在本設(shè)計(jì)小貼士中，我們來(lái)了解一下自驅(qū)動(dòng)同整流器并探討何時(shí)需要分立驅(qū)動(dòng)器來(lái)保護(hù)同步整流器柵極免受過(guò)高電壓帶來(lái)的損壞。
2012-04-18 14:53:58
1893 
如果保養(yǎng)不當(dāng)，就算是質(zhì)量很好的品牌移動(dòng)電源，使用壽命也會(huì)大受影響，甚至?xí)a(chǎn)生安全問(wèn)題。那么如何保養(yǎng)移動(dòng)電源呢?小編給大家介紹幾個(gè)很實(shí)用的小貼士。 移動(dòng)電源給設(shè)備充電
2012-07-22 13:16:554790 
電路及半導(dǎo)體分立器件的設(shè)計(jì)、生產(chǎn)制造和銷售的一體式高新科技企業(yè)，專心致力于集成電路產(chǎn)業(yè)的發(fā)展，力求為客戶提供性能優(yōu)異和供需及時(shí)的產(chǎn)品。產(chǎn)品主要包含電源管理IC，音頻功放，LED驅(qū)動(dòng)，低功耗LDO，三端穩(wěn)壓
2023-05-26 14:24:29
` 誰(shuí)來(lái)闡述一下mosfet是什么型器件？`
2019-10-25 16:06:28
的發(fā)展趨勢(shì)。關(guān)鍵詞：半導(dǎo)體；封裝；分立器件中圖分類號(hào)：TN305．94；TN32 文獻(xiàn)標(biāo)識(shí)碼： A 文章編號(hào)： 1681-1070(2005)02-12-61 引言半導(dǎo)體分立器件是集成電路的前世今生，相對(duì)而言
2018-08-29 10:20:50
?概述負(fù)載開(kāi)關(guān)電路日常應(yīng)用比較廣泛，主要用來(lái)控制后級(jí)負(fù)載的電源開(kāi)關(guān)。此功能可以直接用IC也可以用分立器件搭建，分立器件主要用PMOS加三極管實(shí)現(xiàn)。本文主要討論分立器件的實(shí)現(xiàn)的細(xì)節(jié)。電路分析如下圖所示R5模擬后級(jí)負(fù)載，Q1為開(kāi)關(guān)，當(dāng)R3端口的激勵(lì)源為高電平時(shí)，Q2飽和導(dǎo)通，MOS管Q1的VGS
2021-10-28 08:28:45
和 SW2開(kāi)關(guān)都配備了 MOSFET，開(kāi)關(guān)頻率因此可高至 2MHz。分立式設(shè)計(jì) 異步 同步集成電感圖2：集成降壓轉(zhuǎn)換器的發(fā)展（圖片來(lái)源：Recom）集成線圈是小型化的關(guān)鍵在開(kāi)關(guān)成功傳換成 MOSFET
2022-01-08 07:00:00
非常審慎地處理這些問(wèn)題?！ ?b class="flag-6" style="color: red">小貼士 1. 使用DC電源，同時(shí)顯示編程設(shè)置和實(shí)際測(cè)得的輸出，迅速指明DC階段是否吸收過(guò)多的電流。否則在電源和被測(cè)器件之間連接一個(gè)DMM，密切監(jiān)測(cè)耗電量?！ ?. 在需要
2016-01-12 11:08:55
中每個(gè)設(shè)計(jì)階段的測(cè)試要求，并給出小貼士，讓您的測(cè)試更高效，讓您的生活更輕松。 在任何電源設(shè)計(jì)中，第一步都要選擇元器件。良好的電源設(shè)計(jì)離不開(kāi)電源元器件及控制芯片。考慮到所有選項(xiàng)，為最優(yōu)設(shè)計(jì)選擇適當(dāng)?shù)?b class="flag-6" style="color: red">電源
2016-08-18 16:23:38
因素正同時(shí)給設(shè)計(jì)和設(shè)計(jì)人員帶來(lái)深刻影響。設(shè)計(jì)電源是一個(gè)復(fù)雜的過(guò)程，涉及到多個(gè)步驟。我們簡(jiǎn)單將電源設(shè)計(jì)工作流程分為10個(gè)階段，提供每個(gè)階段的測(cè)試小貼士。希望我們這份電源設(shè)計(jì)全攻略對(duì)您有所裨益，讓您的測(cè)試
2016-08-03 21:16:24
