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Cypress推出新款序列非揮發(fā)靜態(tài)隨機(jī)存取內(nèi)存(nv

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看到了其前景并提前布局。AI推理也使得存儲(chǔ)HBM不再是唯一熱門,更多存儲(chǔ)芯片與AI推理芯片結(jié)合,擁有了市場(chǎng)機(jī)會(huì)。 ? 已經(jīng)有不少AI推理芯片、存算一體芯片將SRAM替代DRAM,從而獲得更快的訪問速度、更低的刷新延遲等。 ? 靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(Static
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2025-12-18 14:06:41

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2025-12-18 10:08:23271

Everspin的MRAM芯片存儲(chǔ)技術(shù)工作原理

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2025-12-15 14:39:04242

DDR SDRAM是什么存儲(chǔ)器(雙數(shù)據(jù)速率同步動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器介紹)

在計(jì)算機(jī)和電子設(shè)備中,存儲(chǔ)器扮演著數(shù)據(jù)臨時(shí)存放與快速交換的關(guān)鍵角色。其中,DDR SDRAM(雙數(shù)據(jù)速率同步動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器)已成為現(xiàn)代內(nèi)存的主流技術(shù)之一。它不僅在速度上顯著超越前代產(chǎn)品,更憑借其高效傳輸機(jī)制,廣泛應(yīng)用于電腦、服務(wù)器、移動(dòng)設(shè)備及各類嵌入式系統(tǒng)中。
2025-12-08 15:20:44293

SRAM與DRAM的結(jié)構(gòu)差異和特性區(qū)別

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國(guó)民技術(shù)正式推出新款安全芯片N32S035

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DRAM動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取器的解決方案特點(diǎn)

在當(dāng)今高速發(fā)展的3C領(lǐng)域(計(jì)算機(jī)外設(shè)、通信及消費(fèi)電子),對(duì)存儲(chǔ)器的性能與功耗提出了更高要求。DRAM動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器作為核心存儲(chǔ)部件,其性能表現(xiàn)直接影響設(shè)備整體效能。Etron憑借其活緩沖DRAM
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芯源EEPROM產(chǎn)品的優(yōu)勢(shì)

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探索onsemi EEPROM:NV25080LV系列的卓越性能與應(yīng)用指南

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雙口SRAM靜態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器存儲(chǔ)原理

在各類存儲(chǔ)設(shè)備中,SRAM(靜態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器)因其高速、低功耗和高可靠性,被廣泛應(yīng)用于高性能計(jì)算、通信和嵌入式系統(tǒng)中。其中,雙口SRAM靜態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器憑借其獨(dú)特的雙端口設(shè)計(jì),在高帶寬和多任務(wù)場(chǎng)景中表現(xiàn)尤為出色,成為提升系統(tǒng)效率的重要組件。
2025-11-25 14:28:44272

stt-marm存儲(chǔ)芯片的結(jié)構(gòu)原理

在存儲(chǔ)技術(shù)快速演進(jìn)的今天,一種名為STT-MRAM(自旋轉(zhuǎn)移矩磁阻隨機(jī)存取存儲(chǔ)器)的新型易失存儲(chǔ)器,正逐步走入產(chǎn)業(yè)視野。它不僅繼承了MRAM的高速讀寫能力與易失特性,更通過“自旋電流”技術(shù)實(shí)現(xiàn)了信息寫入方式的突破,被視為第二代MRAM技術(shù)的代表。
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SRAM是什么,SRAM的芯片型號(hào)都有哪些

在處理器性能持續(xù)攀升的今天,存儲(chǔ)系統(tǒng)的速度已成為制約整體算力的關(guān)鍵瓶頸之一。作為最接近CPU核心的存儲(chǔ)單元,SRAM(靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器)承擔(dān)著高速緩存的重要角色,其性能直接影響數(shù)據(jù)處理效率。當(dāng)前
2025-11-12 13:58:08455

最高支持9200 MT/s速率!瀾起科技推出新一代DDR5時(shí)鐘驅(qū)動(dòng)器(CKD)芯片

電子發(fā)燒友網(wǎng)綜合報(bào)道 11月10日,瀾起科技正式推出新一代DDR5時(shí)鐘驅(qū)動(dòng)器(CKD)芯片,該芯片最高支持9200 MT/s的數(shù)據(jù)傳輸速率,可有效優(yōu)化客戶端內(nèi)存子系統(tǒng)性能,為下一代高性能PC
2025-11-12 08:50:007603

行業(yè)資訊 I 火爆的“內(nèi)存接口芯片”

,高速內(nèi)存接口芯片正迅速成為芯片產(chǎn)業(yè)的關(guān)注熱點(diǎn)。何為內(nèi)存接口芯片?內(nèi)存接口芯片是內(nèi)存模組(俗稱內(nèi)存條)的核心器件,作為CPU存取內(nèi)存數(shù)據(jù)的必由通路,其主要作用是提
2025-10-31 16:28:172959

