本文主要討論以晶片的紅外透射原理為基礎(chǔ),設(shè)計(jì)和搭建了紅外檢測(cè)裝置及相關(guān)的軟件模塊。
2012-04-27 10:12:49
5508 根部損傷的制程因素:不同型號(hào)鋁帶劈刀端面設(shè)計(jì)對(duì)鍵合點(diǎn)根部損傷的影響;鋁帶劈刀端面沾污積鋁會(huì)導(dǎo)致鍵合點(diǎn)根部損傷加??;導(dǎo)線管高度過(guò)高會(huì)導(dǎo)致第一焊點(diǎn)鍵合點(diǎn)根部機(jī)械損傷;引線框架管腳壓合狀態(tài)調(diào)試不當(dāng)會(huì)直接導(dǎo)致鋁帶根部斷裂;鍵
2024-11-01 11:08:07
3085 
次數(shù)多,其時(shí)間縮短、高精度化決定半導(dǎo)體的生產(chǎn)性和質(zhì)量。在單張式清洗中,用超純水沖洗晶片 ,一邊高速旋轉(zhuǎn),一邊從裝置上部使干燥的空氣流過(guò)。在該方式中,逐個(gè)處理晶片。上一行程粒子的交錯(cuò)污染少。近年來(lái),由于高壓噴氣和極低
2021-12-23 16:43:04
1564 
在半導(dǎo)體熱處理應(yīng)用中,批處理在工業(yè)的早期階段被采用,并且仍然非常流行。我們研究了直徑為200毫米和300毫米的硅(100)晶片在單晶片爐中高溫快速熱處理過(guò)程中的熱行為,該熱行為是溫度、壓力、處理時(shí)間
2022-04-19 11:23:40
1749 
以及實(shí)際上能夠接合任何種類的晶片材料。粘合晶片鍵合不需要特殊的晶片表面處理或平面化步驟。晶片表面的結(jié)構(gòu)和顆粒可以被容忍,并通過(guò)粘合材料得到一定程度的補(bǔ)償。也可以用選擇性粘合晶片鍵合來(lái)局部鍵合光刻預(yù)定的晶片區(qū)域。粘合晶片鍵合可應(yīng)用于先進(jìn)微電子和微機(jī)電系統(tǒng)(MEMS)的制造、集成和封裝。
2022-04-26 14:07:04
4575 
本文展示了一種使用連續(xù)濕法化學(xué)表面活化(即SPM→RCAl清洗)結(jié)合硅和石英玻璃晶片的鍵合方法。經(jīng)過(guò)200 ℃的多步后退火,獲得了無(wú)空洞或微裂紋的牢固結(jié)合,基于詳細(xì)的表面和鍵合界面表征,建立了一個(gè)鍵
2022-05-13 16:08:32
3705 
晶片鍵合是指通過(guò)一系列物理過(guò)程將兩個(gè)或多個(gè)基板或晶片相互連接和化學(xué)過(guò)程。晶片鍵合用于各種技術(shù),如MEMS器件制造,其中傳感器組件封裝在應(yīng)用程序中。其他應(yīng)用領(lǐng)域包括三維集成、先進(jìn)的封裝技術(shù)和CI制造業(yè)在晶圓鍵合中有兩種主要的鍵合,臨時(shí)鍵合和永久鍵合,兩者都是在促進(jìn)三維集成的技術(shù)中發(fā)揮著關(guān)鍵作用。
2022-07-21 17:27:43
3882 在微電子封裝中,引線鍵合是實(shí)現(xiàn)封裝體內(nèi)部芯片與芯片及芯片與外部管腳間電氣連接、確保信號(hào)輸入輸出的重要方式,鍵合的質(zhì)量直接關(guān)系到微電子器件的質(zhì)量和壽命。針對(duì)電路實(shí)際生產(chǎn)中遇到的測(cè)試短路、內(nèi)部鍵合絲脫落
2023-11-02 09:34:05
2182 
銅引線鍵合由于在價(jià)格、電導(dǎo)率和熱導(dǎo)率等方面的優(yōu)勢(shì)有望取代傳統(tǒng)的金引線鍵合, 然而 Cu/Al 引線鍵合界面的金屬間化合物 (intermetallic compounds, IMC) 的過(guò)量生長(zhǎng)將增大接觸電阻和降低鍵合強(qiáng)度, 從而影響器件的性能和可靠性。
2025-03-01 15:00:09
2398 
金絲鍵合主要依靠熱超聲鍵合技術(shù)來(lái)達(dá)成。熱超聲鍵合融合了熱壓鍵合與超聲鍵合兩者的長(zhǎng)處。通常情況下,熱壓鍵合所需溫度在300℃以上,而在引入超聲作用后,熱超聲鍵合所需溫度可降至200℃以下。如此一來(lái)
2025-03-12 15:28:38
3675 
屬直接鍵合的先進(jìn)封裝技術(shù),其核心目標(biāo)是實(shí)現(xiàn)芯片間高密度、低電阻的垂直互聯(lián)。 ? 在工藝過(guò)程中,需要經(jīng)過(guò)對(duì)準(zhǔn)和鍵合、后鍵合處理等幾個(gè)流程。在對(duì)晶圓表面進(jìn)行化學(xué)機(jī)械拋光(CMP)和清洗之后,通過(guò)光學(xué)或電子束對(duì)準(zhǔn)系統(tǒng)實(shí)現(xiàn)亞微米級(jí)(通常 ?
