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電子發(fā)燒友網(wǎng)>制造/封裝>半導(dǎo)體制造領(lǐng)域光刻膠的作用和意義

半導(dǎo)體制造領(lǐng)域光刻膠的作用和意義

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微氣泡對(duì)光刻膠層的影響

光刻劑。但重大挑戰(zhàn)仍然存在,部分原因是去除率不足以首先在半導(dǎo)體制造業(yè)中使用微氣泡。因此,我們需要通過(guò)明確了解微氣泡去除光刻抗蝕劑層的功能機(jī)制,來(lái)提高微氣泡的去除能力。本研究的目的是闡明微氣泡對(duì)光刻膠層表面的影響。
2022-01-10 11:37:131980

A股半導(dǎo)體光刻膠企業(yè)營(yíng)收靚麗!打造光刻膠全產(chǎn)業(yè)鏈 博康欲成國(guó)產(chǎn)光刻膠的中流砥柱

光刻膠為何要謀求國(guó)產(chǎn)替代?中國(guó)國(guó)產(chǎn)光刻膠企業(yè)的市場(chǎng)發(fā)展機(jī)會(huì)和挑戰(zhàn)如何?光刻膠企業(yè)發(fā)展要具備哪些核心競(jìng)爭(zhēng)力?在南京半導(dǎo)體大會(huì)期間,徐州博康公司董事長(zhǎng)傅志偉和研發(fā)總監(jiān)潘新剛給我們帶來(lái)前沿觀點(diǎn)和獨(dú)家分析。
2022-08-29 15:02:238662

半導(dǎo)體制造光刻工藝講解

光刻工藝就是把芯片制作所需要的線路與功能做出來(lái)。利用光刻機(jī)發(fā)出的光通過(guò)具有圖形的光罩對(duì)涂有光刻膠的薄片曝光,光刻膠見(jiàn)光后會(huì)發(fā)生性質(zhì)變化,從而使光罩上得圖形復(fù)印到薄片上,從而使薄片具有電子線路圖的作用
2023-12-04 09:17:246309

光刻膠的類(lèi)型及特性

光刻膠類(lèi)型及特性光刻膠(Photoresist),又稱(chēng)光致抗蝕劑,是芯片制造光刻工藝的核心材料。其性能直接影響芯片制造的精度、效率和可靠性。本文介紹了光刻膠類(lèi)型和光刻膠特性。
2025-04-29 13:59:337845

國(guó)產(chǎn)高端光刻膠新進(jìn)展,KrF、ArF進(jìn)一步突破!

近日,上海新陽(yáng)發(fā)布公告稱(chēng),公司自主研發(fā)的KrF(248nm)厚膜光刻膠產(chǎn)品已經(jīng)通過(guò)客戶(hù)認(rèn)證,并成功取得第一筆訂單,取得不錯(cuò)進(jìn)展。 ? 光刻膠用于半導(dǎo)體光刻工藝環(huán)節(jié),是決定制造質(zhì)量的重要因素,根據(jù)曝光
2021-07-03 07:47:0026808

半導(dǎo)體光刻膠企業(yè)營(yíng)收靚麗!打造光刻膠全產(chǎn)業(yè)鏈 博康欲成國(guó)產(chǎn)光刻膠的中流砥柱

電子發(fā)燒友原創(chuàng) 章鷹 ? 近日,全球半導(dǎo)體市場(chǎng)規(guī)模增長(zhǎng)帶動(dòng)了上游半導(dǎo)體材料旺盛需求,“光刻膠”的突破也成為國(guó)內(nèi)關(guān)注焦點(diǎn)。正當(dāng)日本光刻膠企業(yè)JSR、東京應(yīng)化和美國(guó)Lam Research在EUV光刻膠
2022-08-31 07:45:004234

國(guó)產(chǎn)光刻膠突圍,日企壟斷終松動(dòng)

量產(chǎn)到ArF浸沒(méi)式驗(yàn)證,從樹(shù)脂國(guó)產(chǎn)化到EUV原料突破,一場(chǎng)靜默卻浩蕩的技術(shù)突圍戰(zhàn)已進(jìn)入深水區(qū)。 ? 例如在248nm波長(zhǎng)的KrF光刻膠武漢太紫微的T150A以120nm分辨率和93.7%的良率通過(guò)中芯國(guó)際28nm產(chǎn)線驗(yàn)證,開(kāi)創(chuàng)了國(guó)內(nèi)半導(dǎo)體光刻制造的新
2025-07-13 07:22:006083

國(guó)產(chǎn)百?lài)嵓?jí)KrF光刻膠樹(shù)脂產(chǎn)線正式投產(chǎn)

? 電子發(fā)燒友網(wǎng)綜合報(bào)道 近日,八億時(shí)空宣布其KrF光刻膠萬(wàn)噸級(jí)半導(dǎo)體制程高自動(dòng)化研發(fā)/量產(chǎn)雙產(chǎn)線順利建成,標(biāo)志著我國(guó)在中高端光刻膠領(lǐng)域的自主化進(jìn)程邁出關(guān)鍵一步。 ? 此次建成的KrF光刻膠產(chǎn)線采用
2025-08-10 03:26:009092

國(guó)產(chǎn)光刻膠重磅突破:攻克5nm芯片制造關(guān)鍵難題

電子發(fā)燒友網(wǎng)綜合報(bào)道 近日,我國(guó)半導(dǎo)體材料領(lǐng)域迎來(lái)重大突破。北京大學(xué)化學(xué)與分子工程學(xué)院彭海琳教授團(tuán)隊(duì)及合作者通過(guò)冷凍電子斷層掃描技術(shù),首次在原位狀態(tài)下解析了光刻膠分子在液相環(huán)境中的微觀三維結(jié)構(gòu)、界面
2025-10-27 09:13:046180

光刻膠

改進(jìn);廣泛應(yīng)用于全球半導(dǎo)體行業(yè)。光刻膠產(chǎn)品型號(hào)及參數(shù)[tr=transparent]光刻膠名稱(chēng)型號(hào)勻厚度規(guī)格[/tr][tr=transparent]Merck AZ 正/負(fù)可轉(zhuǎn)換型光刻膠AZ
2018-07-12 11:57:08

光刻膠在集成電路制造中的應(yīng)用

]。光刻膠涂覆在半導(dǎo)體導(dǎo)體和絕緣體上,經(jīng)曝光顯影后留下的部分對(duì)底層起保護(hù)作用,然后采用超凈高純?cè)噭┻M(jìn)行蝕刻,從而完成了將掩膜版圖形轉(zhuǎn)移到底層上的圖形轉(zhuǎn)移過(guò)程。一個(gè)IC的制造一般需要經(jīng)過(guò)10多次圖形轉(zhuǎn)移
2018-08-23 11:56:31

光刻膠有什么分類(lèi)?生產(chǎn)流程是什么?

