Veeco 公司今日宣布和ALLOS Semiconductors （ALLOS）達成了一項戰(zhàn)略舉措，展示了200mm硅基氮化鎵晶圓用于藍/綠光micro-LED的生產(chǎn)。維易科和ALLOS合作將其
2018-02-26 10:24:10
10634 隨著氮化鎵器件性能的提高，人們對這些器件的可靠性和可用性有了更大的信心后，氮化鎵器件被用于廣闊的全新應用。
2020-11-19 14:57:094006 氮化鎵功率器件在性能、效率、能耗、尺寸等多方面比市場主流的硅功率器件均有顯著數(shù)量級的提升。例如，相比主流的硅基MOSFET、IGBT，氮化鎵功率器件的開關頻率可以高出1000倍；能量損耗可以降低50%-90%；每瓦尺寸和重量降至原先的1/4，系統(tǒng)成本可以大幅降低。
2017-08-07 06:43:0012277 (86) ，因此在正常體溫下，它會在人的手中融化。
又過了65年，氮化鎵首次被人工合成。直到20世紀60年代，制造氮化鎵單晶薄膜的技術才得以出現(xiàn)。作為一種化合物，氮化鎵的熔點超過1600℃，比硅高
2023-06-15 15:50:54
充電器6、AUKEY傲基27W氮化鎵充電器7、AUKEY傲基61W氮化鎵充電器8、AUKEY傲基65W氮化鎵充電器9、AUKEY傲基100W氮化鎵充電器10、amc 65W氮化鎵充電器11、Aohai奧海
2020-03-18 22:34:23
在所有電力電子應用中，功率密度是關鍵指標之一，這主要由更高能效和更高開關頻率驅動。隨著基于硅的技術接近其發(fā)展極限，設計工程師現(xiàn)在正尋求寬禁帶技術如氮化鎵（GaN）來提供方案。
2020-10-28 06:01:23
技術迭代。2018 年，氮化鎵技術走出實驗室，正式運用到充電器領域，讓大功率充電器迅速小型化，體積僅有傳統(tǒng)硅（Si）功率器件充電器一半大小，氮化鎵快充帶來了充電器行業(yè)變革。但作為新技術，當時氮化鎵
2022-06-14 11:11:16
是什么氮化鎵（GaN）是氮和鎵化合物，具體半導體特性，早期應用于發(fā)光二極管中，它與常用的硅屬于同一元素周期族，硬度高熔點高穩(wěn)定性強。氮化鎵材料是研制微電子器件的重要半導體材料，具有寬帶隙、高熱導率等特點，應用在充電器方面，主要是集成氮化鎵MOS管，可適配小型變壓器和高功率器件，充電效率高。二、氮化
2021-09-14 08:35:58
，引入了“氮化鎵（GaN）”的充電器和傳統(tǒng)的普通充電器有什么不一樣呢？今天我們就來聊聊。材質(zhì)不一樣是所有不同的根本
傳統(tǒng)的普通充電器，它的基礎材料是硅，硅也是電子行業(yè)內(nèi)非常重要的材料。但隨著硅的極限逐步
2025-01-15 16:41:14
氮化鎵功率半導體技術解析基于GaN的高級模塊
2021-03-09 06:33:26
氮化鎵為單開關電路準諧振反激式帶來了低電荷（低電容）、低損耗的優(yōu)勢。和傳統(tǒng)慢速的硅器件，以及分立氮化鎵的典型開關頻率（65kHz）相比，集成式氮化鎵器件提升到的 200kHz。
氮化鎵電源 IC 在
2023-06-15 15:35:02
更?。篏aNFast? 功率芯片，可實現(xiàn)比傳統(tǒng)硅器件芯片 3 倍的充電速度，其尺寸和重量只有前者的一半，并且在能量節(jié)約方面，它最高能節(jié)約 40% 的能量。
更快：氮化鎵電源 IC 的集成設計使其非常
2023-06-15 15:32:41
。氮化鎵的性能優(yōu)勢曾經(jīng)一度因高成本而被抵消。最近，氮化鎵憑借在硅基氮化鎵技術、供應鏈優(yōu)化、器件封裝技術以及制造效率方面的突出進步成功脫穎而出，成為大多數(shù)射頻應用中可替代砷化鎵和 LDMOS 的最具成本