2025-06-03 09:02:18
2704 蘇州晶淼半導(dǎo)體公司 是集半導(dǎo)體、LED、太陽(yáng)能電池、MEMS、硅片硅料、集成電路于一體的非標(biāo)化生產(chǎn)相關(guān)清洗腐蝕設(shè)備的公司 目前與多家合作過(guò) 現(xiàn)正在找合作伙伴 !如果有意者 請(qǐng)聯(lián)系我們。
2016-08-17 16:27:28
硅襯底和砷化鎵襯底金金鍵合后,晶圓粉碎是什么原因,偶發(fā)性異常,找不出規(guī)律,有大佬清楚嗎,求助!
2023-03-01 14:54:11
其中國(guó)市場(chǎng)的開發(fā)、推廣。公司自有產(chǎn)品包括半導(dǎo)體前段、后段、太陽(yáng)能、平板顯示FPD、LED、MEMS應(yīng)用中的各種濕制程設(shè)備,例如硅片濕法清洗、蝕刻,硅芯硅棒濕法化學(xué)處理,液晶基板清洗,LED基片顯影脫膜等
2015-04-02 17:23:36
目前在做砷化鎵和磷化銦,在研究bongder和debonder工藝, 主要是超薄片很難處理,so暫定臨時(shí)鍵合解鍵合和薄片清洗流程,因?yàn)檎嬗斜Wo(hù)可以做背面工藝,這里有前輩做過(guò)這個(gè)嗎?
2018-12-17 13:55:06
請(qǐng)教:最近在書上講解電感時(shí)提到一個(gè)名詞——鍵合線,望大家能給出通俗詳細(xì)解釋
2014-06-22 13:21:45
為1~27 mm; ?、芙M裝在基板后需要做底部填充?! ∑鋵?shí)倒裝晶片之所以被稱為“倒裝”是相對(duì)于傳統(tǒng)的金屬線鍵合連接方式(WireBonding)與植球后的工藝而言 的。傳統(tǒng)的通過(guò)金屬線鍵合與基板連接
2018-11-22 11:01:58
WLP的命名上還存在分歧。CSP晶片級(jí)技術(shù)非常獨(dú)特,封裝內(nèi)部并沒(méi)有采用鍵合方式。封裝芯片的命名也存在分歧。常用名稱有:倒裝芯片(STMicroelectronics和Dalias
2018-08-27 15:45:31
北京華林嘉業(yè)科技有限公司(簡(jiǎn)稱CGB),公司致力于為以下行業(yè)提供蝕刻、清洗、顯影、去膜、制絨、減薄等高品質(zhì)設(shè)備:半導(dǎo)體LED:硅片清洗機(jī);硅片腐蝕機(jī);硅片清洗腐蝕設(shè)備;基片濕處理設(shè)備;硅片清洗刻蝕
2011-04-13 13:23:10
大家好! 附件是半導(dǎo)體引線鍵合清洗工藝方案,請(qǐng)參考,謝謝!有問(wèn)題聯(lián)系我:*** szldqxy@163.com
2010-04-22 12:27:32
請(qǐng)問(wèn)怎樣利用熱處理去實(shí)現(xiàn)高效能LED?
2021-04-23 06:28:02
任務(wù)要求:
了解微電子封裝中的引線鍵合工藝,學(xué)習(xí)金絲引線鍵合原理,開發(fā)引線鍵合工藝仿真方法,通過(guò)數(shù)據(jù)統(tǒng)計(jì)分析和仿真結(jié)果,分析得出引線鍵合工序關(guān)鍵工藝參數(shù)和參數(shù)窗口,并給出工藝參數(shù)和鍵合質(zhì)量之間的關(guān)系
2024-03-10 14:14:51
硅-硅直接鍵合技術(shù)主要應(yīng)用于SOI、MEMS和大功率器件,按照結(jié)構(gòu)又可以分為兩大類:一類是鍵合襯底材料,包括用于高頻、抗輻射和VSIL的SOI襯底和用于大功率高壓器件的類外延的疏水鍵合N+-N-或
2018-11-23 11:05:56
分析了陽(yáng)極鍵合技術(shù)的原理和當(dāng)前陽(yáng)極鍵合技術(shù)的研究進(jìn)展,綜述了微傳感器對(duì)陽(yáng)極鍵合的新需求,展望了陽(yáng)極鍵合技術(shù)在傳感器領(lǐng)域的應(yīng)用前景。關(guān)鍵詞:陽(yáng)極鍵合; 傳感器; 硅片
2009-07-18 09:37:49
27 作為砂獅三合一熱處理技術(shù)的發(fā)明者,美國(guó)CEC公司一直走在鑄造技術(shù)的最前沿。砂獅三合一熱處理工藝結(jié)合熱除模、除芯、熱處理和砂回收工序于一體,該工藝節(jié)省勞力、能源和環(huán)
2009-12-21 11:40:34
12 隨著我國(guó)經(jīng)濟(jì)的發(fā)展,制造業(yè)中的熱處理數(shù)量伴隨著制造業(yè)的發(fā)展也與日俱增,有報(bào)道稱到21世紀(jì)初期熱處理將占鋼材總量的40%以上,但又因熱處理是以爐窯加熱使金屬組織變化而改
2009-12-21 11:50:48
22 國(guó)外的熱處理廠家非常重視熱處理過(guò)程中的冷卻。根據(jù)產(chǎn)品的技術(shù)和工藝要求,可進(jìn)行慢速冷卻、油淬冷卻、一次性氣淬冷卻等。快速氣氛循環(huán)冷卻采用向冷卻室噴射高壓氣體,由
2009-12-21 13:49:40
