（1）產(chǎn)品的額定電壓是固定的，MOSFET的耐壓選取也就比較容易，由于BVdss具有正溫度系數(shù)，在實(shí)際的應(yīng)用中要結(jié)合這些因素綜合考慮。
（2）VDS中的最高尖峰電壓如果大于BVdss，即便這個(gè)尖峰
2025-12-23 08:37:26
（1）Id電流代表MOSFET能流過的最大電流，反映帶負(fù)載能力，超過這個(gè)值可能會(huì)因?yàn)槌?fù)荷導(dǎo)致MOSFET損壞。
（2）Id電流參數(shù)選擇時(shí)，需要考慮連續(xù)工作電流和電涌帶來的尖峰電流，確保
2025-12-23 08:22:48
（1）Rds（on）和導(dǎo)通損耗直接相關(guān)，RDSON越小，功率MOSFET的導(dǎo)通損耗越小、效率越高、工作溫升越低。
（2）Rds（on）時(shí)正溫度系數(shù)，會(huì)隨著MOSFET溫度升高而變大，也就是Rds
2025-12-23 06:15:35
IXTY2P50PA MOSFET：高性能P溝道增強(qiáng)型器件的深度解析 在電子設(shè)計(jì)領(lǐng)域，MOSFET（金屬 - 氧化物 - 半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管）作為關(guān)鍵的電子元件，在各類電路中發(fā)揮著至關(guān)重要的作用
2025-12-16 09:45:03
264 （1）Vth是指當(dāng)源極與漏極之間有指定電流時(shí)，柵極使用的電壓；
（2）Vth具有負(fù)溫度系數(shù)，選擇參數(shù)時(shí)需要考慮。
（3）不同電子系統(tǒng)選取MOSFET管的閾值電壓Vth并不相同，需要根據(jù)系統(tǒng)的驅(qū)動(dòng)
2025-12-16 06:02:32
MOSFET和50mΩ的低端功率MOSFET，能實(shí)現(xiàn)高效的降壓DC - DC轉(zhuǎn)換。采用恒定導(dǎo)通時(shí)間（COT）控制，減少了外部
2025-12-10 17:20:061123 
2025全球EMS代工廠50強(qiáng)(TOP 50)
2025-12-10 16:12:11395 
。
再進(jìn)一步講，為什么電阻是100Ω呢？
我在網(wǎng)上看到一個(gè)仿真試驗(yàn)，實(shí)驗(yàn)在MOSFET電路中的柵極串聯(lián)電阻R3，分別對(duì)它取1歐姆，10歐姆，50歐姆進(jìn)行仿真實(shí)驗(yàn)：
當(dāng)R3為1歐姆時(shí)，輸出電壓Vds上
2025-12-02 06:00:31
Diodes 公司（Diodes）（納斯達(dá)克代碼：DIOD）推出AL3069Q，一款符合汽車標(biāo)準(zhǔn)的高效率 60V 升壓控制器，適用于背光應(yīng)用。該器件包含四個(gè)80V高精度灌電流（Current
2025-12-01 16:15:311023 在緊湊的板對(duì)板連接中，您是否正被微小的對(duì)準(zhǔn)偏差所困擾？這不僅影響生產(chǎn)效率，更可能成為產(chǎn)品可靠性的隱患。TE Connectivity（以下簡(jiǎn)稱“TE”）新型0.8毫米自由高度浮動(dòng)連接器，正是為化解這一挑戰(zhàn)而來。
2025-11-26 11:52:53579 仁懋電子（MOT）推出的MOT20N50A是一款面向500V高壓場(chǎng)景的N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET，憑借高開關(guān)速度、優(yōu)異的dv/dt能力及500V耐壓，適用于高效開關(guān)電源、半橋式電子鎮(zhèn)流器、LED
2025-11-24 14:45:26185 
仁懋電子（MOT）推出的MOT50N03C是一款面向30V低壓大電流場(chǎng)景的N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET，憑借低導(dǎo)通電阻、低柵極電荷及快速開關(guān)特性，適用于各類開關(guān)應(yīng)用場(chǎng)景。一、產(chǎn)品基本信息器件類型：N
