三星已將下一代嵌入式半導(dǎo)體存儲器產(chǎn)品MRAM納入生產(chǎn)制造范疇，并在韓國器興廠區(qū)率先進入大規(guī)模生產(chǎn)。MRAM號稱是次世代記憶體，是繼半導(dǎo)體存儲器DRAM和NAND Flash之后又一劃時代的創(chuàng)新存儲器
2019-03-06 16:43:28
7573 16日，三星電子宣布在基于EUV的高級節(jié)點方面取得了重大進展，包括7nm批量生產(chǎn)和6nm客戶流片，以及成功完成5nm FinFET工藝的開發(fā)。 三星電子宣布其5納米（nm）FinFET工藝技術(shù)的開發(fā)
2019-04-18 15:48:477185 1月7日消息，三星電子已開始批量生產(chǎn)基于極紫外（EUV）技術(shù)的6nm（nm）半導(dǎo)體芯片。該公司自開始大規(guī)模生產(chǎn)7nm產(chǎn)品以來，僅在八個月內(nèi)就推出了6nm產(chǎn)品。三星的微加工工藝技術(shù)升級周期正在縮短
2020-01-07 12:03:104766 據(jù)悉，這是一款雙核處理器，采用MIPS架構(gòu)和28nm工藝，工作頻率為1.2GHz，配有DDR3-1600存儲控制器和1MB二級緩存。
2015-05-27 09:28:382238 為突破半導(dǎo)體市場的不景氣，三星電子（Samsung Electronics）致力升級微細(xì)制程技術(shù)；SK海力士（SK Hynix）則準(zhǔn)備以史上最大規(guī)模的投資計劃應(yīng)戰(zhàn)。
2016-01-26 08:19:58849 三星電子（Samsung Electronics）與IBM攜手研發(fā)出11納米制程的次世代存儲器自旋傳輸（Spin Transfer Torque）磁性存儲器（STT-MRAM）。兩家公司也表示，預(yù)計
2016-08-01 11:04:321256 今日，三星電子正式宣布已經(jīng)開始大規(guī)模生產(chǎn)基于10nm FinFET技術(shù)的SoC，這是業(yè)界內(nèi)首家提供10nm工藝代工廠商。新工藝下的SoC性能可以提供27%，功耗將降低40%。
2016-10-17 14:07:011208 三星與臺積電工藝之戰(zhàn)從三星跳過20nm工藝而直接開發(fā)14nmFinFET打響，從10nm到如今的7nm之爭，無論誰領(lǐng)先一步，都是半導(dǎo)體工藝的重大突破。 在半導(dǎo)體代工市場上，臺積電一直都以領(lǐng)先的工藝
2017-03-02 01:04:492107 之前外資曾警告，DRAM 榮景能否持續(xù)，取決于存儲器龍頭三星電子，要是三星擴產(chǎn)，好景恐怕無法持續(xù)。如今三星眼看 DRAM 利潤誘人，傳出決定擴產(chǎn)，新產(chǎn)線預(yù)計兩年后完工。
2017-03-16 07:40:15876 我們應(yīng)當(dāng)知道的是，三星目前還沒有推出很多10nm工藝的產(chǎn)品：只有三星自己的Exynos系列和三星為高通代工的835芯片是使用了三星的10nm工藝。
2017-05-09 08:24:35911 格芯今日宣布基于其22nm FD-SOI(22FDX)平臺的嵌入式、磁阻型非易失性存儲器(eMRAM)已投入生產(chǎn)。格芯正在接洽多家客戶，計劃2020年安排多次生產(chǎn)流片。 此次公告是一個重要的行業(yè)
2020-02-29 08:30:005701 較為激進的技術(shù)路線，以挽回局面。
4 月 18 日消息，據(jù)韓媒《ChosunBiz》當(dāng)?shù)貢r間 16 日報道，三星電子在其 4nm 制程 HBM4 內(nèi)存邏輯芯片的初步測試生產(chǎn)中取得了40% 的良率，這高于
2025-04-18 10:52:53
