推薦使用互補(bǔ)型NPN品體管MMBT3904外延平面晶圓制造
2026-01-04 14:51:32
0 扇出型晶圓級(jí)封裝（FOWLP）的概念最早由德國(guó)英飛凌提出，自2016 年以來(lái)，業(yè)界一直致力于FOWLP 技術(shù)的發(fā)展。
2026-01-04 14:40:30
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電子發(fā)燒友網(wǎng)綜合報(bào)道 ， 短短兩天內(nèi)，中國(guó)第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)接連迎來(lái)重磅突破。12月23日，廈門(mén)瀚天天成宣布成功開(kāi)發(fā)全球首款12英寸高質(zhì)量碳化硅（SiC）外延晶片；次日， 晶盛機(jī)電 便官宣其自主研發(fā)
2025-12-28 09:55:37798 近日，晶科于江蘇丹陽(yáng)選取一已建成戶(hù)用光伏項(xiàng)目，開(kāi)展電站各組串發(fā)電量對(duì)比測(cè)試。基于2025年9月1日至11月9日的實(shí)測(cè)發(fā)電量數(shù)據(jù)，結(jié)果顯示，測(cè)試周期內(nèi)晶科飛虎系列組件的單瓦發(fā)電量表現(xiàn)顯著優(yōu)于同功率N型
2025-12-25 10:14:45634 
來(lái)源：維度網(wǎng) 中國(guó)晶科能源公司宣布其n型TOPCon太陽(yáng)能電池轉(zhuǎn)換效率達(dá)到27.79%，該成果已獲得德國(guó)哈默爾恩太陽(yáng)能研究所獨(dú)立驗(yàn)證。這一太陽(yáng)能電池效率新紀(jì)錄較該公司今年6月公布的27.02%有所
2025-12-22 17:24:35404 近日，晶科針對(duì)山東威海附近地區(qū)一座已投運(yùn)的戶(hù)用光伏電站，開(kāi)展了組件組串發(fā)電量對(duì)比測(cè)試?；?025年8~11月的實(shí)測(cè)發(fā)電量數(shù)據(jù)，飛虎組件的單瓦發(fā)電量表現(xiàn)顯著優(yōu)于同場(chǎng)測(cè)試的N型BC組件。
2025-12-17 14:49:31505 
北京鑒衡認(rèn)證中心（CGC）在海南三亞崖州實(shí)證基地完成晶科飛虎2組件與N型BC組件的半年度專(zhuān)項(xiàng)實(shí)證，監(jiān)測(cè)周期為2025年5月1日至10月31日。
2025-12-09 15:33:03592 
12寸晶圓（直徑300mm）的制造工藝是一個(gè)高度復(fù)雜且精密的過(guò)程，涉及材料科學(xué)、半導(dǎo)體物理和先進(jìn)設(shè)備技術(shù)的結(jié)合。以下是其核心工藝流程及關(guān)鍵技術(shù)要點(diǎn)： 一、單晶硅生長(zhǎng)與晶圓成型 高純度多晶硅提純 原料
2025-11-17 11:50:20328 4H-碳化硅（4H-SiC）因其寬禁帶（3.26eV）、高熱導(dǎo)率（4.9W·cm?1·K?1）和高擊穿場(chǎng)強(qiáng)（2.5MV·cm?1），成為高溫、高功率電子器件的核心材料。然而，其歐姆接觸的精準(zhǔn)表征面臨
2025-09-29 13:45:13625 
替代材料，但其關(guān)鍵材料參數(shù)（如襯底熱膨脹系數(shù)、薄膜電阻溫度特性）缺乏系統(tǒng)研究，導(dǎo)致傳感器設(shè)計(jì)階段難以評(píng)估溫度效應(yīng)。本研究結(jié)合Xfilm埃利在線(xiàn)四探針?lè)阶鑳x針對(duì)4H-SiC
2025-09-29 13:43:47463 再生晶圓與普通晶圓在半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈中扮演著不同角色，二者的核心區(qū)別體現(xiàn)在來(lái)源、制造工藝、性能指標(biāo)及應(yīng)用場(chǎng)景等方面。以下是具體分析：定義與來(lái)源差異普通晶圓：指全新生產(chǎn)的硅基材料，由高純度多晶硅經(jīng)拉單晶