光刻膠也稱(chēng)為光致抗蝕劑,是一種光敏材料,它受到光照后特性會(huì)發(fā)生改變。光刻膠主要用來(lái)將光刻掩膜版上的圖形轉(zhuǎn)移到晶圓片上。光刻膠有正和負(fù)之分。正經(jīng)過(guò)曝光后,受到光照的部分變得容易溶解,經(jīng)過(guò)顯影后被
2019-11-07 09:00:18

光刻膠殘留要怎么解決?

這是我的版圖一部分,然后生成了圖案是這樣的: 感覺(jué)間距小的地方全都有殘留,間距大的地方?jīng)]有殘留;工藝參數(shù):s9920光刻膠, evg 620‘未進(jìn)行蒸汽底漆層涂覆,前烘:100攝氏度,90s
2016-11-29 14:59:18

半導(dǎo)體材料市場(chǎng)構(gòu)成分析

半導(dǎo)體材料市場(chǎng)構(gòu)成:在半導(dǎo)體材料市場(chǎng)構(gòu)成方面,大硅片占比最大,占比為32.9%。其次為氣體,占比為14.1%,光掩膜排名第三,占比 為12.6%,其后:分別為拋光液和拋光墊、光刻膠配套試劑、光刻膠、濕化學(xué)品、建設(shè)靶材,比分別為7.2%、6.9%、 6.1%、4%和3%。
2021-01-22 10:48:36

半導(dǎo)體制造

制造半導(dǎo)體器件時(shí),為什么先將導(dǎo)電性能介于導(dǎo)體和絕緣體之間的硅或鍺制成本征半導(dǎo)體,使之導(dǎo)電性極差,然后再用擴(kuò)散工藝在本征半導(dǎo)體中摻入雜質(zhì)形成N型半導(dǎo)體或P型半導(dǎo)體改善其導(dǎo)電性?
2012-07-11 20:23:15

半導(dǎo)體制造技術(shù)經(jīng)典教程(英文版)

半導(dǎo)體制造技術(shù)經(jīng)典教程(英文版)
2014-03-06 16:19:35

半導(dǎo)體制造的難點(diǎn)匯總

采取正確的設(shè)備維護(hù)行動(dòng)。半導(dǎo)體制造五大難點(diǎn)——集成眾多子系統(tǒng)的大系統(tǒng)伴隨著芯片的集成度越來(lái)越高、半導(dǎo)體制造的先進(jìn)程度也逐漸提升。半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)包含越來(lái)越多的機(jī)械、化工、軟件、材料等其它領(lǐng)域,是集成了很多
2020-09-02 18:02:47

Futurrex高端光刻膠

半導(dǎo)體制造領(lǐng)域的標(biāo)志:NR9-PY 系列負(fù)性光刻膠,適用于lift-off工藝;具有高效粘附性,高反應(yīng)速度并耐高溫性能好。 NR71-PY 系列 負(fù)性光刻膠,適用于lift-off工藝,耐高溫性能好
2010-04-21 10:57:46

Microchem SU-8光刻膠 2000系列

、芯片封裝和微加工等領(lǐng)域。目前,直接采用 SU- 8 光刻膠來(lái)制備深寬比高的微結(jié)構(gòu)與微零件已經(jīng)成為微加工領(lǐng)域的一項(xiàng)新技術(shù)。SU 8光刻膠光刻前清洗工藝:為了獲得更好的光刻效果,在進(jìn)行光刻膠旋涂之前,需要
2018-07-04 14:42:34

半導(dǎo)體制造工藝》學(xué)習(xí)筆記

`《半導(dǎo)體制造工藝》學(xué)習(xí)筆記`
2012-08-20 19:40:32

《炬豐科技-半導(dǎo)體工藝》光刻前 GaAs 表面處理以改善濕化學(xué)蝕刻過(guò)程中的光刻膠附著力和改善濕蝕刻輪廓

還改變了濕蝕刻輪廓GaAs 與沒(méi)有表面處理的晶片相比,反應(yīng)限制蝕刻更具各向同性;簡(jiǎn)介 光刻膠的附著力對(duì)濕蝕刻的結(jié)果以及隨后的電氣和光學(xué)器件的產(chǎn)量起著關(guān)鍵作用。有許多因素會(huì)影響光刻膠對(duì)半導(dǎo)體襯底的粘附
2021-07-06 09:39:22

《炬豐科技-半導(dǎo)體工藝》IC制造工藝

`書(shū)籍:《炬豐科技-半導(dǎo)體工藝》文章:IC制造工藝編號(hào):JFSJ-21-046作者:炬豐科技網(wǎng)址:http://www.wetsemi.com/index.html摘要:集成電路的制造主要包括以下
2021-07-08 13:13:06

一文帶你了解芯片制造的6個(gè)關(guān)鍵步驟

。正性光刻膠半導(dǎo)體制造中使用得最多,因其可以達(dá)到更高的分辨率,從而讓它成為光刻階段更好的選擇?,F(xiàn)在世界上有不少公司生產(chǎn)用于半導(dǎo)體制造光刻膠。 光刻光刻在芯片制造過(guò)程中至關(guān)重要,因?yàn)樗鼪Q定了芯片上的晶體管
2022-04-08 15:12:41

想了解半導(dǎo)體制造相關(guān)知識(shí)

{:1:}想了解半導(dǎo)體制造相關(guān)知識(shí)
2012-02-12 11:15:05

最全最詳盡的半導(dǎo)體制造技術(shù)資料,涵蓋晶圓工藝到后端封測(cè)

