMXW系列技術(shù)特性與應用

安森美 (onsemi) NSBAMXW PNP偏置電阻晶體管 (BRT) 設計用于替換單個設備和相關(guān)外部偏置電阻網(wǎng)絡。這些PNP偏置電阻晶體管集成了單個晶體管和一個單片偏置網(wǎng)絡，該網(wǎng)絡由一個系列

2025-11-21 16:22:38

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電壓選擇晶體管應用電路第二期

電壓選擇晶體管應用電路第二期以前發(fā)表過關(guān)于電壓選擇晶體管的結(jié)構(gòu)和原理的文章，這一期我將介紹一下電壓選擇晶體管的用法。如圖所示：當輸入電壓Vin等于電壓選擇晶體管QS的柵極控制電壓時，三極管Q

2025-11-17 07:42:37

東科合封氮化鎵芯片DK8710BD助力華碩100W快充實現(xiàn)高效輸出

前言消費者在選購第三方充電器時都傾向于選擇一款功率高、發(fā)熱低、體積小巧便攜的充電器，而氮化鎵合封芯片憑借高頻、高集成、低損耗的特性解決了消費者的痛點。華碩旗下a豆品牌推出了一款100W氮化鎵充電器

2025-11-13 10:27:08

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英飛凌推出首款100V車規(guī)級晶體管，推動汽車領(lǐng)域氮化鎵（GaN）技術(shù)創(chuàng)新

，繼續(xù)朝著成為GaN技術(shù)領(lǐng)導企業(yè)的目標邁進，并進一步鞏固了其全球汽車半導體領(lǐng)導者的地位。 ? ? 英飛凌CoolGaN? 100V G1車規(guī)級晶體管 ? 英飛凌正式推出CoolGaN? 100V G1

2025-11-05 14:31:05

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晶體管的定義，晶體管測量參數(shù)和參數(shù)測量儀器

晶體管是一種以半導體材料為基礎(chǔ)的電子元件，具有檢波、整流、放大、開關(guān)、穩(wěn)壓和信號調(diào)制等多種功能?。其核心是通過控制輸入電流或電壓來調(diào)節(jié)輸出電流，實現(xiàn)信號放大或電路開關(guān)功能?。基本定義 晶體管泛指

2025-10-24 12:20:23

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?STMicroelectronics 100W USB PD參考設計技術(shù)解析

STMicroelectronics EVLVIPGAN100PD 100W USB供電 (PD) 參考設計基于VIPERGAN100高壓轉(zhuǎn)換器。該參考設計具有>92.6%峰值效率、100W

2025-10-24 09:49:34

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?STWLC99 100W無線電源接收器技術(shù)解析與應用展望

STMicroelectronics STWLC99符合Qi標準的無線電源接收器設計用于輸出功率高達100W的應用。該芯片支持Qi規(guī)范1.2.4和1.3，用于具有擴展功率曲線(EPP) 的電感

2025-10-22 10:54:28

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英飛凌功率晶體管的短路耐受性測試

本文將深入探討兩種備受矚目的功率晶體管——英飛凌的 CoolGaN（氮化鎵高電子遷移率晶體管）和 OptiMOS 6（硅基場效應晶體管），在極端短路條件下的表現(xiàn)。通過一系列嚴謹?shù)臏y試，我們將揭示

2025-10-07 11:55:00

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晶體管的基本結(jié)構(gòu)和發(fā)展歷程

隨著集成電路科學與工程的持續(xù)發(fā)展，當前集成電路已涵蓋二極管、晶體管、非易失性存儲器件、功率器件、光子器件、電阻與電容器件、傳感器件共 7 個大族，衍生出 100 多種不同類型的器件，推動集成電路技術(shù)

2025-09-22 10:53:48

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0.45-6.0 GHz 低噪聲晶體管 skyworksinc

電子發(fā)燒友網(wǎng)為你提供()0.45-6.0 GHz 低噪聲晶體管相關(guān)產(chǎn)品參數(shù)、數(shù)據(jù)手冊，更有0.45-6.0 GHz 低噪聲晶體管的引腳圖、接線圖、封裝手冊、中文資料、英文資料，0.45-6.0