2025-11-20 16:22:54302 近日，福布斯中國(guó)正式發(fā)布“2025中國(guó)創(chuàng)新力企業(yè)50強(qiáng)”榜單。在人工智能浪潮下，瀾起科技憑借其在數(shù)據(jù)中心高速互連芯片領(lǐng)域的持續(xù)創(chuàng)新與市場(chǎng)領(lǐng)先地位，繼2023年首次入選后，于2025年再度成功入選該權(quán)威榜單。此次再度登榜，標(biāo)志著公司的創(chuàng)新實(shí)力獲得了市場(chǎng)與權(quán)威機(jī)構(gòu)的持續(xù)驗(yàn)證與高度認(rèn)可。
2025-11-20 09:19:33382 仁懋電子（MOT）推出的MOT20N50HF是一款面向500V高壓場(chǎng)景的N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET，憑借高開關(guān)速度、優(yōu)異的dv/dt能力及500V耐壓，適用于高效開關(guān)電源、半橋式電子鎮(zhèn)流器、LED
2025-11-19 11:15:03277 仁懋電子（MOT）推出的MOT13N50F是一款面向500V高壓場(chǎng)景的N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET，憑借高開關(guān)速度、100%雪崩測(cè)試驗(yàn)證及500V耐壓，適用于高效開關(guān)電源、電子鎮(zhèn)流器、LED電源等
2025-11-19 10:24:32239 平面工藝低？
回復(fù)：超結(jié)高壓功率MOSFET管的P柱幾乎貫穿整個(gè)芯片厚度，生產(chǎn)工藝復(fù)雜，內(nèi)部晶胞單元密度大，多層外延結(jié)構(gòu)P柱兩側(cè)電荷平衡不均勻，或者直接填充結(jié)構(gòu)內(nèi)部布局有空隙，影響中間耗盡層與橫向電場(chǎng)
2025-11-19 06:35:56
仁懋電子（MOT）推出的MOT50N03D是一款面向30V低壓大電流開關(guān)場(chǎng)景的N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET，憑借超低導(dǎo)通損耗、50A大電流承載能力及快速開關(guān)特性，適用于各類開關(guān)應(yīng)用（如DC-DC
2025-11-11 09:18:36254 仁懋電子（MOT）推出的MOT9N50F是一款面向500V高壓高頻場(chǎng)景的N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET，憑借快速開關(guān)特性、穩(wěn)定雪崩能力及500V耐壓，廣泛適用于高頻開關(guān)電源、電子鎮(zhèn)流器、LED電源等
2025-11-07 10:23:59239 仁懋電子（MOT）推出的MOT5N50BD是一款面向500V高壓高頻場(chǎng)景的N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET，憑借快速開關(guān)特性、穩(wěn)定雪崩能力及500V耐壓，廣泛適用于高頻開關(guān)電源、電子鎮(zhèn)流器、LED電源等
2025-11-06 16:05:07286 仁懋電子（MOT）推出的MOT15N50F是一款面向500V高壓場(chǎng)景的N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET，憑借快速開關(guān)特性、穩(wěn)定雪崩能力及500V耐壓，廣泛適用于高效開關(guān)電源、半橋式電子鎮(zhèn)流器、LED電源
2025-11-05 12:10:09283 仁懋電子（MOT）推出的MOT9N50D是一款面向500V高壓高頻場(chǎng)景的N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET，憑借快速開關(guān)特性、穩(wěn)定雪崩能力及500V耐壓，廣泛適用于高頻開關(guān)電源、電子鎮(zhèn)流器、LED電源等
2025-11-04 15:22:12226 仁懋電子（MOT）推出的MOT5N50MD是一款面向500V高壓高頻場(chǎng)景的N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET，憑借快速開關(guān)特性、穩(wěn)定雪崩能力及500V耐壓，廣泛適用于高頻開關(guān)電源、電子鎮(zhèn)流器、LED電源等