2017-08-15 17:47:34
射頻半導體技術的市場格局近年發(fā)生了顯著變化。 數(shù)十年來，橫向擴散金屬氧化物半導體(LDMOS)技術在商業(yè)應用中的射頻半導體市場領域起主導作用。如今，這種平衡發(fā)生了轉變，硅基氮化鎵(GaN-on-Si
2018-08-17 09:49:42
。
與硅芯片相比：
1、氮化鎵芯片的功率損耗是硅基芯片的四分之一
2、尺寸為硅芯片的四分之一
3、重量是硅基芯片的四分之一
4、并且比硅基解決方案更便宜
然而，雖然 GaN 似乎是一個更好的選擇，但它
2023-08-21 17:06:18
射頻半導體技術的市場格局近年發(fā)生了顯著變化。數(shù)十年來，橫向擴散金屬氧化物半導體(LDMOS)技術在商業(yè)應用中的射頻半導體市場領域起主導作用。如今，這種平衡發(fā)生了轉變，硅基氮化鎵(GaN-on-Si)技術成為接替?zhèn)鹘y(tǒng)LDMOS技術的首選技術。
2019-09-02 07:16:34
，降低LED的光度。學術界希望把硅和氮化鎵整合在一起，但是有困難，主要困難是鎵與硅之間的大晶格失配。由于很高的缺陷密度，54%的熱膨脹系數(shù)，外延膜在降溫過程中產(chǎn)生裂紋。金屬架直接與硅襯底結束時會有化學
2014-01-24 16:08:55
功率氮化鎵電力電子器件具有更高的工作電壓、更高的開關頻率、更低的導通電阻等優(yōu)勢，并可與成本極低、技術成熟度極高的硅基半導體集成電路工藝相兼容，在新一代高效率、小尺寸的電力轉換與管理系統(tǒng)、電動機
2018-11-05 09:51:35
本帖最后由 kuailesuixing 于 2018-2-28 11:36 編輯
整合意法半導體的制造規(guī)模、供貨安全保障和電涌耐受能力與MACOM的硅上氮化鎵射頻功率技術，瞄準主流消費
2018-02-12 15:11:38
硬件和軟件套件有助加快并簡化固態(tài)射頻系統(tǒng)開發(fā)經(jīng)優(yōu)化后可供烹飪、照明、工業(yè)加熱/烘干、醫(yī)療/制藥和汽車點火系統(tǒng)的商業(yè)制造商使用系統(tǒng)設計人員能夠以LDMOS的價格充分利用硅基氮化鎵性能的優(yōu)勢在IMS現(xiàn)場
2017-08-03 10:11:14
不同，MACOM氮化鎵工藝的襯底采用硅基。硅基氮化鎵器件既具備了氮化鎵工藝能量密度高、可靠性高等優(yōu)點，又比碳化硅基氮化鎵器件在成本上更具有優(yōu)勢，采用硅來做氮化鎵襯底，與碳化硅基氮化鎵相比，硅基氮化鎵晶元尺寸
2017-09-04 15:02:41
是硅基氮化鎵技術。2017 電子設計創(chuàng)新大會展臺現(xiàn)場演示在2017年的電子設計創(chuàng)新大會上，MACOM上海無線產(chǎn)品中心設計經(jīng)理劉鑫表示，硅襯底有一些優(yōu)勢，材料便宜，散熱系數(shù)好。且MACOM在高性能射頻領域
2017-07-18 16:38:20
的設計和集成度，已經(jīng)被證明可以成為充當下一代功率半導體，其碳足跡比傳統(tǒng)的硅基器件要低10倍。據(jù)估計，如果全球采用硅芯片器件的數(shù)據(jù)中心，都升級為使用氮化鎵功率芯片器件，那全球的數(shù)據(jù)中心將減少30-40
2023-06-15 15:47:44
氮化鎵(GaN)是一種“寬禁帶”(WBG)材料。禁帶，是指電子從原子核軌道上脫離出來所需要的能量，氮化鎵的禁帶寬度為 3.4ev，是硅的 3 倍多，所以說氮化鎵擁有寬禁帶特性（WBG）。
硅的禁帶寬