三星電子近日在國際學(xué)會“IEDM 2015”上就20nm工藝的DRAM開發(fā)發(fā)表了演講。演講中稱，三星此次試制出了20nm工藝的DRAM，并表示可以“采用同樣的方法，達到10nm工藝”。 國際電子器件
2015-12-14 13:45:01
的商機仍然暢旺，在供給端僅有三星、SK海力士、美光，加上新技術(shù)量產(chǎn)困難，在這些現(xiàn)實下，2019年對存儲器廠商而言仍會是個豐收的年度。如果要考慮供過于求的變量，可能是第二代10nm等級的DRAM技術(shù)
2018-12-25 14:31:36
三星宣布將開發(fā)手持式裝置用的ＲＦＩＤ（ｒａｄｉｏ ｆｒｅｑｕｅｎｃｙ ｉｄｅｎｔｉｆｉｃａｔｉｏｎ）讀取芯片，能讓使用者透過手機得知產(chǎn)品和服務(wù)信息，但三星并未透露產(chǎn)品何時上市。 三星指出，ＲＦＩＤ
2019-07-04 07:26:16
隨機存儲器，DynamicRandomAccessMemory)VLSI芯片，并因此成為世界半導(dǎo)體產(chǎn)品領(lǐng)導(dǎo)者。在此之前，三星只是為本國市場生產(chǎn)半導(dǎo)體。 在八十年代中期，三星開始進入系統(tǒng)開發(fā)業(yè)務(wù)領(lǐng)域，在
2019-04-24 17:17:53
` 三星電子今天宣布，全球首個基于高清電視平臺的應(yīng)用程序商店Samsung Apps(三星應(yīng)用商店)的規(guī)模及其知名度正在以驚人的速度增長。目前，Samsung Apps(三星應(yīng)用商店)中的智能電視
2011-10-26 14:04:07
1月22日，Altera 在北京展示了號稱業(yè)界最全面的28nm 最新技術(shù)及強大解決方案。Altera公司的多位工程師為在京的媒體人士進行了講解。
2019-08-21 07:37:32
MPCoreTM處理器，以及豐富的硬件外設(shè)，從而降低了系統(tǒng)功耗和成本，減小了電路板面積?；久枋鋈缦拢骸 。?）28nm FPGA實現(xiàn)了業(yè)界最低系統(tǒng)成本和功耗 ?。?）三種型號：僅邏輯、3G收發(fā)器和5G收發(fā)器
2012-09-21 13:49:05
早有計劃。 2017年，三星與NXP達成代工合同，從這一年起，NXP的IoT SoC i.MX系列將通過三星28nm FD-SOI工藝批量生產(chǎn)，并計劃2018年將三星的eMRAM嵌入式存儲器技術(shù)將用于下一代
2023-03-21 15:03:00
SRAM存儲單元的寫裕度(WM)。同時,可以優(yōu)化SRAM存儲單元的抗PVT波動能力,并且可以降低SRAM存儲單元的最小操作電壓。 基于SMIC 28nm工藝節(jié)點仿真結(jié)果顯示,新型10T單元結(jié)構(gòu)在電源電壓為
2020-04-01 14:32:04
從工藝選擇到設(shè)計直至投產(chǎn)，設(shè)計人員關(guān)注的重點是以盡可能低的功耗獲得最佳性能。Altera在功耗和性能上的不斷創(chuàng)新，那其28nm高端FPGA如何實現(xiàn)功耗和性能的平衡？具體有何優(yōu)勢？
2019-09-17 08:18:19
大規(guī)模電動汽車生產(chǎn)需要先進的電池化成和測試系統(tǒng)
2021-01-27 06:59:50
2018年上半進入96層的技術(shù)規(guī)格，2018年中將3D的比重提高到85%以上。為了讓每單位的記憶容量提高，美日韓存儲器大廠都卯盡全力，在96層的堆棧技術(shù)上尋求突破。三星指出，第五代的96層V NAND量產(chǎn)
2018-12-24 14:28:00
開始生產(chǎn)。此舉也創(chuàng)下二次擊敗勁敵三星、獨吃蘋果處理器大單的新記錄，2017年營收持續(xù)增長基本沒什么問題。剛剛失去蘋果訂單的三星，日前宣布Note6將用上基于10nm工藝的6GB LPDDR4內(nèi)存，并將于今年下半年上市。這樣一來，臺積電和三星以及蘋果的性能之爭，就轉(zhuǎn)移到Note 6和iPhone 7身上。`
