瑞薩電子宣布開發(fā)出了導(dǎo)通電阻僅為150mΩ（柵源間電壓為10V時(shí)的標(biāo)稱值）的600V耐壓超結(jié)（SJ：Super Junction）型功率MOSFET“RJL60S5系列”，將從2012年9月開始樣品供貨。超結(jié)是可在不犧牲耐壓
2012-06-26 11:01:02
1660 更高密度的低功率SMPS設(shè)計(jì)需要越來越多的高壓MOSFET器件。英飛凌科技股份公司（FSE： IFX / OTCQX： IFNNY）推出CoolMOS? P7系列的新成員950 V CoolMOS P7超結(jié)MOSFET器件。
2018-08-27 14:15:536744 作者：Sanjay Havanur，Vishay Siliconix公司 自從30多年前首次推出以來，MOSFET已經(jīng)成為高頻開關(guān)電源轉(zhuǎn)換的主流。該技術(shù)一直在穩(wěn)步改進(jìn)，目前我們已經(jīng)擁有了對(duì)于毫歐姆
2021-01-26 15:47:306675 
本文簡(jiǎn)述功率在轉(zhuǎn)換器電路中的轉(zhuǎn)換傳輸過程，針對(duì)開關(guān)器件MOSFET在導(dǎo)通和關(guān)斷瞬間，產(chǎn)生電壓和電流尖峰的問題，進(jìn)而產(chǎn)生電磁干擾現(xiàn)象，通過對(duì)比傳統(tǒng)平面MOSFET與超結(jié)MOSFET的結(jié)構(gòu)和參數(shù)，尋找使用超結(jié)MOSFET產(chǎn)生更差電磁干擾的原因，進(jìn)行分析和改善。
2023-08-29 14:14:251322 
“超結(jié)”技術(shù)憑借其優(yōu)異的性能指標(biāo)，長(zhǎng)期主導(dǎo)著耐壓超過600V的功率MOSFET市場(chǎng)。本文闡述了工程師在應(yīng)用超結(jié)功率器件時(shí)需關(guān)注的關(guān)鍵問題，并提出了一種優(yōu)化解決方案，可顯著提升電源應(yīng)用的效率、功率密度及可靠性。
2025-09-11 16:21:5144476 
Limited?（AOS,?納斯達(dá)克代碼:AOSL)推出 600V aMOS7? 超結(jié)高壓MOSFET。 aMOS7? 是 AOS最新一代高壓 MOSFET平臺(tái)，旨在滿足服務(wù)器、工作站、通信電源整流器
2023-05-11 13:52:151402 
超結(jié)MOSFET（Super-Junction MOSFET，簡(jiǎn)稱SJ-MOS）是一種在高壓功率半導(dǎo)體領(lǐng)域中突破傳統(tǒng)性能限制的關(guān)鍵器件。它通過在器件結(jié)構(gòu)中引入交替分布的P型與N型柱區(qū)，實(shí)現(xiàn)了在高耐壓下仍保持低導(dǎo)通電阻的特性，顯著提升了功率轉(zhuǎn)換效率與功率密度。
2026-01-04 15:01:461622 
BASiC基本半導(dǎo)體40mR/650V SiC 碳化硅MOSFET，替代30mR 超結(jié)MOSFET或者20-30mR的GaN!