如何在物聯(lián)網(wǎng)產(chǎn)品應(yīng)用串行psram

PSRAM全稱為pseudo SRAM,一般叫偽靜態(tài)SRAM,串行PSRAM具有類似SRAM的接口協(xié)議,給出地址,讀、寫命令,就可以實(shí)現(xiàn)存取,不同于DRAM需要用到memory controller來控制內(nèi)存單元定期數(shù)據(jù)刷新
2025-10-27 16:04:47450

QSPI PSRAM偽靜態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器選型攻略

QSPI PSRAM是一種集成了QSPI接口與PSRAM存儲(chǔ)功能的高效芯片。QSPI(四線串行外設(shè)接口)是一種高速串行通信接口,用于連接外部設(shè)備;而PSRAM(偽靜態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器)則結(jié)合了快速隨機(jī)訪問與動(dòng)態(tài)存儲(chǔ)的特性。
2025-10-23 15:40:17379

spi psram偽靜態(tài)存儲(chǔ)器的特點(diǎn)是什么

PSRAM之所以被稱為"偽靜態(tài)"存儲(chǔ)器,主要是因?yàn)槠洳捎妙怱RAM的接口協(xié)議:只需要提供地址和讀寫命令就可以實(shí)現(xiàn)數(shù)據(jù)存取,無需像傳統(tǒng)DRAM一樣需要內(nèi)存控制器定期刷新數(shù)據(jù)單元。
2025-10-23 14:29:00296

南芯科技推出工業(yè)級(jí)10uA超低靜態(tài)電流降壓轉(zhuǎn)換器系列產(chǎn)品

今日,南芯科技(證券代碼:688484)宣布推出工業(yè)級(jí)高壓超低靜態(tài)電流降壓轉(zhuǎn)換器系列產(chǎn)品,僅10μA的超低靜態(tài)電流,支持最高120V 耐壓和最大5A 的連續(xù)電流。高耐壓可顯著減少外圍電壓尖峰抑制器
2025-10-22 17:36:19728

Melexis推出新型嵌入式電機(jī)驅(qū)動(dòng)芯片MLX81339

Melexis推出新型嵌入式電機(jī)驅(qū)動(dòng)芯片MLX81339。該芯片配備PWM/串行接口,專為工業(yè)應(yīng)用設(shè)計(jì),支持高達(dá)40W的三相無刷直流電機(jī)(BLDC)和步進(jìn)電機(jī)控制,適用于風(fēng)扇、泵及定位系統(tǒng)等緊湊型設(shè)備。其內(nèi)置可編程閃存支持應(yīng)用的全功能定制。
2025-10-10 10:45:50679

介紹Nordic的nRF54系列家族新成員:nRF54LM20

nRF54LM20A 以高存儲(chǔ)版本拓展了 nRF54L 系列產(chǎn)品線,其搭載 2MB 非易失性存儲(chǔ)器(NVM)與 512KB 隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(RAM);同時(shí),該芯片保留了系列一致的微控制器(MCU)核心
2025-09-29 01:20:31

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、多達(dá) 66 個(gè) GPIO 和高速 USB 概述 nRF54LM20A 以高存儲(chǔ)版本拓展了 nRF54L 系列產(chǎn)品線,其搭載 2MB 非易失性存儲(chǔ)器(NVM)與 512KB 隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(RAM
2025-09-29 00:54:30605

HBM技術(shù)在CowoS封裝中的應(yīng)用

HBM通過使用3D堆疊技術(shù),將多個(gè)DRAM(動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器)芯片堆疊在一起,并通過硅通孔(TSV,Through-Silicon Via)進(jìn)行連接,從而實(shí)現(xiàn)高帶寬和低功耗的特點(diǎn)。HBM的應(yīng)用中,CowoS(Chip on Wafer on Substrate)封裝技術(shù)是其中一個(gè)關(guān)鍵的實(shí)現(xiàn)手段。
2025-09-22 10:47:471611

關(guān)于“隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(RAM)”的基礎(chǔ)知識(shí)詳解;

【博主簡(jiǎn)介】 本人系一名半導(dǎo)體行業(yè)質(zhì)量管理從業(yè)者,旨在業(yè)余時(shí)間不定期的分享半導(dǎo)體行業(yè)中的:產(chǎn)品質(zhì)量、失效分析、可靠性分析和產(chǎn)品基礎(chǔ)應(yīng)用等相關(guān)知識(shí)。常言:真知不問出處,所分享的內(nèi)容如有雷同或是不當(dāng)之處,還請(qǐng)大家海涵,如有需要可看文尾聯(lián)系方式,當(dāng)前在網(wǎng)絡(luò)平臺(tái)上均以“ 愛在七夕時(shí) ”的昵稱為ID跟大家一起交流學(xué)習(xí)! 一提到“存儲(chǔ)器”,相信很多朋友都會(huì)想到計(jì)算機(jī)。是的,在計(jì)算機(jī)的組成結(jié)構(gòu)中,有一個(gè)很重要的部分,就是
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2025-09-04 17:55:551657

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經(jīng)世智能檔案存取復(fù)合機(jī)器人:精準(zhǔn)存取 建設(shè)無人化檔案庫(kù)房!

