Veeco 公司今日宣布和ALLOS Semiconductors （ALLOS）達成了一項戰(zhàn)略舉措，展示了200mm硅基氮化鎵晶圓用于藍/綠光micro-LED的生產(chǎn)。維易科和ALLOS合作將其
2018-02-26 10:24:10
10634 隨著氮化鎵器件性能的提高，人們對這些器件的可靠性和可用性有了更大的信心后，氮化鎵器件被用于廣闊的全新應(yīng)用。
2020-11-19 14:57:094006 (STMicroelectronics，簡稱ST；紐約證券交易所代碼:STM)和世界排名前列的電信、工業(yè)、國防和數(shù)據(jù)中心半導(dǎo)體解決方案供應(yīng)商MACOM技術(shù)解決方案控股有限公司(納斯達克股票代碼:MTSI，以下簡稱“MACOM”) 宣布，射頻硅基氮化鎵(RF GaN-on-Si)原型芯片制造成功。基于這一成果，意法半導(dǎo)
2022-05-19 16:03:513914 
高性能模擬射頻、微波、毫米波和光波半導(dǎo)體產(chǎn)品的領(lǐng)先供應(yīng)商MACOM Technology Solutions Inc.(“MACOM”)推出了MAMG-100227-010寬帶功率放大器模塊，擴展了硅基氮化鎵（GaN-on-Si）功率放大器產(chǎn)品組合。
2019-01-30 13:50:577340 宜普電源轉(zhuǎn)換公司是增強型硅基氮化鎵（eGaN）功率場效應(yīng)晶體管和集成電路的全球領(lǐng)先供應(yīng)商，致力提高產(chǎn)品性能且降低可發(fā)貨的氮化鎵晶體管的成本，最新推出EPC2059 （6.8 m?、170 V）氮化鎵場效應(yīng)晶體管
2020-11-13 08:01:002013 近日北京賽微電子股份有限公司發(fā)布了關(guān)于與青州市人民政府簽署《合作協(xié)議》的公告。公告中顯示賽微電子擬在青州經(jīng)濟開發(fā)區(qū)發(fā)起投資10億元分期建設(shè)聚能國際6-8英寸硅基氮化鎵功率器件半導(dǎo)體制造項目，總
2021-04-04 08:39:006568 2021年6月5日，英諾賽科（蘇州）半導(dǎo)體有限公司在蘇州汾湖高新區(qū)舉辦量產(chǎn)暨研發(fā)樓奠基儀式。英諾賽科成立于2015年，是全球領(lǐng)先的硅基氮化鎵IDM企業(yè)，致力于8英寸GaN電力電子器件的研發(fā)與生產(chǎn)，在
2021-06-08 07:31:007005 在現(xiàn)代5G無線電架構(gòu)中部署的射頻功率放大器（PA）在滿足對更高性能和更低成本的明顯矛盾的需求方面起著重要作用。
2022-01-26 17:02:344256 
IPO，英諾賽科擬募資13.999億港元。 ? 氮化鎵全球第一，虧損幅度逐年收窄 英諾賽科是全球首家實現(xiàn)量產(chǎn)8英吋硅基氮化鎵晶圓的公司，也是唯一具備產(chǎn)業(yè)規(guī)模提供全電壓譜系的硅基氮化鎵半導(dǎo)體產(chǎn)品的公司。其產(chǎn)品包括氮化鎵晶圓、氮化鎵分立器件、
2024-12-30 00:11:007884 
5G 的出現(xiàn)促使人們重新思考從半導(dǎo)體到基站系統(tǒng)架構(gòu)再到網(wǎng)絡(luò)拓撲的無線基礎(chǔ)設(shè)施。氮化鎵、MMIC、射頻 SoC 以及光網(wǎng)絡(luò)技術(shù)的并行發(fā)展共同助力提高設(shè)計和成本效率在半導(dǎo)體層面上，硅基氮化鎵的主流商業(yè)化
2019-07-05 04:20:15
氮化鎵、MMIC、射頻SoC以及光網(wǎng)絡(luò)技術(shù)的并行發(fā)展共同助力提高設(shè)計和成本效率。5G的出現(xiàn)促使人們重新思考從半導(dǎo)體到基站系統(tǒng)架構(gòu)再到網(wǎng)絡(luò)拓撲的無線基礎(chǔ)設(shè)施。在半導(dǎo)體層面上，硅基氮化鎵的主流商業(yè)化
2019-07-31 07:47:23
。氮化鎵的性能優(yōu)勢曾經(jīng)一度因高成本而被抵消。最近，氮化鎵憑借在硅基氮化鎵技術(shù)、供應(yīng)鏈優(yōu)化、器件封裝技術(shù)以及制造效率方面的突出進步成功脫穎而出，成為大多數(shù)射頻應(yīng)用中可替代砷化鎵和 LDMOS 的最具成本