——薄膜制作(Layer)、圖形光刻(Pattern)、刻蝕和摻雜,再到測(cè)試封裝,一目了然。 全書(shū)共分20章,根據(jù)應(yīng)用于半導(dǎo)體制造的主要技術(shù)分類(lèi)來(lái)安排章節(jié),包括與半導(dǎo)體制造相關(guān)的基礎(chǔ)技術(shù)信息;總體流程圖
2025-04-15 13:52:11

負(fù)光刻膠顯影殘留原因

151n光刻膠曝光顯影后開(kāi)口底部都會(huì)有一撮殘留,找不到原因。各位幫分析下
2023-04-20 13:13:52

#半導(dǎo)體制造工藝 補(bǔ)充光刻膠靈敏度和調(diào)制傳遞函數(shù)

靈敏度制造工藝半導(dǎo)體制造光刻膠集成電路工藝
電子技術(shù)那些事兒發(fā)布于 2022-10-15 14:56:40

光刻膠光刻工藝技術(shù)

光刻膠光刻工藝技術(shù) 微電路的制造需要把在數(shù)量上精確控制的雜質(zhì)引入到硅襯底上的微小 區(qū)域內(nèi),然后把這些區(qū)域連起來(lái)以形成器件和VLSI電路.確定這些區(qū)域圖形 的工藝是由光刻來(lái)完成的,也就是說(shuō),首先在硅片上旋轉(zhuǎn)涂覆光刻膠,再將 其曝露于某種光源下,如紫外光,
2011-03-09 16:43:210

光刻膠是芯片制造的關(guān)鍵材料,圣泉集團(tuán)實(shí)現(xiàn)了

這是一種老式的旋轉(zhuǎn)涂膠機(jī),將芯片上涂上光刻膠然后將芯片放到上邊,可以通過(guò)機(jī)器的旋轉(zhuǎn)的力度將光刻膠均勻分布到芯片表面,光刻膠只有均勻涂抹在芯片表面,才能保證光刻的成功。
2018-05-17 14:39:3719874

半導(dǎo)體光刻膠:多家廠商實(shí)現(xiàn)國(guó)產(chǎn)替代

在國(guó)家政策與市場(chǎng)的雙重驅(qū)動(dòng)下,近年來(lái),國(guó)內(nèi)企業(yè)逐步向面板、半導(dǎo)體光刻膠發(fā)力……
2019-04-23 16:15:3614108

美系光刻膠是否能解救韓系半導(dǎo)體廠的危機(jī)?

近日,日本對(duì)韓國(guó)進(jìn)行出口限制,光刻膠材料赫然在列。
2019-07-15 09:28:494368

日本已部分解除對(duì)韓國(guó)出口光刻膠的限制 日韓制裁爭(zhēng)端或緩解

2019年7月初,日韓突然陷入制裁爭(zhēng)端,日本宣布限制對(duì)韓出口三種關(guān)鍵的半導(dǎo)體材料,分別是電視和手機(jī)OLED面板上使用的氟聚酰亞胺(Fluorine Polyimide)、半導(dǎo)體制造中的核心材料光刻膠(Photoresist)和高純度氟化氫(Eatching Gas)。
2019-12-24 10:23:323639

南大光電高黏附性的ArF光刻膠樹(shù)脂專(zhuān)利揭秘

在國(guó)際半導(dǎo)體領(lǐng)域,我國(guó)雖已成為半導(dǎo)體生產(chǎn)大國(guó),但整個(gè)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈仍比較落后。特別是由于國(guó)內(nèi)光刻膠廠布局較晚,半導(dǎo)體光刻膠技術(shù)相較于海外先進(jìn)技術(shù)差距較大,國(guó)產(chǎn)化不足5%。在這種條件下,國(guó)內(nèi)半導(dǎo)體廠商積極開(kāi)展研究,如晶瑞股份的KrF光刻膠,南大光電的ArF光刻膠均取得較好的研究效果。
2020-03-06 15:40:565517

LCD光刻膠需求快速增長(zhǎng),政策及國(guó)產(chǎn)化風(fēng)向帶動(dòng)國(guó)產(chǎn)廠商發(fā)展

光刻膠按應(yīng)用領(lǐng)域分類(lèi),大致分為L(zhǎng)CD光刻膠、PCB光刻膠(感光油墨)與半導(dǎo)體光刻膠等。按照下游應(yīng)用來(lái)看,目前LCD光刻膠占比26.6%,刻占比24.5%,半導(dǎo)體光刻膠占比24.1%,PCB光其他類(lèi)光刻膠占比24.8%。
2020-06-12 17:13:396218

2020年光刻膠行業(yè)情況解析

全球光刻膠市場(chǎng)規(guī)模從2016 年的15 億美元增長(zhǎng)至2019年的18億美元,年復(fù)合增長(zhǎng)率達(dá)6.3%;應(yīng)用方面,光刻膠主要應(yīng)用在PCB、半導(dǎo)體及LCD顯示等領(lǐng)域,各占約25%市場(chǎng)份額。
2020-09-21 11:28:046826

斯坦得LDI感光干膜及半導(dǎo)體光刻膠項(xiàng)目總投資15億元

9月16日,安徽馬鞍山當(dāng)涂縣9月份項(xiàng)目集中簽約、集中開(kāi)工儀式在姑孰工業(yè)集中區(qū)舉行。 本次集中簽約8個(gè)項(xiàng)目,其中包括斯坦得LDI感光干膜及半導(dǎo)體光刻膠項(xiàng)目。該項(xiàng)目總投資15億元,分2期建設(shè)。其中,一期
2020-09-24 11:12:054086

新材料在線:2020年光刻膠行業(yè)研究報(bào)告

全球光刻膠市場(chǎng)規(guī)模從2016 年的15 億美元增長(zhǎng)至2019年的18億美元,年復(fù)合增長(zhǎng)率達(dá)6.3%;應(yīng)用方面,光刻膠主要應(yīng)用在PCB、半導(dǎo)體及LCD顯示等領(lǐng)域,各占約25%市場(chǎng)份額。 國(guó)內(nèi)光刻膠整體
2020-10-10 17:40:253534