2025-11-03 15:26:33298 仁懋電子（MOT）推出的MOT50N02D是一款面向低壓大電流開關(guān)場(chǎng)景的N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET，憑借20V耐壓、超低導(dǎo)通損耗及50A大電流承載能力，廣泛適用于各類開關(guān)應(yīng)用（如DC-DC轉(zhuǎn)換器
2025-10-31 17:36:09228 仁懋電子（MOT）推出的MOT15N50HF是一款面向500V高壓高頻場(chǎng)景的N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET，憑借快速開關(guān)特性、穩(wěn)定雪崩能力及500V耐壓，廣泛適用于高頻開關(guān)電源、半橋式電子鎮(zhèn)流器
2025-10-31 17:17:21192 仁懋電子（MOT）推出的MOT50N06D是一款面向低壓大電流開關(guān)場(chǎng)景的N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET，憑借60V耐壓、超低導(dǎo)通損耗及高速開關(guān)特性，廣泛適用于各類開關(guān)應(yīng)用（如DC-DC轉(zhuǎn)換器、電機(jī)驅(qū)動(dòng)
2025-10-28 17:44:21762 仁懋電子（MOT）推出的MOT5N50C是一款面向500V高壓高頻場(chǎng)景的N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET，憑借500V耐壓、快速開關(guān)特性及穩(wěn)定雪崩能力，廣泛適用于高頻開關(guān)電源、電子鎮(zhèn)流器、LED電源等
2025-10-28 16:01:06430 在電力電子領(lǐng)域，場(chǎng)效應(yīng)管（MOSFET）作為核心開關(guān)器件，其性能直接決定了整機(jī)系統(tǒng)的效率、可靠性與成本控制。ZK60N50T作為一款典型的N溝道功率MOSFET，憑借其優(yōu)異的電氣參數(shù)與穩(wěn)定的工作特性
2025-10-27 14:36:45337 
合，外圍
電路簡(jiǎn)單、器件個(gè)數(shù)少。同時(shí)產(chǎn)品內(nèi)置高耐壓MOSFET 可提高系統(tǒng)浪涌耐受能力。
與傳統(tǒng)的PWM控制器不同，KP3251X內(nèi)部無固定時(shí)鐘驅(qū)動(dòng) MOSFET，系統(tǒng)開關(guān)頻率隨負(fù)載變化可
實(shí)現(xiàn)自動(dòng)
2025-10-22 15:20:45
Diodes 公司（Diodes）（Nasdaq：DIOD）宣布推出PI7C9X762Q，這是一款符合汽車標(biāo)準(zhǔn)*的高性能 I2C/SPI 總線至雙通道 UART 網(wǎng)橋。該器件在工作狀態(tài)和睡眠模式下
2025-10-17 17:51:131015 波峰焊引腳的爬錫高度有標(biāo)準(zhǔn)么？另外引腳高度與焊盤的面積要如何搭配才比較合適？
2025-10-13 10:28:35
Melexis推出新型嵌入式電機(jī)驅(qū)動(dòng)芯片MLX81339。該芯片配備PWM/串行接口，專為工業(yè)應(yīng)用設(shè)計(jì)，支持高達(dá)40W的三相無刷直流電機(jī)（BLDC）和步進(jìn)電機(jī)控制，適用于風(fēng)扇、泵及定位系統(tǒng)等緊湊型設(shè)備。其內(nèi)置可編程閃存支持應(yīng)用的全功能定制。
2025-10-10 10:45:50679 電子發(fā)燒友網(wǎng)綜合報(bào)道 隨著單芯片性能的不斷提高，AI芯片的功率飆升至數(shù)千瓦級(jí)別，需要更加搞笑的散熱來保證芯片的穩(wěn)定運(yùn)行。最近市場(chǎng)有消息傳出，英偉達(dá)已要求供應(yīng)鏈伙伴開發(fā)一種名為MLCP的新型液冷技術(shù)
2025-09-20 00:36:001761 在快充技術(shù)快速迭代的當(dāng)下，高效能與高可靠性成為電源設(shè)計(jì)的核心挑戰(zhàn)。泉州海川半導(dǎo)體推出的SM5501 30V N溝道功率MOSFET，以5.8mΩ超低導(dǎo)通電阻、50A最大電流承載能力及6.2℃/W結(jié)殼熱阻的卓越性能，為快充行業(yè)提供了極具競(jìng)爭(zhēng)力的高性能解決方案。