2025-09-18 18:33:55

多值電場型電壓選擇晶體管結(jié)構(gòu)

多值電場型電壓選擇晶體管結(jié)構(gòu) 為滿足多進制邏輯運算的需要，設計了一款多值電場型電壓選擇晶體管?？刂贫M制電路通斷需要二進制邏輯門電路，實際上是對電壓的一種選擇，而傳統(tǒng)二進制邏輯門電路通常比較復雜

2025-09-15 15:31:09

IP6559至為芯支持AC雙口快充輸出的100W車載充電方案芯片

英集芯IP6559是一個應用于車載充電器、快充適配器、智能排插等方案的AC雙口快充輸出的100W升降壓SOC芯片。支持PD3.0等主流快充協(xié)議覆蓋。3.6V至31V的輸入電壓，兼容12V至24V車充輸入。

2025-09-03 11:54:00

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IP5385至為芯支持30W到100W雙向充放電的移動電源方案芯片

英集芯IP5385是一款應用于充電寶、移動電源、手機、電動工具等充電方案的30W到100W雙向充放電的移動電源管理SOC芯片。集成快充協(xié)議控制器（支持UFCS等主流協(xié)議）、同步升降壓控制器、MCU、電量計量及LED/數(shù)碼管顯示驅(qū)動。支持30W-100W雙向充放電。

2025-09-01 10:51:49

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選型手冊：MRFE6VP61K25 系列 RF 功率 LDMOS 晶體管

選型手冊：MRFE6VP61K25 系列 RF 功率 LDMOS 晶體管

2025-08-27 17:51:24

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AM010WX-BI-R砷化鎵高電子遷移率晶體管現(xiàn)貨庫存

AM010WX-BI-R是AMCOM品牌的一款砷化鎵高電子遷移率晶體管（GaAs pHEMT），選用陶瓷 BI 封裝，頻率范圍高達 12 GHz，適用于的L / S / C波段寬帶功率

2025-08-25 10:06:43

選型手冊：BLA9H0912L-1200PU Ampleon 的 LDMOS晶體管

我們從采購選型的角度通過官方的PDF，帶你了解 Ampleon 的 LDMOS BLA9H0912L-1200P; 與 BLA9H0912LS-1200P、，為什么有些工程師會報出 BLA9H0912L-1200PU的需求？我們一篇文章來介紹清楚、

2025-08-21 17:13:43

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安捷倫E3649A 100W雙路輸出電源

E3649A 100W雙路輸出電源外形小巧，適合作為臺式和系統(tǒng)電源使用。它的輸出紋波和噪聲較低，并內(nèi)置測量和基本可編程功能。Agilent E3649A 97W多路輸出電源是一款靈巧、可靠的電源

2025-08-13 17:44:48

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密封高速晶體管雙通道光耦合器 skyworksinc

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2025-07-08 18:33:02

耐輻射光電晶體管密封光耦合器 skyworksinc

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2025-07-08 18:29:59

晶體管架構(gòu)的演變過程

芯片制程從微米級進入2納米時代，晶體管架構(gòu)經(jīng)歷了從 Planar FET 到 MBCFET的四次關(guān)鍵演變。這不僅僅是形狀的變化，更是一次次對物理極限的挑戰(zhàn)。從平面晶體管到MBCFET，每一次架構(gòu)演進到底解決了哪些物理瓶頸呢？

2025-07-08 16:28:02

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晶體管參數(shù)測試系統(tǒng)/測試儀主要功能，應用場景

晶體管參數(shù)測試系統(tǒng)是用于評估半導體分立器件電氣性能的專業(yè)儀器設備，其核心功能是對晶體管的靜態(tài)/動態(tài)參數(shù)進行精密測量與特性分析。以下是系統(tǒng)的關(guān)鍵要素解析：一、系統(tǒng)核心功能 ?靜態(tài)參數(shù)測試