2017-08-15 17:47:34
射頻半導(dǎo)體技術(shù)的市場格局近年發(fā)生了顯著變化。 數(shù)十年來，橫向擴散金屬氧化物半導(dǎo)體(LDMOS)技術(shù)在商業(yè)應(yīng)用中的射頻半導(dǎo)體市場領(lǐng)域起主導(dǎo)作用。如今，這種平衡發(fā)生了轉(zhuǎn)變，硅基氮化鎵(GaN-on-Si
2018-08-17 09:49:42
射頻半導(dǎo)體技術(shù)的市場格局近年發(fā)生了顯著變化。數(shù)十年來，橫向擴散金屬氧化物半導(dǎo)體(LDMOS)技術(shù)在商業(yè)應(yīng)用中的射頻半導(dǎo)體市場領(lǐng)域起主導(dǎo)作用。如今，這種平衡發(fā)生了轉(zhuǎn)變，硅基氮化鎵(GaN-on-Si)技術(shù)成為接替?zhèn)鹘y(tǒng)LDMOS技術(shù)的首選技術(shù)。
2019-09-02 07:16:34
內(nèi)的波長標(biāo)準(zhǔn)偏差標(biāo)準(zhǔn)為1.3nm，波長范圍為4nm微米。硅襯底氮化鎵基LED外延片的翹曲度很小，2英寸硅襯底LED大多數(shù)在4-5微米左右，6英寸在10微米以下。 2英寸硅襯底大功率LED量產(chǎn)硅4545
2014-01-24 16:08:55
MACOM六十多年的技術(shù)傳承，運用bipolar、MOSFET和GaN技術(shù)，提供標(biāo)準(zhǔn)和定制化的解決方案以滿足客戶最嚴(yán)苛的需求。射頻功率晶體管 - 硅基氮化鎵 (GaN on Si)MACOM是全球唯一
2017-08-14 14:41:32
硬件和軟件套件有助加快并簡化固態(tài)射頻系統(tǒng)開發(fā)經(jīng)優(yōu)化后可供烹飪、照明、工業(yè)加熱/烘干、醫(yī)療/制藥和汽車點火系統(tǒng)的商業(yè)制造商使用系統(tǒng)設(shè)計人員能夠以LDMOS的價格充分利用硅基氮化鎵性能的優(yōu)勢在IMS現(xiàn)場
2017-08-03 10:11:14
不同，MACOM氮化鎵工藝的襯底采用硅基。硅基氮化鎵器件既具備了氮化鎵工藝能量密度高、可靠性高等優(yōu)點，又比碳化硅基氮化鎵器件在成本上更具有優(yōu)勢，采用硅來做氮化鎵襯底，與碳化硅基氮化鎵相比，硅基氮化鎵晶元尺寸
2017-09-04 15:02:41
。盡管以前氮化鎵與LDMOS相比價格過高，但是MACOM公司的最新的第四代硅基氮化鎵技術(shù)(MACOM GaN)使得二者成本結(jié)構(gòu)趨于相當(dāng)?；?b class="flag-6" style="color: red">氮化鎵的MAGb功率晶體管在2.6GHz頻段可提供高于70
2017-08-30 10:51:37
的射頻器件越來越多，即便集成化仍然很難控制智能手機的成本。這跟功能機時代不同，我們可以將成本做到很低，在全球市場都能夠保證低價。但如果到了5G時代，需要的器件越來越多，價格越來越高。半導(dǎo)體材料硅基氮化鎵
2017-07-18 16:38:20
eMode硅基氮化鎵技術(shù)，創(chuàng)造了專有的AllGaN?工藝設(shè)計套件（PDK），以實現(xiàn)集成氮化鎵 FET、氮化鎵驅(qū)動器，邏輯和保護功能于單芯片中。該芯片被封裝到行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)的、低寄生電感、低成本的 5×6mm 或
2023-06-15 14:17:56
MAPC-A1507GaN 放大器 50 V，1400 W 900 - 930 MHzMAPC-A1507 是一款碳化??硅基氮化鎵 HEMT D 模式放大器，適用于 900 - 930 MHz
2022-11-27 10:40:50
MAPC-A1504-ABTR1GaN 放大器 50 V，500 W 1.2 - 1.4 GHzMAPC-A1504 是一款碳化??硅基氮化鎵 HEMT D 模式放大器，適用于 1.2 - 1.4
2022-12-08 12:29:25
MAPC-S1101-ADTR1GaN 放大器 50 V，15 W DC - 12 GHzMAPC-S1101 是一款碳化??硅基氮化鎵 HEMT D 模式放大器，適用于 DC - 12 GHz