經(jīng)世智能檔案存取復(fù)合機(jī)器人,通過技術(shù)創(chuàng)新,解決了傳統(tǒng)檔案管理的效率、精度與安全性痛點(diǎn)。??一、技術(shù)突破:高精度存取與智能調(diào)度一體化控制融合底盤導(dǎo)航、機(jī)械臂運(yùn)動(dòng)與視覺一體化控制算法,實(shí)現(xiàn)±0.5mm級(jí)
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3.99萬元!宇樹科技推出新款人形機(jī)器人R1 發(fā)力工業(yè)和服務(wù)場(chǎng)景

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簡(jiǎn)單認(rèn)識(shí)高帶寬存儲(chǔ)器

HBM(High Bandwidth Memory)即高帶寬存儲(chǔ)器,是一種基于 3D 堆疊技術(shù)的高性能 DRAM(動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器)。其核心設(shè)計(jì)是通過硅通孔(TSV)和微凸塊(Microbump
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藍(lán)牙隨機(jī)化RPA更新的重要性和工作原理

藍(lán)牙?隨機(jī)可解析私有地址(Bluetooth? Randomized RPA)更新功能已推出,該更新通過優(yōu)化可解析私有地址的管理,提高了低功耗藍(lán)牙設(shè)備的隱私性和能效。本文將介紹藍(lán)牙?隨機(jī)化RPA更新的重要性、解釋其工作原理,并為初次接觸該藍(lán)牙增強(qiáng)功能的用戶提供實(shí)用的信息。
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請(qǐng)問如何設(shè)置藍(lán)牙靜態(tài)隨機(jī)地址?

您好,我想實(shí)現(xiàn)藍(lán)牙地址除了燒錄其他場(chǎng)景保持不變,那么想問一下如何將藍(lán)牙地址類型設(shè)置為靜態(tài)隨機(jī)地址? 我使用了 CYW20835。
2025-07-07 08:12:36

告別 “起床氣”!NV340D 語音芯片解鎖電子鬧鐘喚醒新體驗(yàn)!

。NineChip語音芯片NineChip高效/穩(wěn)定/創(chuàng)新NV340D語音芯片今天,我們要為大家介紹的是廣州九芯電子科技研發(fā)推出NV340D語音芯片,它如何為電子鬧鐘帶來
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作為基于PC測(cè)試和測(cè)量?jī)x器市場(chǎng)領(lǐng)導(dǎo)者的 Pico Technology, 非常自豪地宣布推出其 PicoScope 9400A 系列高帶寬采樣示波器的擴(kuò)展產(chǎn)品。該產(chǎn)品的設(shè)計(jì)是為了滿足人們對(duì)高速電子、通信、半導(dǎo)體研究以及各種高能物理應(yīng)用的日益迫切的需求。
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紫光國(guó)芯推出低功耗高性能PSRAM產(chǎn)品(低功耗偽靜態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器)

近日,紫光國(guó)芯自主研發(fā)的PSRAM(低功耗偽靜態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器)芯片系列產(chǎn)品正式發(fā)布,并同步上線天貓官方旗艦店。此次上新的PSRAM產(chǎn)品兼容業(yè)界主流接口協(xié)議Xccela,容量覆蓋32Mb,64Mb
2025-07-01 16:42:501443

半導(dǎo)體存儲(chǔ)芯片核心解析

存儲(chǔ)器)、SRAM (靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器)。 非易失性存儲(chǔ)器:斷電后數(shù)據(jù)能長(zhǎng)期保存。 特點(diǎn):速度相對(duì)慢(但也有高速類型),用作數(shù)據(jù)的“永久或半永久倉(cāng)庫(kù)”。 代表:NAND Flash (閃存)、NOR
2025-06-24 09:09:39

VirtualLab Fusion應(yīng)用:多反射系統(tǒng)的序列建模

序列光學(xué)系統(tǒng),特別是那些序列性來自組件內(nèi)部多次內(nèi)部反射的系統(tǒng),具有一系列特定的挑戰(zhàn)。將這樣的系統(tǒng)分解成一個(gè)順序等價(jià)的系統(tǒng)通常非常不方便,而且總是不切實(shí)際的。因此,擁有一個(gè)穩(wěn)定的序列建模策略
2025-06-12 08:49:47

Analog Devices Inc. ADSP-21594/ADSP-SC594 SHARC+雙核DSP數(shù)據(jù)手冊(cè)

Devices的super Harvard架構(gòu)。ADSP-21594/ADSP-SC594針對(duì)高性能音頻/浮點(diǎn)應(yīng)用進(jìn)行了優(yōu)化,具有大型片上靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(SRAM)、創(chuàng)新的數(shù)字音頻接口(DAI)以及消除輸入/輸出(I/O)瓶頸的多條內(nèi)部總線。這些器件是32位、40位或64位浮點(diǎn)處理器。
2025-06-11 15:41:48853

科而美正式推出新一代RDM線條燈

在照明技術(shù)快速迭代的今天,科而美正式推出新一代RDM線條燈,以顛覆性的技術(shù)突破重新定義行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)!
2025-06-11 15:41:331039

Analog Devices Inc. ADSP-SC592 SHARC+?雙核DSP數(shù)據(jù)手冊(cè)

Super Harvard架構(gòu)(SHA)。ADSP-SC592雙核DSP優(yōu)化用于高性能音頻/浮點(diǎn)應(yīng)用,具有大容量片上靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 (SRAM)。主要特性包括一個(gè)強(qiáng)大的DMA系統(tǒng)(具有8個(gè)MEMDMA)、片上內(nèi)存保護(hù)和集成安全特性。
2025-06-07 11:37:00907

基于Cypress的kitprog或者miniprog等等燒錄器,可以實(shí)現(xiàn)同時(shí)燒錄嗎?

