看到了其前景并提前布局。AI推理也使得存儲(chǔ)HBM不再是唯一熱門,更多存儲(chǔ)芯片與AI推理芯片結(jié)合,擁有了市場(chǎng)機(jī)會(huì)。 ? 已經(jīng)有不少AI推理芯片、存算一體芯片將SRAM替代DRAM,從而獲得更快的訪問(wèn)速度、更低的刷新延遲等。 ? 靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(Static
2025-03-03 08:51:57
2670 
英尚代理的恒爍半導(dǎo)體NOR FLASH存儲(chǔ)器,具備通用SPI接口,覆蓋廣泛的工作電壓與容量選項(xiàng),為各類嵌入式系統(tǒng)提供可靠的非易失性存儲(chǔ)支持。該系列包括適用于1.8V低電壓環(huán)境的ZB25LD
2026-01-05 16:11:01
29 藝的 1 - Mbit 非易失性存儲(chǔ)器,邏輯上組織為 128K × 8。它結(jié)合了鐵電隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(F - RAM)的優(yōu)勢(shì),既具備非易失性,又能像 RAM 一樣快
2026-01-04 17:25:09
367 ——FM24V05,它是一款512 - Kbit(64 K × 8)的串行(I2C)F - RAM(鐵電隨機(jī)存取存儲(chǔ)器),具備諸多優(yōu)秀特性,非常適合需要頻繁或快速寫入的非易失性存儲(chǔ)器應(yīng)用場(chǎng)景。 文件下載
2025-12-31 16:40:23
727 ——FM25L04B 4-Kbit串行F-RAM。 文件下載: FM25L04B-GTR.pdf 產(chǎn)品概述 FM25L04B是一款由Cypress(現(xiàn)屬英飛凌)開發(fā)的4-Kbit非易失性鐵電隨機(jī)存取存儲(chǔ)器
2025-12-31 16:05:18
85 ——FM25L16B 16-Kbit串行F-RAM,探討它的特性、功能以及在實(shí)際應(yīng)用中的優(yōu)勢(shì)。 文件下載: FM25L16B-GTR.pdf 一、產(chǎn)品概述 FM25L16B是英飛凌旗下(原賽普拉斯開發(fā))的一款
2025-12-23 15:55:09
139 eMMC全稱為 embedded Multi Media Card,主要用于非易失性存儲(chǔ),它彌補(bǔ)了 FPGA 芯片自身存儲(chǔ)能力的不足,為 FPGA 提供一個(gè)高集成度、大容量、低成本、且易于使用的“硬盤”或“固態(tài)硬盤”解決方案。
2025-12-23 14:19:28
3965 
在存儲(chǔ)技術(shù)快速迭代的今天,MRAM芯片(磁阻隨機(jī)存取存儲(chǔ)器)以其獨(dú)特的性能,逐漸成為業(yè)界關(guān)注焦點(diǎn)。它不同于傳統(tǒng)的閃存或DRAM,利用磁性而非電荷來(lái)存儲(chǔ)數(shù)據(jù),兼具高速、耐用與非易失性特點(diǎn)。
2025-12-15 14:39:04
242 鐵電工藝的4 - Kbit非易失性存儲(chǔ)器。鐵電隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(F - RAM)具有非易失性,讀寫操作類似于RAM,能提供長(zhǎng)達(dá)151年的數(shù)據(jù)保留時(shí)
2025-12-10 17:15:02
1626 
SRAM(靜態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器)是一種在通電狀態(tài)下可保持?jǐn)?shù)據(jù)不丟失的存儲(chǔ)器件,無(wú)需刷新即可持續(xù)工作,因此具有高速讀寫、響應(yīng)及時(shí)的特點(diǎn),廣泛應(yīng)用于對(duì)實(shí)時(shí)性要求高的場(chǎng)景。
2025-12-08 16:51:57
442 
在計(jì)算機(jī)和電子設(shè)備中,存儲(chǔ)器扮演著數(shù)據(jù)臨時(shí)存放與快速交換的關(guān)鍵角色。其中,DDR SDRAM(雙數(shù)據(jù)速率同步動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器)已成為現(xiàn)代內(nèi)存的主流技術(shù)之一。它不僅在速度上顯著超越前代產(chǎn)品,更憑借其高效傳輸機(jī)制,廣泛應(yīng)用于電腦、服務(wù)器、移動(dòng)設(shè)備及各類嵌入式系統(tǒng)中。
2025-12-08 15:20:44
293 在電子設(shè)備設(shè)計(jì)中,數(shù)據(jù)存儲(chǔ)是一個(gè)關(guān)鍵環(huán)節(jié),EEPROM(電可擦可編程只讀存儲(chǔ)器)因其非易失性和可重復(fù)編程的特性,成為了眾多應(yīng)用的理想選擇。今天,我們就來(lái)深入探討 ON Semiconductor
2025-12-05 15:12:42
438 
在內(nèi)存技術(shù)持續(xù)革新的今天,SRAM(靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器)和DRAM(動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器)依然是計(jì)算系統(tǒng)中最核心的存儲(chǔ)組件。盡管出現(xiàn)了MRAM、ReRAM等新興存儲(chǔ)方案,但二者憑借成熟的設(shè)計(jì)與明確
2025-12-02 13:50:46