2022-12-09 10:34:26
MAPC-S1000GaN 放大器 50 V，12 W 30 MHz - 3.5 GHzMAPC-S1000 是一款碳化??硅基氮化鎵 HEMT D 模式放大器，適用于 DC - 3.5 GHz
2022-12-09 10:37:12
NPT2020PT2020 是一款 48 V 硅基氮化鎵晶體管，工作頻率為 DC 至 3.5 GHz，功率為 50 W，增益為 17 dB。它采用陶瓷封裝，面向軍事和大批量商業(yè)市場。
2023-04-14 15:39:35
愛思強股份有限公司推出最新產(chǎn)品AIX G5+，為其AIX G5行星式反應(yīng)器平臺提供5x200 mm硅基氮化鎵生長專用設(shè)備?；谝钥蛻魹橹行牡陌l(fā)展計劃，愛思強的研發(fā)實驗室開發(fā)了此技術(shù)并設(shè)計并制
2012-07-25 11:16:211953 安森美半導(dǎo)體（ON Semiconductor）加入了領(lǐng)先納米電子研究中心imec的多合作伙伴業(yè)界研究及開發(fā)項目，共同開發(fā)下一代硅基氮化鎵（GaN-on-Si）功率器件。
2012-10-10 13:41:311384 2015年3月25日，德國慕尼黑和美國夏洛特訊——英飛凌科技股份公司（FSE代碼：IFX / OTCQX代碼：IFNNY）今日宣布擴充其硅基氮化鎵（GaN）技術(shù)和產(chǎn)品組合。
2015-03-25 15:54:211177 數(shù)十年來，橫向擴散金屬氧化物半導(dǎo)體（LDMOS）技術(shù)在商業(yè)應(yīng)用中的射頻半導(dǎo)體市場領(lǐng)域起主導(dǎo)作用。如今，這種平衡發(fā)生了轉(zhuǎn)變，硅基氮化鎵（GaN-on-Si）技術(shù)成為接替?zhèn)鹘y(tǒng)LDMOS技術(shù)的首選技術(shù)。
2018-04-25 11:31:00407 法國阿斯克新城和德國德累斯頓 - 2018 年 2 月 1 日 - 來自電子、微電子及納米技術(shù)研究院 （IEMN） 的最新結(jié)果顯示，ALLOS 即將推出的適用于 1200 V 器件的硅基氮化鎵外延片產(chǎn)品具有超過 1400 V 的縱向和橫向擊穿電壓。
2018-02-26 10:17:426459 
射頻半導(dǎo)體技術(shù)的市場格局近年發(fā)生了顯著變化。 數(shù)十年來，橫向擴散金屬氧化物半導(dǎo)體(LDMOS)技術(shù)在商業(yè)應(yīng)用中的射頻半導(dǎo)體市場領(lǐng)域起主導(dǎo)作用。如今，這種平衡發(fā)生了轉(zhuǎn)變，硅基氮化鎵(GaN-on-Si
2018-03-26 10:27:001901 氮化鎵外延片產(chǎn)品技術(shù)。兩家公司最近合作的宗旨是，在為全球范圍內(nèi)多家杰出的消費類電子產(chǎn)品公司生產(chǎn)外延片的同時，展示ALLOS 200 mm硅基氮化鎵外延片產(chǎn)品技術(shù)在Veeco Propel? MOCVD反應(yīng)器上的可復(fù)制性。
2018-11-10 10:18:181790 橫跨多重電子應(yīng)用領(lǐng)域的全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體供應(yīng)商意法半導(dǎo)體和CEA Tech下屬的研究所Leti今天宣布合作研制硅基氮化鎵（GaN）功率開關(guān)器件制造技術(shù)。
2018-09-30 14:36:334536 與傳統(tǒng)的金屬氧化物（LDMOS）半導(dǎo)體相比，硅基氮化鎵的性能優(yōu)勢十分明顯——提供的有效功率可超過70%，每個單位面積的功率提升了4~6倍數(shù)，從而降低整體功耗，并且很重要的是能夠擴展至高頻率應(yīng)用。同時
2018-11-10 11:29:249762 Veeco Instruments Inc. 與 ALLOS Semiconductors GmbH 10日宣布取得又一階段的合作成果，致力于為Micro LED生產(chǎn)應(yīng)用提供業(yè)內(nèi)領(lǐng)先的硅基氮化鎵外延片產(chǎn)品技術(shù)。