2025-09-18 16:41:231158 
Diodes 公司（Nasdaq：DIOD）宣布推出符合車用規(guī)范*的全新矩陣式LED驅(qū)動(dòng)器AL5958Q，具備48通道恒定電流源，支持最多32組掃描。該器件為車用動(dòng)態(tài)照明帶來變革，提升全新汽車平臺(tái)的安全、個(gè)性與美學(xué)。
2025-09-11 17:17:31693 場(chǎng)效應(yīng)晶體管)作為一種新型高性能材料，逐漸受到業(yè)界的關(guān)注。那么，SiCMOSFET與普通MOSFET有什么區(qū)別?在此，浮思特科技結(jié)合至信微SiCMOSFET分析，將
2025-09-04 14:46:09637 
Diodes公司（Nasdaq：DIOD）推出四款符合車用規(guī)范*的異步降壓轉(zhuǎn)換器，適用于48V 低電壓軌負(fù)載點(diǎn)（PoL）應(yīng)用。
2025-09-01 17:26:591933 在電子設(shè)備的設(shè)計(jì)與制造中，直插鋁電解電容的尺寸選擇往往成為工程師們面臨的一個(gè)關(guān)鍵挑戰(zhàn)。從10mm到50mm的高度差異，看似簡(jiǎn)單的數(shù)字背后，隱藏著電路性能、散熱效率、機(jī)械強(qiáng)度以及機(jī)箱空間適配等多重因素
2025-08-26 16:16:12565 
AiP2503是中微愛芯推出的一款高度集成的驅(qū)動(dòng)芯片。該電路內(nèi)置78L05三端穩(wěn)壓器，可以提供穩(wěn)定的5V電壓輸出，同時(shí)內(nèi)部包含五個(gè)獨(dú)立的達(dá)林頓管驅(qū)動(dòng)電路，單路達(dá)林頓管最大可輸出500mA電流，多路并聯(lián)可承受更大的電流。
2025-08-25 16:37:531041 
近日，《財(cái)富》雜志正式發(fā)布“中國(guó)科技50強(qiáng)”榜單，瀾 起科技憑借在內(nèi)存接口和高速互連芯片領(lǐng)域的突破性創(chuàng)新與全球影響力成功入選，成為中國(guó)半導(dǎo)體行業(yè)中技術(shù)實(shí)力與國(guó)際化發(fā)展兼?zhèn)涞慕艹龃砥髽I(yè)之一。 據(jù)悉
2025-08-25 10:03:462361 
圣邦微電子推出 VCE2755，一款基于各向異性磁阻（AMR）技術(shù)的高度集成旋轉(zhuǎn)磁編碼器芯片。該器件可應(yīng)用于各種典型的需要角度位置反饋和速度檢測(cè)的應(yīng)用場(chǎng)景。
2025-08-21 11:51:501343 
Diodes 公司 (Nasdaq：DIOD) 宣布推出AP7372低噪聲低壓差 (LDO) 穩(wěn)壓器，用于為數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換器 (ADC、DAC)、電壓控制振蕩器 (VCO) 和鎖相環(huán) (PLL) 等精密元器件供電。
2025-08-18 09:32:25892 REF50xx 是一系列低噪聲、低漂移、超高精度基準(zhǔn)電壓源。這些基準(zhǔn)電壓源能夠吸收和提供電流，并具有出色的線路和負(fù)載調(diào)節(jié)功能。
使用專有設(shè)計(jì)技術(shù)實(shí)現(xiàn)了出色的溫度漂移 （2.5ppm/°C
2025-08-10 11:28:441104 
充的期待。而合科泰 HKTG50N03 N 溝道 MOSFET，憑著超低阻、微型封裝的特性，替65W快充提供平衡方案。
2025-08-08 16:51:451782 隨著市場(chǎng)需求的不斷增長(zhǎng)，SiC MOSFET在電動(dòng)汽車中的應(yīng)用日益廣泛，已經(jīng)成為推動(dòng)電動(dòng)汽車電氣化和高效能的重要技術(shù)之一。上一篇我們介紹了三菱電機(jī)SiC MOSFET模塊的芯片、封裝和短路保護(hù)技術(shù)，本章節(jié)主要介紹三菱電機(jī)車規(guī)級(jí)SiC MOSFET產(chǎn)品，包括模塊及芯片。
2025-08-08 16:14:213189 
Diodes 公司的AP66x00Q/AP64x03Q 3A DC-DC 降壓轉(zhuǎn)換器，設(shè)計(jì)用于和符合汽車標(biāo)準(zhǔn)的理想二極管 MOSFET 控制器 AP74700Q 搭配使用，確保符合 EMC（電磁兼容性）規(guī)范。