867 在當(dāng)今高速發(fā)展的3C領(lǐng)域(計(jì)算機(jī)外設(shè)、通信及消費(fèi)電子),對(duì)存儲(chǔ)器的性能與功耗提出了更高要求。DRAM動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器作為核心存儲(chǔ)部件,其性能表現(xiàn)直接影響設(shè)備整體效能。Etron憑借其活緩沖DRAM
2025-12-01 13:42:00
253 Cypress賽普拉斯512Kbit FRAM憑借微秒級(jí)寫入、10^14次擦寫壽命及151年數(shù)據(jù)保留,為車載黑匣子EDR提供高可靠數(shù)據(jù)存儲(chǔ)。其-40℃~105℃車規(guī)級(jí)工作范圍確保碰撞數(shù)據(jù)完整記錄,滿足汽車安全法規(guī)嚴(yán)苛要求。
2025-12-01 09:47:00
245 
在各類存儲(chǔ)設(shè)備中,SRAM(靜態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器)因其高速、低功耗和高可靠性,被廣泛應(yīng)用于高性能計(jì)算、通信和嵌入式系統(tǒng)中。其中,雙口SRAM靜態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器憑借其獨(dú)特的雙端口設(shè)計(jì),在高帶寬和多任務(wù)場(chǎng)景中表現(xiàn)尤為出色,成為提升系統(tǒng)效率的重要組件。
2025-11-25 14:28:44
272 在存儲(chǔ)技術(shù)快速演進(jìn)的今天,一種名為STT-MRAM(自旋轉(zhuǎn)移矩磁阻隨機(jī)存取存儲(chǔ)器)的新型非易失存儲(chǔ)器,正逐步走入產(chǎn)業(yè)視野。它不僅繼承了MRAM的高速讀寫能力與非易失特性,更通過(guò)“自旋電流”技術(shù)實(shí)現(xiàn)了信息寫入方式的突破,被視為第二代MRAM技術(shù)的代表。
2025-11-20 14:04:35
244 在嵌入式存儲(chǔ)應(yīng)用中,串口MRAM芯片憑借其非易失性、高速度及高耐用性受到廣泛關(guān)注。作為磁性隨機(jī)存儲(chǔ)器技術(shù)的代表,Everspin磁性隨機(jī)存儲(chǔ)器在工業(yè)控制、數(shù)據(jù)中心和汽車電子等領(lǐng)域表現(xiàn)優(yōu)異。
2025-11-19 11:51:41
146 Ω。
TPL0102配備非易失性存儲(chǔ)器(EEPROM),可用于存儲(chǔ)擦刷 位置。這很有好處,因?yàn)橛晁⑽恢眉词乖跀嚯姇r(shí)也會(huì)被存儲(chǔ),且 開機(jī)后會(huì)自動(dòng)恢復(fù)。可以訪問(wèn)TPL0102的內(nèi)部寄存器 使用 I^2^C接口。
2025-11-19 11:33:38
623 
,都屬于集成電路里的核心成員。要是按“斷電后數(shù)據(jù)能不能留在器件里”來(lái)分,存儲(chǔ)芯片能分成易失性和非易失性兩種。易失性存儲(chǔ)芯片就像電腦的內(nèi)存(像SRAM、DRAM這類
2025-11-17 16:35:40
2721 
EEPROM是一項(xiàng)成熟的非易失性存儲(chǔ)(NVM)技術(shù),其特性對(duì)當(dāng)今尖端應(yīng)用的發(fā)展具有非常重要的意義。意法半導(dǎo)體(ST)是全球EEPROM芯片知名廠商和存儲(chǔ)器產(chǎn)品和工藝創(chuàng)新名企之一,其連接安全產(chǎn)品部綜合
2025-11-17 09:30:10
1631 在處理器性能持續(xù)攀升的今天,存儲(chǔ)系統(tǒng)的速度已成為制約整體算力的關(guān)鍵瓶頸之一。作為最接近CPU核心的存儲(chǔ)單元,SRAM(靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器)承擔(dān)著高速緩存的重要角色,其性能直接影響數(shù)據(jù)處理效率。當(dāng)前
2025-11-12 13:58:08
455 PSRAM(偽靜態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器)是一種兼具SRAM接口協(xié)議與DRAM內(nèi)核架構(gòu)的特殊存儲(chǔ)器。它既保留了SRAM無(wú)需復(fù)雜刷新控制的易用特性,又繼承了DRAM的高密度低成本優(yōu)勢(shì)。這種獨(dú)特的設(shè)計(jì)使PSRAM在嵌入式系統(tǒng)和移動(dòng)設(shè)備領(lǐng)域獲得了廣泛應(yīng)用。
2025-11-11 11:39:04
497 在要求高性能與高可靠性的電子系統(tǒng)中,存儲(chǔ)器的選擇往往成為設(shè)計(jì)成敗的關(guān)鍵。Netsol推出的高速異步SRAM系列,憑借其出色的性能表現(xiàn)與獨(dú)有的錯(cuò)誤校正(ECC)能力,為工業(yè)控制、通信設(shè)備及高精度計(jì)算等應(yīng)用提供了值得信賴的存儲(chǔ)解決方案。
2025-11-05 16:21:39
284 在需要高速數(shù)據(jù)寫入與極致可靠性的工業(yè)與數(shù)據(jù)中心應(yīng)用中,Everspin推出的8位位并行接口MRAM樹立了性能與耐用性的新標(biāo)桿。這款Everspin存儲(chǔ)器MRAM與SRAM引腳兼容的存儲(chǔ)器,以高達(dá)35
2025-10-24 16:36:03