基于Cypress的kitprog或者miniprog等等燒錄器,可以實(shí)現(xiàn)同時(shí)燒錄嗎?Cypress有參考代碼嗎?
2025-06-03 13:52:00

偉創(chuàng)力推出新一代中間總線轉(zhuǎn)換器BMR323

Flex Power Modules宣布推出BMR323。這是一款新一代隔離、穩(wěn)壓中間總線轉(zhuǎn)換器(IBC),專為滿足AI和云計(jì)算應(yīng)用中日益增長(zhǎng)的低電壓、高功率需求而設(shè)計(jì)。
2025-06-03 09:54:08799

Cadence推出HBM4 12.8Gbps IP內(nèi)存系統(tǒng)解決方案

近日,Cadence(NASDAQ:CDNS)近日宣布推出業(yè)界速度最快的 HBM4 12.8Gbps 內(nèi)存 IP 解決方案,以滿足新一代 AI 訓(xùn)練和 HPC 硬件系統(tǒng)對(duì) SoC 日益增長(zhǎng)的內(nèi)存帶寬
2025-05-26 10:45:261303

DS4550 I2C和JTAG、易失、9位、輸入/輸出擴(kuò)展器與存儲(chǔ)器技術(shù)手冊(cè)

DS4550是9位,易失(NV) I/O擴(kuò)展器,具有I2C兼容串行接口或IEEE? 1149.1 JTAG端口控制的64字節(jié)NV用戶存儲(chǔ)器。DS4550采用數(shù)字編程替代硬件跳線和機(jī)械開關(guān),實(shí)現(xiàn)對(duì)數(shù)
2025-05-26 09:50:50683

USON8封裝pSRAM芯片在智能攝像頭的應(yīng)用

CSS1604S 是凱芯(Cascadeteq Inc)推出的16Mb Quad-SPI偽靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(PSRAM),專為高性能、低功耗和小型化設(shè)備設(shè)計(jì)。 核心特性包括: 接口與性能:支持
2025-05-22 15:00:09

鎖相放大相機(jī)在NV色心成像中的應(yīng)用

NV色心(氮-空位色心)是金剛石中由氮原子和鄰近空位形成的缺陷,其基態(tài)能級(jí)在外磁場(chǎng)作用下產(chǎn)生劈裂,在此基礎(chǔ)上通過光探測(cè)磁共振(ODMR)可檢測(cè)磁場(chǎng)強(qiáng)度。本文提出一種基于鎖相放大相機(jī)的NV色心磁成像
2025-05-19 12:04:001398

松下NV-G33型錄像機(jī)故障速修

NV—G30、G33錄像機(jī)磁鼓不轉(zhuǎn)故障的檢修 2
2025-05-17 15:37:290

NV—G30錄像機(jī)電源電路原理與檢修

NV—G30、G33錄像機(jī)磁鼓不轉(zhuǎn)故障的檢修
2025-05-17 15:34:452

鼎陽科技推出新一代高端旗艦任意波形發(fā)生器SDG8000A系列

近日,鼎陽科技正式推出新一代高端旗艦任意波形發(fā)生器SDG8000A系列。該產(chǎn)品具備最多4個(gè)模擬輸出通道,輸出頻率可達(dá)5 GHz,調(diào)制帶寬可達(dá)2 GHz,且每通道具備最大4G樣本點(diǎn)存儲(chǔ)空間,無需犧牲
2025-05-16 18:17:251151

ADuCM4050集成電源管理的超低功耗ARM Cortex-M4F MCU技術(shù)手冊(cè)

靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(SRAM)和嵌入式閃存、一個(gè)提供時(shí)鐘、復(fù)位和電源管理功能的模擬子系統(tǒng)以及模數(shù)轉(zhuǎn)換器(ADC)子系統(tǒng)組成。
2025-05-08 14:56:39840

ADuCM300符合汽車要求且具有LIN2.2從屬接口的雙通道精密ADC技術(shù)手冊(cè)

處理器和微控制器單元 (MCU) 子系統(tǒng)。ADuCM300 具有 128 kB 程序閃存/EE、4 kB 數(shù)據(jù)閃存/EE 和 6 kB 靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 (SRAM)。
2025-05-08 14:26:44809

SONY推出新型dTOF激光雷達(dá)(LiDAR)深度傳感器AS-DT1

索尼宣布推出新型dTOF激光雷達(dá)(LiDAR)深度傳感器AS-DT1,作為SONY(中國(guó))官方授權(quán)經(jīng)銷商*1,軒展科技始終致力于前沿技術(shù)的推廣與應(yīng)用,并第一時(shí)間將這一創(chuàng)新成果呈現(xiàn)給行業(yè)伙伴與用戶,共同見證索尼在智能感知領(lǐng)域的又一里程碑式突破。
2025-05-08 11:08:24925

cypress3014設(shè)置為rgb24 1080p 60hz輸出的畫面是靜態(tài)的,為什么?