在本設(shè)計(jì)小貼士中，我們來(lái)了解一下自驅(qū)動(dòng)同整流器并探討何時(shí)需要分立驅(qū)動(dòng)器來(lái)保護(hù)同步整流器柵極免受過(guò)高電壓帶來(lái)的損壞。理想情況下，您可以利用電源變壓器直接驅(qū)動(dòng)同步整流器，但是由于寬泛的輸入電壓變量
2020-10-05 08:30:00
在本設(shè)計(jì)小貼士中，我們來(lái)了解一下自驅(qū)動(dòng)同整流器并探討何時(shí)需要分立驅(qū)動(dòng)器來(lái)保護(hù)同步整流器柵極免受過(guò)高電壓帶來(lái)的損壞。理想情況下，您可以利用電源變壓器直接驅(qū)動(dòng)同步整流器，但是由于寬泛的輸入電壓變量
2022-06-02 10:59:20
作者：Robert Kollman，德州儀器 (TI)Note:欲查看《電源設(shè)計(jì)小貼士》此前章節(jié)的內(nèi)容，請(qǐng)點(diǎn)擊下載PDF合輯（已收集1-10章和11-20章，20-30章敬請(qǐng)期待）。在這篇《電源
2018-09-26 10:23:27
作者：Robert Kollman欲查看《電源設(shè)計(jì)小貼士》此前章節(jié)的內(nèi)容，請(qǐng)點(diǎn)擊下載PDF合輯（已收集1-10章和11-20章，20-30章敬請(qǐng)期待）。在這篇《電源設(shè)計(jì)小貼士》中，我們將研究在同步
2018-09-26 10:24:59
嗨嘍，各位工程師們我們今天說(shuō)點(diǎn)啥呢？無(wú)意間發(fā)現(xiàn)發(fā)現(xiàn)一塊集成MOSFET的Buck電源的Demo板，雖然電路很簡(jiǎn)單，但是布局頗有教科書的意味。我們換個(gè)思考方向，看看是不是很容易去理解呢？廢話不說(shuō)，切入正題！在電路設(shè)計(jì)的時(shí)候，這個(gè)2A~10A這個(gè)范圍內(nèi)的DCDC一般都采用這種電源解決方案。
2020-11-02 07:40:06
通過(guò)一個(gè)例子來(lái)說(shuō)明使用集成的柔性功率器件的好處。設(shè)想設(shè)計(jì)為由SoC或FPGA控制的無(wú)人機(jī)設(shè)計(jì)電源管理系統(tǒng)。圖2顯示了該系統(tǒng)中的四個(gè)組件，它們完全匹配電源管理IC（PMIC）。 圖2：分立與集成
2017-04-01 15:38:45
集成無(wú)源器件在我們的行業(yè)中并不是什么新事物——它們由來(lái)已久且眾所周知。實(shí)際上，ADI公司過(guò)去曾為市場(chǎng)生產(chǎn)過(guò)這類元件。當(dāng)芯片組將獨(dú)立的分立無(wú)源器件或者是集成無(wú)源網(wǎng)絡(luò)作為其一部分包含在內(nèi)時(shí)，需要對(duì)走線
2019-08-02 08:06:56
集成無(wú)源器件在我們的行業(yè)中并不是什么新事物——它們由來(lái)已久且眾所周知。實(shí)際上，ADI公司過(guò)去曾為市場(chǎng)生產(chǎn)過(guò)這類元件。當(dāng)芯片組將獨(dú)立的分立無(wú)源器件或者是集成無(wú)源網(wǎng)絡(luò)作為其一部分包含在內(nèi)時(shí)，需要對(duì)走線
2019-07-31 06:38:11
個(gè)例子來(lái)說(shuō)明使用集成的柔性功率器件的好處。設(shè)想設(shè)計(jì)為由SoC或FPGA控制的無(wú)人機(jī)設(shè)計(jì)電源管理系統(tǒng)。圖2顯示了該系統(tǒng)中的四個(gè)組件，它們完全匹配電源管理IC（PMIC）。 圖2：分立與集成功率管理對(duì)比
2017-04-11 11:49:01
室內(nèi)空間對(duì)比，PMIC解決方案必須的線路板室內(nèi)空間低10％。第三，集成器件必須的外界部件低于公司分立解決方案，這進(jìn)一步減少了總體規(guī)格和成本費(fèi)。降低物料（BOM）器件總數(shù)能夠提升可信性?！ ∫蚨?，在設(shè)計(jì)方案必須好幾個(gè)電源軌的系統(tǒng)軟件時(shí)，尤其是在必須FPGA或SoC電源的運(yùn)用中，請(qǐng)考慮到集成柔性功率器件。
2020-07-01 09:09:21
集成隔離電源器件布局一般指導(dǎo)原則
