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電子發(fā)燒友網(wǎng)>存儲技術(shù)>隨著存儲產(chǎn)業(yè)行情回暖 美光預(yù)計2020年DRAM和NAND Flash行業(yè)也將改善

隨著存儲產(chǎn)業(yè)行情回暖 美光預(yù)計2020年DRAM和NAND Flash行業(yè)也將改善

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存儲器新版圖:紫光+WD的Flash技術(shù)+DRAM技術(shù)

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2019模塊產(chǎn)業(yè)分析

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行業(yè)研究:機器視覺產(chǎn)業(yè)2020進入成熟期

2025”等概念的興起,國內(nèi)機器視覺公司如雨后春筍般發(fā)展起來,國內(nèi)機器視覺產(chǎn)業(yè)發(fā)展速度明顯加快?! Fweek機器視覺行業(yè)高級分析師嚴勝輝認為:預(yù)計國內(nèi)機器視覺發(fā)展期可持續(xù)到2020前后,之后進入產(chǎn)業(yè)成熟期?!   D5:機器視覺產(chǎn)業(yè)生命周期
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IC Insights:DRAM市場即將放緩 國產(chǎn)品牌穩(wěn)步挺近

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2018-10-18 17:05:17

MT62F8D1AEK-DC Z8BFP內(nèi)存芯片MT62F8D1CEK-DC Z8CKQ

DRAM庫存緊張,因行業(yè)資本支出增加反而擔憂NAND對于而言,由于在2020和2021有限的資本支出,再加上需求增加的雙重影響,截止到2021財年Q2財季,庫存天數(shù)減少至99天,庫存
2021-12-27 16:04:03

ROM、RAM、DRAM、SRAM和FLASH的區(qū)別

達到高存儲密度,并且寫入和擦除的速度很快。應(yīng)用NAND的困難在于flash的管理和需要特殊的系統(tǒng)接口。1、性能比較:flash閃存是非易失存儲器,可以對稱為塊的存儲器單元塊進行擦寫和再編程。任何
2015-11-04 10:09:56

存儲器】NAND Flash三種類型應(yīng)用

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【半導(dǎo)體存儲】關(guān)于NAND Flash的一些小知識

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三星、西部數(shù)據(jù)、英特爾、、長江存儲探討3D NAND技術(shù)

,大數(shù)據(jù)存儲需求持續(xù)增加,一直到2021NAND Flash平均每年增長率達40%-45%,而NAND技術(shù)從40nm到16nm,再到64層3D技術(shù),一直為市場提供更好的產(chǎn)品和解決方案。就在幾個月前
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單板硬件設(shè)計:存儲器( NAND FLASH)

,可以保存100,可以擦寫100w次。具有較高的可靠性,但是電路復(fù)雜/成本高。因此目前的EEPROM都是幾十千字節(jié)到幾百千字節(jié)的,絕少有超過512K的。 flash: flash屬于廣義的EEPROM
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原文分享-行業(yè)的發(fā)展

,逐漸走上成熟的行業(yè)發(fā)展之路。2008金融危機爆發(fā)以后,很多國家產(chǎn)業(yè)作為應(yīng)對危機的生力軍,因此伏市場行情逆勢上揚,很多其他行業(yè)的企業(yè)看到了伏市場美好的前景,因為行情好才一哄而上,紛紛投身其中
2012-07-19 15:00:53

國內(nèi)NAND Flash產(chǎn)業(yè)崛起撬動全球市場,但需求不足跌價成必然 精選資料分享

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清華紫光與武漢新芯組最強CP 劍指

中國市場的供需平衡。隨著近年來智能設(shè)備的發(fā)展,中國閃存市場對NANDFLASH的需求漸增。中國半導(dǎo)體行業(yè)協(xié)會的報告指出,中國NAND FLASH市場份額已經(jīng)占全球市場的52.4%,預(yù)計2020
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瓦楞設(shè)備產(chǎn)業(yè)復(fù)蘇 亞洲經(jīng)濟率先回暖

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存儲器芯片DRAM/NAND/RRAM技術(shù)詳解