你好,請(qǐng)問cypress3014中幀描述符我設(shè)置為rgb24 1080p 50hz,在obs上看輸出的畫面是正常實(shí)時(shí)刷新的,設(shè)置為rgb24 1080p 60hz輸出的畫面就是靜態(tài)的,請(qǐng)問這是哪里有問題,是usb帶寬不夠?qū)е碌膯幔撊绾涡薷?/div>
2025-05-07 06:33:03

淺談MCU片上RAM

,與CPU直接交互,支持實(shí)時(shí)數(shù)據(jù)存取,承擔(dān)變量、堆棧、中斷向量表等動(dòng)態(tài)數(shù)據(jù)的存儲(chǔ)功能。 主要類型? SRAM(靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器)?:無需刷新電路,速度快、功耗低,但密度較低,廣泛用于MCU主內(nèi)存。 eDRAM(嵌入式動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器)?:部分高端MCU采用
2025-04-30 14:47:081123

請(qǐng)問cypress的demo運(yùn)行l(wèi)og通過什么方式獲?。?/a>

Princetel 推出新的手動(dòng)電纜卷筒在線配置器

和定制模塊化電纜卷筒(手動(dòng)和電動(dòng))。該公司近期宣布為其手動(dòng)電纜卷筒產(chǎn)品線推出新的在線配置器 。這種用戶友好型工具使設(shè)計(jì)工程師能夠創(chuàng)建手動(dòng)電纜卷筒的定制配置,大大簡(jiǎn)化了設(shè)計(jì)流程,節(jié)省了寶貴的工程時(shí)間
2025-04-18 15:41:46

IEC61508系統(tǒng)中的動(dòng)態(tài)內(nèi)存使用

IEC 61508標(biāo)準(zhǔn)強(qiáng)烈推薦使用靜態(tài)內(nèi)存管理方式。在安全應(yīng)用設(shè)計(jì)中,我們都在遵循這個(gè)建議。
2025-04-11 15:17:371288

IBM推出新一代大型主機(jī)IBM z17

今天,IBM(紐約證券交易所:IBM)宣布推出新一代大型主機(jī) IBM z17。作為 IBM Z 主機(jī)系列的最新旗艦產(chǎn)品,IBM z17 搭載了跨硬件、軟件和系統(tǒng)操作的全方位AI 能力。在全新 IBM Telum II 處理器的支持下,IBM z17 的能力將拓展至交易型處理之外的新的 AI 工作負(fù)載。
2025-04-10 14:45:58936

如何使用LAX_CODEGEN啟用動(dòng)態(tài)內(nèi)存分配?

我目前正在探索NXP_MBDToolbox_LAX。lax_codegen 生成的代碼基于靜態(tài)分配。我想管理大型向量,如何使用 LAX_CODEGEN 啟用動(dòng)態(tài)內(nèi)存分配?
2025-04-10 08:09:23

德州儀器推出新款電源管理芯片,可提高現(xiàn)代數(shù)據(jù)中心的保護(hù)級(jí)別、功率密度和效率水平

的晶體管外形無引線 (TOLL) 封裝,將 德州儀器的 GaN 和高性能柵極驅(qū)動(dòng)器與先進(jìn)的保護(hù)功能相結(jié)合。 中國(guó)上海(2025 年4 月 9 日)— 德州儀器 (TI)(納斯達(dá)克股票代碼:TXN)于今日推出新款電源管理芯片,以滿足現(xiàn)代數(shù)據(jù)中心快速增長(zhǎng)的電源需求。隨著高性能計(jì)算和人工
2025-04-09 14:38:46516

DA14531-00000FX2 絲印531 FCGQFN-24 無線收發(fā)器芯片

總體描述DA14531 是一款超低功耗片上系統(tǒng)(SoC),集成了 2.4GHz 收發(fā)器以及帶有 48KB 隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(RAM)的 Arm? Cortex-M0 + 微控制器,還有 32KB
2025-04-03 14:57:10

SK海力士?jī)H選擇器存儲(chǔ)器(SOM)的研發(fā)歷程

人工智能與高性能計(jì)算(HPC)正以空前的速度發(fā)展,將動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(DRAM)和NAND閃存等傳統(tǒng)存儲(chǔ)技術(shù)發(fā)揮到極致。為了滿足人工智能時(shí)代日益增長(zhǎng)的需求,業(yè)界正在探索超越傳統(tǒng)存儲(chǔ)技術(shù)的新興存儲(chǔ)技術(shù)。
2025-04-03 09:40:411709

VirtualLab Fusion應(yīng)用:具有粗糙表面的回復(fù)反射器的反射

系統(tǒng)設(shè)置 當(dāng)試圖將獨(dú)立于入射方向的光大致反射回同一方向時(shí),通常可以使用回復(fù)反射器。 這個(gè)演示展示了如何在序列場(chǎng)追跡的幫助下對(duì)這種結(jié)構(gòu)進(jìn)行建模。它還包括通過在表面上應(yīng)用隨機(jī)函數(shù)來對(duì)反射器壁的粗糙表面進(jìn)行建模。 任務(wù)描述 系統(tǒng)設(shè)置 仿真結(jié)果 渦流傳播
2025-04-02 08:49:37