2016-07-21 17:07:54
nch_dnw，mom電容等）的工藝文檔說明在哪個路徑下？之前65nm的文檔在/PDK_doc/TSMC_DOC_WM/model文件夾下，28nm的好像沒有？
2021-06-24 06:18:43
請問工程師，C2000系列產(chǎn)品的制程是45nm還是28nm？同一款新片可能采用不同的制程生產(chǎn)嗎？
2020-06-17 14:41:57
模塊（ALM）、精度可調(diào)數(shù)字信號處理（DSP）模塊、分段式鎖相環(huán)（fPLL）、硬核存儲器控制器等。28LP制造工藝降低設(shè)計成本Altera在28nm采用了雙管齊下的制造策略，對于需要盡可能提高帶寬的系統(tǒng)
2015-02-09 15:02:06
，集成了328億個存儲器元胞?！ ?006年三星、IBM和特許半導(dǎo)體共同為高通生產(chǎn)出第一片90nm處理器。三星推出基于32Mb閃存的固態(tài)硬盤SSD，使閃存在PC中逐漸替代硬盤成為趨勢。 2006年
2018-05-10 09:57:19
TCL AT25286深圳三星純(25英寸)存儲器數(shù)據(jù)
2009-06-12 11:21:22
13 TCL AT29128三星存儲器數(shù)據(jù)
2009-06-12 11:24:3643 TCL AT29211A三星純存儲器數(shù)據(jù)
2009-06-12 11:28:5634 28nm器件三大創(chuàng)新，Altera期待超越摩爾定律
隨著TSMC 28nm全節(jié)點工藝即將量產(chǎn)，其合作伙伴Altera日前宣布了其產(chǎn)品線將轉(zhuǎn)向28nm節(jié)點的策略部署。據(jù)了解，TSMC 28nm全節(jié)點有
2010-02-05 08:53:361048 
28nm Stratix V FPGA突破帶寬瓶頸
Altera公司的最新28nm Stratix V FPGA正是為滿足高帶寬應(yīng)用設(shè)計要求而推出。 移動互聯(lián)網(wǎng)、高清視頻、軍事、醫(yī)療以及計算
2010-05-10 17:52:04943 AMD公司對于今年推出基于28nm工藝圖形處理器依然是相當(dāng)樂觀。該公司相信28nm節(jié)點不僅會為其提供機會推出先進的圖形處理芯片"shortly"，同時也將可以進一步降低其生產(chǎn)成本。
2011-07-27 09:19:14851 雖然TSMC對于旗下28nm工藝依然保持著較為保守的態(tài)度，但是根據(jù)近期非官方的報道，由于來自官戶的需求不斷提升，TSMC將會對28nm晶元進行提價。
2011-09-16 09:30:031525 
本白皮書介紹了有關(guān)賽靈思 28 nm 7 系列 FPGA 功耗的幾個方面，其中包括臺積電 28nm高介電層金屬閘 (HKMG) 高性能低功耗（28nm HPL 或 28 HPL）工藝的選擇。 本白皮書還介紹了 28 HPL 工藝提供
2012-03-07 14:43:4441 如今FPGA已進入到28 nm時代，在28 nm時代FPGA的容量足以滿足整個系統(tǒng)所需，節(jié)省了功率元件和存儲器。
2012-03-16 08:41:58474 在移動芯片市場，三星和高通曾經(jīng)是競爭對手，但是現(xiàn)在三星卻要幫助競爭對手高通生產(chǎn)28nm Snapdragon S4 SoC。
2012-07-05 16:03:331043 GlobalFoundries、Intel都在紛紛宣傳各自的14nm新工藝，三星電子今天也宣布，已經(jīng)在14nm FinFET工藝開發(fā)之路上取得又一個里程碑式的突破，與其設(shè)計、IP合作伙伴成功流片了多個開發(fā)載具。