日前,存儲器芯片主要供應(yīng)商之一公司(Micron)在香港舉行了 2014 夏季分析師大會,會上的高層管理人員就 DRAM、NAND 和新型存儲器的市場趨勢、技術(shù)發(fā)展以及 Micron 的公司
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長江存儲32層NAND閃存預(yù)計2018內(nèi)量產(chǎn)

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內(nèi)存業(yè)務(wù)強勁增長 計劃上調(diào)4%營收

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存儲器市況目前呈現(xiàn)兩類,DRAM歡喜NAND

目前存儲器市況呈現(xiàn)兩樣情,DRAM持續(xù)穩(wěn)健發(fā)展,價格平穩(wěn)或小漲;NAND Flash則因供過于求,價格緩跌。外界預(yù)期DRAM市場第3季將可喜迎旺季,而NAND Flash市場價格可稍有反彈。
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:看好存儲器市場,至少可望一路好到2021

人工智能(AI)等的數(shù)據(jù)經(jīng)濟時代(data economy era)。數(shù)據(jù)經(jīng)濟需要搭載大量DRAMNAND Flash協(xié)助運算,存儲器市場可望一路好到2021。
2018-06-28 07:34:001118

新加坡興建第3工廠,欲搶占NAND Flash快閃存儲器市場

在市場NAND Flash快閃存儲器供應(yīng)仍有缺口,導(dǎo)致價格繼續(xù)維持高位的情況下,包括國際大廠三星、SK海力士、東芝,以及中國廠商長江存儲存紛紛宣布擴產(chǎn)以增加產(chǎn)能之際,7日美商存儲器大廠(Micron)宣布擴產(chǎn),以補足市場供不應(yīng)求的缺口。
2018-06-11 12:01:001319

全球存儲發(fā)展簡史(DRAM、NAND Flash和Nor Flash

NOR FlashNAND Flash作為存儲的兩大細分領(lǐng)域(另外還有DRAM),目前發(fā)展形勢一直受到業(yè)界人士關(guān)注。
2018-03-31 08:38:5123827

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,存儲器內(nèi)的信息仍然存在,主要是閃存(Nand FLASH 和 NOR FLASH),NOR 主要應(yīng)用于代碼存儲介質(zhì)中,而 NAND 則用于數(shù)據(jù)存儲。
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雖然DRAMNAND Flash 因淡季效應(yīng)而略顯弱勢,但繼續(xù)看好

雖然近期DRAMNAND Flash價格走勢因淡季效應(yīng)而略顯弱勢,但是并不影響記內(nèi)存廠商的獲利表現(xiàn)。美國存儲廠商(Micron)昨日宣布調(diào)升2018會計年度第二季(去年12月1日至今年3月
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2018上半年市場行情回歸理性,6月NAND Flash價格呈下滑趨勢

NAND Flash價格在經(jīng)歷了2016和2017暴漲之后,2018上半年市場行情回歸理性,在原廠擴大64層3D NAND產(chǎn)出下,NAND Flash基本已回到2016的價格水平。隨著各家
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業(yè)務(wù)分析和展望:持續(xù)推進DRAMNAND Flash技術(shù)發(fā)展

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2018-08-22 16:40:411484

NAND Flash市場供貨量增加,綜合價格指數(shù)已累計下滑28%

隨著Flash各家原廠紛紛升級到64層3D NAND技術(shù)量產(chǎn)256Gb或512Gb單顆Die,以及提高新工廠的產(chǎn)出量,2018三星全面向3D NAND普及,預(yù)計2018全球NAND
2018-08-22 16:53:432050

長江存儲趕超將為NAND Flash市場帶來新變量

2018全球NAND Flash價格一路走跌,由于市場需求增長平緩,業(yè)者預(yù)期下半年延續(xù)跌勢,隨著國際NAND Flash大廠紛紛加碼投資次時代技術(shù)堆疊,2019QLC(Quad-Level
2018-08-29 17:46:267373