2025-09-23 11:14:55773 
一、引言
隨著半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的迅猛發(fā)展，碳化硅（SiC）作為關(guān)鍵的寬禁帶半導(dǎo)體材料，其應(yīng)用愈發(fā)廣泛。大尺寸碳化硅（150mm+）晶圓在提高芯片生產(chǎn)效率、降低成本方面具有顯著優(yōu)勢(shì)。然而，大尺寸帶來(lái)的挑戰(zhàn)
2025-09-20 10:10:23499 
在FOUP側(cè)面嵌入RFID標(biāo)簽，通過(guò)寫(xiě)卡設(shè)備寫(xiě)入唯一ID，自動(dòng)關(guān)聯(lián)晶圓批次信息（直徑、材料等），與MES系統(tǒng)實(shí)時(shí)同步，杜絕人工錄入錯(cuò)誤
2025-08-22 16:42:43423 先進(jìn)的SiC功率技術(shù)，包括可再生能源系統(tǒng)、鐵路運(yùn)輸和電動(dòng)汽車(chē)等。 此外，英飛凌位于馬來(lái)西亞居林的生產(chǎn)基地正在從150mm晶圓向直徑更大、更高效的200mm晶圓過(guò)渡。 英飛凌200mm SiC晶圓，圖源：“英飛凌官微” 碳化硅是一種寬禁帶半導(dǎo)體材料，具有高擊穿場(chǎng)強(qiáng)、高熱導(dǎo)率
2025-08-14 15:33:40551 派恩杰3300V MOSFET晶圓，專(zhuān)為高耐壓場(chǎng)景設(shè)計(jì)的第三代半導(dǎo)體功率器件核心材料，基于4H-SiC晶圓，擊穿電壓達(dá)3300V以上，相比于傳統(tǒng)硅基器件(如IGBT)，它在高壓、高溫、高頻場(chǎng)景下性能
2025-08-01 10:20:291236 晶圓清洗機(jī)中的晶圓夾持是確保晶圓在清洗過(guò)程中保持穩(wěn)定、避免污染或損傷的關(guān)鍵環(huán)節(jié)。以下是晶圓夾持的設(shè)計(jì)原理、技術(shù)要點(diǎn)及實(shí)現(xiàn)方式： 1. 夾持方式分類(lèi) 根據(jù)晶圓尺寸（如2英寸到12英寸）和工藝需求，夾持
2025-07-23 14:25:43928 晶圓清洗后表面外延顆粒的要求是半導(dǎo)體制造中的關(guān)鍵質(zhì)量控制指標(biāo)，直接影響后續(xù)工藝（如外延生長(zhǎng)、光刻、金屬化等）的良率和器件性能。以下是不同維度的具體要求和技術(shù)要點(diǎn)：一、顆粒污染的核心要求顆粒尺寸與數(shù)量
2025-07-22 16:54:431539 
不同晶圓尺寸的清洗工藝存在顯著差異，主要源于其表面積、厚度、機(jī)械強(qiáng)度、污染特性及應(yīng)用場(chǎng)景的不同。以下是針對(duì)不同晶圓尺寸（如2英寸、4英寸、6英寸、8英寸、12英寸等）的清洗區(qū)別及關(guān)鍵要點(diǎn)：一、晶圓
2025-07-22 16:51:191332 ，在激烈角逐中，國(guó)電電力50MWp光伏發(fā)電項(xiàng)目脫穎而出，榮膺“5A級(jí)光伏電站”稱(chēng)號(hào)。 項(xiàng)目全部采用晶科能源N型Tiger Neo系列雙面高效組件，在年發(fā)電量、運(yùn)行穩(wěn)定性及系統(tǒng)兼容性等核心環(huán)節(jié)表現(xiàn)優(yōu)異，充分展現(xiàn)出晶科產(chǎn)品在復(fù)雜場(chǎng)景下的高適應(yīng)
2025-07-21 17:45:00981 近日晶科能源公告，其自主研發(fā)的N型TOPCon高效光伏組件，經(jīng)第三方權(quán)威機(jī)構(gòu)TüV南德測(cè)試認(rèn)證，最高轉(zhuǎn)化效率達(dá)到了25.58%，再次刷新了全球同類(lèi)組件效率新的紀(jì)錄。同時(shí)，晶科能源182N型高效單晶硅