15 真空熱處理爐是一種先進(jìn)的熱處理設(shè)備可以進(jìn)行金屬材料和工件的真空加熱、淬火、回火、退火、滲碳、滲氮、加壓氣淬等各種熱處理,也可進(jìn)行粉未冶金燒結(jié)、航空航天工件釬焊
2009-12-21 14:02:44
18 模具熱處理變形是模具處理過(guò)程的主要缺陷之一,對(duì)一些精密復(fù)雜模具,常因熱處理變形而報(bào)廢,因此控制精密復(fù)雜模具的變形一直成為熱處理生產(chǎn)中的關(guān)鍵問(wèn)題。
2009-12-21 14:08:24
10 熱處理生產(chǎn)形成的廢水、廢氣、廢鹽、粉塵、噪聲及電磁輻射等均會(huì)對(duì)環(huán)境造成污染。解決熱處理的環(huán)境污染問(wèn)題,實(shí)行清潔熱處理(或稱綠色環(huán)保熱處理)是發(fā)達(dá)國(guó)家熱處理技術(shù)
2009-12-21 14:39:35
12 V·I晶片母線轉(zhuǎn)換模塊(BCM)之熱處理
此應(yīng)用筆記探討在不同室溫、風(fēng)速及散熱片條件時(shí),BCM之功率輸出能力。并敘述如何測(cè)度BCM之封裝溫度以描繪其熱
2010-02-09 17:09:27
24 在半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的關(guān)鍵流程中,硅片清洗機(jī)設(shè)備宛如精準(zhǔn)的“潔凈衛(wèi)士”,守護(hù)著芯片制造的純凈起點(diǎn)。從外觀上看,它通常有著緊湊而嚴(yán)謹(jǐn)?shù)脑O(shè)計(jì),金屬外殼堅(jiān)固耐用,既能抵御化學(xué)試劑的侵蝕,又可適應(yīng)潔凈車間的頻繁運(yùn)轉(zhuǎn)
2025-06-30 14:11:36
原子間的鍵合
1.2.1 金屬鍵???金屬中的自由電子和金屬正離子相互作用所構(gòu)成鍵合稱為金屬鍵。金屬鍵的基本特點(diǎn)是電子的共有化。
2009-08-06 13:29:31
5913 模具熱處理變形及預(yù)防 模具熱處理變形是模具處理過(guò)程的主要缺陷之一,對(duì)一些精密復(fù)雜模具,常因熱處理變形而報(bào)廢,因此控制精密復(fù)雜模具的變形一直成為熱處
2010-10-29 16:51:22
1572 傳統(tǒng)的熱處理方法是將很多硅片垂直排列在石英舟上/ 放進(jìn)電阻爐加熱/ 這種技術(shù)很難避免基片變形由于石英舟和眾多的硅片熱容量較大/ 需要長(zhǎng)的升溫和降溫時(shí)間/ 這種方法熱存積即溫
2011-04-02 18:04:11
89 Lumex 推出“倒裝晶片”式 TitanBrite 無(wú)線鍵合 LED ,亮度號(hào)稱比市場(chǎng)上任何其他 LED 高出15%。除了標(biāo)準(zhǔn)的3W和6W的LED, Lumex 的 TitanBrite 無(wú)線鍵合LED還可提供9W的規(guī)格,確保Lumex的無(wú)線鍵合LED能夠提供業(yè)內(nèi)最高亮度的光源。
2013-07-03 11:40:17
868 VI晶片母線轉(zhuǎn)換模塊(BCM)之熱處理 。
2016-01-06 17:55:14
0 熱處理是指通過(guò)加熱于金屬材料,以多種方式改變金屬材料的組織或性質(zhì)的方法。盡管激光熱處理技術(shù)在誘導(dǎo)表面組織的變化方面類似于現(xiàn)有的高頻熱處理(感應(yīng)淬火,Induction Hardening)方法,但
2017-09-13 18:50:02
16 、容易鍵合、價(jià)格便宜、現(xiàn)已廣泛應(yīng)用于LED封裝、芯片封裝等領(lǐng)域,性能穩(wěn)定、焊接牢靠、無(wú)須氣體保護(hù)、無(wú)需改裝設(shè)備,直接調(diào)整相關(guān)參數(shù)即可。更多合金材料、半導(dǎo)體元器件引線、鍵合材料詳情可聯(lián)系黃R Mob:13560735562
2018-04-26 17:28:36
2713 1969年,美國(guó)的Wallis和Pomerantz兩位研究人員首次提出了陽(yáng)極鍵合技術(shù),其鍵合方法如圖1所示。陽(yáng)極鍵合目前在硅片與玻璃鍵合中得到了較為廣泛的應(yīng)用,技術(shù)發(fā)展相對(duì)較為成熟。其基本原理如圖2
2020-06-17 11:33:14
14918 、清洗設(shè)備、離子注入機(jī)、研磨拋光機(jī)和工藝檢測(cè)等重要設(shè)備。在硅片生產(chǎn)中涉及到單晶爐、滾磨機(jī)、切片機(jī)、倒角機(jī)、研磨設(shè)備、拋光設(shè)備、清洗設(shè)備、檢測(cè)設(shè)備等。在封裝測(cè)試中涉及劃片、裝片、鍵合、塑封、電鍍、切筋成型、探針
2021-03-23 11:26:13
6750 本發(fā)明的工藝一般涉及到半導(dǎo)體晶片的清洗。更確切地說(shuō),本發(fā)明涉及到可能存在于被研磨的單晶硅晶片的表面上的有機(jī)殘留物、金屬雜質(zhì)和其它特定的沾污物的清洗處理步驟的順序。 集成電路制造中所用的半導(dǎo)體晶片