博聞廣見(jiàn)之半導(dǎo)體行業(yè)中的光刻膠

、電子束、準(zhǔn)分子激光束、X射線、離子束等曝光源的照射或輻射,從而使光刻膠的溶解度發(fā)生變化。 按照應(yīng)用領(lǐng)域分類(lèi),光刻膠主要包括印制電路板(PCB)光刻膠專(zhuān)用化學(xué)品(光引發(fā)劑和樹(shù)脂)、液晶顯示器(LCD)光刻膠光引發(fā)劑、半導(dǎo)
2022-12-06 14:53:542357

半導(dǎo)體光刻膠基礎(chǔ)知識(shí)講解

此外,由于光刻加工分辨率直接關(guān)系到芯片特征尺寸大小,而光刻膠的性能關(guān)系到光刻分辨率的大小。限制光刻分辨率的是光的干涉和衍射效應(yīng)。光刻分辨率與曝光波長(zhǎng)、數(shù)值孔徑和工藝系數(shù)相關(guān)。
2020-10-15 15:09:187666

半導(dǎo)體集成電路制造的核心材料:光刻膠

首先,我們都知道要制作一顆芯片可以簡(jiǎn)單分為三個(gè)步驟:IC芯片設(shè)計(jì)芯片制造封裝測(cè)試。從最早誕生于電路設(shè)計(jì)師的腦袋中,到將大腦中的線路圖像設(shè)計(jì)出來(lái),最后送到半導(dǎo)體車(chē)間經(jīng)由光刻機(jī)反復(fù)光刻,中間經(jīng)過(guò)數(shù)百道
2020-11-14 09:36:577126

為打破光刻膠壟斷,我國(guó)冰刻2.0技術(shù)獲突破

光刻膠是微納加工過(guò)程中非常關(guān)鍵的材料。有專(zhuān)家表示,中國(guó)要制造芯片,光有光刻機(jī)還不夠,還得打破國(guó)外對(duì)“光刻膠”的壟斷。
2020-12-08 10:53:564956

光刻膠的價(jià)值與介紹及市場(chǎng)格局對(duì)國(guó)產(chǎn)光刻膠的發(fā)展趨勢(shì)

近期,專(zhuān)注于電子材料市場(chǎng)研究的TECHCET發(fā)布最新統(tǒng)計(jì)和預(yù)測(cè)數(shù)據(jù):2021年,半導(dǎo)體制造所需的光刻膠市場(chǎng)規(guī)模將同比增長(zhǎng)11%,達(dá)到19億美元。
2021-03-22 10:51:126146

光刻膠國(guó)產(chǎn)化的道路上有哪6道坎?

材料是半導(dǎo)體大廈的地基,不過(guò),目前中國(guó)的這一地基對(duì)國(guó)外依存度還很高。 2019年,日韓發(fā)生沖突,日本封鎖了三種關(guān)鍵的半導(dǎo)體材料,分別是氟化氫、聚酰亞胺和光刻膠。這三種材料韓國(guó),中國(guó)都可以制造,但
2021-05-11 13:46:384021

2021年,半導(dǎo)體制造所需的光刻膠市場(chǎng)規(guī)模將同比增長(zhǎng)11%

按照應(yīng)用領(lǐng)域分類(lèi),光刻膠主要包括印制電路板(PCB)光刻膠專(zhuān)用化學(xué)品(光引發(fā)劑和樹(shù)脂)、液晶顯示器(LCD)光刻膠光引發(fā)劑、半導(dǎo)體光刻膠光引發(fā)劑和其他用途光刻膠四大類(lèi)。本文主要討論半導(dǎo)體光刻膠
2021-05-17 14:15:525022

光刻膠又遇“卡脖子”,國(guó)產(chǎn)替代刻不容緩

化學(xué)之所以停止供貨部分晶圓廠KrF光刻膠,與2月份日本福島東部海域發(fā)生7.3級(jí)地震有莫大關(guān)聯(lián)。地震導(dǎo)致信越化學(xué)KrF光刻膠產(chǎn)線受到很大程度的破壞,至今尚未完全恢復(fù)生產(chǎn)。 光刻膠半導(dǎo)體制造中的關(guān)鍵產(chǎn)品,重要性毋庸置疑,現(xiàn)在這么多半導(dǎo)
2021-06-25 16:12:281241

光刻膠板塊的大漲吸引了產(chǎn)業(yè)注意 ,國(guó)產(chǎn)光刻膠再遇發(fā)展良機(jī)?

5月27日,半導(dǎo)體光刻膠概念股開(kāi)盤(pán)即走強(qiáng),截至收盤(pán),A股光刻膠板塊漲幅達(dá)6.48%。其中晶瑞股份、廣信材料直線拉升大漲20%封漲停,容大感光大漲13.28%,揚(yáng)帆新材大漲11.37%,南大光電
2021-05-28 10:34:154020

半導(dǎo)體技術(shù)新進(jìn)展,南大光電高端ArF光刻膠獲得突破

半導(dǎo)體制造方面,國(guó)內(nèi)廠商需要突破的不只是光刻機(jī)等核心設(shè)備,光刻膠也是重要的一環(huán)。而南大光電研發(fā)的高端ArF光刻機(jī),已經(jīng)獲得了國(guó)內(nèi)某企業(yè)的認(rèn)證,可用于55nm工藝制造。 南大光電發(fā)布公告稱(chēng),控股
2021-06-26 16:32:373071

默克推出用于芯片制造的新一代環(huán)保光刻膠去除劑

德國(guó)達(dá)姆施塔特, 2021年7月 28日 –- 全球領(lǐng)先的科技公司默克日前宣布推出新一代環(huán)保精密清洗溶劑產(chǎn)品 ?--?AZ??910?去除劑。該系列產(chǎn)品用于半導(dǎo)體芯片制造圖形化工藝中清除光刻膠
2021-07-28 14:23:103911

光刻膠光刻機(jī)的關(guān)系

光刻膠光刻機(jī)研發(fā)的重要材料,換句話(huà)說(shuō)光刻機(jī)就是利用特殊光線將集成電路映射到硅片的表面,如果想要硅片的表面不留下痕跡,就需要網(wǎng)硅片上涂一層光刻膠。
2022-02-05 16:11:0015756