2012-12-24 09:28:241508 驍龍 820 此前已經(jīng)傳聞將會由三星代工生產(chǎn)，今天三星官方正式確認(rèn)了這個消息，并且表示大規(guī)模生產(chǎn)使用的是三星最新的第二代 14nm FinFET 工藝。
2016-01-15 17:24:241377 導(dǎo)語：聯(lián)發(fā)科和華為均已確定下一代處理器將采用10nm工藝制程，高通也緊追其后遞交10nm芯片樣品給客戶，據(jù)悉，高通10nm訂單均交給三星代工生產(chǎn)。
2016-07-28 19:00:27868 近日，三星電子宣布已經(jīng)開始采用10nm FinFET工藝量產(chǎn)邏輯芯片，三星也成為了業(yè)內(nèi)首家大規(guī)模采用10納米工藝的廠商。前段時間，韓國《電子時報》報道，高通的下一代旗艦處理器高通驍龍830（或835
2016-10-18 14:06:101450 已經(jīng)量產(chǎn)了28nm工藝，TSMC董事長張忠謀日前談到了大陸28nm工藝的競爭，他表示大陸公司的28nm產(chǎn)能增長很快，其中有部分原因是政府背后支持。
2016-10-27 14:15:522112 估計在 5 月 24 日的一場晶圓廠商論壇上，三星將會發(fā)布該公司所研發(fā)的 MRAM 內(nèi)存，此種次世代存儲器兼具 NAND Flash 和 DRAM 的優(yōu)點，被認(rèn)為是一種通用型存儲器，能夠讓手機實現(xiàn)內(nèi)存/閃存二合一。
2017-04-30 21:47:502904 
根據(jù)國外媒體報道，日前有內(nèi)部人士表示，三星已經(jīng)開始計劃在2019年使用6nm工藝制造移動芯片，而并且將逐漸大幅減少7nm工藝生產(chǎn)線的投資。據(jù)悉，三星計劃在今年安裝兩款全新的光刻機，并且計劃在2018年繼續(xù)追加投資7臺，這樣就將為未來制造工藝的提升提供了支持，同時還能大幅提高產(chǎn)品的生產(chǎn)效率。
2017-06-28 10:40:551203 三星手機存儲器最新資料下載
2018-01-19 09:44:541 本周在火奴魯魯舉行的VLSI（超大規(guī)模集成電路）研討會上，三星首次分享了基于EUV技術(shù)的7nm工藝細(xì)節(jié)。
2018-06-22 15:16:001626 因2017年存儲器領(lǐng)域遭遇大幅度的內(nèi)存不足，飚價過高，三星等存儲器巨頭借此賺的缽滿盆盈。今年中國廠商將進行大規(guī)模的擴產(chǎn)存儲器，存儲器價格將會有所松動，也就是說三星半導(dǎo)體龍頭將不保。
2018-02-01 09:37:211089 晶圓代工廠格芯日前宣布其22納米全耗盡型絕緣上覆硅(FD-SOI)制程技術(shù)取得了36項設(shè)計訂單，其中有超過十幾項設(shè)計將會在今年出樣(tape-out)。另一方面，其競爭對手三星則預(yù)計今年將采用其28nm FD-SOI制程出樣20余款芯片。
2018-05-02 16:16:135272 三星 17 日宣布，量產(chǎn)首批 8GB LPDDR5 存儲器顆粒，速率可達 6，400Mbps，比現(xiàn)有 LPDDR4-4266 存儲器快了 50%，同時功耗降低 30%，三星現(xiàn)在已經(jīng)完成了 8GB
2018-07-18 17:56:004088 三星17日宣布，量產(chǎn)首批8GB LPDDR5存儲器顆粒，速率可達6,400Mbps，比現(xiàn)有LPDDR4-4266存儲器快了50%，同時功耗降低30%，三星現(xiàn)在已經(jīng)完成了8GB LPDDR5存儲器的測試。
2018-07-20 10:39:445216 三星顯示開發(fā)出新的蒸鍍源，預(yù)計將在新的次世代產(chǎn)線應(yīng)用。新的技術(shù)是否能帶來OLED更高分辨率4K（UHD）備受業(yè)界市場矚目。