2025-06-27 11:23:511352 。此次IPO，公司擬募資49.65億元，用于“集成電路用 300 毫米薄層硅外延片擴(kuò)產(chǎn)項(xiàng)目”“高端半導(dǎo)體硅材料研發(fā)項(xiàng)目”和“補(bǔ)充流動(dòng)資金”。 三年?duì)I收達(dá)31億元，300mm硅片貢獻(xiàn)14.2億元 半導(dǎo)體硅片根據(jù)尺寸不同劃分為6英寸（直徑150mm）及以下、8 英寸（直徑200m
2025-06-16 09:09:486005 
在近日央視《焦點(diǎn)訪談》 “能源轉(zhuǎn)型提質(zhì)換新”專(zhuān)題節(jié)目中，晶科能源CEO陳康平作為中國(guó)光伏產(chǎn)業(yè)領(lǐng)軍企業(yè)代表，展示了中國(guó)光伏技術(shù)的卓越成就與全球影響力。報(bào)道聚焦晶科能源憑借領(lǐng)先的N型TOPCon技術(shù)，28次打破光伏電池轉(zhuǎn)換效率世界紀(jì)錄，彰顯了中國(guó)企業(yè)在全球清潔能源賽道上的創(chuàng)新引領(lǐng)地位。
2025-06-09 16:18:39960 近日，全球領(lǐng)先的光儲(chǔ)企業(yè)晶科儲(chǔ)能在德國(guó)成功簽署150MWh的儲(chǔ)能系統(tǒng)解決方案。該項(xiàng)目將部署30套晶科儲(chǔ)能G2藍(lán)鯨系統(tǒng)（Jinko ESS G2 5MWh System），每套系統(tǒng)集成于20英尺標(biāo)準(zhǔn)集裝箱內(nèi)，計(jì)劃于2025年10月底至11月中旬分批交付。
2025-06-06 17:33:261017 科晶體也宣布成功研制差距12英寸高純半絕緣碳化硅單晶襯底，并同期研制成功12英寸N型碳化硅單晶襯底；今年三月，天科合達(dá)、晶盛機(jī)電等也展出了其12英寸SiC襯底；最近，南砂晶圓公開(kāi)展示了12英寸導(dǎo)電型SiC襯底，國(guó)內(nèi)12英寸SiC又添一名新玩家。 ? 為
2025-05-21 00:51:007317 前言在半導(dǎo)體制造的前段制程中，晶圓需要具備足夠的厚度，以確保其在流片過(guò)程中的結(jié)構(gòu)穩(wěn)定性。盡管芯片功能層的制備僅涉及晶圓表面幾微米范圍，但完整厚度的晶圓更有利于保障復(fù)雜工藝的順利進(jìn)行，直至芯片前制程
2025-05-16 16:58:441109 
常規(guī)IC封裝需經(jīng)過(guò)將晶圓與IC封裝基板焊接，再將IC基板焊接至普通PCB的復(fù)雜過(guò)程。與之不同，WLP基于IC晶圓，借助PCB制造技術(shù)，在晶圓上構(gòu)建類(lèi)似IC封裝基板的結(jié)構(gòu)，塑封后可直接安裝在普通PCB
2025-05-14 11:08:162420 
在半導(dǎo)體制造流程中，晶圓在前端工藝階段需保持一定厚度，以確保其在流片過(guò)程中的結(jié)構(gòu)穩(wěn)定性，避免彎曲變形，并為芯片制造工藝提供操作便利。不同規(guī)格晶圓的原始厚度存在差異：4英寸晶圓厚度約為520微米，6
2025-05-09 13:55:511975 法） RCA清洗是晶圓清洗的經(jīng)典工藝，分為兩個(gè)核心步驟（SC-1和SC-2），通過(guò)化學(xué)溶液去除有機(jī)物、金屬污染物和顆粒124： SC-1（APM溶液） 化學(xué)配比：氫氧化銨（NH?OH，28%）、過(guò)氧化氫（H?O?，30%）與去離子水（H?O）的比例為1:1:5。 溫度與時(shí)
2025-04-22 09:01:401289 本文從多個(gè)角度分析了在晶圓襯底上生長(zhǎng)外延層的必要性。
2025-04-17 10:06:39867 本文介紹了半導(dǎo)體集成電路制造中的晶圓制備、晶圓制造和晶圓測(cè)試三個(gè)關(guān)鍵環(huán)節(jié)。
2025-04-15 17:14:372155 
近日，晶科能源與印度知名開(kāi)發(fā)商及承包商ACME集團(tuán)正式簽署阿曼487.5MW光伏制氫項(xiàng)目N型TOPCon組件獨(dú)家供貨協(xié)議。作為晶科能源在阿曼地區(qū)中標(biāo)的首個(gè)大型光伏制氫項(xiàng)目，該項(xiàng)目將依托晶科能源行業(yè)