晶片光刻膠處理系統(tǒng)的詳細(xì)介紹

摘要 在這項(xiàng)工作中,研究了新一代相流體剝離溶液在各種半導(dǎo)體光刻膠中的應(yīng)用。這些實(shí)驗(yàn)中使用的獨(dú)特的水基智能流體配方均為超大規(guī)模集成電路級(jí),與銅兼容且無(wú)毒。實(shí)驗(yàn)的第一階段是確定是否在合理的時(shí)間內(nèi)與光刻膠
2022-03-03 14:20:05888

一種半導(dǎo)體制造光刻膠去除方法

本發(fā)明涉及一種去除光刻膠的方法,更詳細(xì)地說(shuō),是一種半導(dǎo)體制造光刻膠去除方法,該方法適合于在半導(dǎo)體裝置的制造過(guò)程中進(jìn)行吹掃以去除光刻膠。在半導(dǎo)體裝置的制造工藝中,將殘留在晶片上的光刻膠,在H2O
2022-04-13 13:56:421659

干法刻蝕去除光刻膠的技術(shù)

灰化,簡(jiǎn)單的理解就是用氧氣把光刻膠燃燒掉,光刻膠的基本成分是碳?xì)溆袡C(jī)物,在射頻或微波作用下,氧氣電離成氧原子并與光刻膠發(fā)生化學(xué)反應(yīng),生成一氧化碳,二氧化碳和水等,再通過(guò)泵被真空抽走,完成光刻膠的去除。
2022-07-21 11:20:178339

光刻膠為何要謀求國(guó)產(chǎn)替代

南大光電最新消息顯示,國(guó)產(chǎn)193nm(ArF)光刻膠研發(fā)成功,這家公司成為通過(guò)國(guó)家“02專(zhuān)項(xiàng)”驗(yàn)收的ArF光刻膠項(xiàng)目實(shí)施主體;徐州博康宣布,該公司已開(kāi)發(fā)出數(shù)十種高端光刻膠產(chǎn)品系列,包括
2022-08-31 09:47:142371

光刻膠的原理和正負(fù)光刻膠的主要組分是什么

光刻膠的組成:樹(shù)脂(resin/polymer),光刻膠中不同材料的粘合劑,給與光刻膠的機(jī)械與化學(xué)性質(zhì)(如粘附性、膠膜厚度、熱穩(wěn)定性等);感光劑,感光劑對(duì)光能發(fā)生光化學(xué)反應(yīng);溶劑(Solvent
2022-10-21 16:40:0423795

國(guó)產(chǎn)光刻膠市場(chǎng)前景 國(guó)內(nèi)廠商迎來(lái)發(fā)展良機(jī)

半導(dǎo)體光刻膠用光敏材料仍屬于“卡脖子”產(chǎn)品,海外進(jìn)口依賴(lài)較重,不同品質(zhì)之間價(jià) 格差異大。以國(guó)內(nèi) PAG 對(duì)應(yīng)的化學(xué)放大型光刻膠(主要是 KrF、ArF 光刻膠)來(lái)看,樹(shù)脂在 光刻膠中的固含量占比約
2022-11-18 10:07:434880

半導(dǎo)體光刻膠重要性凸出,國(guó)產(chǎn)替代加速推進(jìn)

光刻膠是IC制造的核心耗材,技術(shù)壁壘極高。根據(jù)TECHCET數(shù)據(jù),預(yù)計(jì)2022年全球半導(dǎo)體光刻膠市場(chǎng)規(guī)模達(dá)到23億美元,同比增長(zhǎng)7.5%,2025年超過(guò)25億美元。
2023-03-21 14:00:493248

一文講透光刻膠及芯片制造關(guān)鍵技術(shù)

在集成電路制造領(lǐng)域,如果說(shuō)光刻機(jī)是推動(dòng)制程技術(shù)進(jìn)步的“引擎”,光刻膠就是這部“引擎”的“燃料”。
2023-05-13 11:28:383489

化學(xué)放大型光刻膠作用原理

感光速度:即光刻膠受光照射發(fā)生溶解速度改變所需的最小能量,感光速度越快,單位時(shí)間內(nèi)芯片制造的產(chǎn)出越高,經(jīng)濟(jì)效益越好,另-方面,過(guò)快的感光速度會(huì)對(duì)引起工藝寬容度的減小,影響工藝制程的穩(wěn)定性。
2023-05-25 09:46:091705

半導(dǎo)體制造工藝之光刻工藝詳解

半導(dǎo)體制造工藝之光刻工藝詳解
2023-08-24 10:38:543038

EUV光刻膠開(kāi)發(fā)面臨哪些挑戰(zhàn)?

EUV光刻膠材料是光敏物質(zhì),當(dāng)受到EUV光子照射時(shí)會(huì)發(fā)生化學(xué)變化。這些材料在解決半導(dǎo)體制造中的各種挑戰(zhàn)方面發(fā)揮著關(guān)鍵作用,包括提高靈敏度、控制分辨率、減少線邊緣粗糙度(LER)、降低釋氣和提高熱穩(wěn)定性。
2023-09-11 11:58:421622

具有獨(dú)特底部輪廓的剝離光刻膠的開(kāi)發(fā)

金屬圖案的剝離方法已廣泛應(yīng)用于各種電子器件的制造過(guò)程中,如半導(dǎo)體封裝、MEMS和LED的制造。與傳統(tǒng)的金屬刻蝕方法不同的是,采用剝離法的優(yōu)點(diǎn)是節(jié)省成本和工藝簡(jiǎn)化。在剝離過(guò)程中,經(jīng)過(guò)涂層、曝光和開(kāi)發(fā)過(guò)程后,光刻膠會(huì)在晶片上形成圖案。
2023-10-25 10:40:05946

半導(dǎo)體關(guān)鍵材料光刻膠市場(chǎng)格局發(fā)展現(xiàn)狀

生產(chǎn)光刻膠的原料包括光引發(fā)劑(光增感劑、光致產(chǎn)酸劑幫助其更好發(fā)揮作用)、樹(shù)脂、溶劑和其他添加劑等,我國(guó)由于資金和技術(shù)的差距,如感光劑、樹(shù)脂等被外企壟斷,所以光刻膠自給能力不足。
2023-11-01 15:51:481331

光刻膠黏度如何測(cè)量?光刻膠需要稀釋嗎?