532 MRAM是一種利用電子的自旋磁性來(lái)存儲(chǔ)信息的非易失性存儲(chǔ)器。它完美結(jié)合了SRAM的高速讀寫特性與閃存(Flash)的非易失性,能夠在斷電后永久保存數(shù)據(jù),同時(shí)具備無(wú)限次擦寫、無(wú)磨損的卓越耐用性。MRAM將磁性材料集成于硅電路中,在單一芯片上實(shí)現(xiàn)了高速、可靠與長(zhǎng)壽命的統(tǒng)一,是存儲(chǔ)技術(shù)的一次重大飛躍。
2025-10-24 15:48:44
411 QSPI PSRAM是一種集成了QSPI接口與PSRAM存儲(chǔ)功能的高效芯片。QSPI(四線串行外設(shè)接口)是一種高速串行通信接口,用于連接外部設(shè)備;而PSRAM(偽靜態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器)則結(jié)合了快速隨機(jī)訪問(wèn)與動(dòng)態(tài)存儲(chǔ)的特性。
2025-10-23 15:40:17
379 PSRAM之所以被稱為"偽靜態(tài)"存儲(chǔ)器,主要是因?yàn)槠洳捎妙怱RAM的接口協(xié)議:只需要提供地址和讀寫命令就可以實(shí)現(xiàn)數(shù)據(jù)存取,無(wú)需像傳統(tǒng)DRAM一樣需要內(nèi)存控制器定期刷新數(shù)據(jù)單元。
2025-10-23 14:29:00
296 1、簡(jiǎn)介
ram 的英文全稱是 Random Access Memory,即隨機(jī)存取存儲(chǔ)器, 它可以隨時(shí)把數(shù)據(jù)寫入任一指定地址的存儲(chǔ)單元,也可以隨時(shí)從任一指定地址中讀出數(shù)據(jù), 其讀寫速度是由時(shí)鐘頻率
2025-10-23 07:33:21
一次性可編程(OTP)非易失性存儲(chǔ)器問(wèn)世已久。與其他非易失性存儲(chǔ)技術(shù)相比,OTP的占用面積更小,且無(wú)需額外的制造工序,因此成為存儲(chǔ)啟動(dòng)代碼、加密密鑰等內(nèi)容的熱門選擇。盡管聽(tīng)起來(lái)簡(jiǎn)單,但隨著人工智能(AI)的大規(guī)模部署和對(duì)更先進(jìn)技術(shù)的需求日益增長(zhǎng),平衡OTP的各項(xiàng)需求變得極具挑戰(zhàn)性。
2025-10-21 10:38:11
1440 
Microchip Technology 23AA04M和23LCV04M 4Mb SPI/SDI/SQI SRAM是隨機(jī)存取存儲(chǔ)器器件,可通過(guò)兼容串行外設(shè)接口 (SPI) 的串行總線訪問(wèn)。SRAM
2025-10-09 11:16:59
540 Microchip Technology 23AA02M和23LCV02M 2Mb SPI/SDI/SQI SRAM是可以通過(guò)串行外設(shè)接口 (SPI) 兼容總線訪問(wèn)的隨機(jī)存取存儲(chǔ)器器件。該SRAM
2025-10-09 11:12:55
559 nRF54LM20A 以高存儲(chǔ)版本拓展了 nRF54L 系列產(chǎn)品線,其搭載 2MB 非易失性存儲(chǔ)器(NVM)與 512KB 隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(RAM);同時(shí),該芯片保留了系列一致的微控制器(MCU)核心
2025-09-29 01:20:31
、多達(dá) 66 個(gè) GPIO 和高速 USB 概述 nRF54LM20A 以高存儲(chǔ)版本拓展了 nRF54L 系列產(chǎn)品線,其搭載 2MB 非易失性存儲(chǔ)器(NVM)與 512KB 隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(RAM
2025-09-29 00:54:30
605 
HBM通過(guò)使用3D堆疊技術(shù),將多個(gè)DRAM(動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器)芯片堆疊在一起,并通過(guò)硅通孔(TSV,Through-Silicon Via)進(jìn)行連接,從而實(shí)現(xiàn)高帶寬和低功耗的特點(diǎn)。HBM的應(yīng)用中,CowoS(Chip on Wafer on Substrate)封裝技術(shù)是其中一個(gè)關(guān)鍵的實(shí)現(xiàn)手段。
2025-09-22 10:47:47
1611 ,還請(qǐng)大家海涵,如有需要可看文尾聯(lián)系方式,當(dāng)前在網(wǎng)絡(luò)平臺(tái)上均以“ 愛(ài)在七夕時(shí) ”的昵稱為ID跟大家一起交流學(xué)習(xí)! 一提到“存儲(chǔ)器”,相信很多朋友都會(huì)想到計(jì)算機(jī)。是的,在計(jì)算機(jī)的組成結(jié)構(gòu)中,有一個(gè)很重要的部分,就是
2025-09-19 11:04:07
1435 
隨著全球二氧化碳減排的推進(jìn),可再生能源,尤其是太陽(yáng)能發(fā)電的重要性日益凸顯。光伏逆變器又稱功率調(diào)節(jié)器可將太陽(yáng)能板產(chǎn)生的電壓轉(zhuǎn)換成正確的電流及電壓波形并入電網(wǎng)。由于需要連接到電網(wǎng)基礎(chǔ)設(shè)施,因此對(duì)可靠性、易維護(hù)性和使用壽命有所要求,F(xiàn)eRAM(鐵電體存儲(chǔ)器)的優(yōu)異特性得以發(fā)揮。
2025-08-08 14:41:06
1506 