2020-12-29 14:45:21
2674 摘要:采用DOE(實(shí)驗(yàn)設(shè)計(jì))方法,通過(guò)比較鋁線拉力的數(shù)值、標(biāo)準(zhǔn)方差及PpK,得到最適合鋁 線鍵合工藝的等離子清洗功率、時(shí)間和氣流速度參數(shù)的組合。同時(shí)分析了引線框架在料盒中的擺放 位置對(duì)等離子清洗效果
2020-12-30 10:26:39
1956 硅片經(jīng)過(guò)線切割機(jī)的切割加工后,其表面已受到嚴(yán)重沾污,要達(dá)到工業(yè)應(yīng)用標(biāo)準(zhǔn),就必須經(jīng)過(guò)嚴(yán)格的清洗工序。由于切割帶來(lái)的嚴(yán)重污染,其表面的清洗工序也必然需要比較復(fù)雜和精細(xì)的工藝流程。
2021-06-20 14:07:25
7965 在許多情況下,組成機(jī)器的部件之間的正常相互作用會(huì)改變某些部件的機(jī)械強(qiáng)度。熱處理是消除或減少機(jī)加工、軟化或硬化部件以及完全或部分改變材料特性的一種有效且必要的方法。 #01 什么是熱處理?由于機(jī)械部件
2021-08-10 14:54:09
10414 結(jié)合離子注入工藝、激光照射和去除犧牲層,晶片鍵合技術(shù)是將高質(zhì)量薄膜轉(zhuǎn)移到不同襯底上的最有效方法之一。本文系統(tǒng)地總結(jié)和介紹了蘇州華林科納的晶片鍵合技術(shù)在電子、光學(xué)器件、片上集成中紅外傳感器和可穿戴傳感器等領(lǐng)域的應(yīng)用。依次介紹了基于智能剝離技術(shù)
2021-12-21 16:33:29
3325 
摘要 DURIP撥款用于采購(gòu)等離子體激活系統(tǒng)。該系統(tǒng)的目的是通過(guò)增加鍵強(qiáng)度同時(shí)允許更低的鍵溫度來(lái)提高直接半導(dǎo)體晶片鍵的鍵質(zhì)量。獲得了EVGroup810系統(tǒng),通過(guò)將III-Vs的溫度從550°C降低
2022-01-24 16:57:47
1419 
本文描述了我們?nèi)A林科納在LTCC(低溫共燒陶瓷)晶片與硅晶片之間同時(shí)建立的陽(yáng)極鍵合的電連接。本研究首先研究了陽(yáng)極鍵接前的甲酸蒸汽預(yù)處理,以去除鍵接墊上的錫表面氧化物,為了實(shí)現(xiàn)更小的芯片尺寸、更高的性能、更高的可靠性和更高的MEMS(微機(jī)電系統(tǒng))的產(chǎn)量,薄片級(jí)的密封包裝技術(shù)是必不可少的。
2022-02-07 14:47:34
1713 
,其時(shí)間縮短、高精度化決定半導(dǎo)體的生產(chǎn)性和質(zhì)量。在單張式清洗中,用超純水沖洗晶片 ,一邊高速旋轉(zhuǎn),一邊從裝置上部使干燥的空氣流過(guò)。在該方式中,逐個(gè)處理晶片。上一行程粒子的交錯(cuò)污染少。近年來(lái),由于高壓噴氣
2022-02-22 16:01:08
1496 
摘要 該公司提供了一種用于清洗半導(dǎo)體晶片的方法和設(shè)備 100,該方法和方法包括通過(guò)從裝載端口 110 中的盒中取出兩個(gè)或多個(gè)晶片來(lái)填充化學(xué)溶液的第一罐將晶片放入。將晶片放入裝滿液體的第一槽(137
2022-02-28 14:56:03
1771 
摘要 研究了泵送方法對(duì)晶片清洗的影響。兩種類型的泵,例如隔膜泵和離心泵,用于在濕浴和單晶片工具中循環(huán)和供應(yīng)用于晶片清潔的去離子水。清洗研究表明,泵送方法對(duì)清洗性能有很大影響。實(shí)驗(yàn)研究表明,在 MLC
2022-03-02 13:56:46
1212 
摘要 本文介紹了半導(dǎo)體晶片加工中為顆粒去除(清洗)工藝評(píng)估而制備的受污染測(cè)試晶片老化的實(shí)驗(yàn)研究。比較了兩種晶片制備技術(shù):一種是傳統(tǒng)的濕法技術(shù),其中裸露的硅晶片浸泡在充滿顆粒的溶液中,然后干燥;另一種
2022-03-04 15:03:50
3354 
殘留物由不同量的聚乙二醇或礦物油(切削液)、鐵和銅的氧化物、碳化硅和研磨硅,這些殘留物可以通過(guò)鋸切過(guò)程中產(chǎn)生的摩擦熱燒到晶片表面,為了去除這些殘留物,需要選擇正確的化學(xué)物質(zhì)來(lái)補(bǔ)充所使用的設(shè)備。 在晶片清洗并給予
2022-03-15 16:25:37
882 
硅晶片的蝕刻預(yù)處理方法包括:對(duì)角度聚合的硅晶片進(jìn)行最終聚合處理,對(duì)上述最終聚合的硅晶片進(jìn)行超聲波清洗后用去離子水沖洗,對(duì)上述清洗和沖洗的硅晶片進(jìn)行SC-1清洗后用去離子水沖洗,對(duì)上述清洗和沖洗的硅晶片進(jìn)行佛山清洗后用去離子水沖洗的步驟,對(duì)所有種類的硅晶片進(jìn)行蝕刻預(yù)處理,特別是P(111)。
2022-04-13 13:35:46