2025-07-08 14:49:56

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耐輻射光電晶體管密封表面貼裝光耦合器 skyworksinc

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2025-07-04 18:35:19

密封表面貼裝光電晶體管光耦合器 skyworksinc

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2025-07-04 18:31:18

光電晶體管密封表面貼裝光耦合器 skyworksinc

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2025-07-04 18:30:49

耐輻射、光電晶體管光耦合器 skyworksinc

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2025-07-03 18:31:17

光電晶體管光耦合器 skyworksinc

電子發(fā)燒友網(wǎng)為你提供()光電晶體管光耦合器相關(guān)產(chǎn)品參數(shù)、數(shù)據(jù)手冊，更有光電晶體管光耦合器的引腳圖、接線圖、封裝手冊、中文資料、英文資料，光電晶體管光耦合器真值表，光電晶體管光耦合器管腳等資料，希望可以幫助到廣大的電子工程師們。

2025-07-03 18:30:33

用于混合組裝的微型光電晶體管光耦合器 skyworksinc

電子發(fā)燒友網(wǎng)為你提供()用于混合組裝的微型光電晶體管光耦合器相關(guān)產(chǎn)品參數(shù)、數(shù)據(jù)手冊，更有用于混合組裝的微型光電晶體管光耦合器的引腳圖、接線圖、封裝手冊、中文資料、英文資料，用于混合組裝的微型光電晶體管光耦合器真值表，用于混合組裝的微型光電晶體管光耦合器管腳等資料，希望可以幫助到廣大的電子工程師們。

2025-07-03 18:30:00

光電晶體管密封光耦合器 skyworksinc

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2025-07-02 18:35:21

晶體管光耦的工作原理

晶體管光耦（PhotoTransistorCoupler）是一種將發(fā)光器件和光敏器件組合在一起的半導體器件，用于實現(xiàn)電路之間的電氣隔離，同時傳遞信號或功率。晶體管光耦的工作原理基于光電效應和半導體

2025-06-20 15:15:49

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下一代高速芯片晶體管解制造問題解決了！

先進的晶體管架構(gòu)，是納米片晶體管（Nanosheet FET）的延伸和發(fā)展，主要用于實現(xiàn)更小的晶體管尺寸和更高的集成密度，以滿足未來半導體工藝中對微縮的需求。叉片晶體管的核心特點是其分叉式的柵極結(jié)構(gòu)

2025-06-20 10:40:07

1.8mΩ極低導阻！捷捷微電JMSL0303AU助力華為100W車充登頂功率密度巔峰！

近日，華為新品發(fā)布了100W全能充車載充電器，它體內(nèi)兩顆關(guān)鍵的VBUS開關(guān)管，正是來自我們捷捷微電的“超能戰(zhàn)士”——JMSL0303AU！為什么說它是“超能戰(zhàn)士”？想象一下，在飛馳的車內(nèi)，同時給

2025-06-09 15:09:50

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6306板100W電源方案

100W電源方案

2025-06-09 14:45:24

2SC5200音頻配對功率管PNP型晶體管

深圳市三佛科技有限公司供應2SC5200音頻配對功率管PNP型晶體管，原裝現(xiàn)貨 2SC5200是一款PNP型晶體管，2SA1943的補充型。擊穿電壓：250V (集射極電壓 Vceo) min

2025-06-05 10:24:29

2SA1943 大功率功放管PNP型高壓晶體管

驅(qū)動電路、射頻功率放大器等，可作為功率輸出級，提供足夠的功率驅(qū)動負載建議使用100W高保真音頻放大器輸出級應用穩(wěn)壓電源：在一些線性穩(wěn)壓電源電路中，可用于調(diào)整輸出電壓，穩(wěn)定電源輸出，保證電源的穩(wěn)定性和可靠性. 提供樣品，技術(shù)支持。

2025-06-05 10:18:15

鰭式場效應晶體管的原理和優(yōu)勢

自半導體晶體管問世以來，集成電路技術(shù)便在摩爾定律的指引下迅猛發(fā)展。摩爾定律預言，單位面積上的晶體管數(shù)量每兩年翻一番，而這一進步在過去幾十年里得到了充分驗證。