2023-06-15 15:53:16
TI始終引領著提倡開發(fā)和實施全面性方法，確保在嚴苛操作環(huán)境下，GaN設備也能夠可靠地運行和具有出色的使用壽命。為此，我們用傳統(tǒng)的硅方法制作GaN的硅基，從而利用硅的內(nèi)在特性。
2019-07-31 06:19:34
eMode硅基氮化鎵技術，創(chuàng)造了專有的AllGaN?工藝設計套件（PDK），以實現(xiàn)集成氮化鎵 FET、氮化鎵驅動器，邏輯和保護功能于單芯片中。該芯片被封裝到行業(yè)標準的、低寄生電感、低成本的 5×6mm 或
2023-06-15 14:17:56
通過SMT封裝，GaNFast? 氮化鎵功率芯片實現(xiàn)氮化鎵器件、驅動、控制和保護集成。這些GaNFast?功率芯片是一種易于使用的“數(shù)字輸入、電源輸出” (digital in, power out
2023-06-15 16:03:16
氮化鎵南征北戰(zhàn)縱橫半導體市場多年，無論是吊打碳化硅，還是PK砷化鎵。氮化鎵憑借其禁帶寬度大、擊穿電壓高、熱導率大、電子飽和漂移速度高、抗輻射能力強和良好的化學穩(wěn)定性等優(yōu)越性質(zhì)，確立了其在制備寬波譜
2019-07-31 06:53:03
的 3 倍多，所以說氮化鎵擁有寬禁帶特性（WBG）。
禁帶寬度決定了一種材料所能承受的電場。氮化鎵比傳統(tǒng)硅材料更大的禁帶寬度，使它具有非常細窄的耗盡區(qū)，從而可以開發(fā)出載流子濃度非常高的器件結構。由于氮化
2023-06-15 15:41:16
幾十倍、甚至上百倍的數(shù)量增加，因此成本的控制非常關鍵，而硅基氮化鎵在成本上具有巨大的優(yōu)勢，隨著硅基氮化鎵技術的成熟，它能以最大的性價比優(yōu)勢取得市場的突破。[color=rgb(51, 51, 51
2019-07-08 04:20:32
組件連手改變電力電子產(chǎn)業(yè)原本由硅組件主導的格局。氮化鎵材料具有低Qg、Qoss與零Qrr的特性，能為高頻電源設計帶來效率提升、體積縮小與提升功率密度的優(yōu)勢，因此在服務器、通訊電源及便攜設備充電器等領域
2021-09-23 15:02:11
性能要優(yōu)于硅MOSFET，因為在同等導通電阻的情況下，氮化鎵 (GaN) 晶體管的終端電容較低，并避免了體二極管所導致的反向恢復損耗。正是由于這些特性，GaN FET可以實現(xiàn)更高的開關頻率，從而在保持
2022-11-16 06:23:29
如何設計GaN氮化鎵 PD充電器產(chǎn)品？
2021-06-15 06:30:55
OPPO公司分享了這一應用的優(yōu)勢，一顆氮化鎵可以代替兩顆硅MOS，體積更小、更節(jié)省空間，且阻抗比單顆硅MOS更低，可降低在此路徑上的熱量消耗，降低充電溫升，提升充電的恒流持續(xù)時間。不僅如此，氮化鎵有
2023-02-21 16:13:41
功率/高頻射頻晶體管和發(fā)光二極管。2010年，第一款增強型氮化鎵晶體管普遍可用，旨在取代硅功率MOSFET。之后隨即推出氮化鎵功率集成電路- 將GaN FET、氮化鎵基驅動電路和電路保護集成為單個器件
2023-06-25 14:17:47
氮化鎵GaN是什么？
2021-06-16 08:03:56
，是氮化鎵功率芯片發(fā)展的關鍵人物。
首席技術官 Dan Kinzer在他長達 30 年的職業(yè)生涯中，長期擔任副總裁及更高級別的管理職位，并領導研發(fā)工作。他在硅、碳化硅（SiC）和氮化鎵（GaN）功率芯片方面
2023-06-15 15:28:08