1416 
在本文中,使用緩沖氧化物蝕刻(BOE)溶液進(jìn)行濕法蝕刻以直接鍵合Cu-Cu圖案之后,根據(jù)Cu圖案密度變量在400℃的結(jié)溫下進(jìn)行Cu-Cu鍵合,具有良好的現(xiàn)有Cu-Cu鍵合特性,并且使用4點(diǎn)彎曲測(cè)試評(píng)估鍵合特性。
2022-05-05 17:03:37
1344 
本文闡述了金屬雜質(zhì)和顆粒雜質(zhì)在硅片表面的粘附機(jī)理,并提出了一些清洗方法。
2022-05-11 16:10:27
4 引言 描述了溢流晶片清洗工藝中的流場(chǎng)。該信息被用于一項(xiàng)倡議,其主要目的是減少晶片清洗中的用水量。使用有限元數(shù)值技術(shù)計(jì)算速度場(chǎng)。大部分的水無(wú)助于晶片清洗。 介紹 清洗步驟占工廠中使用的ulaa純水
2022-06-06 17:24:46
1876 
表面和亞微米深溝槽的清洗在半導(dǎo)體制造中是一個(gè)巨大的挑戰(zhàn)。在這項(xiàng)工作中,使用物理數(shù)值模擬研究了使用脈動(dòng)流清洗毯式和圖案化晶片。毯式晶片清洗工藝的初步結(jié)果與文獻(xiàn)中的數(shù)值和實(shí)驗(yàn)結(jié)果吻合良好。毯式和圖案化晶片的初步結(jié)果表明,振蕩流清洗比穩(wěn)定流清洗更有效,并且振蕩流的最佳頻率是溝槽尺寸的函數(shù)。
2022-06-07 15:51:37
737 
需要在顆粒污染方面進(jìn)行非常清潔的表面處理,其中,直接晶片粘接在顆粒清潔度方面有非常積極的要求,直接的晶片鍵合包括通過(guò)簡(jiǎn)單地使兩種材料光滑和干凈的表面接觸而將它們連接在一起(圖1)。 在室溫壓力和溫度下,兩種材料表面的
2022-06-28 17:25:04
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用半導(dǎo)體制造中的清洗過(guò)程中使用的酸和堿溶液研究了硅片表面的顆粒去除。
2022-07-05 17:20:17
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雖然聽起來(lái)可能沒(méi)有極紫外(EUV)光刻那么性感,但對(duì)于確保成功的前沿節(jié)點(diǎn)、先進(jìn)半導(dǎo)體器件制造,濕法晶片清洗技術(shù)可能比EUV更重要,這是因?yàn)槠骷目煽啃院妥罱K產(chǎn)品的產(chǎn)量都與晶片的清潔度直接相關(guān),因?yàn)?b class="flag-6" style="color: red">晶片要經(jīng)過(guò)數(shù)百個(gè)圖案化、蝕刻、沉積和互連工藝步驟。
2022-07-07 16:24:23
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的實(shí)驗(yàn)和理論分析來(lái)建立晶片表面清潔技術(shù)。本文解釋了金屬和顆粒雜質(zhì)在硅片表面的粘附機(jī)理,并提出了一些清洗方法。 介紹 LSI(大規(guī)模集成電路)集成密度的增加對(duì)硅片質(zhì)量提出了更高的要求。更高質(zhì)量的晶片意味著晶體精度、成形質(zhì)量和
2022-07-11 15:55:45
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鍵合技術(shù)是 MEMS 工藝中常用的技術(shù)之一,是指將硅片與硅片、硅片與玻璃或硅片與金屬等材料通過(guò)物理或化學(xué)反應(yīng)機(jī)制緊密結(jié)合在一起的一種工藝技術(shù)。
2022-10-11 09:59:57
6232 單晶硅錠經(jīng)過(guò)切片、研磨、蝕刻、拋光、外延(如有)、鍵合(如有)、清洗等工藝步驟,制造成為半導(dǎo)體硅片。在生產(chǎn)環(huán)節(jié)中,半導(dǎo)體硅片需要盡可能地減少晶體缺陷,保持極高的平整度與表面潔凈度,以保證集成電路或半導(dǎo)體器件的可靠性。
2022-11-02 09:26:27
8073 小編今天給大家分享一組PPT,算是把金屬熱處理講透了!熱處理定義:是將固態(tài)金屬或合金在一定介質(zhì)中加熱、保溫和冷卻,以改變其整體或表面組織結(jié)構(gòu),從而獲得所需性能的工藝方法。
2022-11-30 14:55:45
1427 為解決銅絲硬度大帶來(lái)的鍵合難度,半導(dǎo)體封裝企業(yè)通常選擇應(yīng)用超聲工藝或鍵合壓力工藝提升鍵合效果,這也導(dǎo)致焊接期間需要耗費(fèi)更多的時(shí)間完成鍵合工作。
2022-12-15 15:44:46
4438 通過(guò)控制單一變量的試驗(yàn)方法,研究了金絲變形度、超聲功率、超聲時(shí)間和鍵合壓力等參數(shù)對(duì)自動(dòng)鍵合一致性和可靠性的影響,分析了每個(gè)參數(shù)對(duì)自動(dòng)鍵合的影響規(guī)律,給出了自動(dòng)鍵合參數(shù)的參考范圍。