意法半導(dǎo)體推出新款微型單片降壓轉(zhuǎn)換器DCP3601

意法半導(dǎo)體新款微型單片降壓轉(zhuǎn)換器DCP3601集成大量的功能,具有更高的設(shè)計(jì)靈活性,可以簡(jiǎn)化應(yīng)用設(shè)計(jì),降低物料清單成本。這款芯片內(nèi)置功率開關(guān)與補(bǔ)償電路,構(gòu)建完整的輸出電壓設(shè)置電路,僅需電感器、自舉電容、濾波電容、反饋電阻等6個(gè)外部元件。
2025-03-24 11:40:231233

睿創(chuàng)微納推出新一代目標(biāo)檢測(cè)算法

隨著AI技術(shù)的發(fā)展,目標(biāo)檢測(cè)算法也迎來重大突破。睿創(chuàng)微納作為熱成像領(lǐng)軍者,憑借深厚的技術(shù)積累與創(chuàng)新能力,結(jié)合AI技術(shù)推出新一代目標(biāo)檢測(cè)算法,以三大核心技術(shù)帶來AI視覺感知全場(chǎng)景解決方案突破,助力各產(chǎn)業(yè)智能化升級(jí)。
2025-03-20 13:49:07913

FM25CL64B-GTR 絲印FM25CL64BG SOP8 64Kbit鐵電存儲(chǔ)器

特性64 千比特鐵電隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(F - RAM),邏輯上組織為 8K×8高達(dá) 100 萬億次(\(10^{14}\))讀 / 寫耐久性151 年的數(shù)據(jù)保存期限(詳見 “數(shù)據(jù)保存期限和耐久性表
2025-03-19 11:35:49

帶片內(nèi)RAM 3MB的RZ/A1LU RTOS微處理器數(shù)據(jù)手冊(cè)

RZ/A1LU 系列微處理器單元(MPU)性價(jià)比高,具備運(yùn)行頻率達(dá) 400MHz 的 Arm? Cortex? - A9 內(nèi)核以及 3MB的片上靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(SRAM)。憑借 3MB 的片上
2025-03-11 14:22:18990

帶2MB片內(nèi)RAM的RTOS微處理器RZ/A1LC數(shù)據(jù)手冊(cè)

RZ/A1LC 微處理器單元(MPU)是 RZ/A1 系列中最具成本效益的產(chǎn)品,其特點(diǎn)是配備運(yùn)行頻率為 400MHz 的 Arm?Cortex?-A9 內(nèi)核以及 2MB 的片上靜態(tài)隨機(jī)存取
2025-03-11 14:07:401036

聞泰科技推出新款降壓DC-DC轉(zhuǎn)換器

,聞泰科技半導(dǎo)體業(yè)務(wù)憑借在行業(yè)內(nèi)的深厚積累與創(chuàng)新實(shí)力,推出具有超低靜態(tài)電流的新款降壓 DC-DC 轉(zhuǎn)換器,為可穿戴領(lǐng)域帶來了重大突破。
2025-03-11 11:44:58999

AD7524JRZ 一款低成本、8位單芯片CMOS數(shù)模轉(zhuǎn)換器DAC

隨機(jī)存取存儲(chǔ)器的“寫入”周期。AD7524 采用先進(jìn)的基于 CMOS 的薄膜制造工藝,可提供 1/8LSB 的精度,典型功耗小于 10 毫瓦。新改進(jìn)的設(shè)計(jì)消除了肖特基
2025-03-10 11:05:42

Power Integrations推出新款LLC開關(guān)IC, 可提供1650W的連續(xù)輸出功率

Integrations(納斯達(dá)克股票代號(hào):POWI)今日推出新款HiperLCS?-2芯片組,可實(shí)現(xiàn)輸出功率翻倍。新器件采用更高級(jí)的半橋開關(guān)技術(shù)和創(chuàng)新封裝,可提供高達(dá)1650W的連續(xù)輸出功率,效率超過98%。該產(chǎn)品系列的這一新品主要面向工業(yè)電源以及電動(dòng)踏板車和戶外電動(dòng)工具的充電器,其高效率和
2025-03-06 15:32:11729

DS1243 64k NV SRAM,帶有隱含時(shí)鐘技術(shù)手冊(cè)

帶幻象時(shí)鐘的DS1243Y 64K NV SRAM是一款內(nèi)置實(shí)時(shí)時(shí)鐘、完全靜態(tài)易失性RAM(結(jié)構(gòu)為8192個(gè)字x 8位)。DS1243Y具有獨(dú)立的鋰能源和控制電路,可持續(xù)監(jiān)控VCC是否發(fā)生超出容
2025-02-28 10:31:43994

DS1251 4096k NV SRAM,帶有隱含時(shí)鐘技術(shù)手冊(cè)