2018-08-22 08:41:384830 就在臺積電與三星在邏輯芯片制程技術(shù)逐漸導(dǎo)入EUV技術(shù)之后，存儲器產(chǎn)業(yè)也將追隨。也就是全球存儲器龍頭三星在未來1Y納米制程的DRAM存儲器芯片生產(chǎn)上，也在研究導(dǎo)入EUV技術(shù)。而除了三星之外，韓國另一家
2018-10-29 17:03:244026 三星電子是存儲器半導(dǎo)體行業(yè)全球第一的企業(yè)，由于最近存儲器半導(dǎo)體需求不振、價格下跌，轉(zhuǎn)為強調(diào)發(fā)展晶圓代工、系統(tǒng)半導(dǎo)體等非存儲器半導(dǎo)體領(lǐng)域。韓國證券界指出，三星電子將收購海外非存儲器半導(dǎo)體企業(yè)，備選企業(yè)有荷蘭恩智浦半導(dǎo)體,德國英飛凌，美國賽靈思等，3家公司均是系統(tǒng)半導(dǎo)體企業(yè)
2019-02-20 17:06:506421 
三星宣布已經(jīng)開始大規(guī)模生產(chǎn)首款商用EMRAM產(chǎn)品，該產(chǎn)品基于28nm FD-SOI工藝技術(shù)，并計劃在今年擴大高密度新興的非易失存儲器解決方案，包括1Gb EMRAM芯片。
2019-03-09 09:26:581340 據(jù)韓國媒體報道，近日，三星宣布已在一條基于28納米FD-SOI工藝的生產(chǎn)線上，開始大規(guī)模生產(chǎn)和商業(yè)運輸嵌入式MRAM(eMRAM)解決方案。
2019-03-16 10:24:271146 ，動態(tài)隨機存取存儲器）。自開始批量生產(chǎn)第二代10nm級（1y-nm）8Gb DDR4以來僅僅16個月，三星不再使用Extreme Ultra-Violet（EUV）處理的情況下開發(fā)1z-nm 8Gb DDR4，說明三星突破了DRAM的擴展極限。
2019-03-21 17:30:542123 據(jù)報道，近日，三星宣布已在一條基于28納米FD-SOI工藝的生產(chǎn)線上，開始大規(guī)模生產(chǎn)和商業(yè)運輸嵌入式MRAM(eMRAM)解決方案。
2019-03-25 14:42:513762 三星的3nm工藝節(jié)點采用的GAAFET晶體管是什么？
2019-05-17 15:38:5412185 
不出預(yù)料，三星（Samsung）在“Samsung晶圓代工論壇2019”以3nm產(chǎn)品為主打，最新的MBCFET架構(gòu)成為眾所矚目焦點，此產(chǎn)品將在2019年最新建成的華城EUV專線上生產(chǎn)。除了最進階的技術(shù)值得關(guān)注外，Samsung也提到2019年將順利推出18FDS服務(wù)以進軍eMRAM市場。
2019-06-13 17:06:133518 
集成電路設(shè)計自動化軟件領(lǐng)導(dǎo)企業(yè)新思（Synopsys）近日宣布，面向三星7LPP（7nm Low Power Plus）和更先進工藝的良率學(xué)習(xí)平臺設(shè)計取得最大突破，也為三星后續(xù)5nm、4nm、3nm工藝的量產(chǎn)和良品率奠定了堅實基礎(chǔ)。
2019-07-08 15:56:453656 近日，全球知名的EDA工具廠商新思科技(Synopsys)宣布，面向三星7LPP（7nm Low Power Plus）和更先進工藝的良率學(xué)習(xí)平臺設(shè)計取得了重大突破，這將為三星后續(xù)5nm、4nm、3nm工藝的量產(chǎn)和良品率的提升奠定堅實基礎(chǔ)。
2019-07-09 17:13:485070 關(guān)于7nm制程，今年年底之前可能會有基于三星 7 納米工藝芯片的手機亮相嗎？可能性或許不大，雖然高通新一代芯片驍龍 855 也將交給三星負(fù)責(zé)生產(chǎn)，但不要指望今年立馬發(fā)布然后大規(guī)模量產(chǎn)，即便量產(chǎn)可能也要等到今年的第四季度末。