NPT2020PT2020 是一款 48 V 硅基氮化鎵晶體管，工作頻率為 DC 至 3.5 GHz，功率為 50 W，增益為 17 dB。它采用陶瓷封裝，面向軍事和大批量商業(yè)市場。
2023-04-14 15:39:35
氮化鎵外延片產(chǎn)品技術。兩家公司最近合作的宗旨是，在為全球范圍內(nèi)多家杰出的消費類電子產(chǎn)品公司生產(chǎn)外延片的同時，展示ALLOS 200 mm硅基氮化鎵外延片產(chǎn)品技術在Veeco Propel? MOCVD反應器上的可復制性。
2018-11-10 10:18:181790 與傳統(tǒng)的金屬氧化物（LDMOS）半導體相比，硅基氮化鎵的性能優(yōu)勢十分明顯——提供的有效功率可超過70%，每個單位面積的功率提升了4~6倍數(shù)，從而降低整體功耗，并且很重要的是能夠擴展至高頻率應用。同時
2018-11-10 11:29:249762 Veeco Instruments Inc. (Nasdaq: VECO) 與 ALLOS Semiconductors GmbH 10日宣布取得又一階段的合作成果，雙方共同努力，致力于為Micro LED生產(chǎn)應用提供業(yè)內(nèi)領先的硅基氮化鎵外延片產(chǎn)品技術。
2018-11-15 14:53:494130 關鍵詞：硅基氮化鎵 , 功率放大器 MACOM Technology Solutions Inc. (“MACOM”) 推出全新MAMG-100227-010寬帶功率放大器 (PA) 模塊，擴展其硅
2019-02-17 12:32:01659 近日，為了解決晶片尺寸不匹配的問題并應對 microLED 生產(chǎn)產(chǎn)量方面的挑戰(zhàn)，ALLOS 應用其獨特的應變工程技術，展示了 200 mm 硅基氮化鎵 （GaN－on－Si） 外延片的出色一致性和可重復性
2020-12-24 10:20:302566 意法半導體和世界排名前列的電信、工業(yè)、國防和數(shù)據(jù)中心半導體解決方案供應商MACOM技術解決方案控股有限公司宣布，射頻硅基氮化鎵（RF GaN-on-Si）原型芯片制造成功。
2022-05-20 09:16:172067 芯采購設備并開始在8英寸產(chǎn)線實現(xiàn)硅基氮化鎵量產(chǎn)。與傳統(tǒng)GaN-on-SiC等技術路線相比，硅基氮化鎵選用的襯底成本與可及性有顯著優(yōu)勢，GaN外延生長缺陷也顯著降低。
2022-10-21 15:33:231691 氮化鎵（GaN）是一種非常堅硬、機械穩(wěn)定的寬帶隙半導體?；贕aN的功率器件具有更高的擊穿強度、更快的開關速度、更高的導熱性和更低的導通電阻，其性能明顯優(yōu)于硅基器件。氮化鎵晶體可以在各種襯底上生長
2022-12-09 09:54:062352 氮化鎵（GaN）是一種非常堅硬且在機械方面非常穩(wěn)定的寬帶隙半導體材料。由于具有更高的擊穿強度、更快的開關，更高的熱導率和更低的導通電阻，氮化鎵基功率器件明顯比硅基器件更優(yōu)越。
2023-02-02 17:23:014677 什么是氮化鎵技術 氮化鎵（GaN：Gallium Nitride）是氮和鎵化合物，具體半導體特性，早期應用于發(fā)光二極管中，它與常用的硅屬于同一元素周期族，硬度高熔點高穩(wěn)定性強。氮化鎵材料是研制微電子
2023-02-03 14:14:454119 和GaN為代表物質(zhì)制作的器件具有更大的輸出功率和更好的頻率特性。 2、分類狀況 氮化鎵根據(jù)襯底不同可分為硅基氮化鎵和碳化硅基氮化鎵：碳化硅基氮化鎵射頻器件具有高導熱性能和大功率射頻輸出優(yōu)勢，適用于5G基站、衛(wèi)星、雷達等領域；硅