具有隱含時(shí)鐘的DS1251 4096k NV SRAM為全靜態(tài)易失RAM (按照8位、512k字排列),內(nèi)置實(shí)時(shí)時(shí)鐘。DS1251Y自帶鋰電池及控制電路,控制電路連續(xù)監(jiān)視V~CC~是否超出容差范圍,一旦超出容差,鋰電池便自動(dòng)切換至供電狀態(tài),寫保護(hù)將無條件使能、以防存儲(chǔ)器和實(shí)時(shí)時(shí)鐘數(shù)據(jù)被破壞。
2025-02-27 15:44:58890

DS1248 1024k NV SRAM,帶有隱含時(shí)鐘技術(shù)手冊(cè)

具有隱含時(shí)鐘的DS1248 1024k NV SRAM為全靜態(tài)易失RAM (按照8位、128k字排列),內(nèi)置實(shí)時(shí)時(shí)鐘。DS1248自帶鋰電池及控制電路,控制電路連續(xù)監(jiān)視V~CC~是否超出容差范圍,一旦超出容差,鋰電池便自動(dòng)切換至供電狀態(tài),寫保護(hù)將無條件使能、以防存儲(chǔ)器和實(shí)時(shí)時(shí)鐘數(shù)據(jù)被破壞。
2025-02-27 15:38:41747

DS1244系列256k NV SRAM,帶有隱含時(shí)鐘技術(shù)手冊(cè)

具有隱含時(shí)鐘的DS1244 256k、NV SRAM為全靜態(tài)易失RAM (NV SRAM) (按照8位、32k字排列),內(nèi)置實(shí)時(shí)時(shí)鐘。DS1244自帶鋰電池及控制電路,控制電路連續(xù)監(jiān)視V~CC
2025-02-27 10:10:50931

DS1265AB 8M易失SRAM技術(shù)手冊(cè)

DS1265 8M易失SRAM為8,388,608位、全靜態(tài)易失SRAM,按照8位、1,048,576字排列。每個(gè)NV SRAM均自帶鋰電池及控制電路,控制電路連續(xù)監(jiān)視V~CC~是否超出容差范圍
2025-02-27 09:19:54819

DS1249AB 2048k易失SRAM技術(shù)手冊(cè)

DS1249 2048k易失(NV) SRAM為2,097,152位、全靜態(tài)易失SRAM,按照8位、262,144字排列。每個(gè)NV SRAM均自帶鋰電池及控制電路,控制電路連續(xù)監(jiān)視V~CC~是否
2025-02-27 09:09:09949

Nexperia全新推出高精度和超低靜態(tài)電流的汽車級(jí)LDO系列

Nexperia(安世半導(dǎo)體)近日新推出一系列符合AEC-Q100標(biāo)準(zhǔn)的超低靜態(tài)電流通用低壓差(LDO)穩(wěn)壓器。該新系列同時(shí)包含高精度帶輸出跟隨的LDO,集成輸出保護(hù)功能,且輸入電壓范圍較寬,因此
2025-02-26 11:01:33

請(qǐng)問cypress出來IIC是如何跟mcu和c3479連接的?

cypress出來IIC是如何跟mcu和c3479連接的? 是第一種:cypress直接連接C3479即可; 還是第二種:cypress連接C3479,然后cypress連mcu的iic0,接著mcu的iic1連接c3479; 還是有第三種第四種連法?
2025-02-21 06:20:12

AI的“隨機(jī)性”挑戰(zhàn):它們比人類更“不隨機(jī)”?

一種獨(dú)特的人類特質(zhì)。最近,來自康奈爾大學(xué)探討了大語言模型(LLMs)在隨機(jī)性方面的表現(xiàn)。他們通過一個(gè)經(jīng)典的實(shí)驗(yàn)——生成二進(jìn)制隨機(jī)序列,來觀察這些模型是否能像人類一
2025-02-20 13:11:191163

VND14NV0413TR 產(chǎn)品概述

VND14NV0413TR 產(chǎn)品概述VND14NV0413TR 是意法半導(dǎo)體(STMicroelectronics)推出的一款高性能智能功率開關(guān),專為汽車和工業(yè)應(yīng)用設(shè)計(jì)。該產(chǎn)品具有出色的電流控制能力
2025-02-18 22:55:33

ISSI/芯成 IS62WVS5128FBLL-20NLI SOP8靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)

特點(diǎn)ISSI IS62/65WVS5128FALL/FBLL是4M位串行靜態(tài)RAM組織為512K字節(jié)乘8位。這是一個(gè)兩個(gè)2Mb串行SRAM的雙芯片堆疊。通過簡(jiǎn)單的串行外設(shè)訪問該設(shè)備接口(SPI)兼容
2025-02-17 15:50:03

Nexperia推出超低靜態(tài)電流通用低壓差穩(wěn)壓器

Nexperia(安世半導(dǎo)體)近日新推出一系列符合AEC-Q100標(biāo)準(zhǔn)的超低靜態(tài)電流通用低壓差(LDO)穩(wěn)壓器。該新系列同時(shí)包含高精度帶輸出跟隨的LDO,集成輸出保護(hù)功能,且輸入電壓范圍較寬,因此可直接連接汽車電池。
2025-02-14 11:40:50942