2021-03-18 06:40:02
類（如BJT、MOSFET、IGBT）”“保護(hù)類器件”“穩(wěn)壓集成類”“繼電器類”“光耦類”“傳感監(jiān)測(cè)類
2022-02-17 07:44:04
比Si器件低，不需要進(jìn)行電導(dǎo)率調(diào)制就能夠以MOSFET實(shí)現(xiàn)高耐壓和低阻抗?！ 《?b class="flag-6" style="color: red">MOSFET原理上不產(chǎn)生尾電流，所以用SiC-MOSFET替代IGBT時(shí)，能夠明顯地減少開(kāi)關(guān)損耗，并且實(shí)現(xiàn)散熱部件
2023-02-07 16:40:49
，SiC-MOSFET能夠在IGBT不能工作的高頻條件下驅(qū)動(dòng)，從而也可以實(shí)現(xiàn)無(wú)源器件的小型化。與600V~900V的Si-MOSFET相比，SiC-MOSFET的優(yōu)勢(shì)在于芯片面積?。?b class="flag-6" style="color: red">可實(shí)現(xiàn)小型封裝），而且體
2019-05-07 06:21:55
一款高性能、高性價(jià)比的單通道低邊門極驅(qū)動(dòng)器——SiLM27512EM-DG，專為高效驅(qū)動(dòng)MOSFET和IGBT等功率開(kāi)關(guān)而設(shè)計(jì)，特別適合對(duì)開(kāi)關(guān)速度和驅(qū)動(dòng)能力有要求的應(yīng)用場(chǎng)景，是替代傳統(tǒng)分立NPN
2025-08-19 08:18:42
top227y單片開(kāi)關(guān)電源集成電路在proteus中用什么替代
2013-04-19 10:34:47
43：分立器件——一款可替代集成 MOSFET 驅(qū)動(dòng)器的卓越解決方案 .............................. 84電源設(shè)計(jì)經(jīng)驗(yàn)談 44：如何處理高 DI/DT 負(fù)載瞬態(tài)
2017-04-11 15:51:54
來(lái)進(jìn)行開(kāi)啟或關(guān)閉。此類電路可參見(jiàn)圖2所示。圖2：P信道MOSFET（PMOS）分立電路也可以使用負(fù)載開(kāi)關(guān)來(lái)打開(kāi)或關(guān)閉電源軌和相應(yīng)負(fù)載之間的連接。這些集成器件在其對(duì)應(yīng)的分立電路上有一些益處。圖3所示為
2018-09-03 15:17:57
電壓，從而成為可通過(guò)以往的分立結(jié)構(gòu)很難實(shí)現(xiàn)的高精度來(lái)控制DC風(fēng)扇電機(jī)旋轉(zhuǎn)速度的業(yè)界首款＊電源IC。集成為IC后使控制進(jìn)一步優(yōu)化，不僅效率大幅提升，還可減少部件數(shù)量、提高開(kāi)關(guān)速度，實(shí)現(xiàn)外圍元器件的小型化
2018-12-04 10:18:22
分立器件和集成電路在電子未來(lái)的發(fā)展上是相對(duì)的嗎？在下無(wú)知學(xué)生party，請(qǐng)教各位，勿噴。感謝
2020-01-07 08:20:09
和電流檢測(cè)提供開(kāi)爾文連接、EMI超標(biāo)、去耦電容的位置不正確等。當(dāng)電源采用多個(gè)外圍分立元件時(shí)，這些問(wèn)題中極有可能產(chǎn)生布板錯(cuò)誤?！ ∠喾?，集成開(kāi)關(guān)調(diào)節(jié)器將功率級(jí)(MOSFET和柵極驅(qū)動(dòng)器)和電流檢測(cè)功能集成
2011-11-11 17:19:07
應(yīng)用。雖然3mm x 3mm功率封裝已經(jīng)使DC-DC電路使用的空間大幅減少，還是有機(jī)會(huì)能夠把所用的空間再減少一點(diǎn)，以及提高功率密度。實(shí)現(xiàn)這個(gè)目的的辦法之一是用組合了兩個(gè)器件的封裝替代分立的單片MOSFET
2013-12-23 11:55:35
的硅基IGBT和碳化硅肖特基二極管合封，在部分應(yīng)用中可以替代傳統(tǒng)的IGBT （硅基IGBT與硅基快恢復(fù)二極管合封），使得IGBT的開(kāi)關(guān)損耗大幅降低。這款混合碳化硅分立器件的性能介于超結(jié)MOSFET