2023-02-03 14:31:181408 氮化鎵是目前全球最快功率開關器件之一，氮化鎵本身是第三代的半導體材料，許多特性都比傳統(tǒng)硅基半導體更強。
2023-02-05 12:48:1527982 生長在c面生長表面上的c面氮化鎵基半導體層由于自發(fā)極化和壓電極化而產(chǎn)生內(nèi)電場，這降低了輻射復合率。為了防止這樣的極化現(xiàn)象，正在進行對非極性或半極性氮化鎵基半導體層的研究。
2023-02-05 14:23:454374 
硅基氮化鎵技術是一種將氮化鎵器件直接生長在傳統(tǒng)硅基襯底上的制造工藝。在這個過程中，由于氮化鎵薄膜直接生長在硅襯底上，可以利用現(xiàn)有硅基半導體制造基礎設施實現(xiàn)低成本、大批量的氮化鎵器件產(chǎn)品的生產(chǎn)。
2023-02-06 15:47:337273 
硅基氮化鎵作為第三代化合物半導體材料，主要應用于功率器件，憑借更小體積、更高效率對傳統(tǒng)硅材料進行替代。預計中短期內(nèi)硅基氮 化鎵將在手機快充充電器市場快速滲透，長期在基站、服務器、新能源汽車等諸多場景也將具有一定的增長潛力。
2023-02-06 16:44:274965 硅基氮化鎵是一個正在走向成熟的顛覆性半導體技術，硅基氮化鎵技術是一種將氮化鎵器件直接生長在傳統(tǒng)硅基襯底上的制造工藝。在這個過程中，由于氮化鎵薄膜直接生長在硅襯底上，可以利用現(xiàn)有硅基半導體制造基礎設施實現(xiàn)低成本、大批量的氮化鎵器件產(chǎn)品的生產(chǎn)。
2023-02-06 16:44:264975 
氮化鎵外延片指采用外延方法，使單晶襯底上生長一層或多層氮化鎵薄膜而制成的產(chǎn)品。近年來，在國家政策支持下，我國氮化鎵外延片行業(yè)規(guī)模不斷擴大。
2023-02-06 17:14:355312 在過去幾年中，氮化鎵（GaN）在半導體技術中顯示出巨大的潛力，適用于各種高功率應用。與硅基半導體器件相比，氮化鎵是一種物理上堅硬且穩(wěn)定的寬帶隙（WBG）半導體，具有快速的開關速度，更高的擊穿強度和高導熱性。
2023-02-09 18:04:021141 硅基氮化鎵技術是一種將氮化鎵器件直接生長在傳統(tǒng)硅基襯底上的制造工藝。在這個過程中，由于氮化鎵薄膜直接生長在硅襯底上，可以利用現(xiàn)有硅基半導體制造基礎設施實現(xiàn)低成本、大批量的氮化鎵器件產(chǎn)品的生產(chǎn)。
2023-02-10 10:43:342743 
在這種情況下，氮化鎵因其卓越的射頻性能而成為5G mMIMO無線電的領先大功率射頻功率放大器技術。然而，目前的實現(xiàn)方式成本過高。與硅基技術相比，氮化鎵生長在昂貴的III/V族SiC晶圓上，采用昂貴
2023-02-10 10:48:501674 
氮化鎵根據(jù)襯底不同可分為硅基氮化鎵和碳化硅基氮化鎵：碳化硅基氮化鎵射頻器件具有高導熱性能和大功率射頻輸出優(yōu)勢，適用于5G基站、衛(wèi)星、雷達等領域；硅基氮化鎵功率器件主要應用于電力電子器件領域。雖然
2023-02-10 10:52:524734 
硅基氮化鎵外延生長是在硅片上經(jīng)過各種氣體反應在硅片上層積幾層氮化鎵外延層，為中間產(chǎn)物。氮化鎵功率器件是把特定電路所需的各種電子組件及線路，縮小并制作在極小面積上的一種電子產(chǎn)品。氮化鎵功率器件制造主要
2023-02-11 11:31:4213770 
在半導體層面上，硅基氮化鎵的主流商業(yè)化為提高射頻性能敞開了大門，其中包括增加功率放大器的功率密度，以及縮小器件尺寸并最終節(jié)省系統(tǒng)空間。