賽普拉斯2 Mbit FRAM FM25V20A-DG以40 MHz SPI總線、1012次擦寫壽命和100 krad(Si)抗輻射能力,取代呼吸機(jī)中EEPROM與SRAM加電池的傳統(tǒng)方案,為智能生命支持系統(tǒng)提供原子級(jí)可靠的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)基石。
2025-07-24 11:25:44
520 
HBM(High Bandwidth Memory)即高帶寬存儲(chǔ)器,是一種基于 3D 堆疊技術(shù)的高性能 DRAM(動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器)。其核心設(shè)計(jì)是通過(guò)硅通孔(TSV)和微凸塊(Microbump
2025-07-18 14:30:12
2949 近日,紫光國(guó)芯自主研發(fā)的PSRAM(低功耗偽靜態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器)芯片系列產(chǎn)品正式發(fā)布,并同步上線天貓官方旗艦店。此次上新的PSRAM產(chǎn)品兼容業(yè)界主流接口協(xié)議Xccela,容量覆蓋32Mb,64Mb
2025-07-01 16:42:50
1443 。 ? 半導(dǎo)體存儲(chǔ)器按照斷電后數(shù)據(jù)是否繼續(xù)保存,可分為易失性(Volatile)存儲(chǔ)和非易失性(Non-Volatile)存儲(chǔ)。利基型DRAM屬于易失性存儲(chǔ),NOR?Flash、SLC?NAND?Flash屬于非
2025-06-29 06:43:00
1768 
數(shù)字信號(hào)處理器 (DSP) 的成員。ADSP-21591/ADSP-21593 DSP優(yōu)化用于高性能音頻/浮點(diǎn)應(yīng)用,具有大容量片上靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 (SRAM)、多個(gè)內(nèi)部總線(消除輸入/輸出 (I/O
2025-06-24 10:42:25
848 
,是信息時(shí)代的基石。
2. 核心分類:斷電后數(shù)據(jù)還在嗎?
這是最根本的分類依據(jù):
易失性存儲(chǔ)器:斷電后數(shù)據(jù)立刻消失。
特點(diǎn):速度快,通常用作系統(tǒng)運(yùn)行的“工作臺(tái)”。
代表:DRAM (動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器
2025-06-24 09:09:39
Devices的super Harvard架構(gòu)。ADSP-21594/ADSP-SC594針對(duì)高性能音頻/浮點(diǎn)應(yīng)用進(jìn)行了優(yōu)化,具有大型片上靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(SRAM)、創(chuàng)新的數(shù)字音頻接口(DAI)以及消除輸入/輸出(I/O)瓶頸的多條內(nèi)部總線。這些器件是32位、40位或64位浮點(diǎn)處理器。
2025-06-11 15:41:48
853 
Super Harvard架構(gòu)(SHA)。ADSP-SC592雙核DSP優(yōu)化用于高性能音頻/浮點(diǎn)應(yīng)用,具有大容量片上靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 (SRAM)。主要特性包括一個(gè)強(qiáng)大的DMA系統(tǒng)(具有8個(gè)MEMDMA)、片上內(nèi)存保護(hù)和集成安全特性。
2025-06-07 11:37:00
907 
14FLASHFLASH的工作原理與應(yīng)用OWEIS1什么是FLASH?Flash閃存是一種非易失性半導(dǎo)體存儲(chǔ)器,它結(jié)合了ROM(只讀存儲(chǔ)器)和RAM(隨機(jī)訪問(wèn)存儲(chǔ)器)的優(yōu)點(diǎn),具有電子可擦除和可編程
2025-05-27 13:10:41
1721 
DS4520是9位非易失(NV) I/O擴(kuò)展器,具有通過(guò)I2C兼容的串行接口控制的64字節(jié)NV用戶存貯器。與用來(lái)控制數(shù)字邏輯節(jié)點(diǎn)的硬件跳線和機(jī)械開關(guān)相比,DS4520為用戶提供了數(shù)字可編程的替代方案
2025-05-26 15:41:31
457 
DS4510是CPU監(jiān)控電路,具有內(nèi)部集成的64字節(jié)EEPROM存儲(chǔ)器和四個(gè)可編程的非易失性(NV) I/O引腳。它配備了工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)I2C接口,使用快速模式(400kbps)或標(biāo)準(zhǔn)模式(100kbps
2025-05-26 10:13:41
748 
DS4550是9位,非易失(NV) I/O擴(kuò)展器,具有I2C兼容串行接口或IEEE? 1149.1 JTAG端口控制的64字節(jié)NV用戶存儲(chǔ)器。DS4550采用數(shù)字編程替代硬件跳線和機(jī)械開關(guān),實(shí)現(xiàn)對(duì)數(shù)
2025-05-26 09:50:50
683 
CYPD7191-40LDXS? 它似乎無(wú)法選擇CYPD7191-40LDXS 器件。
Q3) 還是可以使用賽普拉斯編程器選擇器件?