三星采取保守策略,DRAM投資大減,NAND閃存持續(xù)增投

據(jù)日媒指出,三星2019針對存儲器的投資總體會減少,但是在DRAMNAND Flash上的策略有所不同。其中,在DRAM部分,三星大減20%資本支出;而在NAND Flash部分,三星的投資仍將持續(xù)增加。
2018-10-10 16:13:443814

三星、3D-NAND Flash產(chǎn)出比重已逾50%

集邦咨詢半導(dǎo)體研究中心(DRAMeXchange)最新研究顯示,隨著下半年各家原廠最新64層堆棧的3D-NAND Flash產(chǎn)能開出,在三星及等領(lǐng)頭羊帶領(lǐng)下,預(yù)估第三季3D-NAND Flash
2018-11-16 08:45:591450

計劃削減12.5億美元的資本支出,減少內(nèi)存及閃存芯片的產(chǎn)量

總裁、CEO Sanjay Mehrotra在財報電話會議上表示,為了適應(yīng)當前市場的狀況,減少DRAM內(nèi)存及NAND閃存芯片的產(chǎn)量。根據(jù)的數(shù)據(jù),2019他們預(yù)測DRAM內(nèi)存產(chǎn)量增加15%,低于此前預(yù)測的20%增長,而NAND閃存預(yù)計增長35%,低于之前預(yù)計的35-40%增長率。
2018-12-21 11:15:054225

DRAM價格壟斷調(diào)查轉(zhuǎn)至NAND Flash捆綁銷售

先前反壟斷局針對DRAM三大業(yè)者,三星電子(Samsung Electronics)、SK海力士(SK Hynix)及(Micron)展開反壟斷嫌疑調(diào)查,據(jù)悉最近調(diào)查已告一段落,調(diào)查與開罰的理由,從原先的DRAM價格壟斷轉(zhuǎn)至NAND Flash捆綁銷售。
2018-12-29 09:22:514036

國產(chǎn)才剛剛起步,三星、接連下調(diào)存儲收入預(yù)期

電子表示,第四季度盈利減少主要受存儲芯片需求低迷影響,并預(yù)計2019第一季度業(yè)績保持低迷。 此前,美國存儲器大廠公司、韓國SK海力士紛紛表示,2019DRAMNAND需求減弱、價格下跌,并調(diào)整營收或減少投資。 觀察者網(wǎng)注意到,中國存儲行業(yè)幾大重點
2019-01-09 18:12:01991

沒有技術(shù)的無奈!壟斷案硬是成了晉華竊取技術(shù)案

而對于DRAM價格持續(xù)上漲的原因,此前業(yè)界認為是由于DRAM市場需求持續(xù)增長,以及各大存儲廠商積極轉(zhuǎn)進3D NAND Flash制造,但3DNAND Flash生產(chǎn)設(shè)備無法再轉(zhuǎn)回生產(chǎn)DRAM,導(dǎo)致
2019-01-15 14:51:205331

公布DRAM和NANDFlash的最新技術(shù)線路圖 持續(xù)推進1ZnmDRAM技術(shù)及研發(fā)128層3DNAND

作為全球知名的存儲器廠商,近日,召開了2019投資者大會,在大會中上,展示了DRAMNAND Flash下一代技術(shù)的發(fā)展以及規(guī)劃。
2019-05-24 16:56:354645

存儲市場惡化 同步減產(chǎn) DRAMNAND Flash

存儲市場前景透露悲觀氣氛
2019-06-27 10:22:593500

20196月DRAMNAND Flash跌價趨勢持續(xù)

DRAMNAND Flash持續(xù)維持下降走勢。
2019-07-06 11:38:564189

東芝存儲XL-Flash技術(shù)2020量產(chǎn)

,XL-Flash將為數(shù)據(jù)中心和企業(yè)存儲帶來了低延遲和高性能的解決方案,樣品預(yù)計將于下月送樣檢測,或?qū)⒂?b class="flag-6" style="color: red">2020量產(chǎn)。
2019-08-07 10:56:321067