光刻膠在未曝光之前是一種黏性流體,不同種類(lèi)的光刻膠具有不同的黏度。黏度是光刻膠的一項(xiàng)重要指標(biāo)。那么光刻膠的黏度為什么重要?黏度用什么表征?哪些光刻膠算高黏度,哪些算低黏度呢?
2023-11-13 18:14:112940

不僅需要***,更需要光刻膠

為了生產(chǎn)高純度、高質(zhì)量的光刻膠,需要高純度的配方原料,例如光刻樹(shù)脂,溶劑PGMEA…此外,生產(chǎn)過(guò)程中的反應(yīng)釜鍍膜和金屬析出污染監(jiān)測(cè)也是至關(guān)重要的控制環(huán)節(jié)。例如,2019年,某家半導(dǎo)體制造公司由于光刻膠受到光阻原料的污染,導(dǎo)致上萬(wàn)片12吋晶圓報(bào)廢
2023-11-27 17:15:481717

萬(wàn)潤(rùn)股份在半導(dǎo)體制造材料領(lǐng)域穩(wěn)步推進(jìn),涉足光刻膠單體、PI等業(yè)務(wù)

近期,萬(wàn)潤(rùn)股份在接受機(jī)構(gòu)調(diào)研時(shí)透露,其“年產(chǎn)65噸半導(dǎo)體用光刻膠樹(shù)脂系列”項(xiàng)目已經(jīng)順利投入運(yùn)營(yíng)。該項(xiàng)目旨在為客戶(hù)提供專(zhuān)業(yè)的半導(dǎo)體用光刻膠樹(shù)脂類(lèi)材料。
2023-12-12 14:02:582311

光刻膠價(jià)格上漲,韓國(guó)半導(dǎo)體公司壓力增大

光刻膠類(lèi)別的多樣化,此次漲價(jià)案所涉KrF光刻膠屬于高階防護(hù)用品,也是未來(lái)各地廠家的競(jìng)爭(zhēng)焦點(diǎn)。當(dāng)前市場(chǎng)中,光刻膠主要由東京大賀工業(yè)、杜邦、JSR、信越化學(xué)、住友化學(xué)及東進(jìn)半導(dǎo)體等大型制造商掌控。
2023-12-14 15:20:362439

速度影響光刻膠的哪些性質(zhì)?

光刻中比較重要的一步,而旋涂速度是勻中至關(guān)重要的參數(shù),那么我們?cè)趧?b class="flag-6" style="color: red">膠時(shí),是如何確定勻速度呢?它影響光刻膠的哪些性質(zhì)?
2023-12-15 09:35:563928

光刻膠分類(lèi)與市場(chǎng)結(jié)構(gòu)

光刻膠主要下游應(yīng)用包括:顯示屏制造、印刷電路板生產(chǎn)、半導(dǎo)體制造等,其中顯示屏是光刻膠最大的下游應(yīng)用,占比30%。光刻膠半導(dǎo)體制造應(yīng)用占比24%,是第三達(dá)應(yīng)用場(chǎng)景。
2024-01-03 18:12:212813

2023年中國(guó)光刻膠行業(yè)市場(chǎng)前景及投資研究報(bào)告

光刻膠又稱(chēng)光致抗蝕劑,是指通過(guò)紫外光、電子束、離子束、X射線等的照射或輻射,其溶解度發(fā)生變化的耐蝕劑刻薄膜材料,是半導(dǎo)體制造中使用的核心電子材料之一。伴隨著晶圓制造規(guī)模持續(xù)提升,中國(guó)有望承接半導(dǎo)體
2024-01-19 08:31:241602

瑞紅集成電路高端光刻膠總部落戶(hù)吳中

據(jù)吳中發(fā)布的最新消息,簽約項(xiàng)目涵蓋了瑞紅集成電路高端光刻膠總部項(xiàng)目,該項(xiàng)投資高達(dá)15億元,旨在新建半導(dǎo)體光刻膠及其配套試劑的生產(chǎn)基地。
2024-01-26 09:18:431197

光刻膠光刻機(jī)的區(qū)別

光刻膠是一種涂覆在半導(dǎo)體器件表面的特殊液體材料,可以通過(guò)光刻機(jī)上的模板或掩模來(lái)進(jìn)行曝光。
2024-03-04 17:19:189618

關(guān)于光刻膠的關(guān)鍵參數(shù)介紹

與正光刻膠相比,電子束負(fù)光刻膠會(huì)形成相反的圖案?;诰酆衔锏呢?fù)型光刻膠會(huì)在聚合物鏈之間產(chǎn)生鍵或交聯(lián)。未曝光的光刻膠在顯影過(guò)程中溶解,而曝光的光刻膠則保留下來(lái),從而形成負(fù)像。
2024-03-20 11:36:505058

一文讀懂半導(dǎo)體工藝制程的光刻膠

光刻膠按照種類(lèi)可以分為正性的、負(fù)性的。正受到紫外光照射的部分在顯影時(shí)被去除,負(fù)受到紫外光曝光的地方在顯影后被留下。
2024-04-24 11:37:056635

光刻膠的保存和老化失效

我們?cè)谑褂?b class="flag-6" style="color: red">光刻膠的時(shí)候往往關(guān)注的重點(diǎn)是光刻膠的性能,但是有時(shí)候我們會(huì)忽略光刻膠的保存和壽命問(wèn)題,其實(shí)這個(gè)問(wèn)題應(yīng)該在我們購(gòu)買(mǎi)光刻膠前就應(yīng)該提出并規(guī)劃好。并且,在光刻過(guò)程中如果發(fā)現(xiàn)有異常情況發(fā)生,我們
2024-07-08 14:57:083146

光刻膠的圖形反轉(zhuǎn)工藝

圖形反轉(zhuǎn)是比較常見(jiàn)的一種紫外光刻膠,它既可以當(dāng)正使用又可以作為負(fù)使用。相比而言,負(fù)工藝更被人們所熟知。本文重點(diǎn)介紹其負(fù)工藝。 應(yīng)用領(lǐng)域 在反轉(zhuǎn)工藝下,通過(guò)適當(dāng)?shù)墓に噮?shù),可以獲得底切的側(cè)壁
2024-07-09 16:06:001988