2025-04-10 14:54:38808 全球領(lǐng)先的光伏企業(yè)晶科能源宣布與Climate Impact Corporation（CIC）達(dá)成戰(zhàn)略合作，雙方將基于晶科能源N型TOPCon技術(shù)，為澳大利亞10GW“綠泉”離網(wǎng)制氫項(xiàng)目供應(yīng)高效組件
2025-04-07 17:06:51801 近日，晶科能源為恒源新能交付N型TOPCon高效雙面組件，助力其張北500MW光伏項(xiàng)目與沽源240MW光伏項(xiàng)目全容并網(wǎng)投運(yùn)。
2025-03-28 14:25:31946 電子發(fā)燒友網(wǎng)為你提供AIPULNION(AIPULNION)BK25-600D24H1N4相關(guān)產(chǎn)品參數(shù)、數(shù)據(jù)手冊(cè)，更有BK25-600D24H1N4的引腳圖、接線(xiàn)圖、封裝手冊(cè)、中文資料、英文資料，BK25-600D24H1N4真值表，BK25-600D24H1N4管腳等資料，希望可以幫助到廣大的電子工程師們。
2025-03-24 18:41:59
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2025-03-24 18:38:46
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2025-03-24 18:37:50
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2025-03-24 18:33:16
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2025-03-24 18:32:21
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2025-03-24 18:32:00
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2025-03-24 18:31:48
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2025-03-24 18:31:30
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2025-03-24 18:30:36
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2025-03-24 18:29:59
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2025-03-20 18:54:50
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2025-03-20 18:35:42
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2025-03-19 18:34:08
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2025-03-18 18:56:17
在芯片制造的精密工藝中，華林科納濕法刻蝕（Wet Etching）如同一把精妙的雕刻刀，以化學(xué)的魔力在晶圓這張潔白的畫(huà)布上，雕琢出微觀世界的奇跡。它是芯片制造中不可或缺的一環(huán)，以其高效、低成本的特點(diǎn)
2025-03-12 13:59:11983 在工業(yè)制造領(lǐng)域，大直徑外圓的精準(zhǔn)測(cè)量對(duì)產(chǎn)品質(zhì)量把控起著關(guān)鍵作用。從大型機(jī)械的軸類(lèi)零件，到石油化工的管道，準(zhǔn)確掌握大直徑外圓尺寸是保障設(shè)備正常運(yùn)行與產(chǎn)品性能的基礎(chǔ)。而在線(xiàn)大直徑測(cè)徑儀是使用，對(duì)生產(chǎn)企業(yè)