2025-07-14 10:16:285009 
砹德曼半導(dǎo)體MOSFET代理
PC主板應(yīng)用 重點(diǎn)推薦MOSFET 規(guī)格
◆DCDC用MOSFET
AD30N25D3: 30V/N/PDFN3*3/14.5mohm Typ.(VGS=10V
2025-07-04 11:37:54
傾佳電子(Changer Tech)-專業(yè)汽車連接器及功率半導(dǎo)體(SiC碳化硅MOSFET單管，SiC碳化硅MOSFET模塊，碳化硅SiC-MOSFET驅(qū)動(dòng)芯片，SiC功率模塊驅(qū)動(dòng)板，驅(qū)動(dòng)IC
2025-06-19 16:57:201227 
MOSFET，用于外圍元器件極精簡(jiǎn)的小功率非隔離開關(guān)電源。PN8044內(nèi)置650V高壓?jiǎn)?dòng)模塊，實(shí)現(xiàn)系統(tǒng)快速啟動(dòng)、超低待機(jī)功能。該芯片提供了完整的智能化保護(hù)功能，包括過載保護(hù)，欠壓保護(hù)，過溫保護(hù)。另外
2025-06-19 10:38:58
一、產(chǎn)品概述：KP85302SGA是一款高壓、高速功率 MOSFET 高低側(cè)驅(qū)動(dòng)芯片。具有獨(dú)立的高側(cè)和低側(cè)參考輸出通道。高速風(fēng)簡(jiǎn)專用電機(jī)驅(qū)動(dòng)芯片KP85302采用高低壓兼容工藝使得高、低側(cè)柵驅(qū)動(dòng)電路
2025-06-14 09:08:31
模數(shù)轉(zhuǎn)換芯片 - MS9280是一款單芯片、單電源、10bit、50MSPS模數(shù)轉(zhuǎn)換器；內(nèi)部集成了采樣保持放大器和電源基準(zhǔn)源。MS9280使用多級(jí)差分流水線架構(gòu)保證了50MSPS數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換數(shù)率下全溫度范圍內(nèi)無失碼。
2025-06-09 17:16:23600 
講解當(dāng)無葉風(fēng)扇送出柔風(fēng)時(shí)，內(nèi)部13萬轉(zhuǎn)無刷電機(jī)正被MOSFET精準(zhǔn)驅(qū)動(dòng)；掃地機(jī)鉆進(jìn)7cm縫隙，7組電機(jī)協(xié)同完成毫米級(jí)貼邊清掃；電動(dòng)牙刷以31,000次/分鐘振動(dòng)清潔齒縫，筋膜槍在50μs內(nèi)響應(yīng)力度調(diào)節(jié)，而高空作業(yè)無人機(jī)正用高壓水刷洗摩天幕墻
2025-06-09 11:09:52764 
Diodes 公司擴(kuò)大碳化硅 (SiC) 產(chǎn)品組合，推出五款高性能、低品質(zhì)因數(shù) (FOM) 的 650V 碳化硅肖特基二極管。
2025-06-06 16:09:51867 
Ci24R02是一款高度集成的低功耗SOC芯片，具有低功耗、Low Pin Count、寬電壓工作范圍，集成了 13/14/15/16位精度的ADC、LVD、UART、SPI、I2C、TIMER
2025-06-01 18:41:12
大陸首款55A/-200V/50mΩ高壓MOSFET問世——國(guó)產(chǎn)功率半導(dǎo)體的200V高壓革命為國(guó)產(chǎn)替代進(jìn)程注入了強(qiáng)勁動(dòng)力！ 微碧半導(dǎo)體（VBsemi）正式發(fā)布 VBP2205N ——中國(guó)大陸 首款
2025-05-29 17:44:06806 
東芝電子元件及存儲(chǔ)裝置株式會(huì)社（“東芝”）宣布，推出四款最新650V碳化硅（SiC）MOSFET——“TW031V65C”、“TW054V65C”、“TW092V65C”和“TW123V65C
2025-05-22 14:51:22901 
在可靠性檢驗(yàn)中，不僅展現(xiàn)出樣本間的高度一致性，更實(shí)現(xiàn)了零老化問題。 ?瑞能超級(jí)結(jié) MOSFET 展現(xiàn)出卓越的抗靜電(ESD)能力。 升溫表現(xiàn) 測(cè)試環(huán)境 測(cè)試平臺(tái): 1200W?服務(wù)器電源 輸入
2025-05-22 13:59:30490 