光刻膠后烘技術(shù)

一般光刻過(guò)程文章中簡(jiǎn)單介紹過(guò)后烘工藝但是比較簡(jiǎn)單,本文就以下一些應(yīng)用場(chǎng)景下介紹后烘的過(guò)程和作用。 化學(xué)放大正 機(jī)理 當(dāng)使用“正常”正時(shí),曝光完成后光反應(yīng)也就完成了,但是化學(xué)放大的光刻膠需要隨后的烘烤步驟。光反應(yīng)在曝光期間開(kāi)始并在后烘環(huán)節(jié)中完
2024-07-09 16:08:433446

光刻膠的一般特性介紹

評(píng)價(jià)一款光刻膠是否適合某種應(yīng)用需要綜合看這款光刻膠的特定性能,這里給出光刻膠一般特性的介紹。 1. 靈敏度 靈敏度(sensitivity)是衡量曝光速度的指標(biāo)。光刻膠的靈敏度越高,所需的曝光劑量
2024-07-10 13:43:492388

光刻膠的硬烘烤技術(shù)

根據(jù)光刻膠的應(yīng)用工藝,我們可以采用適當(dāng)?shù)姆椒▽?duì)已顯影的光刻膠結(jié)構(gòu)進(jìn)行處理以提高其化學(xué)或物理穩(wěn)定性。通常我們可以采用烘烤步驟來(lái)實(shí)現(xiàn)整個(gè)光刻膠結(jié)構(gòu)的熱交聯(lián),稱(chēng)為硬烘烤或者堅(jiān)膜。或通過(guò)低劑量紫外線輻照
2024-07-10 13:46:592702

導(dǎo)致光刻膠變色的原因有哪些?

存儲(chǔ)時(shí)間 正和圖形反轉(zhuǎn)在存儲(chǔ)數(shù)月后會(huì)變暗,而且隨著儲(chǔ)存溫度升高而加速。因?yàn)樵擃?lèi)型光刻膠含有的光活性化合物形成偶氮染料,在 可見(jiàn)光譜的部分具有很強(qiáng)的吸收能力,對(duì)紫外靈敏度沒(méi)有任何影響。這種變色過(guò)程
2024-07-11 16:07:491791

如何成功的烘烤微流控SU-8光刻膠

控SU-8光刻膠烘烤:軟烘、后曝光烘烤和硬烘 在整個(gè)SU-8模具制備的過(guò)程中,微流控SU-8光刻膠需要烘烤2或3次,每一次烘烤都有不同的作用。 第一次光刻膠烘烤叫做軟烘,是SU-8光刻膠旋涂之后需要完成的操作。目標(biāo)是蒸發(fā)溶劑,使SU-8光刻膠更加堅(jiān)固。溶劑蒸發(fā)會(huì)稍微的改變光
2024-08-27 15:54:011241

掩膜版與光刻膠的功能和作用

掩膜版與光刻膠在芯片制造過(guò)程中扮演著不可或缺的角色,它們的功能和作用各有側(cè)重,但共同促進(jìn)了芯片的精確制造。? 掩膜版?,也稱(chēng)為光罩、光掩膜或光刻掩膜版,是微電子制造過(guò)程中的圖形轉(zhuǎn)移母版。它的主要功能
2024-09-06 14:09:472516

一文看懂光刻膠的堅(jiān)膜工藝及物理特性和常見(jiàn)光刻膠

共讀好書(shū)關(guān)于常用光刻膠型號(hào)也可以查看這篇文章:收藏!常用光刻膠型號(hào)資料大全,幾乎包含所有芯片用光刻膠歡迎掃碼添加小編微信掃碼加入知識(shí)星球,領(lǐng)取公眾號(hào)資料
2024-11-01 11:08:073091

國(guó)產(chǎn)光刻膠通過(guò)半導(dǎo)體工藝量產(chǎn)驗(yàn)證

來(lái)源:太紫微公司 近日,光谷企業(yè)在半導(dǎo)體專(zhuān)用光刻膠領(lǐng)域實(shí)現(xiàn)重大突破:武漢太紫微光電科技有限公司(以下簡(jiǎn)稱(chēng)“太紫微公司”)推出的T150 A光刻膠產(chǎn)品,已通過(guò)半導(dǎo)體工藝量產(chǎn)驗(yàn)證,實(shí)現(xiàn)配方全自主
2024-10-17 13:22:441105

光刻膠的使用過(guò)程與原理

本文介紹了光刻膠的使用過(guò)程與原理。
2024-10-31 15:59:452789

一文解讀光刻膠的原理、應(yīng)用及市場(chǎng)前景展望

光刻技術(shù)是現(xiàn)代微電子和納米技術(shù)的研發(fā)中的關(guān)鍵一環(huán),而光刻膠,又是光刻技術(shù)中的關(guān)鍵組成部分。隨著技術(shù)的發(fā)展,對(duì)微小、精密的結(jié)構(gòu)的需求日益增強(qiáng),光刻膠的需求也水漲船高,在微電子制造和納米技術(shù)等高精尖領(lǐng)域占據(jù)著至關(guān)重要的位置。
2024-11-11 10:08:214404

三星減少NAND生產(chǎn)光刻膠使用量

的使用量降低至目前的一半。這一技術(shù)革新不僅將顯著降低生產(chǎn)成本,還將有助于提升生產(chǎn)效率,為三星在全球NAND閃存市場(chǎng)的競(jìng)爭(zhēng)中增添更多優(yōu)勢(shì)。 光刻膠半導(dǎo)體制造過(guò)程中不可或缺的關(guān)鍵材料之一,其質(zhì)量和性能直接影響到芯片的生產(chǎn)質(zhì)量和良
2024-11-27 11:00:24957

光刻膠成為半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的關(guān)鍵材料

光刻膠半導(dǎo)體制造領(lǐng)域的一種重要材料,在整個(gè)電子元器件加工產(chǎn)業(yè)有著舉足輕重的地位。 它主要由感光樹(shù)脂、增感劑和溶劑等成分組成。其中,感光樹(shù)脂決定了光刻膠的感光度和分辨率等關(guān)鍵性能,增感劑有助于提高
2024-12-19 13:57:362091