2023-02-01 17:37:31
2972 金絲鍵合質(zhì)量的好壞受劈刀、鍵合參數(shù)、鍵合層鍍金質(zhì)量和金絲質(zhì)量等因素的制約。傳統(tǒng)熱壓鍵合、超聲鍵合、熱超聲鍵合或楔形鍵合和球形鍵合分別在不同情況下可以得到最佳鍵合效果。工藝人員針對(duì)不同焊盤尺寸所制定
2023-02-07 15:00:25
6593 就微粒污染而言,不同的微電子工藝需要非常干凈的表面。其中,直接晶片粘接在顆粒清潔度方面有非常積極的要求。直接晶圓鍵合是將兩種材料結(jié)合在一起,只需將它們光滑干凈的表面接觸即可(圖1)。在常溫常壓下,兩種材料表面的分子/原子之間形成的范德華力會(huì)產(chǎn)生附著力
2023-05-09 14:52:19
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晶圓直接鍵合技術(shù)可以使經(jīng)過(guò)拋光的半導(dǎo)體晶圓,在不使用粘結(jié)劑的情況下結(jié)合在一起,該技術(shù)在微電子制造、微機(jī)電系統(tǒng)封裝、多功能芯片集成以及其他新興領(lǐng)域具有廣泛的應(yīng)用。對(duì)于一些溫度敏感器件或者熱膨脹系數(shù)差異
2023-06-14 09:46:27
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tc鍵合機(jī)是hbm和半導(dǎo)體3d粘合劑為代表性應(yīng)用領(lǐng)域的加工后,在晶片上堆積一個(gè)芯片的熱壓縮粘合劑。日本企業(yè)tc鍵合機(jī)的市場(chǎng)占有率很高。tc鍵合機(jī)銷量排在前6位的公司中,日本公司占據(jù)了3家公司(西寶、新川、東麗)。
2023-09-05 14:42:51
3102 不同的微電子工藝需要非常干凈的表面以防止顆粒污染。其中,晶圓直接鍵合對(duì)顆粒清潔度的要求非常嚴(yán)格。直接晶圓鍵合包括通過(guò)簡(jiǎn)單地將兩種材料的光滑且干凈的表面接觸來(lái)將兩種材料連接在一起(圖1)。在室溫和壓力下,兩種材料表面的分子/原子之間形成的范德華力會(huì)產(chǎn)生粘附力。
2023-09-08 10:30:18
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隨著產(chǎn)業(yè)和消費(fèi)升級(jí),電子設(shè)備不斷向小型化、智能化方向發(fā)展,對(duì)電子設(shè)備提出了更高的要求??煽康姆庋b技術(shù)可以有效提高器件的使用壽命。陽(yáng)極鍵合技術(shù)是晶圓封裝的有效手段,已廣泛應(yīng)用于電子器件行業(yè)。其優(yōu)點(diǎn)是鍵合時(shí)間短、鍵合成本低。溫度更高,鍵合效率更高,鍵合連接更可靠。
2023-09-13 10:37:36
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引線鍵合是在硅芯片上的 IC 與其封裝之間創(chuàng)建互連的常用方法,其中將細(xì)線從器件上的鍵合焊盤連接到封裝上的相應(yīng)焊盤(即引線)。此連接建立了從芯片內(nèi)部電路到連接到印刷電路板 (PCB) 的外部引腳的電氣路徑。
2023-10-24 11:32:13
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傳統(tǒng)的二維硅片微縮技術(shù)達(dá)到其成本極限,半導(dǎo)體行業(yè)正轉(zhuǎn)向異構(gòu)集成技術(shù)。異構(gòu)集成是指不同特征尺寸和材質(zhì)的多種組件或晶片的制造、組裝和封裝,使其集成于單個(gè)器件或封裝之中,以提高新一代半導(dǎo)體器件的性能。 ? 經(jīng)過(guò)集成式晶片到晶圓鍵
2023-10-30 16:07:32
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共讀好書 姚友誼 吳琪 陽(yáng)微 胡蓉 姚遠(yuǎn)建 (成都西科微波通訊有限公司) 摘要: 從鋁質(zhì)焊盤鍵合后易發(fā)生欠鍵合和過(guò)鍵合的故障現(xiàn)象著手,就鋁焊盤上幾種常見(jiàn)鍵合方式進(jìn)行了探討,得出鍵合的優(yōu)先級(jí)為硅鋁絲
2024-02-02 16:51:48
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共讀好書 劉鳳華 中電科思儀科技股份有限公司 摘要: 鍵合對(duì)設(shè)備性能和人員技能的要求極高,屬于關(guān)鍵控制工序,鍵合質(zhì)量的好壞直接影響電路的可靠性。工藝人員需對(duì)鍵合的影響因素進(jìn)行整體把控,有針對(duì)性地控制
2024-02-02 17:07:18