旋智全新推出的SPD1121高度集成SoC微控制器，以“MCU+HVIC+Buck”三合一架構(gòu)，重新定義1KW以內(nèi)功率段電機(jī)控制方案，助力客戶實(shí)現(xiàn)“少器件、高性能、高可靠”的產(chǎn)品升級(jí)。
2025-05-19 15:28:211312 
AT2401C高度集成射頻前端芯片，支持2.4GHz頻段，集成功率放大器和低噪聲放大器等模塊，適用于智能家居、工業(yè)傳感和醫(yī)療設(shè)備，具備低功耗、高性能和抗干擾特性，助力快速開發(fā)與成本優(yōu)化。"
2025-04-24 17:48:501278 Diodes 公司 (Nasdaq：DIOD) 推出首款符合汽車標(biāo)準(zhǔn)* 的 3D 線性霍爾效應(yīng)傳感器。AH4930Q 可檢測(cè) X、Y、Z 軸的磁場(chǎng)，實(shí)現(xiàn)可靠且高精度的非接觸旋轉(zhuǎn)運(yùn)動(dòng)與接近檢測(cè)。產(chǎn)品應(yīng)用包括信息娛樂系統(tǒng)上的按壓旋鈕、換擋撥片、門把手和門鎖，以及電動(dòng)座椅調(diào)角器。
2025-04-23 17:01:41961 接下來接著看 12N50 數(shù)據(jù)手冊(cè)上面這個(gè)參數(shù)是 MOSFET 的熱阻，RBJC 表示 MOS 管結(jié)溫到表面的 熱阻，這里我們知道 RBJC=0.75。熱阻的計(jì)算公式：RBJC = Tj?Tc P
2025-04-22 13:29:18
5 本文檔主要介紹開關(guān)電源設(shè)計(jì)與維修。內(nèi)容包括開關(guān)電源的基本電路,開關(guān)電源集成控制器,新型開關(guān)電源電路設(shè)計(jì),開關(guān)電源主控元器件,開關(guān)電源實(shí)例與維修,新型開關(guān)集成穩(wěn)壓器應(yīng)用等,內(nèi)容豐富,實(shí)用性強(qiáng),而且
2025-04-17 15:36:00
Diodes 公司 (Diodes) (Nasdaq：DIOD) 首次推出先進(jìn)的銻化銦 (InSb) 霍爾器件傳感器系列，可檢測(cè)旋轉(zhuǎn)速度和測(cè)量電流，適用于筆記本電腦、手機(jī)、游戲手柄等消費(fèi)產(chǎn)品應(yīng)用
2025-04-14 15:19:07880 客戶的后臺(tái)程序只能設(shè)置16或者32的高度，即1632或者3232，但是現(xiàn)場(chǎng)安裝的是832的模組，安裝了三塊高度是24。
為了實(shí)現(xiàn)最理想的顯示效果，如果在2432點(diǎn)的模組上接收顯示32*32的內(nèi)容？
顯示屏是單色的紅色滾動(dòng)跑馬屏,使用的控制卡是深圳流明電子的控制卡
2025-04-14 11:05:51
想知道油箱在滿油，少油和缺油時(shí)電路的變化分析
2025-04-09 23:01:28
異的高溫和高頻性能。
案例簡(jiǎn)介：SiC MOSFET 的動(dòng)態(tài)測(cè)試可用于獲取器件的開關(guān)速度、開關(guān)損耗等關(guān)鍵動(dòng)態(tài)參數(shù)，從而幫助工程師優(yōu)化芯片設(shè)計(jì)和封裝。然而，由于 SiC MOSFET 具備極快的開關(guān)特性
2025-04-08 16:00:57
引言
隨著電力半導(dǎo)體器件的發(fā)展[1-2]，已經(jīng)出現(xiàn)了各種各樣的全控型器件，最常用的有適用于大功率場(chǎng)合的大功率晶體管(GTR)、適用于中小功率場(chǎng)合但快速性較好的功率場(chǎng)效應(yīng)晶體管(MOSFET)以及
2025-03-27 14:48:50
飛兆半導(dǎo)體的IGBT器件FGP20N6S2 （屬于SMPS2系列）和MOSFET器件 FCP11N60（屬于SuperFET 產(chǎn)品族）。這些產(chǎn)品具有相近的芯片尺寸和相同的熱阻抗RθJC，代表了功率
2025-03-25 13:43:17
)與電源轉(zhuǎn)換技術(shù)來提高電源轉(zhuǎn)換效率之外，新式功率器件在高效能轉(zhuǎn)換器中所扮演的重要角色，亦不容忽視。其中，Power MOSFET 目前已廣泛應(yīng)用于各種電源轉(zhuǎn)換器中。本文將簡(jiǎn)述Power MOSFET 的特性
2025-03-24 15:03:44