2023-02-12 14:00:151261 硅基氮化鎵是第三代半導體化合材料，有著能量密度高、可靠性高的優(yōu)點，能夠代替很多傳統(tǒng)的硅材料，晶圓可以做得很大，晶圓的長度可以拉長至2米。 硅基氮化鎵器件具有擊穿電壓高、導通電阻低、開關速度快、零
2023-02-12 14:30:283191 當前軍事與航天領域是氮化鎵技術最大的市場。最早就是在美國國防部的推動下，開始了氮化鎵技術的研究，慢慢地就行成了現(xiàn)在GaN器件的市場。據(jù)統(tǒng)計，軍事和航天領域占據(jù)了GaN器件總市場的40%，最大應用市場
2023-02-12 16:57:22874 硅基氮化鎵作為第三代化合物半導體材料，主要應用于功率器件，可有效縮小功率器件體積，提高功率器件效率，對傳統(tǒng)硅材料功率器 件進行替代。
2023-02-12 17:05:08997 硅上氮化鎵具有廣泛的未來應用，擴展了當前的HEMT功能，將功率水平提高到1kW以上。該技術可幫助設計人員提高工作電壓，并將頻率響應從Ka波段推入E波段、W波段和太赫茲空間。本文由香港科技大學電子及計算機科技系的一組研究人員提出。
2023-02-12 17:20:08736 硅基氮化鎵（GaN-on-silicon）LED始終備受世人的關注。在最近十年的初期，當 Bridgelux（普瑞光電）公司宣布該技術可減低 LED 照明的成本時，它一舉成為了頭條新聞。LED 芯片
2023-02-12 17:28:001624 硅基氮化鎵技術是一種新型的氮化鎵外延片技術，它可以提高外延片的熱穩(wěn)定性和抗拉強度，從而提高外延片的性能。
2023-02-14 14:19:012596 硅基氮化鎵功率器件是一種新型的功率器件，它可以提高功率器件的熱穩(wěn)定性和抗拉強度，從而提高功率器件的性能。它主要用于電子、光學、電力、航空航天等領域。
2023-02-14 14:28:092240 硅基氮化鎵襯底是一種新型的襯底，它可以提高襯底的熱穩(wěn)定性和抗拉強度，從而提高襯底的性能。它主要用于電子、光學、電力、航空航天等領域。
2023-02-14 14:36:082354 硅基氮化鎵技術原理是指利用硅和氮化鎵的特性，將其結合在一起，形成一種新的復合材料，以滿足電子元件、電子器件和電子零件的制造要求。硅基氮化鎵具有良好的熱穩(wěn)定性和電磁屏蔽性，可以用于制造電子元件、電子器件和電子零件，而氮化鎵則可以提供良好的電子性能和絕緣性能。
2023-02-14 14:46:582277 硅基氮化鎵是一種新型復合材料，它是由硅和氮化鎵結合而成的，具有良好的熱穩(wěn)定性和電磁屏蔽性和抗拉強度，可以用于制造功率器件和襯底，如電子元件、電子器件和電子零件等。它具有低溫制備、低成本、低污染等優(yōu)點，可以滿足不同應用領域的需求。
2023-02-14 15:14:171894 硅基氮化鎵是一種由硅和氮化鎵組成的復合材料，它具有良好的熱穩(wěn)定性和電磁屏蔽性，可以用于制造電子元件、電子器件和電子零件。此外，硅基氮化鎵還可以用于制造高精度的零件和組件，如電路板、電子控制器、電子模塊、電子接口、電子連接器等。
2023-02-14 15:26:103578 硅基氮化鎵充電器是一種利用硅基氮化鎵材料作為電池正極材料的充電器，具有高功率密度、高安全性和高可靠性等優(yōu)點。
2023-02-14 15:41:074636 硅基氮化鎵和藍寶石基氮化鎵都是氮化鎵材料，但它們之間存在一些差異。硅基氮化鎵具有良好的電子性能，可以用于制造電子元件，而藍寶石基氮化鎵具有良好的熱穩(wěn)定性，可以用于制造熱敏元件。此外，硅基氮化鎵的成本更低，而藍寶石基氮化鎵的成本更高。