2018-11-13 17:02:593997 Veeco Instruments Inc. (Nasdaq: VECO) 與 ALLOS Semiconductors GmbH 10日宣布取得又一階段的合作成果，雙方共同努力，致力于為Micro LED生產(chǎn)應(yīng)用提供業(yè)內(nèi)領(lǐng)先的硅基氮化鎵外延片產(chǎn)品技術(shù)。
2018-11-15 14:53:494130 顯示技術(shù)領(lǐng)域的眾多創(chuàng)新者都將Micro-LED作為下一個帶來巨大轉(zhuǎn)變的技術(shù)。根據(jù)研究公司Yole的說法，到2025年，Micro-LED顯示器的市場可能達到3.3億片。這種樂觀的預(yù)測得益于Micro-LED技術(shù)（邊長低于100微米）帶來的巨大潛力，它被認(rèn)為是實現(xiàn)更低功耗終極顯示器的關(guān)鍵技術(shù)。
2018-11-16 16:36:045070 在半導(dǎo)體層面上，硅基氮化鎵的主流商業(yè)化開啟了提高射頻功率密度、節(jié)省空間和提高能效的大門，其批量生產(chǎn)水平的成本結(jié)構(gòu)非常低，與LDMOS相當(dāng)，遠低于碳化硅基氮化鎵。
2018-11-24 09:36:332638 近日，北京耐威科技股份有限公司（以下簡稱“耐威科技”）發(fā)布公告稱，其控股子公司聚能晶源（青島）半導(dǎo)體材料有限公司（以下簡稱“聚能晶源”）成功研制“8英寸硅基氮化鎵（GaN-on-Si）外延晶圓”，聚
2018-12-20 14:45:207537 耐威科技表示，本次“8 英寸硅基氮化鎵（GaN-on-Si）外延晶圓”的研制成功，使得聚能晶源成為截至目前公司已知全球范圍內(nèi)領(lǐng)先的可提供具備長時可靠性的 8 英寸 GaN 外延晶圓的生產(chǎn)企業(yè)，且在
2018-12-20 15:21:176874 的產(chǎn)品采購、資料下載、技術(shù)支持等服務(wù)內(nèi)容均可由世強元件電商支持。 英諾賽科的主要產(chǎn)品包括30V-650V氮化鎵功率器件與5G射頻器件。特別值得一提的是，英諾賽科擁有全球首條8英寸硅基氮化鎵外延與芯片量產(chǎn)生產(chǎn)線，這條產(chǎn)品線的的通線投產(chǎn)，不僅填補了我國第
2019-01-16 18:16:01894 關(guān)鍵詞：硅基氮化鎵 , 功率放大器 MACOM Technology Solutions Inc. (“MACOM”) 推出全新MAMG-100227-010寬帶功率放大器 (PA) 模塊，擴展其硅
2019-02-17 12:32:01659 為了產(chǎn)生綠光，LED制造商通常將磷光體或量子點轉(zhuǎn)換材料應(yīng)用在天然藍色LED上。然后，這些材料將短波長（通常為450nm）藍光轉(zhuǎn)換為紅色或綠色波長，轉(zhuǎn)換效率通常為10-30％。
2019-04-16 16:13:113491 未來十年，氮化鎵市場規(guī)模有望突破10億美元。
2019-04-28 17:20:5114239 司擁有國際先進的德國愛思強MOCVD外延爐及外延表征設(shè)備、6英寸化合物半導(dǎo)體芯片生產(chǎn)線、晶圓在片檢測系統(tǒng)、可靠性測試系統(tǒng)和應(yīng)用開發(fā)系統(tǒng)。在電力電子領(lǐng)域，公司已實現(xiàn)6英寸650伏硅基氮化鎵外延片的量產(chǎn)，并發(fā)布了比肩世界先進水平的650伏硅基氮化鎵功率器件產(chǎn)品。
2019-08-28 15:00:3317963 目前LED產(chǎn)業(yè)大多以2英寸或4英寸的藍寶石基板為主，如能采用硅基氮化鎵技術(shù)，至少可節(jié)省75%的原料成本。據(jù)日本三墾電氣公司估計，使用硅襯底制作大尺寸藍光氮化鎵LED的制造成本將比藍寶石襯底和碳化硅襯底低90%。
2019-09-12 16:03:314714 近日，為了解決晶片尺寸不匹配的問題并應(yīng)對 microLED 生產(chǎn)產(chǎn)量方面的挑戰(zhàn)，ALLOS 應(yīng)用其獨特的應(yīng)變工程技術(shù)，展示了 200 mm 硅基氮化鎵 （GaN-on-Si） 外延片的出色一致性和可重復(fù)性。此外，公司還報告了其 300 mm 外延片的成功發(fā)展藍圖。
