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今日看點丨字節(jié)啟動 Seed Edge,加碼 AGI 研究;SemiQ推出1700 V SiC MOSFET系列

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2023-02-23 11:27:571699

1700V!這一國產(chǎn)SiC MOS率先上車

前幾天,三一集團的SiC重卡打破了吉尼斯紀錄(.點這里.),很多人好奇這款車的1700V SiC MOSFET供應商是誰,今天答案正式揭曉!
2023-06-14 18:19:552105

碳化硅1700v sic mosfet供應商

ModelName:ASC5N1700MT3Package:TO-247-3LVoltage:1700VRon:1000mohmTemperatureRange:-40~150°CStatus
2022-03-04 10:51:051603

SiC MOSFET器件技術現(xiàn)狀分析

對于SiC功率MOSFET技術,報告指出,650-1700V SiC MOSFET技術快速迭代,單芯片電流可達200A。提升電流密度同時,解決好特有可靠性問題是提高技術成熟度關鍵。
2023-08-08 11:05:571675

芯塔電子發(fā)布自主研發(fā)1700V/5Ω SiC MOSFET產(chǎn)品

芯塔電子1700V/5Ω SiC MOSFET主要應用新能源汽車電池電壓檢測和絕緣監(jiān)測。該應用場景中,使用碳化硅方案可以有效提升光耦繼電器整體性能,使之響應速度更快、體積縮小、壽命延長等,對提升車輛電源系統(tǒng)整體效能、可靠性及安全性有著重要意義。
2023-08-16 11:49:311230

東芝開發(fā)出業(yè)界首款2200V雙碳化硅(SiCMOSFET模塊,助力工業(yè)設備的高效率和小型化

點擊“東芝半導體”,馬上加入我們哦! 東芝電子元件及存儲裝置株式會社(“東芝”)今日宣布, 推出業(yè)界首款 [1] 2200V雙碳化硅(SiCMOSFET模塊—“ MG250YD2YMS3
2023-08-31 17:40:071150

SemiQ推出系列采用SOT-227封裝的1,200V MOSFET

為了擴大QSiC SiC模塊的選擇范圍,SemiQ推出了一系列采用SOT-227封裝的1,200V MOSFET,可與或不與1,200V SiC肖特基二極管一起使用。 最近推出SemiQ SiC
2023-11-16 17:18:252612

SiC MOSFET AC BTI 可靠性研究

SiC MOSFET AC BTI 可靠性研究
2023-11-30 15:56:022143

SemiQ推出采用SOT-1封裝的200,227V MOSFET

為了擴大QSiC SiC模塊的選擇范圍,SemiQ推出了一系列采用SOT-1封裝的200,227V MOSFET,可與或不與1,200V SiC肖特基二極管一起使用。 最近推出SemiQ SiC
2023-11-26 16:40:461903

瞻芯電子推出1700V SiC MOSFET助力高效輔助電源

11月27日,瞻芯電子開發(fā)的首款1700V碳化硅(SiC)MOSFET產(chǎn)品(IV2Q171R0D7Z)通過了車規(guī)級可靠性認證(AEC-Q101), 導通電阻標稱1Ω,
2023-11-30 09:39:183074

Power Integrations推出具有快速短路保護功能的門極驅動器

PI近日推出全新系列的即插即用型門極驅動器,新驅動器適配額定耐壓在1700V以內的62mm碳化硅(SiC) MOSFET模塊和硅IGBT模塊
2023-12-14 15:47:041174

英飛凌發(fā)布新款CoolSiC 2000V SiC MOSFET

英飛凌科技股份公司近日發(fā)布了全新的CoolSiC? 2000V SiC MOSFET系列。這款產(chǎn)品采用了先進的TO-247PLUS-4-HCC封裝,規(guī)格為12-100mΩ,旨在滿足高壓應用的需求。
2024-02-01 10:51:001646

英飛凌新品—CoolSiC 2000V SiC MOSFET系列的產(chǎn)品特點

CoolSiC 2000V SiC MOSFET系列采用TO-247PLUS-4-HCC封裝,規(guī)格為12-100mΩ。由于采用了.XT互聯(lián)技術,CoolSiC技術的輸出電流能力強,可靠性提高。
2024-03-22 14:08:351310

納芯微推出1200V首款SiC MOSFET NPC060N120A系列產(chǎn)品

納芯微推出1200V首款SiC MOSFET NPC060N120A系列產(chǎn)品,該產(chǎn)品RDSon為60mΩ,具有通孔式TO-247-4L與表面貼裝TO-263-7L兩種封裝形式,可提供車規(guī)與工規(guī)兩種等級。
2024-04-17 14:02:491619

如何更好地驅動SiC MOSFET器件?