2025-03-03 14:24:04
日本硅晶圓制造商Sumco宣布，將在2026年底前停止宮崎工廠的硅晶圓生產(chǎn)。 Sumco報(bào)告稱(chēng)，主要用于消費(fèi)、工業(yè)和汽車(chē)應(yīng)用的小直徑晶圓需求仍然疲軟。具體而言，隨著客戶(hù)要么轉(zhuǎn)向200毫米晶圓，要么在
2025-02-20 16:36:31815 眾所周知，幾乎所有 SiC 器件都是在 150 毫米晶圓上制造的，使用更大的晶圓存在重大挑戰(zhàn)。從 200 毫米晶圓出貨器件是降低 SiC 器件成本的關(guān)鍵一步，其他公司也在開(kāi)發(fā) 200 毫米技術(shù)
2025-02-19 11:16:55811 英飛凌開(kāi)始向客戶(hù)提供首批采用先進(jìn)的200mm碳化硅（SiC）晶圓制造技術(shù)的SiC產(chǎn)品這些產(chǎn)品在奧地利菲拉赫生產(chǎn)，為高壓應(yīng)用領(lǐng)域提供一流的SiC功率技術(shù)200mmSiC的生產(chǎn)將鞏固英飛凌在所
2025-02-18 17:32:451133 
引言
碳化硅（SiC）作為一種高性能的半導(dǎo)體材料，因其卓越的物理和化學(xué)性質(zhì)，在電力電子、微波器件、高溫傳感器等領(lǐng)域展現(xiàn)出巨大的應(yīng)用潛力。然而，在SiC外延片的制造過(guò)程中，表面污染物的存在會(huì)嚴(yán)重影響
2025-02-11 14:39:46414 
引言
碳化硅（SiC）作為第三代半導(dǎo)體材料，因其出色的物理和化學(xué)特性，在功率電子、高頻通信及高溫環(huán)境等領(lǐng)域展現(xiàn)出巨大的應(yīng)用潛力。然而，在SiC外延生長(zhǎng)過(guò)程中，掉落物缺陷（如顆粒脫落、乳凸等）一直是
2025-02-10 09:35:39401 SiC外延設(shè)備的復(fù)雜性主要體現(xiàn)在反應(yīng)室設(shè)計(jì)、加熱系統(tǒng)和旋轉(zhuǎn)系統(tǒng)等關(guān)鍵部件的精確控制上。在SiC外延生長(zhǎng)過(guò)程中，晶型夾雜和缺陷問(wèn)題頻發(fā)，嚴(yán)重影響外延膜的質(zhì)量。如何在提高外延生長(zhǎng)速率和品質(zhì)的同時(shí)，有效避免這些問(wèn)題的產(chǎn)生，可以從以下幾個(gè)方面入手。?
2025-02-06 10:10:581349 近日，日本豐田合成株式會(huì)社宣布了一項(xiàng)重大技術(shù)突破：成功開(kāi)發(fā)出用于垂直晶體管的200mm（8英寸）氮化鎵（GaN）單晶晶圓。
2025-01-23 16:46:061301 1月8日消息，日本豐田合成株式會(huì)社（Toyoda Gosei Co., Ltd.）宣布，成功開(kāi)發(fā)出了用于垂直晶體管的 200mm（8英寸）氮化鎵 （GaN）單晶晶圓。 據(jù)介紹，與使用采用硅基GaN
2025-01-09 18:18:221356 在半導(dǎo)體制造領(lǐng)域，晶圓的加工精度和質(zhì)量控制至關(guān)重要，其中對(duì)晶圓 BOW（彎曲度）和 WARP（翹曲度）的精確測(cè)量更是關(guān)鍵環(huán)節(jié)。不同的吸附方案被應(yīng)用于晶圓測(cè)量過(guò)程中，而晶圓的環(huán)吸方案因其獨(dú)特
2025-01-09 17:00:10639 第一個(gè)工藝過(guò)程：晶圓及其制造過(guò)程。 ? 為什么晶圓制造如此重要 隨著技術(shù)進(jìn)步，晶圓的需求量持續(xù)增長(zhǎng)。目前國(guó)內(nèi)市場(chǎng)硅片尺寸主流為100mm、150mm和200mm，硅片直徑的增大會(huì)導(dǎo)致降低單個(gè)芯片制造成本的降低，所以目前300mm硅片的需求量也在
2025-01-09 09:59:262099 
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