BASiC基本半導(dǎo)體40mR/650V SiC 碳化硅MOSFET
2025-01-22 10:43:28
SJ MOSFET是一種先進(jìn)的高壓技術(shù)功率MOSFET，根據(jù)superP&S的結(jié)原理。提供的設(shè)備提供快速切換和低導(dǎo)通電阻的所有優(yōu)點(diǎn)，使其特別適用于需要更高效、更緊湊的LED照明，
高性能適配器等。
2023-09-15 08:19:34
SJ MOSFET是一種先進(jìn)的高壓技術(shù)功率MOSFET，根據(jù)superP&S的結(jié)原理。提供的設(shè)備提供快速切換和低導(dǎo)通電阻的所有優(yōu)點(diǎn)，使其特別適用于需要更高效、更緊湊的LED照明，
高性能適配器等。
2023-09-15 06:19:23
SJ MOSFET是一種先進(jìn)的高電壓功率MOSFET，根據(jù)P&S的超結(jié)原理。報(bào)價(jià)設(shè)備提供了快速切換的所有好處并且導(dǎo)通電阻低，使其特別適用于需要更多高效，更緊湊，LED照明，高
性能適配器等。
2023-09-15 08:16:02
稱MOS管。是一種可以廣泛使用在模擬電路與數(shù)字電路的場(chǎng)效晶體管。MOSFET最早出現(xiàn)在大概上世紀(jì)60年代，首先出現(xiàn)在模擬電路的應(yīng)用。功率MOSFET在上世紀(jì)80年代開始興起，在如今已成為半導(dǎo)體領(lǐng)域
2023-02-21 15:53:05
mosfet里的jte結(jié)終端拓展是什么意思？
2017-12-05 10:03:10
電路內(nèi)，意法半導(dǎo)體最新超結(jié)MOSFET與IGBT技術(shù)能效比較 圖1: 垂直布局結(jié)構(gòu) 4 功率損耗比較 在典型工作溫度 Tj = 100 °C范圍內(nèi)，我們從動(dòng)靜態(tài)角度對(duì)兩款器件進(jìn)行了比較分析。在
2018-11-20 10:52:44
=oxh_wx3、【周啟全老師】開關(guān)電源全集http://t.elecfans.com/topic/130.html?elecfans_trackid=oxh_wx 超結(jié)功率MOSFET技術(shù)白皮書資料來自網(wǎng)絡(luò)
2019-06-26 20:37:17
作為一款強(qiáng)大的多物理場(chǎng)仿真軟件，為超材料和超表面的研究提供了強(qiáng)大的仿真工具。本文將重點(diǎn)介紹COMSOL Multiphysics在周期性超表面透射反射分析中的應(yīng)用，以期為相關(guān)領(lǐng)域的研究提供
2024-02-20 09:20:23
LED光源的性能優(yōu)勢(shì)有哪些？石油化工領(lǐng)域對(duì)LED防爆燈具的應(yīng)用狀況分析阻礙LED燈具在石油化工行業(yè)全面應(yīng)用的因素分析
2021-04-13 06:03:35
的結(jié)溫是影響各項(xiàng)性能指標(biāo)的主要因素，也是嚴(yán)重影響LED光衰和使用壽命的關(guān)鍵因素，這些參數(shù)對(duì)普通照明而言都是極其重要的照明質(zhì)量評(píng)價(jià)指標(biāo)，這已經(jīng)在照明業(yè)界達(dá)成共識(shí)。把LED燈條密閉在充有混合氣體的玻璃球泡
2018-03-19 09:14:39
LED照明方案迅速發(fā)展的一個(gè)重要原因是LED本身價(jià)格的下降。因此，安裝人員和消費(fèi)者不僅僅希望LED電源可以在更小的空間內(nèi)實(shí)現(xiàn)更優(yōu)的性能，也期待看到類似的價(jià)格下調(diào) （這意味著設(shè)計(jì)人員需要減少元件
2020-10-30 07:06:12
基于超級(jí)結(jié)技術(shù)的功率MOSFET已成為高壓開關(guān)轉(zhuǎn)換器領(lǐng)域的業(yè)界規(guī)范。它們提供更低的RDS(on)，同時(shí)具有更少的柵極和和輸出電荷，這有助于在任意給定頻率下保持更高的效率。在超級(jí)結(jié)MOSFET出現(xiàn)之前
2017-08-09 17:45:55
晶圓工藝:
采用2.5代深槽（ Deep-Trench ）超結(jié)工藝 ，更少的光罩層數(shù)，生產(chǎn)周期更短，更具成本優(yōu)勢(shì)
低內(nèi)阻:
特殊的超結(jié)結(jié)構(gòu)讓高壓超結(jié)MOS內(nèi)阻在同樣面積情況下降低到VDMOS的1
2025-12-02 08:02:07
本文重點(diǎn)介紹為電源用高壓超結(jié)MOSFET增加晶圓級(jí)可配置性的新方法?，F(xiàn)在有一種為高壓超結(jié)MOSFET增加晶圓級(jí)可配置性的新方法，以幫助解決電源電路問題。MOSFET 在壓擺率、閾值電壓、導(dǎo)通電
2023-02-27 10:02:15
測(cè)量和校核開關(guān)電源、電機(jī)驅(qū)動(dòng)以及一些電力電子變換器的功率器件結(jié)溫，如 MOSFET 或 IGBT 的結(jié)溫，是一個(gè)不可或缺的過程，功率器件的結(jié)溫與其安全性、可靠性直接相關(guān)。測(cè)量功率器件的結(jié)溫常用二種方法：
2021-03-11 07:53:26
我的電源輸入在10-24V之間，我想采用MOS管來設(shè)計(jì)防止電源反結(jié)，請(qǐng)問該怎么設(shè)計(jì)呢？
2020-05-20 04:37:33
芯源MOSFET采用超級(jí)結(jié)技術(shù)，主要有以下幾種應(yīng)用：
1）電腦、服務(wù)器的電源--更低的功率損耗；
2）適配器（筆記本電腦、打印機(jī)等）--更輕、更便捷。
3）照明（HID燈、工業(yè)照明、道路照明等）--更高的功率轉(zhuǎn)換效率；
4）消費(fèi)類電子產(chǎn)品（液晶電視、等離子電視等）--更輕、更薄、更高能效。
2025-12-12 06:29:10
晶圓工藝:采用2.5代深槽（ Deep-Trench ）超結(jié)工藝 ，更少的光罩層數(shù)，生產(chǎn)周期更短，更具成本優(yōu)勢(shì)
低內(nèi)阻:特殊的超結(jié)結(jié)構(gòu)讓高壓超結(jié)MOS內(nèi)阻在同樣面積情況下降低到VDMOS的1
2025-11-28 07:35:59
晶圓工藝: 采用2.5代深槽（ Deep-Trench ）超結(jié)工藝，更少的光罩層數(shù)，生產(chǎn)周期更短，更具成本優(yōu)勢(shì)
低內(nèi)阻：特殊的超結(jié)結(jié)構(gòu)讓高壓超結(jié)MO S內(nèi)阻在同樣面積情況下降低到VDMOS的1
2025-12-29 07:54:43
廣，不管是在居民區(qū)、商業(yè)區(qū)或是高速公路服務(wù)區(qū)，都能使用充電樁為新能源電動(dòng)汽車便捷充電。安森德憑借在半導(dǎo)體功率器件和封裝領(lǐng)域的技術(shù)積累，研發(fā)出同類別性能優(yōu)異的超級(jí)結(jié)MOSFET，具備更高性能、能效和更低
2023-06-13 16:30:37
我的電源輸入在10-24V之間，我想采用MOS管來設(shè)計(jì)防止電源反結(jié)，請(qǐng)問該怎么設(shè)計(jì)呢？
2016-08-03 14:52:19
MOSFET和超級(jí)結(jié)MOSFET。簡(jiǎn)而言之，就是在功率晶體管的范圍，為超越平面結(jié)構(gòu)的極限而開發(fā)的就是超級(jí)結(jié)結(jié)構(gòu)。如下圖所示，平面結(jié)構(gòu)是平面性地構(gòu)成晶體管。這種結(jié)構(gòu)當(dāng)耐壓提高時(shí)，漂移層會(huì)增厚，存在導(dǎo)通電阻增加
2018-11-28 14:28:53
等級(jí)，同時(shí)，在器件導(dǎo)通時(shí)，形成一個(gè)高摻雜N+區(qū)，作為功率MOSFET導(dǎo)通時(shí)的電流通路，也就是將反向阻斷電壓與導(dǎo)通電阻功能分開，分別設(shè)計(jì)在不同的區(qū)域，就可以實(shí)現(xiàn)上述的要求?；?b class="flag-6" style="color: red">超結(jié)
2018-10-17 16:43:26
摘 要： 對(duì)超結(jié)理論的產(chǎn)生背景及其發(fā)展過程進(jìn)行了介紹。以應(yīng)用超結(jié)理論的COOLMOSTM 器件為例，介紹了超結(jié)器件的工作原理、存在的缺點(diǎn)以及提出的改進(jìn)方法；并對(duì)其他基于超結(jié)
2008-11-14 15:32:10