2023-02-28 16:48:24
隔離型DC-DC轉(zhuǎn)換器歷來(lái)通過(guò)分立元件實(shí)施-分立驅(qū)動(dòng)IC和分立功率MOSFET。這些器件被用于各種拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)。最主要的是“半橋”和“全橋”。許多云基礎(chǔ)設(shè)施的應(yīng)用采用半橋和全橋拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)，如無(wú)線基站（遠(yuǎn)程
2018-10-24 08:59:37
如何使用微型模塊SIP中的集成無(wú)源器件？分立元件的局限性是什么？集成無(wú)源器件的優(yōu)勢(shì)是什么？
2021-06-08 06:53:51
情況下，系統(tǒng)必須獨(dú)立控制哪些負(fù)載開(kāi)啟，何時(shí)開(kāi)啟，以什么速度開(kāi)啟。利用分立MOSFET電路或集成負(fù)載開(kāi)關(guān)便能完成這種功率切換，如圖1所示。圖1：從電源切換到多個(gè)負(fù)載分立MOSFET電路包含多個(gè)組件來(lái)控制
2022-11-17 08:05:25
安森美半導(dǎo)體電源方案部（PSG）加速了擴(kuò)展分立器件、集成電路(IC)、模塊和驅(qū)動(dòng)器產(chǎn)品陣容，針對(duì)汽車應(yīng)用中的高電源能效方案。公司電源方案部的汽車認(rèn)證的器件數(shù)現(xiàn)已超過(guò)4,000，是該行業(yè)中最大的供應(yīng)商
2018-10-25 08:53:48
笨辦法實(shí)現(xiàn)了?，F(xiàn)在頭疼的地方是這個(gè)東西體積，功耗和成本太大了。請(qǐng)問(wèn)有什么好的方案能替代這個(gè)分立晶閘管陣列呢？要求是電流比較高所以很多對(duì)信號(hào)操作的選通器件不是很好用。只需要直流不需要交流。成本也有限制，頭疼死了。
2016-01-10 17:35:30
晶閘管陣列來(lái)控制選通。當(dāng)時(shí)急著做畢業(yè)設(shè)計(jì)就用這種笨辦法實(shí)現(xiàn)了?，F(xiàn)在頭疼的地方是這個(gè)東西體積，功耗和成本太大了。請(qǐng)問(wèn)有什么好的方案能替代這個(gè)分立晶閘管陣列呢？只需要直流不需要交流。有沒(méi)有什么好的集成的器件，比如控制lcd顯示屏顯示的元件？電流如果不夠是不是可以考慮集成很多個(gè)來(lái)實(shí)現(xiàn)？謝謝大家。
2016-01-12 11:58:24
作者：Robert Kollman，德州儀器 (TI)在電源設(shè)計(jì)小貼士 #42 中，我們討論了 MOSFET 柵極驅(qū)動(dòng)電路中使用的發(fā)射器跟蹤器，并且了解到利用小型 SOT-23 晶體管便可以實(shí)現(xiàn)
2019-07-18 07:08:12
和 DC-AC 變流器等。集成式快速開(kāi)關(guān) 50A IGBT 的關(guān)斷性能優(yōu)于純硅解決方案，可與 MOSFET 媲美。較之常規(guī)的碳化硅 MOSFET，這款即插即用型解決方案可縮短產(chǎn)品上市時(shí)間，能以更低成本實(shí)現(xiàn) 95
2021-03-29 11:00:47
安森美半導(dǎo)體（ON）是一家高產(chǎn)量、低成本的分立半導(dǎo)體器件生產(chǎn)商--提供廣泛的產(chǎn)品系列，包括6，000種以上不同的可靠獨(dú)立式和小尺寸集成分立器件滿足電信、消費(fèi)電子、汽車、
2010-09-14 19:57:15
34 電源用分立器件包括雙極型晶體管開(kāi)關(guān)、FET(場(chǎng)效應(yīng)晶體管)、整流二極管等。雙極型晶體管從門斷開(kāi)
2006-04-16 22:46:011289
手機(jī)電源IC，集成還是分立？
[日期：2006-5-31]
來(lái)源：中國(guó)電子報(bào) 作者：佚名
2006-06-01 23:24:27992 半導(dǎo)體分立器件的命名方法