Q4)是否使用 ModusToolBox 為 CYPD7191-40LDXS 開發(fā) FW?
Q5)是否有任何與上述 CCG7S 有關(guān)的計(jì)劃編制材料?
請(qǐng)回答每個(gè)問(wèn)題(Q1 ~ Q5)
2025-05-23 06:09:28
CSS1604S 是凱芯(Cascadeteq Inc)推出的16Mb Quad-SPI偽靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(PSRAM),專為高性能、低功耗和小型化設(shè)備設(shè)計(jì)。
核心特性包括:
接口與性能:支持
2025-05-22 15:00:09
近期,芯片燒錄領(lǐng)域的領(lǐng)導(dǎo)者昂科技術(shù)推出其燒錄軟件的重大版本更新。在新版本發(fā)布之際,公司同步宣布新增多款兼容芯片型號(hào),其中包括旺宏電子開發(fā)的MX25U51245G串行NOR閃存存儲(chǔ)器。該芯片已成功完成
2025-05-20 16:27:37
619 
在 FX3 被枚舉為 \"賽普拉斯 FX3 引導(dǎo)加載器設(shè)備 \"后,如果我重啟電腦,該設(shè)備會(huì)顯示為未知設(shè)備。 為什么?
2025-05-20 07:22:35
你好,我們使用的是具有 USB 啟動(dòng)模式的賽普拉斯 3014 USB 芯片。 我的電腦可以在設(shè)備管理器中檢測(cè)到 3014,但 USB 芯片無(wú)法與板上的 FPGA 通信。 電源電壓似乎正常。 3014
2025-05-20 07:09:47
我們正在嘗試將 CYUSB2014 與傳感器 AR0144CS 連接起來(lái)。
我參考了AN65974來(lái)實(shí)現(xiàn)從屬fifo接口通信。
在這里,我的疑問(wèn)是,由于它是一個(gè)傳感器接口,賽普拉斯 FX3 應(yīng)該充當(dāng)
2025-05-19 06:11:04
? ? ? ?MCU的存儲(chǔ)器層次結(jié)構(gòu)通過(guò)整合不同性能與功能的存儲(chǔ)單元,優(yōu)化系統(tǒng)效率并滿足多樣化場(chǎng)景需求。其核心架構(gòu)可分為以下層次: 一、寄存器層(最高速) 定位?:集成于CPU內(nèi)核中,直接參與運(yùn)算
2025-05-09 10:21:09
618 靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(SRAM)和嵌入式閃存、一個(gè)提供時(shí)鐘、復(fù)位和電源管理功能的模擬子系統(tǒng)以及模數(shù)轉(zhuǎn)換器(ADC)子系統(tǒng)組成。
2025-05-08 14:56:39
840 
處理器和微控制器單元 (MCU) 子系統(tǒng)。ADuCM300 具有 128 kB 程序閃存/EE、4 kB 數(shù)據(jù)閃存/EE 和 6 kB 靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 (SRAM)。
2025-05-08 14:26:44
809 
,與CPU直接交互,支持實(shí)時(shí)數(shù)據(jù)存取,承擔(dān)變量、堆棧、中斷向量表等動(dòng)態(tài)數(shù)據(jù)的存儲(chǔ)功能。 主要類型? SRAM(靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器)?:無(wú)需刷新電路,速度快、功耗低,但密度較低,廣泛用于MCU主內(nèi)存。 eDRAM(嵌入式動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器)?:部分高端MCU采用
2025-04-30 14:47:08
1123 一、前言DDRSDRAM,即雙數(shù)據(jù)速率同步動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器,是現(xiàn)代數(shù)字系統(tǒng)中至關(guān)重要的一種核心組件,其應(yīng)用范圍極其廣泛。無(wú)論是在消費(fèi)電子產(chǎn)品中,還是在商業(yè)和工業(yè)設(shè)備里,亦或是從終端產(chǎn)品到數(shù)據(jù)中心
2025-04-21 11:24:41
2282 
非易失性存儲(chǔ)器(NVM)芯片廣泛應(yīng)用于各種設(shè)備中,從智能手機(jī)、個(gè)人電腦到服務(wù)器和工業(yè)控制系統(tǒng),都是不可或缺的關(guān)鍵組件,它們不僅提高了數(shù)據(jù)的安全性和可靠性,還極大地增強(qiáng)了系統(tǒng)的整體性能。此外,為了滿足
2025-04-10 14:02:24
1333 芯片燒錄領(lǐng)導(dǎo)者昂科技術(shù)近期宣布了其燒錄軟件的最新迭代,并公布了一系列新增兼容芯片型號(hào)。在此次更新中,恒爍半導(dǎo)體(Zbit)推出的非易失性閃存ZB25VQ16CS已被昂科燒錄程序芯片燒錄設(shè)備
2025-04-09 15:22:11