紫光加持DRAM 行業(yè)正在回暖

8月27日,重慶市人民政府與紫光集團簽署紫光存儲芯片產(chǎn)業(yè)基地項目合作協(xié)議。紫光集團將在重慶建設(shè)包括DRAM總部研發(fā)中心在內(nèi)的紫光DRAM事業(yè)群總部、DRAM存儲芯片制造工廠,據(jù)悉,DRAM存儲芯片制造工廠計劃于2019底開工建設(shè),預(yù)計2021建成投產(chǎn)。
2019-08-30 14:21:29859

已流片第一批第四代3DNAND存儲芯片 有望在2020生產(chǎn)商用第四代3DNAND內(nèi)存

科技已經(jīng)流片第一批第四代3D NAND存儲芯片,它們基于全新的RG架構(gòu)。該公司有望在2020生產(chǎn)商用第四代3D NAND內(nèi)存,但警告稱,使用新架構(gòu)的存儲芯片僅用于特定應(yīng)用,因此明年其3D NAND成本削減微乎其微。
2019-10-08 16:25:154507

NAND Flash價格明顯止跌 NAND新一輪軍備競賽又將開始

隨著NAND Flash價格的連續(xù)走低,為了防止過量的NAND閃存供應(yīng)導(dǎo)致市場崩潰,三大NAND生產(chǎn)廠商、Intel、以及SK海力士已經(jīng)共同宣布采取手段遏制供大于求的現(xiàn)狀,具體來講就是全方位
2019-10-12 10:01:221136

第四代3D NAND芯片量產(chǎn) 計劃繼續(xù)沿用CMOS陣列

存儲行業(yè)隨著物聯(lián)網(wǎng)時代的來臨迎來了一波新的發(fā)展機遇,近日,根據(jù)最新消息顯示,存儲巨頭,的第四代3D NAND芯片完成首批流片,新一代產(chǎn)品基于全新研發(fā)的替代柵極架構(gòu),將于明年開始小范圍量產(chǎn)。
2019-11-18 15:33:471043

隨著國內(nèi)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)投入的加大 國內(nèi)存儲行業(yè)迎來加速發(fā)展

目前在全球的消費電子市場上,存儲器是名副其實的電子行業(yè)“原材料”。如果再將存儲器細分,又可分為 DRAM、NAND Flash 與 Nor Flash 三種。
2019-11-19 10:53:081370

國產(chǎn)存儲產(chǎn)業(yè)崛起 長江存儲有望在2023趕“英”超“

201911月27日,由集邦咨詢(TrendForce)主辦的MTS2020存儲產(chǎn)業(yè)趨勢峰會在深圳召開。在當天的活動上,多位分析師對全球DRMA及NAND Flash市場進行了細致的分析。
2019-11-29 08:44:085044

明年的NAND Flash市場或強勢增長 存儲行業(yè)即將迎來曙光

IC Insights 表示,2020 預(yù)測成長最快 IC 產(chǎn)品中,NAND flash 排第一、DRAM 排第三。 今年這兩項商品的市場崩盤,2019 NAND flash 銷售重挫 27
2019-12-06 10:36:40799

業(yè)績與存儲芯片市場供需關(guān)系大

據(jù)鉅亨網(wǎng)報道,專門生產(chǎn) DRAMNAND可謂最具周期性的科技業(yè)務(wù),其財務(wù)業(yè)績會隨著存儲芯片市場供需關(guān)系而大幅波動。
2019-12-20 11:40:063947

2020NAND閃存需求逐漸緊張,價格預(yù)計持續(xù)走揚

研調(diào)機構(gòu)集邦科技存儲器儲存研究(DRAMeXchange)最新調(diào)查指出,2020首季NAND Flash需求淡季不淡,而在原廠資本支出相對保守下,2020全年供需將逐漸緊張,第1、2季價格預(yù)計持續(xù)走揚。
2020-01-02 16:45:023595

預(yù)計2021整體DRAM價格可望逐步向上

(Micron Technology Inc.)先前宣布上修本季財測,并看好2021DRAM銷售將有良好表現(xiàn)。股價收盤為75.18美元,漲3.26美元,漲幅4.53%。 DRAM現(xiàn)貨價自2020
2021-01-06 17:43:452693