2020-04-08 16:53:125033 
據(jù)報道，德國硅基氮化鎵專家ALLOS Semiconductors宣布與沙特阿卜都拉國王科技大學(xué)（KAUST）研究團隊達成合作，雙方將共同研發(fā)高效硅基InGaN紅色Micro LED。
2020-07-22 14:51:48894 近年來，對 GaN 功率和 RF 器件的各種應(yīng)用越來越多廣泛，GaN 基產(chǎn)品的需求不斷增長，總部位于新加坡的 IGSS GaN Pte Ltd（IGaN）指出其公司積極開發(fā)硅 / 碳化硅基氮化鎵外延
2020-10-30 01:16:44915 此外，英諾賽科（蘇州）半導(dǎo)體有限公司副總經(jīng)理王培仁表示，按照規(guī)劃，項目開工兩年內(nèi)將建成8英寸第三代化合物半導(dǎo)體硅基氮化鎵大規(guī)模量產(chǎn)線，投產(chǎn)后三年將實現(xiàn)年產(chǎn)78萬片功率控制電路及半導(dǎo)體電力電子器件的總目標(biāo)。
2020-11-05 09:41:534981 近日，為了解決晶片尺寸不匹配的問題并應(yīng)對 microLED 生產(chǎn)產(chǎn)量方面的挑戰(zhàn)，ALLOS 應(yīng)用其獨特的應(yīng)變工程技術(shù)，展示了 200 mm 硅基氮化鎵 （GaN－on－Si） 外延片的出色一致性和可重復(fù)性
2020-12-24 10:20:302566 射頻半導(dǎo)體技術(shù)的市場格局近年發(fā)生了顯著變化,硅基氮化鎵（GaN－on－Si）技術(shù)成為接替?zhèn)鹘y(tǒng)LDMOS技術(shù)的首選技術(shù)。
2020-12-25 16:42:13826 2021中國半導(dǎo)體投資聯(lián)盟年會暨中國IC 風(fēng)云榜頒獎典禮在北京舉辦。英諾賽科（珠海）科技有限公司（簡稱：英諾賽科）榮獲2021中國IC風(fēng)云榜“年度獨角獸獎”。
2021-01-19 10:24:045220 2021年1月21日，英諾賽科科技有限公司和ASML公司達成批量購買高產(chǎn)能i-line和KrF光刻機的協(xié)議，用于制造先進的硅基氮化鎵功率器件。
2021-01-22 09:26:503015 意法半導(dǎo)體和世界排名前列的電信、工業(yè)、國防和數(shù)據(jù)中心半導(dǎo)體解決方案供應(yīng)商MACOM技術(shù)解決方案控股有限公司宣布，射頻硅基氮化鎵(RF GaN-on-SiC)原型芯片制造成功?；谶@一成果，意法半導(dǎo)體和MACOM將繼續(xù)攜手，深化合作。
2022-05-19 10:26:484238 意法半導(dǎo)體和世界排名前列的電信、工業(yè)、國防和數(shù)據(jù)中心半導(dǎo)體解決方案供應(yīng)商MACOM技術(shù)解決方案控股有限公司宣布，射頻硅基氮化鎵（RF GaN-on-Si）原型芯片制造成功。
2022-05-20 09:16:172067 據(jù)外媒報道，格芯（Globalfoundries Inc.）日前獲得3000萬美元的聯(lián)邦資金支持，用于在其位于佛蒙特州的晶圓廠開發(fā)和生產(chǎn)硅基氮化鎵（GaN-on-Si）晶圓，該工廠目前每月可生產(chǎn)超過
2022-10-21 15:33:231691 該外延片專為新能源汽車電驅(qū)系統(tǒng)開發(fā)，以適用目前更高效的800V電壓架構(gòu)。并且該外延片基于國產(chǎn)設(shè)備開發(fā)，完全自主可控。
2022-11-18 10:08:542005 氮化鎵前景怎么樣 氮化鎵產(chǎn)業(yè)概述 1、產(chǎn)業(yè)地位 隨著半導(dǎo)體化合物持續(xù)發(fā)展，相較第一代硅基半導(dǎo)體和第二代砷化鎵等半導(dǎo)體，第三代半導(dǎo)體具有高擊穿電場、高熱導(dǎo)率、高電子遷移率、高工作溫度等優(yōu)點。以SiC
2023-02-03 14:31:181408 硅基氮化鎵技術(shù)是一種將氮化鎵器件直接生長在傳統(tǒng)硅基襯底上的制造工藝。在這個過程中，由于氮化鎵薄膜直接生長在硅襯底上，可以利用現(xiàn)有硅基半導(dǎo)體制造基礎(chǔ)設(shè)施實現(xiàn)低成本、大批量的氮化鎵器件產(chǎn)品的生產(chǎn)。