中國(guó)上海–2025年3月13日–近日，全球知名的電子元器件授權(quán)代理商富昌電子（Future Electronics）榮獲Diodes 公司頒發(fā)的“2024年度亞洲最佳分銷商獎(jiǎng)（Asia Best
2025-03-18 09:29:46409 
商用的Si MOSFET耐壓普遍不超過900V，而SiC擁有更高的擊穿場(chǎng)強(qiáng)，在結(jié)構(gòu)上可以減少芯片的厚度，從而較大幅度地降低MOSFET的通態(tài)電阻，使其耐壓可以提高到幾千伏甚至更高。本文帶你了解其靜態(tài)特性。
2025-03-12 15:53:221529 
前言高度測(cè)量顯微鏡顯微鏡配備了操作簡(jiǎn)單，功能強(qiáng)大的測(cè)量軟件，客戶可根據(jù)需要設(shè)置測(cè)試偏好。軟 件附帶了各類手動(dòng)取點(diǎn)與自動(dòng)取點(diǎn)的測(cè)量功能，適功能高度集成的一體式設(shè)計(jì)使用范圍更廣，即使對(duì)復(fù)雜的形狀，也可以
2025-03-07 10:58:49
隨著BASiC基本半導(dǎo)體等企業(yè)的650V碳化硅MOSFET技術(shù)升級(jí)疊加價(jià)格低于進(jìn)口超結(jié)MOSFET，不少客戶已經(jīng)開始動(dòng)手用國(guó)產(chǎn)SiC碳化硅MOSFET全面取代超結(jié)MOSFET,電源客戶從超結(jié)MOSFET升級(jí)至650V碳化硅MOSFET的根本驅(qū)動(dòng)力分析。
2025-03-01 08:53:441053 
本文詳細(xì)分析計(jì)算開關(guān)損耗，并論述實(shí)際狀態(tài)下功率MOSFET的開通過程和自然零電壓關(guān)斷的過程，從而使電子工程師知道哪個(gè)參數(shù)起主導(dǎo)作用并更加深入理解MOSFET。
MOSFET開關(guān)損耗
1 開通
2025-02-26 14:41:53
隨著可再生能源的崛起和電動(dòng)汽車的普及，全球?qū)Ω咝?、低能耗電力電子器件的需求日益增加。在這一背景下，碳化硅（SiC）MOSFET作為一種新型寬禁帶半導(dǎo)體器件，以其優(yōu)越的性能在功率電子領(lǐng)域中嶄露頭角
2025-02-26 11:03:291399 本帖最后由 jf_94815006 于 2025-4-25 10:11 編輯
午芯芯科技(遼寧省)有限公司是專注于MEMS芯片和集成電路的研發(fā)、設(shè)計(jì)、生產(chǎn)、銷售于一體的科技創(chuàng)新型企業(yè)。午芯芯
2025-02-19 12:19:20
Diodes公司近日推出其首款自我保護(hù)型且符合汽車規(guī)范的高側(cè)IntelliFET產(chǎn)品——DIODES ZXMS81045SPQ。這款小型化設(shè)備不僅能提供高功率電源，還集成了保護(hù)和診斷功能，專為驅(qū)動(dòng)
2025-02-18 11:49:32
我們有些投影使用的是DLPC3433芯片, 如果芯片溫度在50C以下, 則正常顯示, 但是如果是芯片溫度超過50C后, 圖像會(huì)有明顯抖動(dòng)!
如果更換新的DLPC3433, 則這個(gè)問題消失, 老的芯片重新植球后, 再次焊接后,問題依舊
請(qǐng)問這是為何? 有什么可以詳細(xì)檢查?
2025-02-17 07:14:42
在電子技術(shù)飛速發(fā)展的今天，各類電子設(shè)備對(duì)電源管理芯片的性能要求日益嚴(yán)苛。SL3160H 降壓恒壓芯片憑借其獨(dú)特的技術(shù)優(yōu)勢(shì)，在眾多電源管理芯片中脫穎而出，成為電動(dòng)工具、備用電源等領(lǐng)域的理想選擇
2025-02-13 17:00:58
年12月25日正式實(shí)現(xiàn)了4×27 km的少模光纜工程鏈路貫通。 這一項(xiàng)目的成功實(shí)施，標(biāo)志著少模通信技術(shù)正式從實(shí)驗(yàn)室理論研究階段邁向了實(shí)際的工程應(yīng)用階段，具有里程碑式的意義。少模光纜作為一種新型的光纖傳輸介質(zhì)，以其獨(dú)特的傳輸特
2025-02-12 09:59:22783 近日，深圳市晶揚(yáng)電子有限公司成功獲得了一項(xiàng)關(guān)于新型開關(guān)芯片的專利，專利名稱為“一種能夠替代PMOS管的開關(guān)芯片”。該專利的授權(quán)公告號(hào)為CN118984150B，申請(qǐng)日期為2024年10月。這一創(chuàng)新無疑為電子行業(yè)帶來了新的可能，尤其是在開關(guān)芯片領(lǐng)域。