2025-06-03 18:24:13

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薄膜晶體管技術(shù)架構(gòu)與主流工藝路線

導語薄膜晶體管（TFT）作為平板顯示技術(shù)的核心驅(qū)動元件，通過材料創(chuàng)新與工藝優(yōu)化，實現(xiàn)了從傳統(tǒng)非晶硅向氧化物半導體、柔性電子的技術(shù)跨越。本文將聚焦于薄膜晶體管制造技術(shù)與前沿發(fā)展。

2025-05-27 09:51:41

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低功耗熱發(fā)射極晶體管的工作原理與制備方法

集成電路是現(xiàn)代信息技術(shù)的基石，而晶體管則是集成電路的基本單元。沿著摩爾定律發(fā)展，現(xiàn)代集成電路的集成度不斷提升，目前單個芯片上已經(jīng)可以集成數(shù)百億個晶體管。

2025-05-22 16:06:19

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耐輻射、光電晶體管表面貼裝光耦合器 skyworksinc

電子發(fā)燒友網(wǎng)為你提供()耐輻射、光電晶體管表面貼裝光耦合器相關(guān)產(chǎn)品參數(shù)、數(shù)據(jù)手冊，更有耐輻射、光電晶體管表面貼裝光耦合器的引腳圖、接線圖、封裝手冊、中文資料、英文資料，耐輻射、光電晶體管表面貼裝光耦合器真值表，耐輻射、光電晶體管表面貼裝光耦合器管腳等資料，希望可以幫助到廣大的電子工程師們。

2025-05-19 18:33:42

無結(jié)場效應晶體管詳解

當代所有的集成電路芯片都是由PN結(jié)或肖特基勢壘結(jié)所構(gòu)成：雙極結(jié)型晶體管（BJT）包含兩個背靠背的PN 結(jié)，MOSFET也是如此。結(jié)型場效應晶體管（JFET）垂直于溝道方向有一個 PN結(jié)，隧道穿透

2025-05-16 17:32:07

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什么是晶體管？你了解多少？知道怎樣工作的嗎？

晶體管（Transistor）是一種?半導體器件?，用于?放大電信號?、?控制電流?或作為?電子開關(guān)?。它是現(xiàn)代電子技術(shù)的核心元件，幾乎所有電子設備（從手機到超級計算機）都依賴晶體管實現(xiàn)功能。以下

2025-05-16 10:02:18

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實用電子電路設計（全6本）——晶體管電路設計下

由于資料內(nèi)存過大，分開上傳，有需要的朋友可以去主頁搜索下載哦~ 本文共分上下二冊。本文檔作為下冊主要介紹晶體管/FET電路設計技術(shù)的基礎(chǔ)知識和基本實驗,內(nèi)容包括FET放大電路、源極跟隨器電路

2025-05-15 14:24:23

LP395 系列 36V 功率晶體管數(shù)據(jù)手冊

LP395 是一款具有完全過載保護的快速單片晶體管。這非常片上包括高增益晶體管、電流限制、功率限制和熱過載保護，使其幾乎難以因任何類型的過載而銷毀。適用于該器件采用環(huán)氧樹脂 TO-92 晶體管封裝，額定電流為 100 mA。

2025-05-15 10:36:29

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這個晶體管的發(fā)射機直接接到電源負極上，不會燒嗎？

我的理解晶體管的cb be都是有固定壓降的，加在發(fā)射極上那么大電壓還不連電阻。

2025-05-15 09:20:48

IP5385至為芯支持30W到100W功率雙向快充的移動電源方案芯片

英集芯IP5385是一款適用于移動電源，充電寶，便攜式儲能設備等方案的支持30W到100W大功率雙向快充的移動電源SOC芯片。集成快充協(xié)議控制器、同步升降壓控制器、MCU、路徑管理、電量計量及LED/數(shù)碼管顯示驅(qū)動，大幅簡化外圍電路設計，降低BOM成本。