表9 國(guó)產(chǎn)半導(dǎo)體分立器件型號(hào)命名法
2008-12-19 01:17:301799 
集成功率放大器件或分立元件放大電路的比較
摘 要：功率放大電路通常由集成功率放大器件或分立元件放大電路組成，兩者各有優(yōu)缺點(diǎn)。
2009-09-17 08:39:139363 
本電源設(shè)計(jì)小貼士以及下次的小貼士中，我們將研究一種估算熱插拔 MOSFET 溫升的簡(jiǎn)單方法。熱插拔電路用于將電容
2011-01-06 14:28:18927 
雷達(dá)系統(tǒng)設(shè)計(jì)人員現(xiàn)在需要做出選擇：使用分立器件還是使用集成解決方案。電子集成已在許多行業(yè)發(fā)生，如醫(yī)療成像、通信基礎(chǔ)設(shè)施、消費(fèi)電子設(shè)備等，現(xiàn)在終于輪到汽車?yán)走_(dá)領(lǐng)域。
2011-07-07 10:40:42788 電源測(cè)量小貼士 10 個(gè)設(shè)計(jì)階段
2017-10-16 15:44:486 電源測(cè)量的小貼士 10 個(gè)設(shè)計(jì)階段
2017-10-19 09:03:494 電源設(shè)計(jì)小貼士42：可替代集成MOSFET的分立器件
2018-08-16 00:08:006738 
集成和分立式電源變換器
2018-08-02 00:06:004186 半導(dǎo)體分立器件是電子電路的基礎(chǔ)元器件，是各類電子產(chǎn)品線路中不可或缺的重要組件。分立器件可廣泛應(yīng)用于各類電子產(chǎn)品，其下游應(yīng)用市場(chǎng)可略分如下：家用電器、電源及充電器、綠色照明、網(wǎng)絡(luò)與通信、汽車電子、智能電表及儀器等。以下將從下游應(yīng)用市場(chǎng)來(lái)分析半導(dǎo)體分立器件產(chǎn)品的需求情況。
2018-08-20 09:21:004041 
MOSFET作為功率開(kāi)關(guān)元件廣泛應(yīng)用于調(diào)節(jié)器和馬達(dá)控制器。在各種H橋配置中，它們不僅可是分立器件也可集成到IC。
2019-12-19 07:57:003341 
與集成電路相比，分立器件的缺點(diǎn)是體積大，器件參數(shù)的隨機(jī)性高，電路規(guī)模大頻率高時(shí)，分布參數(shù)影響很大，設(shè)計(jì)和調(diào)試比較困難。但是由于集成電路本身的限制，分立器件依然發(fā)揮著重要的作用。在超大功率、高壓等高性能場(chǎng)合，分立器件表現(xiàn)出色，依然是不可或缺的存在。
2018-09-28 17:02:4126843 和數(shù)字電路中,雖然都在大量使用集成電路器件, 很多場(chǎng)合分立元件電路已經(jīng)被集成電路所取代,但在這兩種不同的電路中, 集成電路器件的使用呈現(xiàn)不同的特點(diǎn)。在數(shù)字電路中,分立元件電路幾乎被淘汰; 而在模擬電路中
2018-10-16 10:35:2950502 【工程師小貼士】一個(gè)MOSFET也能簡(jiǎn)化設(shè)計(jì)；快速芯片烘烤時(shí)間計(jì)算法
2019-07-12 16:17:414098 MOSFET電路或集成負(fù)載開(kāi)關(guān)便能完成這種功率切換，如圖1所示。
圖1：從電源切換到多個(gè)負(fù)載
分立MOSFET電路包含多個(gè)組件來(lái)控制分立功率MOSFET的導(dǎo)通與關(guān)
2021-11-10 09:40:23972 
作者：Robert Kollman
欲查看《電源設(shè)計(jì)小貼士》此前章節(jié)的內(nèi)容，請(qǐng)點(diǎn)擊下載PDF合輯（已收集1-10章和11-20章，20-30章敬請(qǐng)期待）。
在這篇《電源設(shè)計(jì)小貼士》中，我們將研究
2021-11-10 09:44:541590 
半導(dǎo)體分立器件是電子電路的基礎(chǔ)元器件，是各類電子產(chǎn)品線路中不可或缺的重要組件。分立器件可廣泛應(yīng)用于各類電子產(chǎn)品，其下游應(yīng)用市場(chǎng)可略分如下：家用電器、電源及充電器、綠色照明、網(wǎng)絡(luò)與通信、汽車電子、智能電表及儀器等。以下將從下游應(yīng)用市場(chǎng)來(lái)分析半導(dǎo)體分立器件產(chǎn)品的需求情況。