IGBT的驅動電壓一般都是15V,而SiC MOSFET的推薦驅動電壓各品牌并不一致,15V、18V、20V都有廠家在用。更高的門極驅動電壓有助于降低器件導通損耗,SiC MOSFET的導通壓降對門
2024-05-13 16:10:171486

SemiQ 推出高頻、高功率 SiC MOSFET 模塊

SemiQ在其碳化硅(SiC)N溝道MOSFET產(chǎn)品組合中添加了一組全波H橋模塊。這些部件專為需要高電壓、高速和高功率部件的三重威脅應用而設計。它們針對超低開關損耗進行了優(yōu)化,從而提高了效率并降低
2024-05-13 11:04:541112

納芯微推出首款1200V SiC MOSFET NPC060N120A系列

納芯微近期發(fā)布了其首款1200V SiC MOSFET產(chǎn)品——NPC060N120A系列,該系列產(chǎn)品的RDSon值低至60mΩ,展現(xiàn)了出色的性能。這款MOSFET提供了兩種封裝形式,包括通孔式的TO-247-4L和表面貼裝的TO-263-7L,以滿足不同應用場景的需求。
2024-05-13 15:27:391829

SemiQ汽車用SiC MOSFET 介紹

EVDC-DC轉換器SemiQSiC產(chǎn)品為汽車應用提供一流的可靠性、質量和性能。我們提供模塊和分立封裝形式的1200VMOSFET,旨在最大限度地提高效率。DC-DC轉換器對于維護電動汽車
2024-05-14 10:48:57663

SemiQ用于電動汽車快速充電的碳化硅

SemiQ的各種碳化硅(SiC)二極管、模塊和MOSFET能夠滿足高效率電動汽車快速充電設計的需求,具有一流的可靠性、質量和性能。SiC模塊和分立封裝中的1200V二極管具有一系列電壓和電流,可為
2024-05-15 11:20:06806

SemiQ 1200V SiC MOSFET Module說明介紹

SiCMOSFET模塊是一種基于碳化硅(SiC)材料的功率半導體器件,它結合了MOSFET(金屬-氧化物-半導體場效應晶體管)的高效開關特性和SiC材料的優(yōu)異性能。與傳統(tǒng)的硅基MOSFET相比
2024-05-16 11:16:581084

SemiQ推出高性能1700V SiC肖特基二極管和雙二極管模塊

近日,半導體器件領域企業(yè)SemiQ宣布,其QSiC?產(chǎn)品系列中新增了1700VSiC(碳化硅)肖特基分立二極管和雙二極管模塊。這一創(chuàng)新舉措旨在滿足包括開關電源(SMPS)、不間斷電源(UPS
2024-06-14 11:36:491351

SemiQ將S7封裝添加至其QSiC?高性能功率模塊系列

SemiQ公司在其QSiC?系列SiC功率模塊中新增了一種S7封裝,該系列模塊包括1200V的半橋MOSFET和肖特基二極管模塊。這些組件為電力工程師提供了更大的設計靈活性,能夠為新設計提供緊湊
2024-08-16 11:18:421221

PI推出業(yè)界首款1700V氮化鎵開關IC

深耕于高壓集成電路高能效功率變換領域的知名公司Power Integrations(納斯達克股票代號:POWI)今日推出InnoMux-2系列單級、獨立調整多路輸出離線式電源IC的新成員。新器件采用公司專有的PowiGaN技術制造而成,是業(yè)界首款1700V氮化鎵開關IC。
2024-11-05 13:40:571067

SemiQ推出1700 V SiC MOSFET系列,助力中壓大功率轉換領域

近日,全球知名碳化硅(SiC)功率半導體制造商SemiQ正式發(fā)布了一款1700 V SiC MOSFET系列新品,專為中壓大功率轉換應用設計。
2025-01-22 11:03:221225

SemiQ發(fā)布1700V SiC MOSFET新品

近日,全球碳化硅(SiC)功率半導體領域的知名制造商SemiQ,正式推出了一款專為中壓大功率轉換應用而設計的1700V SiC MOSFET系列新品。此次發(fā)布的QSiC? 1700V高速平面
2025-01-23 15:46:581001