735 
總體描述DA14531 是一款超低功耗片上系統(tǒng)(SoC),集成了 2.4GHz 收發(fā)器以及帶有 48KB 隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(RAM)的 Arm? Cortex-M0 + 微控制器,還有 32KB
2025-04-03 14:57:10
人工智能與高性能計(jì)算(HPC)正以空前的速度發(fā)展,將動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(DRAM)和NAND閃存等傳統(tǒng)存儲(chǔ)技術(shù)發(fā)揮到極致。為了滿足人工智能時(shí)代日益增長(zhǎng)的需求,業(yè)界正在探索超越傳統(tǒng)存儲(chǔ)技術(shù)的新興存儲(chǔ)技術(shù)。
2025-04-03 09:40:41
1709 PIMCHIP-S300 芯片是蘋芯科技基于存算一體技術(shù)打造的多模態(tài)智慧感知決策 AI 芯片。其搭載基于靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(SRAM)的存算一體計(jì)算加速單元,讓計(jì)算在存儲(chǔ)器內(nèi)部發(fā)生,有效減少
2025-03-28 17:06:35
2254 
,又可再對(duì)它寫入,為可讀/寫存儲(chǔ)器, 或隨機(jī)訪問(wèn)存儲(chǔ)器。? 易失性
p 若存儲(chǔ)器在斷電之后,仍能保存其中的內(nèi)容,則稱為非易失性存儲(chǔ)器;否則,為易失性存儲(chǔ)器;
p 只讀存儲(chǔ)器(ROM)是非易失性的,隨機(jī)
2025-03-26 11:12:24
特性64 千比特鐵電隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(F - RAM),邏輯上組織為 8K×8高達(dá) 100 萬(wàn)億次(\(10^{14}\))讀 / 寫耐久性151 年的數(shù)據(jù)保存期限(詳見(jiàn) “數(shù)據(jù)保存期限和耐久性表
2025-03-19 11:35:49
RZ/A1M 系列微處理器單元(MPU)功能齊全,配備運(yùn)行頻率為 400MHz 的 Arm? Cortex?-A9 內(nèi)核以及 5MB的片上靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(SRAM)。憑借 5MB 的片上
2025-03-11 15:04:11
1127 
RZ/A1LU 系列微處理器單元(MPU)性價(jià)比高,具備運(yùn)行頻率達(dá) 400MHz 的 Arm? Cortex? - A9 內(nèi)核以及 3MB的片上靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(SRAM)。憑借 3MB 的片上
2025-03-11 14:22:18
990 
RZ/A1LC 微處理器單元(MPU)是 RZ/A1 系列中最具成本效益的產(chǎn)品,其特點(diǎn)是配備運(yùn)行頻率為 400MHz 的 Arm?Cortex?-A9 內(nèi)核以及 2MB 的片上靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器
2025-03-11 14:07:40
1036 
RZ/A1L 系列微處理器(MPU)采用了運(yùn)行頻率達(dá) 400MHz 的 Arm? Cortex? - A9 內(nèi)核,并配備 3MB的片上靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(SRAM)。憑借這 3MB 的片上 SRAM
2025-03-10 16:14:20
977 
隨機(jī)存取存儲(chǔ)器的“寫入”周期。AD7524 采用先進(jìn)的基于 CMOS 的薄膜制造工藝,可提供 1/8LSB 的精度,典型功耗小于 10 毫瓦。新改進(jìn)的設(shè)計(jì)消除了肖特基
2025-03-10 11:05:42
AT24C64是一款串行電可擦除編程只讀存儲(chǔ)器 (EEPROM),存儲(chǔ)容量為8192字節(jié),分為256頁(yè),每頁(yè)32字節(jié)。 具有低功耗CMOS技術(shù),自定時(shí)編程周期,支持SOP-8和DIP-8封裝。 適用于智能儀器儀表、筆記本電腦、計(jì)算機(jī)、家用電器、汽車電子、通信設(shè)備和工業(yè)控制
2025-02-28 15:48:09
3 MXD1210非易失性RAM控制器是一款超低功耗CMOS電路,可將標(biāo)準(zhǔn)(易失性)CMOS RAM轉(zhuǎn)換為非易失性存儲(chǔ)器。它還會(huì)持續(xù)監(jiān)控電源,以在RAM的電源處于邊際(超出容限)條件時(shí)提供RAM寫保護(hù)。當(dāng)電源開始出現(xiàn)故障時(shí),RAM受到寫保護(hù),并且器件切換到電池備用模式。