2019-09-02 10:51:4210341 三星電子有限公司（Samsung Electronics）在其官網(wǎng)上發(fā)布消息，該公司正式宣布，首次開發(fā)了第三代 10nm 制程工藝（1z-nm）8GB 超高性能和高功效的 DRAM（Dynamic Random Access Memory，動態(tài)隨機存取存儲器）。
2019-09-27 17:23:291500 今年3月份，三星宣布全球第一家商業(yè)化規(guī)模量產(chǎn)eMRAM（嵌入式磁阻內(nèi)存），基于28nm FD-SOI（全耗盡型絕緣層上硅）成熟工藝，內(nèi)存容量8Mb，可廣泛應(yīng)用于MCU微控制器、IoT物聯(lián)網(wǎng)、AI人工智能領(lǐng)域。
2019-12-27 08:57:08918 今年3月份，三星宣布全球第一家商業(yè)化規(guī)模量產(chǎn)eMRAM（嵌入式磁阻內(nèi)存），基于28nm FD-SOI（全耗盡型絕緣層上硅）成熟工藝，內(nèi)存容量8Mb，可廣泛應(yīng)用于MCU微控制器、IoT物聯(lián)網(wǎng)、AI人工智能領(lǐng)域。
2019-12-27 09:23:222717 今年3月份，三星宣布全球第一家商業(yè)化規(guī)模量產(chǎn)eMRAM（嵌入式磁阻內(nèi)存），基于28nm FD-SOI（全耗盡型絕緣層上硅）成熟工藝，內(nèi)存容量8Mb，可廣泛應(yīng)用于MCU微控制器、IoT物聯(lián)網(wǎng)、AI人工智能領(lǐng)域。
2019-12-27 16:07:534212 由于在7nm節(jié)點激進地采用了EUV工藝，三星的7nm工藝量產(chǎn)時間比臺積電要晚了一年，目前采用高通的驍龍765系列芯片使用三星7nm EUV工藝量產(chǎn)。在這之后，三星已經(jīng)加快了新工藝的進度，日前6nm工藝也已經(jīng)量產(chǎn)出貨，今年還會完成3nm GAE工藝的開發(fā)。
2020-01-06 16:13:073848 由于在7nm節(jié)點激進地采用了EUV工藝，三星的7nm工藝量產(chǎn)時間比臺積電要晚了一年，目前采用高通的驍龍765系列芯片使用三星7nm EUV工藝量產(chǎn)。
2020-01-06 16:31:033601 據(jù)外媒報道稱，美國半導(dǎo)體晶圓代工廠商GlobalFoundries（格芯）宣布已經(jīng)完成了22FDX（22 nm FD-SOI）技術(shù)開發(fā)，而這項技術(shù)用于生產(chǎn)嵌入式磁阻非易失性存儲器（eMRAM）。
2020-03-03 15:57:27725 近日，格芯宣布基于22nm FD-SOI （22FDX）工藝平臺，新型存儲器eMRAM（嵌入式、磁阻型非易失性存儲器）已投入生產(chǎn)。
2020-03-11 10:54:371159 3月18日，據(jù)韓國媒體報道，三星電子已經(jīng)開始批量生產(chǎn)一種512GB的eUSF 3.1高速智能手機存儲器，該存儲器能夠在4秒內(nèi)存儲5GB內(nèi)容，相當(dāng)于一部藍光電影。
2020-03-20 10:51:281830 據(jù)國外媒體報道，在5nm工藝即將大規(guī)模量產(chǎn)的情況下，3nm工藝就成了臺積電和三星這兩大芯片代工商關(guān)注的焦點，三星電子旗下的三星晶圓代工，此前設(shè)定的目標(biāo)是在2021年大規(guī)模量產(chǎn)3nm工藝。
2020-04-07 17:43:512632 4月7日消息，在 5nm 工藝即將大規(guī)模量產(chǎn)的情況下，3nm 工藝就成了臺積電和三星這兩大芯片代工商關(guān)注的焦點。三星電子旗下的三星晶圓代工，此前設(shè)定的目標(biāo)是在2021年大規(guī)模量產(chǎn) 3nm工藝。