2023-02-06 15:47:337273 
硅基氮化鎵作為第三代化合物半導(dǎo)體材料，主要應(yīng)用于功率器件，憑借更小體積、更高效率對傳統(tǒng)硅材料進行替代。預(yù)計中短期內(nèi)硅基氮 化鎵將在手機快充充電器市場快速滲透，長期在基站、服務(wù)器、新能源汽車等諸多場景也將具有一定的增長潛力。
2023-02-06 16:44:274965 硅基氮化鎵是一個正在走向成熟的顛覆性半導(dǎo)體技術(shù)，硅基氮化鎵技術(shù)是一種將氮化鎵器件直接生長在傳統(tǒng)硅基襯底上的制造工藝。在這個過程中，由于氮化鎵薄膜直接生長在硅襯底上，可以利用現(xiàn)有硅基半導(dǎo)體制造基礎(chǔ)設(shè)施實現(xiàn)低成本、大批量的氮化鎵器件產(chǎn)品的生產(chǎn)。
2023-02-06 16:44:264975 
氮化鎵外延片指采用外延方法，使單晶襯底上生長一層或多層氮化鎵薄膜而制成的產(chǎn)品。近年來，在國家政策支持下，我國氮化鎵外延片行業(yè)規(guī)模不斷擴大。
2023-02-06 17:14:355312 在過去幾年中，氮化鎵（GaN）在半導(dǎo)體技術(shù)中顯示出巨大的潛力，適用于各種高功率應(yīng)用。與硅基半導(dǎo)體器件相比，氮化鎵是一種物理上堅硬且穩(wěn)定的寬帶隙（WBG）半導(dǎo)體，具有快速的開關(guān)速度，更高的擊穿強度和高導(dǎo)熱性。
2023-02-09 18:04:021141 硅基氮化鎵技術(shù)是一種將氮化鎵器件直接生長在傳統(tǒng)硅基襯底上的制造工藝。在這個過程中，由于氮化鎵薄膜直接生長在硅襯底上，可以利用現(xiàn)有硅基半導(dǎo)體制造基礎(chǔ)設(shè)施實現(xiàn)低成本、大批量的氮化鎵器件產(chǎn)品的生產(chǎn)。
2023-02-10 10:43:342743 
在這種情況下，氮化鎵因其卓越的射頻性能而成為5G mMIMO無線電的領(lǐng)先大功率射頻功率放大器技術(shù)。然而，目前的實現(xiàn)方式成本過高。與硅基技術(shù)相比，氮化鎵生長在昂貴的III/V族SiC晶圓上，采用昂貴
2023-02-10 10:48:501674 
氮化鎵根據(jù)襯底不同可分為硅基氮化鎵和碳化硅基氮化鎵：碳化硅基氮化鎵射頻器件具有高導(dǎo)熱性能和大功率射頻輸出優(yōu)勢，適用于5G基站、衛(wèi)星、雷達等領(lǐng)域；硅基氮化鎵功率器件主要應(yīng)用于電力電子器件領(lǐng)域。雖然
2023-02-10 10:52:524734 
具體而言，SiC 近年來在很多領(lǐng)域都有應(yīng)用，比如工業(yè)領(lǐng)域。對于 GAN 來說，可使用場景非常廣泛。SiC 產(chǎn)品在高功率市場中有著很好的應(yīng)用，例如 IGBT 這些產(chǎn)品都有著很好的使用，應(yīng)用領(lǐng)域在不斷增長中，其主要動力來自汽車行業(yè)
2023-02-10 11:01:281099 硅基氮化鎵外延生長是在硅片上經(jīng)過各種氣體反應(yīng)在硅片上層積幾層氮化鎵外延層，為中間產(chǎn)物。氮化鎵功率器件是把特定電路所需的各種電子組件及線路，縮小并制作在極小面積上的一種電子產(chǎn)品。氮化鎵功率器件制造主要
2023-02-11 11:31:4213770 
硅基氮化鎵是一種具有較大禁帶寬度的半導(dǎo)體，屬于所謂寬禁帶半導(dǎo)體之列。
2023-02-12 13:52:271619 在半導(dǎo)體層面上，硅基氮化鎵的主流商業(yè)化為提高射頻性能敞開了大門，其中包括增加功率放大器的功率密度，以及縮小器件尺寸并最終節(jié)省系統(tǒng)空間。
2023-02-12 14:00:151261 硅基氮化鎵是第三代半導(dǎo)體化合材料，有著能量密度高、可靠性高的優(yōu)點，能夠代替很多傳統(tǒng)的硅材料，晶圓可以做得很大，晶圓的長度可以拉長至2米。 硅基氮化鎵器件具有擊穿電壓高、導(dǎo)通電阻低、開關(guān)速度快、零