2025-04-29 10:44:35

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寬帶隙WBG功率晶體管的性能測試與挑戰(zhàn)

晶體管的性能得到了顯著提升，開啟了更高效率和更快動態(tài)響應的可能性。寬帶隙晶體管在現(xiàn)代電力系統(tǒng)中扮演著關(guān)鍵角色，包括開關(guān)電源(SMPS)、逆變器和電動機驅(qū)動器，因為

2025-04-23 11:36:00

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多值電場型電壓選擇晶體管#微電子

晶體管

jf_67773122發(fā)布于 2025-04-17 01:40:24

多值電場型電壓選擇晶體管結(jié)構(gòu)

為滿足多進制邏輯運算的需要，設計了一款多值電場型電壓選擇晶體管?？刂贫M制電路通斷需要二進制邏輯門電路，實際上是對電壓的一種選擇，而傳統(tǒng)二進制邏輯門電路通常比較復雜，有沒有一種簡單且有效的器件實現(xiàn)

2025-04-16 16:42:26

多值電場型電壓選擇晶體管結(jié)構(gòu)

2025-04-15 10:24:55

晶體管電路設計（下）

晶體管，F(xiàn)ET和IC，F(xiàn)ET放大電路的工作原理，源極接地放大電路的設計，源極跟隨器電路設計，F(xiàn)ET低頻功率放大器的設計與制作，柵極接地放大電路的設計，電流反饋型OP放大器的設計與制作，進晶體管

2025-04-14 17:24:55

晶體管電路設計（上）【日鈴木雅臣】

晶體管和FET的工作原理，觀察放大電路的波形，放大電路的設計，放大電路的性能，共發(fā)射極應用，觀察射極跟隨器的波形，增強輸出電路的設計，射極跟隨器的性能和應用電路，小型功率放大器的設計和制作

2025-04-14 16:07:46

晶體管柵極多晶硅摻雜的原理和必要性

本文介紹了多晶硅作為晶體管的柵極摻雜的原理和必要性。

2025-04-02 09:22:24

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2.0G-6.2G 100W 寬帶氮化鎵射頻功放管

UM2062-100M 是一款 100W 應用頻率在 2.0～6.2GHz 的，基于全國產(chǎn)化及工藝的氮化鎵射頻功率放大管。這款功放管具有高效率、高增益的特性，適用于脈沖/連續(xù)波信號，主要用于收發(fā)

2025-03-27 10:00:11

1550-1620MHz 100w螺旋天線：衛(wèi)星通信的解決方案

深圳安騰納天線｜1550-1620MHz 100w螺旋天線：衛(wèi)星通信的解決方案

2025-03-24 09:03:42

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MAX2602 3.6V、1W RF功率晶體管，適合900MHz應用技術(shù)手冊

MAX2601/MAX2602是針對便攜式蜂窩和無線設備應用優(yōu)化的射頻功率晶體管，采用三節(jié)鎳鎘/鎳氫電池或一節(jié)鋰離子電池供電。當針對恒定包絡應用（例如FM或FSK）進行偏置時，這些晶體管可使

2025-03-19 11:38:14

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MAX2601 3.6V、1W RF功率晶體管，適合900MHz應用技術(shù)手冊

MAX2601/MAX2602是針對便攜式蜂窩和無線設備應用優(yōu)化的射頻功率晶體管，采用三節(jié)NiCd/NiMH電池或一節(jié)鋰離子電池供電。當針對恒定包絡應用（例如FM或FSK）進行偏置時，這些晶體管可使

2025-03-19 11:33:39

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晶體管柵極結(jié)構(gòu)形成

柵極（Gate）是晶體管的核心控制結(jié)構(gòu)，位于源極（Source）和漏極（Drain）之間。其功能類似于“開關(guān)”，通過施加電壓控制源漏極之間的電流通斷。例如，在MOS管中，柵極電壓的變化會在半導體表面形成導電溝道，從而調(diào)節(jié)電流的導通與截止。