存儲(chǔ)器工藝概覽:常見類型介紹

? 動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(DRAM)是現(xiàn)代計(jì)算機(jī)系統(tǒng)中不可或缺的核心組件,廣泛應(yīng)用于個(gè)人計(jì)算機(jī)、服務(wù)器、移動(dòng)設(shè)備及高性能計(jì)算領(lǐng)域。本文將探討DRAM的基本工作原理、存儲(chǔ)單元結(jié)構(gòu)及制造工藝演進(jìn),并分析
2025-02-14 10:24:401442

MT48LC4M32B2P-6A:L DRAM

MT48LC4M32B2P-6A:L是一款高性能的動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(DRAM),由MICRON制造,專為滿足各種電子設(shè)備的內(nèi)存需求而設(shè)計(jì)。該產(chǎn)品具備出色的存儲(chǔ)性能和穩(wěn)定性,適用于多種應(yīng)用場(chǎng)景。目前
2025-02-14 07:28:17

使用BP神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)進(jìn)行時(shí)間序列預(yù)測(cè)

使用BP(Backpropagation)神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)進(jìn)行時(shí)間序列預(yù)測(cè)是一種常見且有效的方法。以下是一個(gè)基于BP神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)進(jìn)行時(shí)間序列預(yù)測(cè)的詳細(xì)步驟和考慮因素: 一、數(shù)據(jù)準(zhǔn)備 收集數(shù)據(jù) : 收集用于訓(xùn)練
2025-02-12 16:44:431371

DCS5R5334H 是一款高性能的低功耗 SRAM(靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器)

產(chǎn)品概述 Korchip DCS5R5334H 是一款高性能的低功耗 SRAM(靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器),專為高速數(shù)據(jù)存儲(chǔ)和處理而設(shè)計(jì)。該器件具有快速的訪問時(shí)間和較高的數(shù)據(jù)傳輸速率,廣泛應(yīng)用
2025-02-09 22:38:10

開源隨機(jī)數(shù)生成器庫(kù)OpenRNG助力實(shí)現(xiàn)移植到Arm平臺(tái)時(shí)的最佳性能

OpenRNG 實(shí)現(xiàn)了多種生成器和分布方式。生成器算法可生成“看似隨機(jī)”并具有某些統(tǒng)計(jì)特性的序列,我們將在下文進(jìn)行討論。分布方式會(huì)將序列映射到常見的概率分布概念,如高斯分布或二項(xiàng)分布
2025-02-08 09:24:041896

PRISEMI芯導(dǎo)科技推出新品–全面應(yīng)對(duì)手機(jī)EOS問題

PRISEMI芯導(dǎo)科技推出新品–全面應(yīng)對(duì)手機(jī)EOS問題
2025-02-05 15:53:53803

閃速存儲(chǔ)器屬于RAM還是ROM,閃速存儲(chǔ)器一般用來做什么的

在數(shù)字存儲(chǔ)技術(shù)的快速發(fā)展中,閃速存儲(chǔ)器(Flash Memory)以其獨(dú)特的性能和廣泛的應(yīng)用領(lǐng)域,成為了連接隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(RAM)與只讀存儲(chǔ)器(ROM)之間的重要橋梁。本文將深入探討閃速存儲(chǔ)器的技術(shù)特性、分類及其在現(xiàn)代電子設(shè)備中的應(yīng)用。
2025-01-29 16:53:001683

黑芝麻智能與美光科技將合作推出新型ADAS解決方案

黑芝麻智能與美光科技將合作推出新型ADAS(高級(jí)駕駛輔助系統(tǒng))解決方案。 1月24日,黑芝麻智能與美光科技共同宣布將合作推出新型ADAS(高級(jí)駕駛輔助系統(tǒng))解決方案。該方案采用黑芝麻智能的華山
2025-01-24 12:13:143320

零刻科技預(yù)告新款SER9 Pro迷你電腦主機(jī)

零刻科技近日正式預(yù)告了新款SER9 Pro迷你電腦主機(jī),引發(fā)了科技愛好者的廣泛關(guān)注。 去年9月,零刻推出了搭載AMD銳龍AI 9 HX 370處理器的SER9迷你主機(jī),如今這款升級(jí)版的SER9
2025-01-23 11:33:011192

FM24C16B-GTR SOIC-8 16Kbit I2C接口 鐵電存儲(chǔ)器

 特點(diǎn)16-Kbit 鐵電隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 (F-RAM)為 2 K × 8 ? 高耐久性 100 萬億次(1014)讀/寫 ? 151 年數(shù)據(jù)保留期(請(qǐng)參閱數(shù)據(jù)保留期
2025-01-16 14:14:37

瑞薩電子推出新型 100V 高功率 MOSFET,助力多領(lǐng)域應(yīng)用

近日,瑞薩電子公司宣布推出新型100V高功率N溝道MOSFET。這款產(chǎn)品專為電機(jī)控制、電池管理系統(tǒng)、電源管理及充電應(yīng)用而設(shè)計(jì),以其卓越的高電流開關(guān)性能和行業(yè)領(lǐng)先的技術(shù)表現(xiàn)成為市場(chǎng)焦點(diǎn)。新型
2025-01-13 11:41:38957

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