2025-02-28 10:48:16
915 
帶鋰電池監(jiān)控器的DS1321靈活非易失性控制器是一款CMOS電路,解決了將CMOS SRAM轉(zhuǎn)換為非易失性存儲(chǔ)器的應(yīng)用問(wèn)題。監(jiān)控輸入功率是否發(fā)生超出容差的情況。當(dāng)檢測(cè)到這種情況時(shí),芯片使能輸出會(huì)被
2025-02-28 10:00:43
985 
帶電池監(jiān)控器的DS1314非易失性控制器是一個(gè)CMOS電路,解決了將CMOS RAM轉(zhuǎn)換為非易失性存儲(chǔ)器的應(yīng)用問(wèn)題。監(jiān)控輸入功率是否發(fā)生超出容差的情況。當(dāng)檢測(cè)到這種情況時(shí),芯片使能會(huì)被禁止以實(shí)現(xiàn)
2025-02-28 09:53:17
806 
帶電池監(jiān)控器的DS1312非易失性控制器是一個(gè)CMOS電路,解決了將CMOS RAM轉(zhuǎn)換為非易失性存儲(chǔ)器的應(yīng)用問(wèn)題。監(jiān)控輸入功率是否發(fā)生超出容差的情況。當(dāng)檢測(cè)到這種情況時(shí),芯片使能會(huì)被禁止以實(shí)現(xiàn)
2025-02-28 09:48:45
743 
DS1557是一款全功能、符合-2000年標(biāo)準(zhǔn)(Y2KC)的實(shí)時(shí)時(shí)鐘/日歷(RTC),具有RTC警報(bào)、看門狗定時(shí)器、上電復(fù)位、電池監(jiān)控器和512k x 8非易失性靜態(tài)RAM。用戶對(duì)DS1557內(nèi)所有
2025-02-27 17:11:32
931 
DS1554是一款全功能、符合2000年標(biāo)準(zhǔn)(Y2KC)的實(shí)時(shí)時(shí)鐘/日歷(RTC),具有RTC警報(bào)、看門狗定時(shí)器、上電復(fù)位、電池監(jiān)控器和32k x 8非易失性靜態(tài)RAM。用戶對(duì)DS1554內(nèi)所有
2025-02-27 16:54:35
1041 
DS1265 8M非易失SRAM為8,388,608位、全靜態(tài)非易失SRAM,按照8位、1,048,576字排列。每個(gè)NV SRAM均自帶鋰電池及控制電路,控制電路連續(xù)監(jiān)視V~CC~是否超出容差范圍
2025-02-27 09:19:54
819 
DS1249 2048k非易失(NV) SRAM為2,097,152位、全靜態(tài)非易失SRAM,按照8位、262,144字排列。每個(gè)NV SRAM均自帶鋰電池及控制電路,控制電路連續(xù)監(jiān)視V~CC~是否
2025-02-27 09:09:09
949 
我利用DLP3010evm的displayboard和自己做的一塊底板連接。
去除了底板上的MSP430,直接將賽普拉斯芯片與dlpc連接。賽普拉斯芯片配置和evm一樣。
可以燒錄固件,但是GUI
2025-02-27 08:07:54
特點(diǎn)ISSI IS62/65WVS5128FALL/FBLL是4M位串行靜態(tài)RAM組織為512K字節(jié)乘8位。這是一個(gè)兩個(gè)2Mb串行SRAM的雙芯片堆疊。通過(guò)簡(jiǎn)單的串行外設(shè)訪問(wèn)該設(shè)備接口(SPI)兼容
2025-02-17 15:50:03
未來(lái)發(fā)展趨勢(shì)。 DRAM 介紹 動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(Dynamic Random Access Memory,縮寫為 DRAM)是一種易失性存儲(chǔ)設(shè)備。這意味著,一旦停止供電,它所存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)就會(huì)丟失。DRAM 的工作原理依賴于電容器來(lái)保存電荷,以此記錄數(shù)據(jù)。然而,電容器中的電荷會(huì)
2025-02-14 10:24:40
1442 
MT48LC4M32B2P-6A:L是一款高性能的動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(DRAM),由MICRON制造,專為滿足各種電子設(shè)備的內(nèi)存需求而設(shè)計(jì)。該產(chǎn)品具備出色的存儲(chǔ)性能和穩(wěn)定性,適用于多種應(yīng)用場(chǎng)景。目前
2025-02-14 07:28:17
? ? 非易失性存儲(chǔ)器是一種應(yīng)用于計(jì)算機(jī)及智能手機(jī)等設(shè)備中的存儲(chǔ)裝置(存儲(chǔ)器),在沒(méi)有外部電源提供的情況下仍能保存數(shù)據(jù)信息。 現(xiàn)今的計(jì)算機(jī)中央處理器(CPU:Central Processing Unit)中,直接、高速處理的數(shù)據(jù)通常保存在易失性存儲(chǔ)器中(
2025-02-13 12:42:14