字節(jié)跳動啟動AGI長期研究計劃Seed Edge

近日,字節(jié)跳動內部傳來消息,其豆包大模型團隊已正式組建了一個旨在探索通用人工智能(AGI)的長期研究團隊,代號為“Seed Edge”。據(jù)悉,該團隊鼓勵項目成員勇于挑戰(zhàn)更長周期、更具不確定性和創(chuàng)新性的AGI研究課題。
2025-01-24 14:07:131089

字節(jié)豆包大模型團隊成立AGI長期研究團隊Seed Edge

 據(jù)1月24日的報道,字節(jié)跳動旗下的豆包大模型團隊已悄然組建了一個專注于通用人工智能(AGI)的長期研究團隊,內部代號為“Seed Edge”。該團隊旨在鼓勵成員們大膽探索那些具有不確定性且周期較長的AGI研究課題。
2025-01-24 15:03:162142

SemiQ第三代SiC MOSFET:車充與工業(yè)應用新突破

SemiQ最新發(fā)布的QSiC1200V第三代碳化硅(SiC)MOSFET在前代產(chǎn)品基礎上實現(xiàn)突破性升級,芯片面積縮小20%,開關損耗更低,能效表現(xiàn)更優(yōu)。該產(chǎn)品專為電動汽車充電樁、可再生能源系統(tǒng)、工業(yè)
2025-03-03 11:43:431484

Nexperia推出采用X.PAK封裝的1200V SiC MOSFET

Nexperia(安世半導體)正式推出系列性能高效、穩(wěn)定可靠的工業(yè)級1200 V碳化硅(SiC) MOSFET。
2025-03-21 10:11:001233

SemiQ高效1200 V SiC MOSFET六合一模塊,助力緊湊型高性能電源系統(tǒng)

在高電壓和高效率應用領域,SemiQ作為一家領先的設計和開發(fā)企業(yè),近日宣布推出新一系列的1200V碳化硅(SiC)MOSFET六合一模塊。這些創(chuàng)新模塊旨在支持更為緊湊且具有成本效益的系統(tǒng)設計,以滿足
2025-04-17 11:23:54723

SemiQ新一代1200V SiC MOSFET模塊:高效能、超快開關與卓越熱管理

近日,半導體技術公司SemiQ宣布推出基于第三代碳化硅(SiC)技術的1200VSOT-227MOSFET模塊系列。該系列產(chǎn)品采用先進的共封裝設計,具備更快的開關速度、更低的導通與開關損耗,適用于
2025-04-25 11:39:28987

東芝推出新型650V第3代SiC MOSFET

東芝電子元件及存儲裝置株式會社(“東芝”)宣布,推出四款最新650V碳化硅(SiCMOSFET——“TW031V65C”、“TW054V65C”、“TW092V65C”和“TW123V
2025-05-22 14:51:22901

兩款國產(chǎn)1700V SiC MOSFET在逆變器/變流器輔助電源設計中廣受歡迎

兩款國產(chǎn)1700V SiC MOSFET在逆變器/變流器輔助電源設計中廣受歡迎
2025-07-23 18:10:061031

東芝推出三款最新650V SiC MOSFET

東芝電子元件及存儲裝置株式會社(“東芝”)今日宣布,推出三款650V碳化硅(SiCMOSFET——“TW027U65C”、“TW048U65C”和“TW083U65C”。這三款產(chǎn)品配備其最新[1
2025-09-01 16:33:492082

派恩杰第三代1200V SiC MOSFET產(chǎn)品優(yōu)勢

1200V SiC MOSFET是派恩杰推出的一系列高性能碳化硅功率器件,具有卓越的柵氧層可靠性和優(yōu)異的高溫特性,專為高壓、高頻、高溫應用設計。相比傳統(tǒng)硅基MOSFET,SiC MOSFET提供更低
2025-09-03 11:29:401035

傾佳電力電子設備高壓輔助電源拓撲、器件選型與1700V SiC MOSFET技術分析報告

傾佳電力電子設備高壓輔助電源拓撲、器件選型與1700V SiC MOSFET技術分析報告 I. 緒論:高壓電力電子系統(tǒng)對輔助電源的嚴苛要求 傾佳電子(Changer Tech)是一家專注于功率半導體
2025-10-14 15:06:06457

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