2022-03-11 11:20:175336 
東芝電子元件及存儲(chǔ)裝置株式會(huì)社（“東芝”）已經(jīng)推出面向20V電源線路的“TCK421G”，這是其“TCK42xG系列”MOSFET柵極驅(qū)動(dòng)集成電路(IC)的首款產(chǎn)品。該系列的器件基于輸入電壓專用于控制外部N溝道MOSFET的柵極電壓，并具備過(guò)壓自鎖功能。批量出貨即日起開(kāi)始。
2022-02-12 09:18:512150 半導(dǎo)體器件分立器件和集成電路第2部分：整流二極管基礎(chǔ)知識(shí)講解。
2022-03-23 14:26:150 電源小貼士#78：同步整流可改善反激式電源的交叉調(diào)整率
2022-11-01 08:26:563 電源小貼士：使用C型USB端口進(jìn)行電力共享
2022-11-02 08:16:280 何時(shí)使用負(fù)載開(kāi)關(guān)取代分立MOSFET
2022-11-03 08:04:340 電源小貼士：如何用分立組件設(shè)計(jì)穩(wěn)健的串聯(lián)線性穩(wěn)壓器
2022-11-04 09:50:450 電源小貼士：如何用分立組件設(shè)計(jì)穩(wěn)健的串聯(lián)線性穩(wěn)壓器
2022-11-04 09:50:461 功率器件是電子裝置中電能轉(zhuǎn)換與電路控制的核心，主要包含二極管、晶閘管、MOSFET和IGBT等; 其中低頻的二極管、晶閘管主要用于整流，比如晶閘管主要用于直流輸電領(lǐng)域。 MOSFET高頻、功率低
2023-02-07 09:52:538671 使用集成分立器件的 SIM 卡 EMI 濾波和 ESD 保護(hù)-AN10914
2023-02-16 20:50:430 分立器件是指獨(dú)立的電子元件，通常由一個(gè)或多個(gè)電子器件組成。這些器件可以單獨(dú)使用，也可以與其他器件組合使用，以完成特定的電路功能。常見(jiàn)的分立器件包括二極管、晶體管、場(chǎng)效應(yīng)管、電容器、電阻器和電感器等。
2023-02-24 15:26:5320300 分立功率器件是指用于承載高功率信號(hào)的獨(dú)立電子器件。它們可以單獨(dú)使用，也可以與其他分立器件組合使用，以完成特定的功率放大和開(kāi)關(guān)控制電路。
2023-02-24 15:31:571949 像蠟燭一樣，功率MOSFET（功率場(chǎng)效應(yīng)晶體管）是切換負(fù)載最常見(jiàn)的方式，其四周圍繞著眾多分立電阻器與電容器（以及用于控制功率MOSFET的雙極結(jié)型晶體管（BJT）/第二個(gè)場(chǎng)效應(yīng)晶體管）圍繞的功率MOSFET）。但在多數(shù)情況下，使用全面集成的負(fù)載開(kāi)關(guān)具有更顯著的優(yōu)點(diǎn)。
2023-04-15 09:17:391099 
分立器件行業(yè)概況 半導(dǎo)體分立器件是半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的基礎(chǔ)及核心領(lǐng)域之一，其具有應(yīng)用領(lǐng)域廣闊、高成品率、特殊器件不可替代等特性。 從市場(chǎng)需求看，分立器件受益于物聯(lián)網(wǎng)、可穿戴設(shè)備、智能家居、健康護(hù)理、安防電子
2023-05-26 08:50:021616 半導(dǎo)體分立器件是半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的基礎(chǔ)及核心領(lǐng)域之一，其具有應(yīng)用領(lǐng)域廣闊、高成品率、特殊器件不可替代等特性。
2023-05-26 14:19:151527 
在電子技術(shù)和半導(dǎo)體行業(yè)中，功率半導(dǎo)體、分立器件、功率器件、集成電路、功率分立器件等術(shù)語(yǔ)常常出現(xiàn)，了解它們的區(qū)別和關(guān)聯(lián)是理解電子器件工作原理的重要一環(huán)。本文將深入解析這些術(shù)語(yǔ)，幫助你分清它們的界定和劃分。