科技量產(chǎn)全球首款基于LPDDR5 DRAM的多芯片封裝產(chǎn)品

北京時間10月27日消息,內(nèi)存和存儲解決方案供應(yīng)商Micron Technology(科技)宣布量產(chǎn)業(yè)界首款基于低功耗DDR5(LPDDR5)DRAM的通用閃存存儲(UFS)多芯片封裝產(chǎn)品
2020-10-27 15:17:473518

NAND Flash存儲結(jié)構(gòu)以及NAND Flash的接口控制設(shè)計

Nand flashflash存儲器的其中一種,Nand flash其內(nèi)部采用非線性宏單元模式以及為固態(tài)大容量內(nèi)存的實現(xiàn)提供了廉價有效的解決方案。NAND FLASH存儲器具有容量較大和改寫速度快
2020-11-03 16:12:085421

發(fā)布176層3D NAND閃存

存儲器廠商宣布,其第五代3D NAND閃存技術(shù)達到創(chuàng)紀錄的176層堆疊。預(yù)計通過全新推出的176層3D NAND閃存技術(shù)以及架構(gòu),可以大幅度提升數(shù)據(jù)中心、智能邊緣計算以及智能手機存儲
2020-11-12 16:02:553696

:市場對DRAM的需求將有增無減,供需緊張的情況延續(xù)好幾年

集微網(wǎng)消息,據(jù)MoneyDJ報道,存儲器大廠執(zhí)行副總裁兼首席商務(wù)官Sumit Sadana表示,今年DRAM產(chǎn)業(yè)將受惠5G帶動相關(guān)應(yīng)用,加上車用快速回溫,DRAM供不應(yīng)求,目前部分DRAM
2021-01-28 15:54:452392

預(yù)計2020中國存儲芯片市場規(guī)模突破3000億元

在國家大力支持半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展的大背景下,中國半導(dǎo)體存儲器基地于2016開工建設(shè)。半導(dǎo)體行業(yè)迅速發(fā)展推動中國存儲芯片應(yīng)用場景不斷拓寬。當前中國存儲芯片在各領(lǐng)域的應(yīng)用處于起步發(fā)展階段,可成熟應(yīng)用各相關(guān)
2021-02-04 18:40:177583

2021DRAM產(chǎn)業(yè)開啟新一輪漲價潮

科技執(zhí)行副總裁兼首席商務(wù)官Sumit Sadana日前表示,2021DRAM產(chǎn)業(yè)將受惠5G帶動相關(guān)應(yīng)用,加上車用快速回溫,DRAM供不應(yīng)求。韓國NH證券分析師稱1月份的DRAM合約價格同比上漲了5%,這是自20205月以來的首次上漲。隨著價格上漲,DRAM產(chǎn)業(yè)有望在2021掀起一輪新的競爭。
2021-02-23 08:50:523050

虧4億 宣布出售芯片工廠!

3D Xpoint技術(shù)是與英特爾共同開發(fā)的一種非易失性存儲技術(shù),比NAND閃存擁有更高的性能和耐用性,旨在填補DRAMNAND閃存之間的存儲空白
2021-03-19 14:25:251570

NAND Flash價格大漲,中國市場或受影響最大

電子發(fā)燒友網(wǎng)報道(文/李彎彎)2月17日,據(jù)供應(yīng)鏈消息,NAND Flash合約價格上調(diào)25%,而幾日前,西部數(shù)據(jù)發(fā)布了NAND Flash的漲價通知。
2022-02-22 11:17:012522

減少20%存儲芯片供應(yīng) 并再次下調(diào)資本支出

減少DRAMNAND投片,會比截至9月1日止的2022財年Q4減少約20%。 9月曾表示,會將今年度的資本支出減少30%,在新的發(fā)言中美光表示進一步減少資本支出。 Wedbush分析師布萊森指出,廣泛地減少供應(yīng)和資本支出,通常意味著存儲產(chǎn)業(yè)落底,是個好跡象
2022-11-17 11:27:341465

