在以往產品開發(fā)過程中，大量的數據采集對于工程師來說一直是件頭疼的事情。數據需要不斷地高速寫入，傳統(tǒng)的存儲技術如EERPOM、Flash的寫入壽命和讀寫速度往往不能滿足其要求，而FRAM（鐵電隨機存取存儲器）的推出使得這些問題迎刃而解。

和傳統(tǒng)的存儲技術相比，F(xiàn)RAM在對需要非易失性、高速讀寫、低功耗、高讀寫耐久性和抗輻射性這些綜合性能的應用領域表現(xiàn)出眾、口碑良好。FRAM的特點是速度快，能夠像RAM一樣操作，讀寫功耗極低，不存在如EEPROM的最大寫入次數的問題，是一種高可靠性的存儲器，目前在儀器儀表、汽車電子、醫(yī)療電子、工業(yè)控制等領域有廣泛應用。

目前，全球同時具備研發(fā)和生產FRAM的廠家僅有富士通一家。富士通半導體亞太區(qū)銷售總經理歐陽堅（James Ouyang）表示：“FRAM結合了閃存和EEPROM的非易失性，和SRAM的高速、隨機存儲的特長，為獨立存儲器芯片和嵌入式存儲器帶來一系列獨一無二的優(yōu)點。富士通開創(chuàng)了FRAM技術，并在此領域耕耘超過10年，從1999年開始量產，最初為客戶提供產品定制化服務，后續(xù)又向市場推出單體FRAM存儲器產品，14年累計全球銷售23億片F(xiàn)RAM產品，這其中在中國市場累計交貨達5300萬片。”

談到生產和供貨時，富士通半導體（上海）有限公司市場部高級產品工程師伍宏杰（Dick Wu）說：“由于富士通控制著FRAM的整體開發(fā)和量產及組裝程序，加上多年的經驗，富士通半導體能始終保證FRAM產品的高質量和穩(wěn)定供應。富士通半導體還在低功耗制造工藝上不斷創(chuàng)新，進一步降低成本價格，并實現(xiàn)大容量化。唯一的不足是目前的最大容量只能支持到4Mbit，后續(xù)富士通半導體會開發(fā)更多大容量的FRAM產品?！?/p>

與傳統(tǒng)的非易失性存儲器如EEPROM相比，富士通FRAM的優(yōu)勢主要體現(xiàn)在高速燒寫（40，000 倍）、高耐久性（1，000，000 倍 ）和低功耗（1/1，000 ）等方面。高速燒寫可確保實時存儲，可幫助系統(tǒng)設計者解決實時存儲數據突然斷電數據丟失的問題；高耐久性的特點，可以實現(xiàn)頻繁記錄操作歷史和系統(tǒng)狀態(tài)；低功耗主要指寫入時不需要高電壓。這些優(yōu)勢使得FRAM越來越多地被需要高可靠性的應用領域所采用，比如計量儀表（三相電表及水表、氣表等）、電力自動化、醫(yī)療器械及醫(yī)療電子標簽、汽車后裝設備、POS機/金融ATM機等。

在談到富士通半導體的FRAM產品線時，伍宏杰表示：“目前富士通FRAM產品線涵蓋SPI和IIC串行接口、并行接口。采用串行接口的FRAM可以替代EEPROM或串行閃存，而采用并行接口的FRAM產品可以代替低功耗SRAM或Pseudo SRAM （PSRAM）?？梢钥吹?，我們公司的FRAM覆蓋的容量從4Kb到4Mb，非常寬泛，并已經在著手研發(fā)8Mb的產品，未來富士通還會不斷推出更多新品，逐步實現(xiàn)大容量化?！?/p>

在智能電表領域，由于需要頻繁的更新用戶數據，傳統(tǒng)存儲器的壽命已經無法滿足產品設計要求，F(xiàn)RAM使這一難題得以解決。對此，伍宏杰介紹說：“例如，汽車行駛記錄儀需要存儲一些汽車行駛的實時數據，這就對存儲器的可靠性要求很高，即需要存儲器具有非易失性、又需要快速存儲和頻繁讀寫，目前只有FRAM能同時達到這些要求。在醫(yī)療電子應用領域，排除一些低端應用市場，在要求高可靠性、高速/高耐久性數據讀寫、低功耗、抗輻射等高端的醫(yī)療設備中，F(xiàn)RAM都有著廣泛的應用。”

談到富士通在FRAM產品及其市場發(fā)展方面的想法和策略時，歐陽堅表示：“未來在市場推廣的同時，富士通也會不斷的開發(fā)更多的新產品，比如在工業(yè)控制領域，很多用戶需要大容量的存儲，富士通會通過開發(fā)一些大容量FRAM來滿足這些用戶的要求。未來公司還會考慮在單體的FRAM產品中增加一些電路單元，如RTC、看門狗之類的功能，以滿足一些工業(yè)應用的需求，也增加了FRAM產品的賣點并給客戶帶來更多附加值，省去外部一些元件的成本，也可進一步提高系統(tǒng)的可靠性?！?/p>

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