2470 
在過(guò)去的二十年中,SRAM存儲(chǔ)器市場(chǎng)發(fā)生了巨大變化;技術(shù)進(jìn)步使得許多分立的SRAM被更高性價(jià)比的集成方案所取代。諸如賽普拉斯(Cypress)、GSI、瑞薩(Renesas)和三星(Samsung
2025-02-11 10:43:11
754 產(chǎn)品概述 Korchip DCS5R5334H 是一款高性能的低功耗 SRAM(靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器),專為高速數(shù)據(jù)存儲(chǔ)和處理而設(shè)計(jì)。該器件具有快速的訪問(wèn)時(shí)間和較高的數(shù)據(jù)傳輸速率,廣泛應(yīng)用
2025-02-09 22:38:10
產(chǎn)品概述Adesto AT45DB321E 是一款高性能的串行閃存存儲(chǔ)器,具有 32Mb 的存儲(chǔ)容量,采用 SPI 接口進(jìn)行數(shù)據(jù)傳輸。該產(chǎn)品專為嵌入式系統(tǒng)設(shè)計(jì),提供快速的數(shù)據(jù)讀寫能力
2025-02-09 22:26:30
初學(xué)者要了解SDRAM需要先了解存儲(chǔ)器分類。按照存儲(chǔ)器的存儲(chǔ)功能劃分,可將其分為RAM 和 ROM 兩大類。
2025-02-08 11:24:51
3961 
在數(shù)字存儲(chǔ)技術(shù)的快速發(fā)展中,閃速存儲(chǔ)器(Flash Memory)以其獨(dú)特的性能和廣泛的應(yīng)用領(lǐng)域,成為了連接隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(RAM)與只讀存儲(chǔ)器(ROM)之間的重要橋梁。本文將深入探討閃速存儲(chǔ)器的技術(shù)特性、分類及其在現(xiàn)代電子設(shè)備中的應(yīng)用。
2025-01-29 16:53:00
1683 閃速存儲(chǔ)器之所以得名“閃速”,主要源于其擦除操作的高效性。傳統(tǒng)的EPROM(可擦除可編程只讀存儲(chǔ)器)和EEPROM(電可擦除可編程只讀存儲(chǔ)器)在擦除數(shù)據(jù)時(shí),往往需要較長(zhǎng)的時(shí)間,且操作相對(duì)繁瑣。而閃速
2025-01-29 15:14:00
1378 在信息技術(shù)飛速發(fā)展的今天,閃速存儲(chǔ)器(Flash Memory)以其高速度、大容量和非易失性的特性,成為數(shù)據(jù)存儲(chǔ)領(lǐng)域的重要成員。而U盤,作為閃速存儲(chǔ)器的一種常見(jiàn)應(yīng)用形式,更是憑借其便攜性和易用性,在
2025-01-29 15:12:00
1449 高速緩沖存儲(chǔ)器(Cache)是內(nèi)存的一種特殊形式,但它與通常所說(shuō)的主存儲(chǔ)器(RAM)有所不同。在計(jì)算機(jī)存儲(chǔ)體系中,Cache位于CPU和主存儲(chǔ)器之間,用于存儲(chǔ)CPU近期訪問(wèn)過(guò)的數(shù)據(jù)或指令,以加快數(shù)據(jù)的訪問(wèn)速度。
2025-01-29 11:48:00
3394 舜銘存儲(chǔ)鐵電存儲(chǔ)器SF25C20能否替換賽普拉斯FM25V20A
2025-01-23 09:03:29
953 
在此次更新中,恒爍半導(dǎo)體(Zbit)推出的非易失性閃存ZB25VQ32DS已被昂科的程序燒錄專業(yè)芯片燒錄設(shè)備AP8000所支持。昂科技術(shù)自主研發(fā)的AP8000萬(wàn)用燒錄器,支持包括一拖一及一拖八配置
2025-01-17 09:30:20
872 
特點(diǎn)16-Kbit 鐵電隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 (F-RAM)為 2 K × 8 ? 高耐久性 100 萬(wàn)億次(1014)讀/寫 ? 151 年數(shù)據(jù)保留期(請(qǐng)參閱數(shù)據(jù)保留期
2025-01-16 14:14:37
SRAM0 SRAM1 SRAM2 SRAM3 AHB1 AHB2 APB1 APB2 QSPI和BLE。FMC是閃存控制器的總線接口。SRAM0~SRAM3是片上靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器。AHB1是連接所有
2025-01-11 23:26:36
。 MPU控制器的組成 MPU控制器通常包括以下幾個(gè)主要部分: 中央處理單元(CPU) :執(zhí)行程序指令和處理數(shù)據(jù)。 存儲(chǔ)器 :包括隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(RAM)和只讀存儲(chǔ)器(ROM),用于存儲(chǔ)程序和數(shù)據(jù)。 輸入/輸出(I/O)接口 :允許MPU控制器與其他硬
2025-01-08 09:23:04
1480
評(píng)論