DRAMNAND晶圓削減20%開工率

光表示:“最近,人們對2023的市場前景有所減弱?!辈⒅赋?,預(yù)計DRAM bit的供應(yīng)同比將有所收縮,NAND bit的供應(yīng)增長顯著低于此前預(yù)期。
2022-11-17 14:41:22419

加大減產(chǎn)力度至30% 減產(chǎn)持續(xù)至2024

公司表示,雖然2023業(yè)界需求預(yù)測還處于較低水平,但業(yè)界整體供應(yīng)量大幅減少正在穩(wěn)定市場。去年11月,公司宣布存儲器半導(dǎo)體減產(chǎn)20%。據(jù)業(yè)績內(nèi)容,公司致力于庫存管理和供應(yīng)調(diào)節(jié),最近dramnand晶片的開工率減少了近30%,并預(yù)測減產(chǎn)持續(xù)到2024
2023-06-30 11:05:271078

宣布減產(chǎn)至30%!

稱,2023 行業(yè)需求預(yù)測目前較低,但整個行業(yè)供應(yīng)量的大幅減少已開始穩(wěn)定市場。去年 11 月份,宣布存儲芯片減產(chǎn) 2 成。財報內(nèi)容顯示,專注于庫存管理和控制供應(yīng),近期 DRAMNAND 晶圓開工率進一步減少至近 30%,預(yù)計減產(chǎn)持續(xù)到 2024 。
2023-06-30 15:01:321047

2Q23 NAND Flash/DRAM市場營收排名出爐

不同于一季度的疲軟,可以看到在 二季度存儲市場明顯有所回暖,打破自2022二季度以來的連續(xù)下滑,重新恢復(fù)增長。 據(jù)CFM閃存市場分析, 2023二季度全球NAND Flash市場規(guī)模環(huán)比增長5
2023-09-05 16:13:32906

起訴!長江存儲反擊

訴訟旨在解決以下問題的一個方面:試圖通過迫使長江存儲退出3D NAND Flash(閃存)市場來阻止競爭和創(chuàng)新。
2023-11-13 15:47:511090

dramnand的區(qū)別

dramnand的區(qū)別? DRAMNAND是兩種不同類型的存儲器。DRAM(Dynamic Random Access Memory)是一種隨機存取存儲器,而NAND(Not AND)是一種邏輯
2023-12-08 10:32:0011547

三星與擬提DRAM價格,以求盈利回暖

部分存儲模組廠已接到三星通知,要求明年年初至少將DRAM價格上調(diào)15%以上,且該通知并未涉及NAND閃存定價,故預(yù)計后者將會持續(xù)上漲。DRAM價格在去年年底上漲2%-3%,不及3D TLC NAND約10%;
2024-01-03 10:46:211562

DRAM價格飆升,三星和美計劃Q1漲幅高達20%

根據(jù)最新的存儲器模組行業(yè)消息,隨著自2023下半年以來NAND Flash價格一路攀升,三星電子和美等主要存儲器制造商計劃在Q1上調(diào)DRAM價格,漲幅預(yù)計達到15%-20%。 業(yè)內(nèi)分析師指出
2024-01-03 18:14:161738

預(yù)計2025車均搭載16GB DRAM和204GB NAND

近日,全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體存儲解決方案提供商科技發(fā)布了《車用存儲大趨勢白皮書》。該白皮書深入探討了未來五內(nèi)車用存儲市場的增長趨勢和預(yù)測。根據(jù)預(yù)測,到2025,每輛汽車搭載高達16GB的DRAM
2024-02-02 15:41:131471

將在日本廣島建DRAM芯片制造工廠,2027底或竣工

近期發(fā)布公告,斥資45至55億美元在日本廣島建設(shè)DRAM芯片制造工廠,以引入頂尖EUV設(shè)備,預(yù)計最早于2027末實現(xiàn)先進DRAM量產(chǎn)。
2024-05-28 16:38:401923