2025-02-11 09:22:36922 英飛凌科技股份公司在電容式微機(jī)械超聲波傳感器(CMUT)技術(shù)領(lǐng)域取得了重大突破?；谶@一先進(jìn)技術(shù)，公司成功推出了首款高度集成的單芯片解決方案，為超聲波應(yīng)用的開發(fā)注入了新的活力。 這款單芯片解決方案
2025-02-08 13:59:36998 近日，Diodes公司宣布推出全新85V、符合汽車標(biāo)準(zhǔn)的LED驅(qū)動(dòng)器——AL8866Q，進(jìn)一步擴(kuò)展了其汽車級(jí)產(chǎn)品組合。這款直流開關(guān)LED驅(qū)動(dòng)控制器專為高功率LED照明系統(tǒng)設(shè)計(jì)，能夠驅(qū)動(dòng)外部
2025-02-06 11:08:321623 碳化硅（SiC）MOSFET作為寬禁帶半導(dǎo)體材料（WBG）的一種，具有許多優(yōu)異的參數(shù)特性，這些特性使其在高壓、高速、高溫等應(yīng)用中表現(xiàn)出色。本文將詳細(xì)探討SiC MOSFET的主要參數(shù)特性，并通過對(duì)比硅基MOSFET和IGBT，闡述其技術(shù)優(yōu)勢(shì)和應(yīng)用領(lǐng)域。
2025-02-02 13:48:002731 Diodes公司（納斯達(dá)克代碼：DIOD）近日正式宣布推出其最新的AL8866Q LED驅(qū)動(dòng)器，進(jìn)一步豐富了其符合汽車標(biāo)準(zhǔn)的產(chǎn)品線。這款直流開關(guān)LED驅(qū)動(dòng)控制器專為外部MOSFET設(shè)計(jì)，能夠支持降壓
2025-01-23 15:44:402758 Diodes 公司 (Diodes) (Nasdaq：DIOD) 宣布推出AL8866Q LED 驅(qū)動(dòng)器，擴(kuò)大符合汽車標(biāo)準(zhǔn)*的產(chǎn)品組合。這款直流開關(guān) LED 驅(qū)動(dòng)控制器可驅(qū)動(dòng)外部 MOSFET，支持
2025-01-23 13:53:231245 SGT MOSFET，即屏蔽柵溝槽MOSFET，是一種先進(jìn)的功率半導(dǎo)體器件。這種技術(shù)改變了MOSFET內(nèi)部電場(chǎng)的形態(tài)，將傳統(tǒng)的三角形電場(chǎng)進(jìn)一步的變更為類似壓縮的梯形電場(chǎng)，可以進(jìn)一步減小EPI層的厚度，降低導(dǎo)通電阻Rds(on)。
2025-01-22 13:55:545890 
Diodes 公司 (Diodes) (Nasdaq：DIOD) 宣布推出AL8891Q LED 驅(qū)動(dòng)器，擴(kuò)大符合汽車標(biāo)準(zhǔn)*的產(chǎn)品組合。這款同步降壓 LED 驅(qū)動(dòng)器簡(jiǎn)單易用，具有高側(cè)電流感測(cè)功能
2025-01-17 13:51:28907 近日，瑞薩電子公司宣布推出新型100V高功率N溝道MOSFET。這款產(chǎn)品專為電機(jī)控制、電池管理系統(tǒng)、電源管理及充電應(yīng)用而設(shè)計(jì)，以其卓越的高電流開關(guān)性能和行業(yè)領(lǐng)先的技術(shù)表現(xiàn)成為市場(chǎng)焦點(diǎn)。新型
2025-01-13 11:41:38957 
Diodes 公司 (Diodes)(Nasdaq：DIOD)推出新款符合汽車規(guī)格*的 36 通道線性 LED 電流驅(qū)動(dòng)器。AL5887Q 具備驅(qū)動(dòng) RGB 配置及單獨(dú) LED 的能力，可幫助設(shè)計(jì)人
2025-01-09 16:17:481039 ，也就是俗稱的老年人呼叫器，20歲的年紀(jì)就用了老年人無線呼叫器——妥妥的少走50年彎路！ 倉庫無線呼叫器?? ??????在我國(guó)，人口的老齡化日益嚴(yán)重，為老人設(shè)計(jì)的智能呼叫產(chǎn)品卻不多見，我們技術(shù)部研發(fā)了這款老人無線呼叫器
2025-01-07 16:34:31713 
電子發(fā)燒友App
工商網(wǎng)監(jiān)
評(píng)論