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在半導(dǎo)體工藝中,“鍵合”是指將晶圓芯片連接到襯底上。粘接可分為兩種類型,即傳統(tǒng)方法和先進(jìn)方法。傳統(tǒng)的方法包括晶片連接(或晶片連接)和電線連接,而先進(jìn)的方法包括IBM在60年代末開發(fā)的倒裝芯片連接。
2024-04-24 11:14:55
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金絲鍵合強(qiáng)度測(cè)試儀是測(cè)量引線鍵合強(qiáng)度,評(píng)估鍵合強(qiáng)度分布或測(cè)定鍵合強(qiáng)度是否符合有關(guān)的訂購(gòu)文件的要求。鍵合強(qiáng)度試驗(yàn)機(jī)可應(yīng)用于采用低溫焊、熱壓焊、超聲焊或有關(guān)技術(shù)鍵合的、具有內(nèi)引線的器件封裝內(nèi)部的引線
2024-07-06 11:18:59
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,實(shí)現(xiàn)電氣信號(hào)的傳輸。然而,金絲鍵合過(guò)程中,溫度是一個(gè)不可忽視的關(guān)鍵因素,它不僅影響著鍵合質(zhì)量,還直接關(guān)系到產(chǎn)品的可靠性和性能。本文將對(duì)金絲鍵合工藝中的溫度研究進(jìn)行深
2024-08-16 10:50:14
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傳統(tǒng)方法和先進(jìn)方法。傳統(tǒng)的方法包括晶片連接和電線連接,而先進(jìn)的方法包括IBM在60年代末開發(fā)的倒裝芯片連接。倒裝芯片鍵合是一種結(jié)合了模具鍵合和導(dǎo)線鍵合的方法,是通過(guò)
2024-09-20 08:04:29
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將兩個(gè)晶圓永久性或臨時(shí)地粘接在一起的膠黏材料。 怎么鍵合與解鍵合? 如上圖,鍵合過(guò)程: 1.清潔和處理待鍵合晶圓表面。 2.將兩個(gè)待鍵合的晶圓對(duì)準(zhǔn)并貼合在一起。 3.施加壓力和溫度,促進(jìn)鍵合膠之間的粘接。 4.繼續(xù)保溫,使鍵合材料達(dá)到最佳粘接強(qiáng)度。 ? 解鍵合
2024-11-14 17:04:44
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一、超聲鍵合輔助的多層鍵合技術(shù) 基于微導(dǎo)能陣列的超聲鍵合多層鍵合技術(shù): 在超聲鍵合微流控芯片多層鍵合研究中,有基于微導(dǎo)能陣列的聚碳酸酯微流控芯片超聲鍵合技術(shù)。研究對(duì)比了大量鍵合方法,認(rèn)為超聲鍵合方式
2024-11-19 13:58:00
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微流控芯片鍵合技術(shù)的重要性 微流控芯片的鍵合技術(shù)是實(shí)現(xiàn)其功能的關(guān)鍵步驟之一,特別是在密封技術(shù)方面。鍵合技術(shù)的選擇直接影響到微流控芯片的整體性能和可靠性。 不同材料的鍵合方式 玻璃材料:通常通過(guò)熱鍵合
2024-12-30 13:56:31
1247 引線鍵合是一種將裸芯片的焊墊與封裝框架的引腳或基板上的金屬布線焊區(qū)通過(guò)金屬引線(如金線、銅線、鋁線等)進(jìn)行連接的工藝。 這一步驟確保了芯片與外部電路的有效電氣連接和信號(hào)傳輸。 鍵合前的等離子體清洗 在引線鍵合之前,通常需
2025-01-02 10:18:01
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鍵合PDMS和硅片的過(guò)程涉及幾個(gè)關(guān)鍵步驟和注意事項(xiàng),以確保鍵合質(zhì)量和穩(wěn)定性。以下是基于提供的搜索結(jié)果的詳細(xì)解釋。 等離子處理工藝的作用 等離子處理工藝在PDMS和硅片鍵合中起著至關(guān)重要的作用。它可
2025-01-09 15:32:24
1257 ,貼膜后的清洗過(guò)程同樣至關(guān)重要,它直接影響到外延晶片的最終質(zhì)量和性能。本文將詳細(xì)介紹碳化硅外延晶片硅面貼膜后的清洗方法,包括其重要性、常用清洗步驟、所用化學(xué)試劑及
2025-02-07 09:55:37
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金屬共晶鍵合是利用金屬間的化學(xué)反應(yīng),在較低溫度下通過(guò)低溫相變而實(shí)現(xiàn)的鍵合,鍵合后的金屬化合物熔點(diǎn)高于鍵合溫度。該定義更側(cè)重于從材料科學(xué)的角度定義。
2025-03-04 14:14:41