0 超結(jié)理論的產(chǎn)生與發(fā)展及其對(duì)高壓MOSFET器件設(shè)計(jì)的影響:對(duì)超結(jié)理論的產(chǎn)生背景及其發(fā)展過程進(jìn)行了介紹。以應(yīng)用超結(jié)理論的COOLMOSTM 器件為例，介紹了超結(jié)器件的工作原理、存在的缺
2009-12-13 19:57:2731 英飛凌欲借新一代超結(jié)MOSFET樹立硬開關(guān)應(yīng)用基準(zhǔn)
英飛凌日前在深圳宣布推出下一代600V MOSFET產(chǎn)品―― CoolMOS C6系列。600V C6系列融合了C3和CP兩個(gè)產(chǎn)品系列的優(yōu)勢(shì)，可降低設(shè)
2009-06-23 21:17:44728 LED光源在照明領(lǐng)域的應(yīng)用
2009-12-31 15:40:522378 結(jié)合近年來浙江廣電集團(tuán)在LED燈具運(yùn)用的實(shí)踐體會(huì)，對(duì)LED燈具在影視照明領(lǐng)域的應(yīng)用提出以下特性分析。
2011-03-01 10:54:524740 眾所周知，超級(jí)結(jié)MOSFET的高開關(guān)速度自然有利于減少開關(guān)損耗，但它也帶來了負(fù)面影響，例如增加了EMI、柵極振蕩、高峰值漏源電壓。在柵極驅(qū)動(dòng)設(shè)計(jì)中，一個(gè)關(guān)鍵的控制參數(shù)就是外部串聯(lián)柵電阻（Rg）。這會(huì)抑制峰值漏-源電壓，并防止由功率MOSFET的引線電感和寄生電容引起的柵極振鈴。
2013-02-25 09:01:443841 
基于超級(jí)結(jié)技術(shù)的功率MOSFET已成為高壓開關(guān)轉(zhuǎn)換器領(lǐng)域的業(yè)界規(guī)范。它們提供更低的RDS（on），同時(shí)具有更少的柵極和和輸出電荷，這有助于在任意給定頻率下保持更高的效率。在超級(jí)結(jié)MOSFET出現(xiàn)之前
2017-11-10 15:40:039 如今，LED行業(yè)進(jìn)入后照明時(shí)代，具體表現(xiàn)為普通照明增長(zhǎng)疲軟，新應(yīng)用的興起。在諸如智能照明、汽車照明、植物照明以及新型顯示等諸多領(lǐng)域，照明巨頭之間的較量已經(jīng)開始打響。
2018-07-16 14:27:444880 
東芝宣布推出新一代超結(jié)功率MOSFET，新器件進(jìn)一步提高電源效率。在這個(gè)連小學(xué)生做作業(yè)都講求高效率的年代，還有什么是高效率不能解決的呢？
2018-09-13 15:54:155921 保護(hù)功能的充電樁對(duì)于實(shí)現(xiàn)以盡可能短的充電時(shí)間續(xù)航更遠(yuǎn)的里程至關(guān)重要。常用的半導(dǎo)體器件有IGBT、超結(jié)MOSFET和碳化硅（SiC）。安森美半導(dǎo)體為電動(dòng)汽車OBC和直流充電樁提供完整的系統(tǒng)方案，包括通過
2020-01-01 17:02:009515 
逐漸成為新的市場(chǎng)需求。 為了滿足這種新需求，亞成微推出了新型高壓超結(jié)MOSFET-RMX65R系列，該系列采用業(yè)內(nèi)先進(jìn)的多層外延工藝，全面提升了器件的開關(guān)特性和導(dǎo)通特性，比導(dǎo)通電阻（Ronsp）和柵極電荷（Qg）更低，開關(guān)速度更快，
2021-05-27 17:06:182505 ST超結(jié)快速恢復(fù)硅基功率MOSFET兼具超低恢復(fù)電荷（Qrr）和超快快恢復(fù)時(shí)間（trr），以及出色的品質(zhì)因數(shù)（RDS（on）x Qg），能夠?yàn)橐髧?yán)苛的橋式拓?fù)浜蚙VS相移轉(zhuǎn)換器帶來極高的效率和功率水平，適用于工業(yè)和汽車應(yīng)用。
2022-05-24 16:02:012335 超結(jié)MOS也叫COOlMOS，是在普通MOS基礎(chǔ)上使用新型超結(jié)結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)的MOS管。超結(jié)MOS管主要在500V、600V、650V及以上高電壓場(chǎng)合使用。
2022-07-15 17:12:369503 
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