2025-03-12 17:33:20

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晶體管電路設計（下） [日鈴木雅臣]

本書主要介紹了晶體管，F(xiàn)ET和Ic，F(xiàn)ET放大電路的工作原理，源極接地放大電路的設計，源極跟隨電路的設計，F(xiàn)ET低頻功率放大器的設計和制作，柵極接地放大電路的設計，電流反饋行型op放大器的設計與制作

2025-03-07 13:55:19

晶體管電路設計（上）[日鈴木雅臣]

本書主要介紹了晶體管和FET的工作原理，放大電路的工作，增強輸出的電路，小型功率放大器的設計與制作，功率放大器的設計與制作，拓寬頻率特性，視頻選擇器的設計和制作，渥爾曼電路的設計，負反饋放大電路的設計，直流穩(wěn)定電源的設計與制作，差動放大電路的設計，op放大器電路的設計與制作等

2025-03-07 13:46:06

1550-1620MHz 100w螺旋天線：無線通信領(lǐng)域的新星

深圳安騰納天線｜1550-1620MHz 100w螺旋天線：無線通信領(lǐng)域的新星

2025-03-06 09:05:23

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氮化鎵晶體管的并聯(lián)設計技術(shù)手冊免費下載

氮化鎵晶體管的并聯(lián)設計總結(jié) 先上鏈接，感興趣的朋友可以直接下載： *附件：氮化鎵晶體管的并聯(lián)設計.pdf 一、引言 ? 應用場景 ?：并聯(lián)開關(guān)管廣泛應用于大功率場合，如牽引逆變器、可回收能源系統(tǒng)等

2025-02-27 18:26:31

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晶體管電路設計與制作

這本書介紹了晶體管的基本特性，單管電路的設計與制作，雙管電路的設計與制作，3~5管電路的設計與制作，6管以上電路的設計與制作。書中具體內(nèi)容有：直流工作解析，交流工作解析，接地形式，單管反相放大器，雙管反相放大器，厄利效應，雙管射極跟隨器等內(nèi)容。

2025-02-26 19:55:46

HFA3135超高頻匹配對晶體管應用筆記

HFA3134和HFA3135是采用Intersi1公司的互補雙極UHF-1X工藝制造的超高頻晶體管對，NFN晶體管的fT為8.5CHz，而FPNP晶體管的為7CHz。這兩種類型都表現(xiàn)出低噪聲，使其

2025-02-26 09:29:07

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HFA3134超高頻晶體管應用筆記

HFA3134 和 HFA3135 是超高頻晶體管，采用 Intersil Corporation 的互補雙極 UHF-1X 工藝制造。NPN 晶體管的 fT 為 8。5GHz，而 PNP 晶體管

2025-02-25 17:26:35

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HFA3127超高頻晶體管陣列應用筆記

HFA3046、HFA3096、HFA3127 和 HFA3128 是采用瑞薩電子互補雙極 UHF-1 工藝制造的超高頻晶體管陣列。每個陣列由位于公共單片襯底上的五個介電隔離晶體管組成。NPN

2025-02-25 17:19:09

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HFA3096超高頻晶體管陣列應用筆記

2025-02-25 16:15:33

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HFA3046超高頻晶體管陣列應用筆記

2025-02-25 16:05:09

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1550-1620MHz 100w螺旋天線：信號傳輸?shù)男逻x擇

深圳安騰納天線｜1550-1620MHz 100w螺旋天線：信號傳輸?shù)男逻x擇

2025-02-19 09:03:23

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鰭式場效應晶體管制造工藝流程

FinFET(鰭式場效應晶體管)從平面晶體管到FinFET的演變是一種先進的晶體管架構(gòu)，旨在提高集成電路的性能和效率。它通過將傳統(tǒng)的平面晶體管轉(zhuǎn)換為三維結(jié)構(gòu)來減少短溝道效應，從而允許更小、更快且功耗更低的晶體管。本文將從硅底材開始介紹FinFET制造工藝流程，直到鰭片(Fin)的制作完成。

2025-02-17 14:15:02

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