2023-02-12 14:30:283191 當(dāng)前軍事與航天領(lǐng)域是氮化鎵技術(shù)最大的市場。最早就是在美國國防部的推動下，開始了氮化鎵技術(shù)的研究，慢慢地就行成了現(xiàn)在GaN器件的市場。據(jù)統(tǒng)計，軍事和航天領(lǐng)域占據(jù)了GaN器件總市場的40%，最大應(yīng)用市場
2023-02-12 16:57:22874 硅基氮化鎵作為第三代化合物半導(dǎo)體材料，主要應(yīng)用于功率器件，可有效縮小功率器件體積，提高功率器件效率，對傳統(tǒng)硅材料功率器 件進行替代。
2023-02-12 17:05:08997 硅上氮化鎵具有廣泛的未來應(yīng)用，擴展了當(dāng)前的HEMT功能，將功率水平提高到1kW以上。該技術(shù)可幫助設(shè)計人員提高工作電壓，并將頻率響應(yīng)從Ka波段推入E波段、W波段和太赫茲空間。本文由香港科技大學(xué)電子及計算機科技系的一組研究人員提出。
2023-02-12 17:20:08736 硅基氮化鎵技術(shù)是一種新型的氮化鎵外延片技術(shù)，它可以提高外延片的熱穩(wěn)定性和抗拉強度，從而提高外延片的性能。
2023-02-14 14:19:012596 硅基氮化鎵功率器件是一種新型的功率器件，它可以提高功率器件的熱穩(wěn)定性和抗拉強度，從而提高功率器件的性能。它主要用于電子、光學(xué)、電力、航空航天等領(lǐng)域。
2023-02-14 14:28:092240 硅基氮化鎵襯底是一種新型的襯底，它可以提高襯底的熱穩(wěn)定性和抗拉強度，從而提高襯底的性能。它主要用于電子、光學(xué)、電力、航空航天等領(lǐng)域。
2023-02-14 14:36:082354 硅基氮化鎵技術(shù)原理是指利用硅和氮化鎵的特性，將其結(jié)合在一起，形成一種新的復(fù)合材料，以滿足電子元件、電子器件和電子零件的制造要求。硅基氮化鎵具有良好的熱穩(wěn)定性和電磁屏蔽性，可以用于制造電子元件、電子器件和電子零件，而氮化鎵則可以提供良好的電子性能和絕緣性能。
2023-02-14 14:46:582277 硅基氮化鎵是一種新型復(fù)合材料，它是由硅和氮化鎵結(jié)合而成的，具有良好的熱穩(wěn)定性和電磁屏蔽性和抗拉強度，可以用于制造功率器件和襯底，如電子元件、電子器件和電子零件等。它具有低溫制備、低成本、低污染等優(yōu)點，可以滿足不同應(yīng)用領(lǐng)域的需求。
2023-02-14 15:14:171894 硅基氮化鎵是一種由硅和氮化鎵組成的復(fù)合材料，它具有良好的熱穩(wěn)定性和電磁屏蔽性，可以用于制造電子元件、電子器件和電子零件。此外，硅基氮化鎵還可以用于制造高精度的零件和組件，如電路板、電子控制器、電子模塊、電子接口、電子連接器等。
2023-02-14 15:26:103578 硅基氮化鎵充電器是一種利用硅基氮化鎵材料作為電池正極材料的充電器，具有高功率密度、高安全性和高可靠性等優(yōu)點。
2023-02-14 15:41:074636 硅基氮化鎵和藍寶石基氮化鎵都是氮化鎵材料，但它們之間存在一些差異。硅基氮化鎵具有良好的電子性能，可以用于制造電子元件，而藍寶石基氮化鎵具有良好的熱穩(wěn)定性，可以用于制造熱敏元件。此外，硅基氮化鎵的成本更低，而藍寶石基氮化鎵的成本更高。
2023-02-14 15:57:152751 Mojo Vision 表示，Micro LED技術(shù)為顯示器提供了關(guān)鍵性能表現(xiàn)、效率和外形優(yōu)勢，這對于擴展現(xiàn)實 (XR)、可穿戴設(shè)備、汽車、消費電子和高速通信等應(yīng)用至關(guān)重要。公司目前已克服了多個的供應(yīng)鏈和晶圓資格問題，例如晶圓彎曲和污染等，使硅基氮化鎵晶圓獲準(zhǔn)進入300mm工廠。
2023-05-25 09:40:241237 
提升硅基氮化鎵橫向功率器件可靠性的難點在于如何準(zhǔn)確測試出器件在長期高壓大電流應(yīng)力工作下的安全工作區(qū)，如何保證器件在固定失效率下的壽命。硅基氮化鎵橫向功率器件在高壓大電流場景下的“可恢復(fù)退化”與“不可恢復(fù)退化”一直以來很難區(qū)分，這給器件安全工作區(qū)的識別和壽命評估帶來了極大挑戰(zhàn)。
2023-06-08 15:37:121561 