晶圓表面光刻膠的涂覆與刮邊工藝的研究

隨著半導(dǎo)體器件的應(yīng)用范圍越來(lái)越廣,晶圓制造技術(shù)也得到了快速發(fā)展。其中,光刻技術(shù)在晶圓制造過(guò)程中的地位尤為重要。光刻膠光刻工藝中必不可少的材料,其質(zhì)量直接影響到晶圓生產(chǎn)的效率和質(zhì)量。本文將圍繞著晶圓
2025-01-03 16:22:061227

半導(dǎo)體材料介紹 | 光刻膠及生產(chǎn)工藝重點(diǎn)企業(yè)

體。在光刻工藝過(guò)程中,用作抗腐蝕涂層材料。半導(dǎo)體材料在表面加工時(shí),若采用適當(dāng)?shù)挠羞x擇性的光刻膠,可在表面上得到所需的圖像。光刻膠按其形成的圖像分類(lèi)有正性、負(fù)性?xún)纱箢?lèi)
2025-03-18 13:59:533017

光刻膠剝離液及其制備方法及白光干涉儀在光刻圖形的測(cè)量

引言 在半導(dǎo)體制造與微納加工領(lǐng)域,光刻膠剝離液是光刻膠剝離環(huán)節(jié)的核心材料,其性能優(yōu)劣直接影響光刻膠去除效果與基片質(zhì)量。同時(shí),精準(zhǔn)測(cè)量光刻圖形對(duì)把控工藝質(zhì)量意義重大,白光干涉儀為此提供了有力的技術(shù)保障
2025-05-29 09:38:531108

減少光刻膠剝離工藝對(duì)器件性能影響的方法及白光干涉儀在光刻圖形的測(cè)量

? ? 引言 ? 在半導(dǎo)體制造領(lǐng)域,光刻膠剝離工藝是關(guān)鍵環(huán)節(jié),但其可能對(duì)器件性能產(chǎn)生負(fù)面影響。同時(shí),光刻圖形的精確測(cè)量對(duì)于保證芯片制造質(zhì)量至關(guān)重要。本文將探討減少光刻膠剝離工藝影響的方法,并介紹白光
2025-06-14 09:42:56736

金屬低刻蝕的光刻膠剝離液及其應(yīng)用及白光干涉儀在光刻圖形的測(cè)量

引言 在半導(dǎo)體制造與微納加工領(lǐng)域,光刻膠剝離是重要工序。傳統(tǒng)剝離液常對(duì)金屬層產(chǎn)生過(guò)度刻蝕,影響器件性能。同時(shí),光刻圖形的精確測(cè)量也是確保制造質(zhì)量的關(guān)鍵。本文聚焦金屬低刻蝕的光刻膠剝離液及其應(yīng)用,并
2025-06-16 09:31:51586

低含量 NMF 光刻膠剝離液和制備方法及白光干涉儀在光刻圖形的測(cè)量

引言 在半導(dǎo)體制造過(guò)程中,光刻膠剝離液是不可或缺的材料。N - 甲基 - 2 - 吡咯烷酮(NMF)雖在光刻膠剝離方面表現(xiàn)出色,但因其高含量使用帶來(lái)的成本、環(huán)保等問(wèn)題備受關(guān)注。同時(shí),光刻圖形的精準(zhǔn)
2025-06-17 10:01:01678

金屬低蝕刻率光刻膠剝離液組合物應(yīng)用及白光干涉儀在光刻圖形的測(cè)量

引言 在半導(dǎo)體及微納制造領(lǐng)域光刻膠剝離工藝對(duì)金屬結(jié)構(gòu)的保護(hù)至關(guān)重要。傳統(tǒng)剝離液易造成金屬過(guò)度蝕刻,影響器件性能。同時(shí),光刻圖形的精確測(cè)量是保障工藝質(zhì)量的關(guān)鍵。本文將介紹金屬低蝕刻率光刻膠剝離液組合
2025-06-24 10:58:22565

行業(yè)案例|膜厚儀應(yīng)用測(cè)量之光刻膠厚度測(cè)量

光刻膠,又稱(chēng)光致抗蝕劑,是一種關(guān)鍵的耐蝕劑刻薄膜材料。它在紫外光、電子束、離子束、X 射線等的照射或輻射下,溶解度會(huì)發(fā)生變化,主要應(yīng)用于顯示面板、集成電路和半導(dǎo)體分立器件等細(xì)微圖形加工作業(yè)。由于
2025-07-11 15:53:24430

從光固化到半導(dǎo)體材料:久日新材的光刻膠國(guó)產(chǎn)替代之路

當(dāng)您尋找可靠的國(guó)產(chǎn)半導(dǎo)體材料供應(yīng)商時(shí),一家在光刻膠領(lǐng)域實(shí)現(xiàn)全產(chǎn)業(yè)鏈突破的企業(yè)正脫穎而出——久日新材(688199.SH)。這家光引發(fā)劑巨頭,正以令人矚目的速度在半導(dǎo)體核心材料國(guó)產(chǎn)化浪潮中嶄露頭角
2025-08-12 16:45:381162

光刻膠旋涂的重要性及厚度監(jiān)測(cè)方法

在芯片制造領(lǐng)域光刻工藝中,光刻膠旋涂是不可或缺的基石環(huán)節(jié),而保障光刻膠旋涂的厚度是電路圖案精度的前提。優(yōu)可測(cè)薄膜厚度測(cè)量?jī)xAF系列憑借高精度、高速度的特點(diǎn),為光刻膠厚度監(jiān)測(cè)提供了可靠解決方案。
2025-08-22 17:52:461542

光刻膠剝離工藝

光刻膠剝離工藝是半導(dǎo)體制造和微納加工中的關(guān)鍵步驟,其核心目標(biāo)是高效、精準(zhǔn)地去除光刻膠而不損傷基底材料或已形成的結(jié)構(gòu)。以下是該工藝的主要類(lèi)型及實(shí)施要點(diǎn):濕法剝離技術(shù)有機(jī)溶劑溶解法原理:使用丙酮、NMP
2025-09-17 11:01:271282

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