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鍵合技術(shù)主要分為直接鍵合和帶有中間層的鍵合。直接鍵合如硅硅鍵合,陽(yáng)極鍵合等鍵合條件高,如高溫、高壓等。而帶有中間層的鍵合,所需的溫度更低,壓力也更小。帶金屬的中間層鍵合技術(shù)主要包括共晶鍵合、焊料鍵合、熱壓鍵合和反應(yīng)鍵合等。本文主要對(duì)共晶鍵合進(jìn)行介紹。
2025-03-04 17:10:52
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想象一下,在一個(gè)高科技的實(shí)驗(yàn)室里,微小的硅片正承載著數(shù)不清的電子信息,它們的潔凈程度直接關(guān)系著芯片的性能。然而,當(dāng)這些硅片表面附著了灰塵、油污或其他殘留物時(shí),其性能將大打折扣。數(shù)據(jù)表明,清洗不徹底
2025-04-11 16:26:06
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關(guān)鍵詞:鍵合晶圓;TTV 質(zhì)量;晶圓預(yù)處理;鍵合工藝;檢測(cè)機(jī)制 一、引言 在半導(dǎo)體制造領(lǐng)域,鍵合晶圓技術(shù)廣泛應(yīng)用于三維集成、傳感器制造等領(lǐng)域。然而,鍵合過(guò)程中諸多因素會(huì)導(dǎo)致晶圓總厚度偏差(TTV
2025-05-26 09:24:36
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在半導(dǎo)體制造的整個(gè)過(guò)程中,有一個(gè)步驟比光刻還頻繁、比刻蝕還精細(xì),那就是清洗。一塊晶圓在從硅片變成芯片的全過(guò)程中,平均要經(jīng)歷50到100次清洗,而每一次清洗的失敗,都有可能讓整個(gè)批次報(bào)廢。你可能會(huì)
2025-06-24 17:22:47
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鋁絲鍵合常借助超聲楔焊技術(shù),通過(guò)超聲能量實(shí)現(xiàn)鋁絲與焊盤的直接鍵合。由于鍵合所用劈刀工具頭為楔形,使得鍵合點(diǎn)兩端同樣呈楔形,因而該技術(shù)也被叫做楔形壓焊。超聲焊工藝較為復(fù)雜,鍵合劈刀的運(yùn)動(dòng)、線夾動(dòng)作
2025-07-16 16:58:24
1461 鍵合技術(shù)是通過(guò)溫度、壓力等外部條件調(diào)控材料表面分子間作用力或化學(xué)鍵,實(shí)現(xiàn)不同材料(如硅-硅、硅-玻璃)原子級(jí)結(jié)合的核心工藝,起源于MEMS領(lǐng)域并隨SOI制造、三維集成需求發(fā)展,涵蓋直接鍵合(如SiO
2025-08-01 09:25:59
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在電子工業(yè)和半導(dǎo)體制造領(lǐng)域,硅片的清洗至關(guān)重要。隨著生產(chǎn)需求的不斷增加,傳統(tǒng)的清洗方法常常無(wú)法滿足高效、徹底的清洗需求。這時(shí),硅片超聲波清洗機(jī)便成為了眾多企業(yè)的選擇。它通過(guò)高頻聲波在液體中產(chǎn)生微小
2025-08-21 17:04:17
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硅片濕法清洗工藝雖然在半導(dǎo)體制造中廣泛應(yīng)用,但其存在一些固有缺陷和局限性,具體如下:顆粒殘留與再沉積風(fēng)險(xiǎn)來(lái)源復(fù)雜多樣:清洗液本身可能含有雜質(zhì)或微生物污染;過(guò)濾系統(tǒng)的濾芯失效導(dǎo)致大顆粒物質(zhì)未被有效攔截
2025-09-22 11:09:21
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工業(yè)級(jí)硅片超聲波清洗機(jī)適用于半導(dǎo)體制造、光伏行業(yè)、電子元件生產(chǎn)、精密器械清洗等多種場(chǎng)景,其在硅片制造環(huán)節(jié)的應(yīng)用尤為關(guān)鍵。半導(dǎo)體制造流程中的應(yīng)用在半導(dǎo)體制造領(lǐng)域,工業(yè)級(jí)硅片超聲波清洗機(jī)貫穿多個(gè)關(guān)鍵工藝
2025-10-16 17:42:03
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在半導(dǎo)體封裝工藝中,芯片鍵合(Die Bonding)是指將晶圓芯片固定到封裝基板上的關(guān)鍵步驟。鍵合工藝可分為傳統(tǒng)方法和先進(jìn)方法:傳統(tǒng)方法包括芯片鍵合(Die Bonding)和引線鍵合(Wire
2025-10-21 17:36:16
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評(píng)論