2020-04-08 14:41:143230 中關(guān)村在線消息：在先進的芯片制造領(lǐng)域，放眼世界，只剩下臺積電，英特爾和三星。目前，臺積電與三星在 7nm 以下的競爭引起了廣泛關(guān)注。根據(jù) DigiTimes 的報告，三星將直接跳過 4nm 先進工藝
2020-07-08 16:07:212550 
EUV，依靠現(xiàn)有的DUV（深紫外光刻）是玩不轉(zhuǎn)的。 有意思的是，三星最近竟然將EUV與相對上古的10nm工藝結(jié)合，用于量產(chǎn)旗下首批16Gb容量的LPDDR5內(nèi)存芯片。 據(jù)悉，三星的新一代內(nèi)存芯片是基于第三代10nm級（1z）工藝打造，請注意16Gb容量的后綴，是Gb而不是GB，16Gb對應(yīng)的其實是
2020-09-01 14:00:293544 雖然高端市場會被 7nm、10nm以及14nm/16nm工藝占據(jù)，但40nm、28nm等并不會退出。如28nm和16nm工藝現(xiàn)在仍然是臺積電的營收主力，中芯國際則在持續(xù)提高28nm良率。
2020-10-15 11:18:026371 1080處理器是三星首款基于最新的5nm EUV FinFET工藝制造的處理器，進一步提高設(shè)備的電源效率和性能。 三星Exynos在11月12日在上海舉行首場國內(nèi)線下發(fā)布會；據(jù)介紹，vivo將首發(fā)搭載
2020-11-12 18:13:204092 12 月 3 日消息 據(jù) Omdia 研究報告，28nm 將在未來 5 年成為半導(dǎo)體應(yīng)用的長節(jié)點制程工藝。 在摩爾定律的指引下，集成電路的線寬不斷縮小，基本上是按每兩年縮小至原尺寸的 70% 的步伐
2020-12-03 17:02:253321 據(jù)國外媒體報道，雖然目前最先進的芯片制程工藝已經(jīng)達到5nm，但成熟的28nm工藝，目前仍還有大量的需求，28nm工藝目前就還仍是臺積電的第4大收入來源，貢獻了去年四季度臺積電營收的11%，是4項營收占比超過10%的工藝之一。
2021-01-19 15:07:482577 今天，三星宣布已經(jīng)開始大規(guī)模生產(chǎn)其最先進的數(shù)據(jù)中心 SSD 生產(chǎn)線，PM9A3 E1.S。 三星表示，PM9A3 完全符合 OCP NVMe 云 SSD 規(guī)范，滿足企業(yè)工作負(fù)載的嚴(yán)格要求。 IT之家
2021-02-24 16:00:212315 電子展開了合作。未來，聯(lián)華電子還將很快利用28nm工藝技術(shù)為三星電子量產(chǎn)芯片。 ? 同時，為緩解芯片產(chǎn)能不足的局面，有業(yè)內(nèi)人士稱，三星電子還可能與格芯簽署委托協(xié)議。格芯從美國超微半導(dǎo)體拆分而來，此前曾在2014年就14nm工藝晶圓生產(chǎn)與
2021-03-04 16:29:382063 這一年來全球半導(dǎo)體產(chǎn)能緊張，國內(nèi)的晶圓廠也開說產(chǎn)能擴張。繼位于北京的中芯京城之后，中芯國際今晚宣布在深圳投資建廠，主要生產(chǎn)28nm及以上工藝。
2021-03-18 10:39:194773 最近，關(guān)于28nm工藝的新聞頻頻見于報端。 一方面，臺積電日前宣布，將斥資約800億元新臺幣，把在南京廠建置28納米制程，目標(biāo)在2023年中前達到4萬片月產(chǎn)能。除此之外，市場中也有消息傳出晶圓代工
2021-05-06 17:32:323906 Lattice基于三星28nm FD-SOI平臺推出了一系列FPGA產(chǎn)品，包括在嵌入式視頻方面應(yīng)用比較多的CrossLink-NX，重新定義的Certus-NX，去年Q4問世的基于安全的FPGA Mach-NX，以及最新推出的CertusPro-NX，另外明年還會推出基于FD-SOI平臺的兩款新品。