2023-02-14 15:57:152751 氮化鎵屬于第三代半導體材料，相對硅而言，氮化鎵間隙更寬，導電性更好，將普通充電器替換為氮化鎵充電器，充電的效率更高。
2023-02-14 17:35:509676 氮化鎵（GaN）是一種非常堅硬且在機械方面非常穩(wěn)定的寬帶隙半導體材料。由于具有更高的擊穿強度、更快的開關速度，更高的熱導率和更低的導通電
阻，氮化鎵基功率器件明顯比硅基器件更優(yōu)越。
氮化鎵晶體
2023-02-15 16:19:06
0 氮化鎵（GaN）是一種具有半導體特性的化合物，是由氮和鎵組成的一種寬禁帶半導體材料，與碳化硅（SiC）并稱為第三代半導體材料的雙雄。GaN具有更寬的“帶隙（band-gap）”，因此與硅基電子產(chǎn)品相比具有許多優(yōu)勢。
2023-02-15 17:52:352111 研究采用電感耦合等離子體刻
蝕法對氮化鎵基發(fā)光二極管結構進行干法刻蝕，刻蝕氣體為氯氣，添加氣體為三氯化硼。研究了刻蝕氣體流量、電感耦合等離
子體功率、射頻功率和室壓等關鍵工藝參數(shù)對氮化鎵基發(fā)光二極管結構刻蝕性
2023-02-22 15:45:411 氮化鎵用途有哪些 氮化鎵是一種半導體材料，具有優(yōu)良的電學和光學性質(zhì)，因此廣泛用于以下領域： 1. 發(fā)光二極管(LED)：氮化鎵是LED的主要工藝材料之一，可用于制造藍、綠、白光LED，廣泛應用于照明
2023-06-02 15:34:4613933 提升硅基氮化鎵橫向功率器件可靠性的難點在于如何準確測試出器件在長期高壓大電流應力工作下的安全工作區(qū)，如何保證器件在固定失效率下的壽命。硅基氮化鎵橫向功率器件在高壓大電流場景下的“可恢復退化”與“不可恢復退化”一直以來很難區(qū)分，這給器件安全工作區(qū)的識別和壽命評估帶來了極大挑戰(zhàn)。
2023-06-08 15:37:121561 
相對于傳統(tǒng)的硅材料，氮化鎵電源在高功率工作時產(chǎn)生的熱量較少，因為氮化鎵具有較低的電阻和較高的熱導率。這意味著在相同功率輸出下，氮化鎵電源相對于傳統(tǒng)的硅電源會產(chǎn)生較少的熱量。
2023-07-31 15:16:2310672 納微半導體利用橫向650V eMode硅基氮化鎵技術，創(chuàng)造了專有的AllGaN工藝設計套件（PDK），以實現(xiàn)集成氮化鎵 FET、氮化鎵驅動器，邏輯和保護功能于單芯片中。該芯片被封裝到行業(yè)標準的、低
2023-09-01 14:46:041591 
氮化鎵芯片是目前世界上速度最快的電源開關器件之一。氮化鎵本身就是第三代材料，很多特性都強于傳統(tǒng)的硅基半導體。
2023-09-11 17:17:534150 GaN 技術持續(xù)為國防和電信市場提供性能和效率。目前射頻市場應用以碳化硅基氮化鎵器件為主。雖然硅基氮化鎵（GaN-on-Si）目前不會威脅到碳化硅基氮化鎵的主導地位，但它的出現(xiàn)將影響供應鏈，并可能塑造未來的電信技術。
2023-09-14 10:22:362158 
與等效硅基解決方案相比，氮化鎵基HEMT的開關更快、熱導率更高和導通電阻更低，因此在電路中采用氮化鎵晶體管和集成電路，可提高效率、縮小尺寸并降低各種電源轉換系統(tǒng)的成本。
2023-09-14 12:49:31580 氮化鎵功率器件與硅基功率器件的特性不同本質(zhì)是外延結構的不同，本文通過深入對比氮化鎵HEMT與硅基MOS管的外延結構
2023-09-19 14:50:3410640 