2023-06-10 10:20:526009 
在現(xiàn)今電力電子領(lǐng)域，高壓（HV）分立功率半導(dǎo)體器件變得越來(lái)越重要，Littelfuse提供廣泛的分立HV硅(Si)MOSFET產(chǎn)品系列以滿足發(fā)展中的需求。
2023-07-07 10:11:471060 
功率半導(dǎo)體包括功率半導(dǎo)體分立器件（含模塊）以及功率 IC 等。其中，功率半導(dǎo)體分立器件，按照器件結(jié)構(gòu)劃分，可分為二極管、晶閘管和晶體管等。
2023-07-26 09:31:0310787 
高壓分立Si MOSFET (≥ 2 kV)及其應(yīng)用
2023-11-24 14:57:391497 
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2023-11-23 09:09:052707 
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2023-12-13 14:15:07818 
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2023-12-13 14:16:161894 
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2023-12-13 14:17:401102 
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2023-12-13 14:18:471527 
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2023-12-13 14:20:432205 
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2023-12-13 14:21:461859 
【科普小貼士】金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管（MOSFET）
2023-12-13 14:22:412183 
圖1顯示Littelfuse在HV分立Si MOSFET市場(chǎng)具有領(lǐng)導(dǎo)地位，特別是在1700V以上產(chǎn)品。作為業(yè)界最高電壓阻斷能力（高達(dá)4700V）器件的制造商
2023-12-01 11:04:491123 
半導(dǎo)體分立器件（Discrete Semiconductor Devices）是一種由單一的半導(dǎo)體材料制造的電子元件，與集成電路（Integrated Circuits）相對(duì)應(yīng)。分立器件通常由晶體管
2024-02-01 15:33:466801 BASiC國(guó)產(chǎn)SiC碳化硅MOSFET分立器件及碳化硅功率SiC模塊介紹
2025-01-16 14:32:042 摘要 隨著電子系統(tǒng)復(fù)雜性的不斷提升，傳統(tǒng)分立電源管理方案逐漸難以滿足現(xiàn)代電子設(shè)備對(duì)高效性、可靠性和小型化的需求。國(guó)科安芯推出的ASP4644芯片作為一種四通道集成電源管理方案，憑借其多通道集成
2025-08-28 14:37:27664 傾佳電子陽(yáng)臺(tái)光儲(chǔ)電源系統(tǒng)架構(gòu)及SiC器件替代超結(jié)MOSFET的技術(shù)優(yōu)勢(shì) 傾佳電子（Changer Tech）是一家專注于功率半導(dǎo)體和新能源汽車連接器的分銷商。主要服務(wù)于中國(guó)工業(yè)電源、電力電子設(shè)備
2025-09-23 08:28:001056 
）MOSFET分立器件產(chǎn)品組合具有強(qiáng)大的競(jìng)爭(zhēng)力和先進(jìn)的技術(shù)特性，能夠全面滿足高功率密度、高開(kāi)關(guān)頻率以及高可靠性電源應(yīng)用的需求。該系列產(chǎn)品矩陣涵蓋 650?V、 750?V、 1200?V 和 1400
2025-10-21 10:12:15393
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