2021-08-14 10:07:446557 廠商都專心研究28nm DRAM芯片時，三星同樣跨過了28nm，直接開始研發(fā)25nm工藝，最終取得了成功。 這次三星同樣想靠彎道超車來與其他廠商拉開差距，占據(jù)行業(yè)領(lǐng)先地位。三星計劃在6月完成11nm DRAM芯片的開發(fā)工作。 綜合整理自 比特網(wǎng) 萬仟網(wǎng) 中文科技資訊 審核編輯
2022-04-18 18:21:582244 據(jù)芯片行業(yè)來看，目前22nm和28nm的芯片工藝技術(shù)已經(jīng)相當(dāng)成熟了，很多廠商也使用22nm、28nm的芯片居多，主要原因就是價格便宜，那么這兩個芯片之間有什么性能差異呢？
2022-06-29 09:47:4611987 三星最新公布的制程工藝技術(shù)路線圖顯示，該公司計劃在2025年開始量產(chǎn)2納米級SF2工藝，以滿足客戶對高性能處理器的需求。此前，三星已于今年公布，其3納米工藝已滿足大規(guī)模生產(chǎn)的標(biāo)準(zhǔn)。
2023-06-29 16:26:332318 三星在會上表示，作為新一代汽車技術(shù)，正在首次開發(fā)5nm eMRAM。三星計劃到2024年為止，用14納米工程增加mbram產(chǎn)品有價證券組合，2年后升級為8納米制程。
2023-10-23 09:57:221309 這座晶圓廠于2022年4月開始新建，大樓主結(jié)構(gòu)已完工，且辦公室部分區(qū)域也在今年8月啟用。將生產(chǎn)N28 28nm級工藝芯片，這是日本目前最先進的半導(dǎo)體工藝。22ULP工藝也會在這里生產(chǎn)，但注意它不是22nm，而是28nm的一個變種，專用于超低功耗設(shè)備。
2024-01-03 15:53:271889 該生產(chǎn)線由三星顯示通過對原有L8生產(chǎn)線進行升級改造而來，是全球規(guī)模最大的OLED生產(chǎn)線。這也是三星第六條OLED生產(chǎn)線，投產(chǎn)后將打造出全球最高世代的OLED生產(chǎn)工藝。
2024-03-10 14:54:342610 三星電子在昨日舉行的韓國“AI-PIM 研討會”上宣布，其正按計劃穩(wěn)步進行eMRAM（嵌入式磁性隨機存取內(nèi)存）的制程升級工作。據(jù)悉，目前8nm eMRAM的技術(shù)開發(fā)已經(jīng)基本完成，這一進展標(biāo)志著三星電子在內(nèi)存技術(shù)領(lǐng)域的又一次重要突破。
2024-06-04 09:35:01855 在全球人工智能市場蓬勃發(fā)展的浪潮下，三星電子再次展現(xiàn)出其在半導(dǎo)體領(lǐng)域的雄心壯志，宣布進行大規(guī)模改組，以進一步鞏固其在行業(yè)內(nèi)的領(lǐng)先地位。此次改組的核心在于新設(shè)一個專注于高帶寬存儲器（HBM）的研發(fā)團隊，旨在滿足人工智能市場對高性能存儲解決方案的激增需求。
2024-07-05 16:25:391394 相變存儲器（ePCM）。 ? 在FD-SOI領(lǐng)域，三星已經(jīng)深耕多年，其和意法半導(dǎo)體之間的合作也已經(jīng)持續(xù)多年。早在2014年，意法半導(dǎo)體就曾對外宣布，選擇三星28nm FD-SOI工藝來量產(chǎn)自己的產(chǎn)品
2024-10-23 11:53:05990 
2025年10月28日，三星電子正式發(fā)布全新microSDExpress存儲卡——P9Express固態(tài)存儲卡。該系列以次世代游戲體驗為目標(biāo)打造，針對包括NintendoSwitch?1等主流游戲
2025-10-28 10:34:21373 
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