導率以及較高的抗電擊穿能力。相比于傳統(tǒng)的硅基充電器，氮化鎵充電器具有許多優(yōu)點。 首先，氮化鎵充電器具有更高的功率密度。GaN材料具有較高的電子遷移率，能夠更高效地傳導電流。因此，使用氮化鎵充電器可以在相同尺寸的設備中傳輸
2023-11-21 16:15:247003 氮化鎵芯片是什么？氮化鎵芯片優(yōu)缺點 氮化鎵芯片和硅芯片區(qū)別? 氮化鎵芯片是一種用氮化鎵物質(zhì)制造的芯片，它被廣泛應用于高功率和高頻率應用領域，如通信、雷達、衛(wèi)星通信、微波射頻等領域。與傳統(tǒng)的硅芯片相比
2023-11-21 16:15:3011008 、電子設備領域： 1.1 功率放大器：氮化鎵技術在功率放大器的應用中具有重要的意義。相比傳統(tǒng)的硅基功率放大器，氮化鎵功率放大器具有更高的功率密度、更高的效率和更寬的頻率范圍。因此，它們廣泛用于射頻通信、雷達、無線電和太赫
2024-01-09 18:06:363961 對目前市場上的幾種主要氮化鎵芯片進行比較分析，幫助讀者了解不同型號芯片的特點和適用場景。 一、氮化鎵芯片的基本原理 氮化鎵（GaN）是一種硅基半導體材料，具有較高的載流子遷移率和較大的擊穿電場強度，使其具備優(yōu)秀的高
2024-01-10 09:25:573841 應用領域具有很大的潛力。 以下是一些常見的氮化鎵MOS管型號： EPC2001：EPC2001是一種高性能非晶硅氮化鎵MOS管，具有低導通電阻、高開關速度和優(yōu)秀的熱特性。它適用于電源轉換器、鋰電池充電器和無線充電應用等領域。 EPC601：EPC601是一種低電阻非晶硅氮化鎵
2024-01-10 09:32:154274 氮化鎵作為材料，而硅芯片則采用硅作為材料。氮化鎵具有優(yōu)秀的物理特性，包括較高的電子與空穴遷移率、較高的飽和電子漂移速度和較高的擊穿電壓等，這些特性使得氮化鎵芯片在高功率、高頻率和高溫環(huán)境下表現(xiàn)出較好的性能。
2024-01-10 10:08:143855 硅基氮化鎵（SiGaN）集成電路芯片是一種新型的半導體材料，具有廣闊的應用前景。它將硅基材料與氮化鎵材料結合在一起，利用其優(yōu)勢來加速集成電路發(fā)展的速度。本文將介紹硅基氮化鎵集成電路芯片的背景、特點
2024-01-10 10:14:582335 4月23日，在比利時新魯汶的愛因斯坦高科技園區(qū)，晶湛半導體和 Incize 達成了一份戰(zhàn)略合作備忘錄，雙方將在硅基氮化鎵外延技術的建模、仿真和測試方面進行深入的戰(zhàn)略合作。
2024-05-06 10:35:41967 
什么是氮化鎵（GaN）充電頭？氮化鎵充電頭是一種采用氮化鎵（GalliumNitride,GaN）半導體材料制造的新型電源適配器。相比傳統(tǒng)硅基（Si）充電器，GaN材料憑借其物理特性顯著提升了功率
2025-02-26 04:26:491184 
什么是氮化鎵（GaN）充電頭？氮化鎵充電頭是一種采用氮化鎵（GalliumNitride,GaN）半導體材料制造的新型電源適配器。相比傳統(tǒng)硅基（Si）充電器，GaN材料憑借其物理特性顯著提升了功率
2025-02-27 07:20:334534 中的性能差異源于材料物理特性，具體優(yōu)劣勢如下： 1. GaN（氮化鎵）功放芯片 優(yōu)勢： 功率密度高：GaN 的擊穿電場強度（3.3 MV/cm）是硅的 10 倍以上，相同面積下可承受更高電壓（600V+）和電流，功率密度可達硅基的 3-5 倍（如 100W 功率下，GaN 芯片體積僅為硅基的 1/3）。 高
2025-11-14 11:23:573106
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