科技將在日本廣島新建DRAM芯片工廠

近日,科技宣布,將在日本廣島縣建立一座新的DRAM芯片生產(chǎn)工廠,預(yù)計最早于2027底正式投入運營。該項目的總投資預(yù)估在6000億至8000億日元之間,體現(xiàn)了對于日本市場及全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的堅定信心。
2024-05-31 11:48:231570

日本廣島DRAM新廠預(yù)計2027量產(chǎn)

全球知名的DRAM大廠,早在去年就已宣布了其在日本廣島的重大投資計劃。據(jù)悉,計劃斥資6,000至8,000億日元,在廣島興建一座全新的DRAM工廠。這一項目預(yù)計將在2026初破土動工,最快有望在2027底前完成廠房建設(shè)、機臺設(shè)備安裝,并正式投入營運。
2024-06-14 09:53:101341

TrendForce預(yù)測2025DRAMNAND閃存產(chǎn)業(yè)營收創(chuàng)歷史新高

型產(chǎn)品的涌現(xiàn),預(yù)計到2024度,全球DRAMNAND閃存產(chǎn)業(yè)的總營業(yè)收入有望實現(xiàn)75%和77%的驚人同比增長。而在此之后的2025度,這兩大領(lǐng)域的營收增長勢頭仍將持續(xù),預(yù)計DRAMNAND閃存產(chǎn)業(yè)的總營業(yè)收入分別以51%和29%的速度繼續(xù)攀升,創(chuàng)造出前所未有的歷史新紀錄。
2024-07-24 14:51:101331

科技計劃大規(guī)模擴大DRAM產(chǎn)能

據(jù)業(yè)內(nèi)消息,科技預(yù)計今年繼續(xù)積極擴大其DRAM產(chǎn)能,與去年相似。得益于美國政府確認的巨額補貼,近期具體落實對現(xiàn)有DRAM工廠進行改造的投資計劃。   去年底,科技宣布將在
2025-01-07 17:08:561311

NAND Flash廠商2025重啟減產(chǎn)策略

根據(jù)知名研調(diào)機構(gòu)集邦(TrendForce)最新發(fā)布的研究報告,NAND Flash產(chǎn)業(yè)預(yù)計在2025持續(xù)面臨需求疲弱與供給過剩的雙重嚴峻挑戰(zhàn)。這一趨勢迫使NAND Flash的主要供應(yīng)商們采取積極措施以應(yīng)對市場變化。
2025-01-24 14:20:521191

2024全球存儲銷售收入規(guī)模創(chuàng)歷史新高,4Q24 DRAM/NAND Flash市占排名出爐

應(yīng)用市場疲軟的影響下,四季度DRAMNAND Flash市場表現(xiàn)已經(jīng)出現(xiàn)了明顯分化。 站在現(xiàn)階段的時間節(jié)點,存儲市場的供需關(guān)系再度站上十字路口。 在1Q25存儲行情全面下行的情況下,下半年需求市場的預(yù)期回暖能否如期發(fā)生,存儲價格究竟何時企穩(wěn)?而又隨著供應(yīng)減產(chǎn),是按需備貨還
2025-02-21 16:00:361310

國產(chǎn)存儲芯片新格局:2020真正實現(xiàn)大規(guī)模量產(chǎn)!

存儲芯片在電子產(chǎn)業(yè)鏈中扮演著非常重要的角色,主要分為閃存和內(nèi)存,閃存包括 NAND Flash 和 NOR Flash ,內(nèi)存主要為 DRAM 。 2019 ,由于市場低迷及產(chǎn)能過剩,存儲
2020-01-06 08:30:0026712

2020存儲行業(yè)十大事件:全球格局生變、價格跌宕起伏、國產(chǎn)芯片承壓突圍!

電子發(fā)燒友網(wǎng)報道(文/李彎彎)2020已接近尾聲,這一對于存儲行業(yè)來說是不同尋常的一。首先,價格漲跌出乎尋常,年初DRAM、NAND因為疫情原因產(chǎn)能供應(yīng)不足,價格大漲,行業(yè)預(yù)計今年全年存儲都將
2020-12-01 08:51:427897

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