在此方向上，青桐資本項目伙伴「量芯微半導(dǎo)體（GaNPower）」（以下簡稱「量芯微」）在全球范圍內(nèi)率先實現(xiàn)1200V 硅基GaN HEMT的商業(yè)化量產(chǎn)，并于近日與泰克科技（Tektronix Inc.）合作進行了器件測試。
2023-07-19 16:37:303301 
納微半導(dǎo)體利用橫向650V eMode硅基氮化鎵技術(shù)，創(chuàng)造了專有的AllGaN工藝設(shè)計套件（PDK），以實現(xiàn)集成氮化鎵 FET、氮化鎵驅(qū)動器，邏輯和保護功能于單芯片中。該芯片被封裝到行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)的、低
2023-09-01 14:46:041591 
GaN 技術(shù)持續(xù)為國防和電信市場提供性能和效率。目前射頻市場應(yīng)用以碳化硅基氮化鎵器件為主。雖然硅基氮化鎵（GaN-on-Si）目前不會威脅到碳化硅基氮化鎵的主導(dǎo)地位，但它的出現(xiàn)將影響供應(yīng)鏈，并可能塑造未來的電信技術(shù)。
2023-09-14 10:22:362158 
據(jù)外媒報道，格芯已獲得美國政府3500萬美元（折合人民幣約2.56億元）的資助，用于其佛蒙特州的晶圓廠開發(fā)和生產(chǎn)硅基氮化鎵（GaN-on-Si）晶圓，該工廠目前每月可生產(chǎn)超過5萬片晶圓。
2023-10-20 09:22:061110 射頻功率放大器是無線通信系統(tǒng)中的關(guān)鍵部件，其性能直接影響到無線設(shè)備的整體性能。傳統(tǒng)的射頻功率放大器主要采用三五族化合物半導(dǎo)體材料，如GaAs、InP等。然而，這些化合物半導(dǎo)體材料存在成本高、難以維護等問題，限制了射頻功率放大器的應(yīng)用范圍。
2023-10-24 15:02:391070 
2023年11月10日，溫州芯生代科技有限公司在2023世界青年科學(xué)家峰會上隆重發(fā)布了面向高電壓大電流HEMT功率器件應(yīng)用的850V Cynthus?系列硅基氮化鎵（GaN-on-Si）外延產(chǎn)品。行業(yè)客戶、知名投資機構(gòu)爭相了解合作。
2023-11-14 10:32:081630 
隨著國防部Trusted Access Program Office（TAPO）授予的35萬美元新資金，GF計劃購買額外的工具，以擴大開發(fā)和原型設(shè)計能力，更接近大規(guī)模的200毫米硅基氮化鎵半導(dǎo)體制造。
2023-11-24 16:04:141623 硅基氮化鎵（SiGaN）集成電路芯片是一種新型的半導(dǎo)體材料，具有廣闊的應(yīng)用前景。它將硅基材料與氮化鎵材料結(jié)合在一起，利用其優(yōu)勢來加速集成電路發(fā)展的速度。本文將介紹硅基氮化鎵集成電路芯片的背景、特點
2024-01-10 10:14:582335 珠海鎵未來科技有限公司是行業(yè)領(lǐng)先的高壓氮化鎵功率器件高新技術(shù)企業(yè)，致力于第三代半導(dǎo)體硅基氮化鎵 (GaN-on-Si) 研發(fā)與產(chǎn)業(yè)化。
2024-04-10 18:08:092856 
4月23日，在比利時新魯汶的愛因斯坦高科技園區(qū)，晶湛半導(dǎo)體和 Incize 達成了一份戰(zhàn)略合作備忘錄，雙方將在硅基氮化鎵外延技術(shù)的建模、仿真和測試方面進行深入的戰(zhàn)略合作。
2024-05-06 10:35:41967 
近日，全球氮化鎵(GaN)功率半導(dǎo)體領(lǐng)域的佼佼者英諾賽科(2577.HK)成功登陸港交所主板，為港股市場增添了一枚稀缺且優(yōu)質(zhì)的投資標(biāo)的。 英諾賽科作為全球首家實現(xiàn)量產(chǎn)8英吋硅基氮化鎵晶圓的公司，其在
2025-01-06 11:29:141125 近日，山東大學(xué)&華為聯(lián)合報道了應(yīng)用氟離子注入終端結(jié)構(gòu)的1200V全垂直Si基GaN溝槽MOSFET（FIT-MOS）。氟離子注入終端（FIT）區(qū)域固有的具有負性電荷成為高阻區(qū)域，天然地隔離
2025-08-26 17:11:42760 
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